專利名稱：一種根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種尋找問題制程范圍的方法，尤其涉及一種根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法。
背景技術(shù)：
如今半導(dǎo)體制造業(yè)的發(fā)展可謂日新月異，晶圓的生產(chǎn)周期越來越短，在生產(chǎn)周期縮短的同時，需要保證所生產(chǎn)的晶圓具有較高的成品率，在這樣的情況下，晶圓缺陷檢測的及時性和準(zhǔn)確性就顯得尤為重要。在確定了缺陷晶圓后如果能夠通過某種方法來快速的找到相關(guān)的問題制程或制程段，那么問題的影響就能夠得到降低。目前對于問題制程的尋找方法一般是對各個可疑機(jī)臺加強(qiáng)檢測，安排后續(xù)的產(chǎn)品逐站進(jìn)行掃描。這樣的做法會增加過多的人力和物理，而且尋找出問題制程機(jī)臺的成功率也較低。中國專利(申請?zhí)?CNl0117461OB )公開了一種晶圓以及利用該晶圓來識別錯誤制程的方法，該專利公開了一種晶圓，其邊緣有第一缺口，其中在晶圓的邊緣至少還設(shè)有第二缺口，第二缺口與第一缺口位置相差90度，形狀不同，且開口高度相等。同時該專利還公開了一種利用晶圓識別錯誤制程的方法，至少兩個晶圓通過該制程，步驟為:第一片晶圓通過該晶圓上的第一缺口定位，通過該制程；將第二片晶圓旋轉(zhuǎn)90度，通過該晶圓上的第二缺口定位，通過該制程；通過第一缺口定位檢測第一片晶圓上的芯片參數(shù)；通過第二缺口定位檢測第二片晶圓上的芯片參數(shù)；對比兩個晶圓上芯片參數(shù)的失效模式來判斷該制程是否出現(xiàn)錯誤。通過該方法來判斷錯誤制程的實質(zhì)還是需要先確定一些相對可疑的制程機(jī)臺，然后通過利用設(shè)有兩個定位缺口的晶圓進(jìn)行檢查，逐個判斷制程的錯誤與否?？梢?，該專利公開的方法對于提高尋找錯誤制程的速度還是有限的。中國專利(申請?zhí)?CN101378024B)中公開了一種晶圓缺陷的檢測方法，設(shè)計半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域。該方法包括如下步驟:選定檢測區(qū)域，該檢測區(qū)域是以晶圓中心為圓心，半徑是晶圓半徑十分之一至五分之一的圓形區(qū)域；在該檢測區(qū)域內(nèi)選取若干個呈放射性均勻分布的檢測點，檢測點大于49個；對每一檢測點進(jìn)行分析，找出缺陷的位置。該專利所公開的方法通過在較小的區(qū)域里設(shè)置較多的檢測點來檢測晶圓中心區(qū)域出現(xiàn)的細(xì)小缺陷，從而及時改善晶圓的生產(chǎn)條件，調(diào)高晶圓的成品率。該方法雖然能夠提高晶圓的成品率，但是依賴分布檢測點的方式來實現(xiàn)的，方法和過程相對來說還是比較繁瑣。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明提供一種根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程段的方法。本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為:一種根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，應(yīng)用于缺陷集中分布的多個缺陷晶圓上，其中，建立所述缺陷晶圓的凹口方向數(shù)據(jù)庫，所述凹口方向數(shù)據(jù)庫包括每個所述缺陷晶圓的凹口方向的數(shù)據(jù)及該缺陷晶圓進(jìn)行過的制程的數(shù)據(jù)；分析、比對所述凹口方向數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)，獲取所述缺陷晶圓兩兩之間凹口方向夾角的數(shù)據(jù)；記錄每個所述缺陷晶圓的編號，建立編號數(shù)據(jù)庫；分析并記錄每一片缺陷晶圓的缺陷位置，建立缺陷數(shù)據(jù)庫；根據(jù)所述編號數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)，獲取并比對每個所述缺陷晶圓在所述凹口方向夾角數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)和缺陷數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)；根據(jù)上述的制程的數(shù)據(jù)，逐一判斷每個制程中，上述凹口方向夾角數(shù)據(jù)與獲取的所述缺陷數(shù)據(jù)之間是否匹配；若匹配，則該制程確定為問題制程段的開始制程；若不匹配，則該制程確定為問題制程段的結(jié)束制程。所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其中，所述缺陷數(shù)據(jù)庫中包括缺陷矢量的數(shù)據(jù)；所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其中，所述缺陷矢量是設(shè)定所述缺陷晶圓的凹口的開口端朝向同一方向，并以所有缺陷晶圓的凹口的開口端朝向的方向為基準(zhǔn)，以每個缺陷晶圓的中心為起點，以該缺陷晶圓上的缺陷中心為終點所構(gòu)成的
矢量;所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其中，所述缺陷中心是缺陷區(qū)域的幾何中心。所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其中，所述缺陷矢量數(shù)據(jù)庫還包括缺陷矢量夾角的數(shù)據(jù)，該缺陷矢量夾角的數(shù)據(jù)是將所有的所述缺陷晶圓之間進(jìn)行兩兩對比后得到的缺陷矢量的夾角的數(shù)據(jù)。所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其中，所述的缺陷晶圓的凹口同一朝向為朝向正下方。所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其中，根據(jù)所述缺陷矢量夾角與所述凹口方向夾角是否相等來判斷所述凹口方向夾角數(shù)據(jù)與獲取的所述缺陷數(shù)據(jù)之間是否匹配；若所述缺陷矢量夾角與所述凹口方向夾角相等，則所述凹口方向數(shù)據(jù)與獲取的所述缺陷數(shù)據(jù)之間匹配；若所述缺陷矢量夾角與所述凹口方向夾角不相等，則所述凹口方向數(shù)據(jù)與獲取的所述缺陷數(shù)據(jù)之間不匹配。所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其中，所述的缺陷矢量夾角的取值范圍為O 360°。所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其中，所述的凹口方向夾角的取值范圍為O 360°上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點或有益效果:本發(fā)明通過晶圓凹口數(shù)據(jù)庫的建立，從而僅通過缺陷晶圓間的比較，就能夠確定問題制程段的范圍，試用本發(fā)明鎖定問題制程段的范圍時，無需像傳統(tǒng)的方法一樣對每一步都進(jìn)行掃描，因此節(jié)省了大量人力和掃描機(jī)臺資源。


參考所附附圖，以更加充分的描述本發(fā)明的實施例。然而，所附附圖僅用于說明和闡述，并不構(gòu)成對本發(fā)明范圍的限制。圖1是本發(fā)明根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法的流程示意 圖2是本發(fā)明實施例中缺陷晶圓的缺陷集中分布情況示意圖；圖3是本發(fā)明實施例中缺陷中心和缺陷矢量的示意圖；圖4是本發(fā)明實施例中缺陷矢量夾角示意圖；圖5是本發(fā)明實施例中晶圓凹口方向數(shù)據(jù)庫的示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明是一種根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，本發(fā)明方法的具體實施方式
如下:如圖1所示，本發(fā)明方法的實施步驟為:首先，建立所述缺陷晶圓的凹口方向數(shù)據(jù)庫，所述凹口方向數(shù)據(jù)庫包括每個所述缺陷晶圓的凹口方向的數(shù)據(jù)及該缺陷晶圓進(jìn)行過的制程的數(shù)據(jù)；其次，分析、比對所述凹口方向數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)，獲取所述缺陷晶圓兩兩之間凹口方向夾角的數(shù)據(jù)；記錄每個所述缺陷晶圓的編號，建立編號數(shù)據(jù)庫；分析并記錄每一片缺陷晶圓的缺陷位置，建立缺陷數(shù)據(jù)庫；根據(jù)所述編號數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)，獲取并比對每個所述缺陷晶圓在所述凹口方向夾角數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)和缺陷數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)；根據(jù)上述的制程的數(shù)據(jù)，逐一判斷每個制程中，上述凹口方向夾角數(shù)據(jù)與獲取的所述缺陷數(shù)據(jù)之間是否匹配；若匹配，則所述制程確定為問題制程段的開始制程，若不匹配，則所述制程確定為問題制程段的結(jié)束制程。下面結(jié)合附圖與實例來具體闡述本發(fā)明。每個晶圓在通過不同的制程中都會有各自的凹口朝向，將這些凹口朝向進(jìn)行匯總和整理，可以得到晶圓凹口方向的數(shù)據(jù)庫。晶圓凹口方向數(shù)據(jù)庫可以通過坐標(biāo)系的形式來建立，將不同的制程建立為橫坐標(biāo)，將晶圓的編號建立為縱坐標(biāo)，這樣通過坐標(biāo)系的縱橫坐標(biāo)就能夠快速且方便地找到某個晶圓在某個制程中的凹口朝向。根據(jù)晶圓凹口方向數(shù)據(jù)庫，兩兩對比每個晶圓在不同制程中的不同的凹口朝向，可以得到不同晶圓間的凹口方向夾角。圖5是本發(fā)明實施例中晶圓凹口方向數(shù)據(jù)庫的不意圖，如圖5所示，在光刻顯影機(jī)這個制程中，編號為O1、02、11、24和25的晶圓凹口朝向同一位置，可見，所有的晶圓之間的凹口方向夾角都為O度；在測量機(jī)I這個制程中，除了晶圓11的凹口朝向是水平向右外，其余的晶圓凹口朝向都是朝向另一方向，所以，在測量機(jī)I這個制程中11#晶圓與其他晶圓之間的凹口方向夾角為60度，而其他晶圓之間的凹口方向夾角都為O度；測量機(jī)2這個制程中，除了晶圓11的凹口朝向是水平向左以外，其余晶圓的凹口朝向都是另一方向，由此可知，在測量機(jī)2這個制程中晶圓11與其他晶圓之間的凹口方向夾角為120度，而其他晶圓之間的凹口方向夾角為O度；同樣的道理，在測量機(jī)3的這個制程中，晶圓01、晶圓11和晶圓24的凹口朝向為正上方方向，晶圓02和晶圓25的凹口朝向為另一方向，所以，通過兩兩比對可以得到晶圓01、晶圓11、晶圓24這三個晶圓彼此之間的凹口方向夾角為O度，晶圓02和晶圓25之間的凹口方向夾角為O度，晶圓02與晶圓O1、晶圓11、晶圓24中任何一片晶圓之間的凹口方向夾角為30度，晶圓25與晶圓01、晶圓11、晶圓24中任何一片晶圓之間的凹口方向夾角也為30度。在一批晶圓中找出存在集中缺陷的晶圓并記錄其編號，并建立編號數(shù)據(jù)庫。圖2是本發(fā)明實施例中缺陷晶圓的缺陷集中分布情況示意圖，如圖2所示，集中缺陷可能存在以下幾種方式:1.邊界聚集缺陷；2.線性缺陷；3.缺陷密度分布不均勻的缺陷聚集處。在本實施例中假設(shè)存在集中缺陷的晶圓01、晶圓02、晶圓11、晶圓24和晶圓25。分析并記錄每一片存在集中缺陷的晶圓的缺陷位置，并建立缺陷數(shù)據(jù)庫，其中，缺陷數(shù)據(jù)庫中包括缺陷矢量數(shù)據(jù)和缺陷矢量夾角數(shù)據(jù)。圖3是缺陷中心和缺陷矢量的示意圖，如圖3所示，以缺陷晶圓朝向正下方方向放置為基準(zhǔn)，以缺陷晶圓的中心為起點，以缺陷晶圓的缺陷區(qū)域的幾何中心為終點，建立每個缺陷晶圓的缺陷矢量。將該矩形的幾何中心定義為缺陷區(qū)域的中心。通過缺陷晶圓之間的兩兩對比，計算出缺陷晶圓彼此之間的缺陷矢量夾角，記錄所有缺陷矢量夾角中不為O的數(shù)據(jù)，如圖4所示，除了第11號晶圓外，其余晶圓間的缺陷矢量夾角為0，第11號晶圓與其余晶圓間的缺陷矢量為120度。將之前記錄到的不為O的缺陷矢量夾角與通過晶圓凹口方向數(shù)據(jù)庫得到的晶圓凹口方向夾角進(jìn)行比對，當(dāng)出現(xiàn)缺陷矢量夾角與凹口方向夾角相匹配的情況所在的制程就是本發(fā)明所要確定的問題制程段的開始制程，在尋找到問題制程段的開始制程后，首次出現(xiàn)缺陷矢量夾角與凹口方向夾角不匹配的情況所在的制程就是本發(fā)明所要確定的問題制程段的結(jié)束制程。圖4是本發(fā)明實施例中缺陷矢量夾角示意圖，如圖4所示，編號為01、02、24和25的晶圓間的缺陷矢量夾角都為0，因此不用將這些晶圓間的缺陷矢量夾角與晶圓凹口方向數(shù)據(jù)庫中對應(yīng)的晶圓凹口方向夾角進(jìn)行比對，晶圓11與晶圓01、晶圓02、晶圓24、晶圓25之間的缺陷矢量夾角為120度，這些缺陷矢量夾角不為0，因此，需要將這些缺陷矢量夾角對應(yīng)到晶圓凹口方向數(shù)據(jù)庫中的相應(yīng)位置進(jìn)行對應(yīng)編號晶圓間凹口方向夾角的比對。 圖5是本發(fā)明實施例中晶圓凹口方向數(shù)據(jù)庫的示意圖，如圖5所示，在光刻顯影機(jī)這個制程中，由于晶圓11與晶圓01、晶圓02、晶圓24、晶圓25的凹口方向都相同，因此，晶圓11與晶圓01、晶圓02、晶圓24、晶圓25之間的凹口方向夾角為0，由此可知，在光刻顯影機(jī)這個制程中，晶圓11與晶圓O、晶圓02、晶圓24、晶圓25之間的凹口方向夾角和缺陷矢量夾角不匹配，所以可以確定，光刻顯影機(jī)這個制程不是問題制程的開始制程。使用同樣的方法來驗證測量機(jī)I這個制程，在這個制程中，晶圓11與晶圓01、晶圓02、晶圓24、晶圓25之間的凹口方向夾角為60度，而之前確定的缺陷矢量夾角為120度，同樣不滿足缺陷矢量夾角與凹口方向夾角相匹配的要求，因此，該制程仍然不是問題制程段的開始制程。在測量機(jī)2這個制程中，晶圓11與晶圓01、晶圓02、晶圓24、晶圓25之間的凹口方向夾角為120度，將其與之前得到的晶圓11與晶圓01、晶圓02、晶圓24、晶圓25之間的缺陷矢量夾角進(jìn)行對比，可以得出結(jié)論，在這個制程中晶圓11與晶圓O1、晶圓02、晶圓24、晶圓25之間的缺陷矢量夾角與凹口方向夾角相匹配，并且由于該匹配是首次出現(xiàn)，因此，該制程即為問題制程范圍的開始制程。在開始制程之后的首個制程，即測量機(jī)3這個制程中，晶圓11與晶圓
Ol、晶圓24之間的凹口方向夾角為0，晶圓11與晶圓02、晶圓25之間的凹口方向夾角為30度，將此結(jié)果與凹陷矢量夾角進(jìn)行對比，可以得出結(jié)論，在本制程中凹口方向夾角與缺陷矢量夾角不匹配，并且該不匹配是在問題制程范圍的開始制程之后首次出現(xiàn)，因此，該制程即可確定為是問題制程范圍的結(jié)束制程。由此可見，在本實施例中，找到的問題制程范圍是從測量機(jī)2開始到測量機(jī)3結(jié)束。通過這樣的方法能夠找出問題制程段的開始位置和結(jié)束位置，從而確定問題制程可能存在的范圍。特別需要指出的是本實施例中的問題制程段的開始制程之后緊接著的制程就是結(jié)束制程，這是為了更清晰、簡潔地闡述本發(fā)明的方法，在實際的生產(chǎn)過程中，問題制程段有可能長也有可能短，也就是在找到了問題制程段的開始制程之后的一個或幾個制程可能是凹口方向夾角與缺陷矢量夾角相同的制程，也可能是凹口方向夾角與缺陷矢量夾角不同的制程。如果在問題制程段的開始制程之后的一個或者若干個制程的凹口方向夾角與缺陷矢量夾角均相同，那么問題制程段的長度就會被拉長，直至出現(xiàn)一個凹口方向夾角與缺陷矢量夾角不同的制程來終結(jié)它；相反地，如果在問題制程段的開始制程之后的第一個制程就是凹口方向夾角與缺陷矢量夾角不同的制程，那么此時所鎖定的問題制程范圍就僅為兩個制程。由此可見，無論最后得到的問題制程段的范圍是相對長還是相對短的，其范圍還是得到了縮小。本發(fā)明中的缺陷矢量夾角和凹口方向夾角的計算以及對比可通過計算機(jī)來實現(xiàn)，這樣就能快速的完成機(jī)械性的計算過程和對比過程，從而使得確定問題制程范圍的速度得到提升。綜上所述，本發(fā)明通過缺陷晶圓的缺陷矢量夾角與晶圓凹口數(shù)據(jù)庫中的晶圓凹口方向進(jìn)行比對分析，來確定導(dǎo)致缺陷晶圓缺陷產(chǎn)生的問題制程段的開始位置和結(jié)束位置，在開始位置和結(jié)束位置之間的這個范圍內(nèi)就存在著問題制程機(jī)臺，此時，再派工程師去檢查就會有針對性和準(zhǔn)確性，工程師能夠較為快速的找到問題制程機(jī)臺。因此，本發(fā)明具有實施方便、節(jié)省人力等優(yōu)點。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權(quán)利要求書應(yīng)看作是涵蓋本發(fā)明的真實意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認(rèn)為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，應(yīng)用于缺陷集中分布的多個缺陷晶圓上，其特征在于， 建立所述缺陷晶圓的凹口方向數(shù)據(jù)庫，所述凹口方向數(shù)據(jù)庫包括每個所述缺陷晶圓的凹口方向的數(shù)據(jù)及該缺陷晶圓進(jìn)行過的制程的數(shù)據(jù)； 分析、比對所述凹口方向數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)，獲取所述缺陷晶圓兩兩之間凹口方向夾角的數(shù)據(jù)； 記錄每個所述缺陷晶圓的編號，建立編號數(shù)據(jù)庫； 分析并記錄每一片缺陷晶圓的缺陷位置，建立缺陷數(shù)據(jù)庫； 根據(jù)所述編號數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)，獲取并比對每個所述缺陷晶圓在所述凹口方向夾角數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)和缺陷數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)； 根據(jù)上述的制程的數(shù)據(jù)，逐一判斷每個制程中，上述凹口方向夾角數(shù)據(jù)與獲取的所述缺陷數(shù)據(jù)之間是否匹配； 若匹配，則該制程確定為問題制程段的開始制程； 若不匹配，則該制程確定為問題制程段的結(jié)束制程。
2.如權(quán)利要求1所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其特征在于，所述缺陷數(shù)據(jù)庫中包括缺陷矢量的數(shù)據(jù)。
3.如權(quán)利要求1所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其特征在于，所述缺陷矢量是設(shè)定所述缺陷晶圓的凹口的開口端朝向同一方向，并以所有缺陷晶圓的凹口的開口端朝向的方向為基準(zhǔn)，以每個缺陷晶圓的中心為起點，以該缺陷晶圓上的缺陷中心為終點所構(gòu)成的矢量。
4.如權(quán)利要求3所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其特征在于，所述缺陷中心是缺陷區(qū)域的幾何中心。
5.如權(quán)利要求3所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其特征在于，所述缺陷矢量數(shù)據(jù)庫還包括缺陷矢量夾角的數(shù)據(jù)，該缺陷矢量夾角的數(shù)據(jù)是將所有的所述缺陷晶圓之間進(jìn)行兩兩對比后得到的缺陷矢量的夾角的數(shù)據(jù)。
6.如權(quán)利要求3所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其特征在于，所述的缺陷晶圓的凹口同一朝向為朝向正下方。
7.如權(quán)利要求5所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其特征在于，根據(jù)所述缺陷矢量夾角與所述凹口方向夾角是否相等來判斷所述凹口方向夾角數(shù)據(jù)與獲取的所述缺陷數(shù)據(jù)之間是否匹配； 若所述缺陷矢量夾角與所述凹口方向夾角相等，則所述凹口方向數(shù)據(jù)與獲取的所述缺陷數(shù)據(jù)之間匹配； 若所述缺陷矢量夾角與所述凹口方向夾角不相等，則所述凹口方向數(shù)據(jù)與獲取的所述缺陷數(shù)據(jù)之間不匹配。
8.如權(quán)利要求5所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其特征在于，所述的缺陷矢量夾角的取值范圍為O 360°。
9.如權(quán)利要求5所述根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法，其特征在于，所述的凹口方向夾角的取值范圍為O 360°。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種根據(jù)晶圓缺陷聚集位置判定問題制程范圍的方法。建立缺陷晶圓的凹口方向數(shù)據(jù)庫；分析、比對凹口方向數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)，獲取缺陷晶圓兩兩之間凹口方向夾角的數(shù)據(jù)；記錄每個缺陷晶圓的編號；分析并記錄每一片缺陷晶圓的缺陷位置，建立缺陷數(shù)據(jù)庫；根據(jù)編號數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)，獲取并比對每個缺陷晶圓在所述凹口方向夾角數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)和缺陷數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)；根據(jù)上述的制程的數(shù)據(jù)，逐一判斷每個制程中，上述凹口方向夾角數(shù)據(jù)與獲取的所述缺陷數(shù)據(jù)之間是否匹配；若匹配，則該制程確定為問題制程段的開始制程，反之，則確定該制程為問題制程段的結(jié)束。本發(fā)明無需像傳統(tǒng)的方法一樣對每一步都進(jìn)行掃描，因此節(jié)省了大量人力和掃描機(jī)臺資源。
文檔編號H01L21/66GK103151287SQ20131005477
公開日2013年6月12日 申請日期2013年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月20日
發(fā)明者郭賢權(quán), 許向輝, 顧珍 申請人:上海華力微電子有限公司