半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程及其結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程，其包含下列步驟：提供第一基板，該第一基板具有第一金屬凸塊，該第一金屬凸塊具有對(duì)接部，該對(duì)接部具有第一軟化點(diǎn)；提供第二基板，該第二基板具有第二金屬凸塊，該第二金屬凸塊具有第二軟化點(diǎn)，且該第一金屬凸塊的該第一軟化點(diǎn)小于該第二金屬凸塊的該第二軟化點(diǎn)，該第二金屬凸塊具有頂面及側(cè)壁；進(jìn)行加熱步驟，以使該第一金屬凸塊的該對(duì)接部呈軟化狀態(tài)；以及壓合該第一基板與該第二基板，以該第二金屬凸塊嵌入呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部，以使呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部受壓延伸包覆該第二金屬凸塊的該頂面及該側(cè)壁。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程及其結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程，特別是涉及一種具有高品質(zhì)及低成本的半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程。
【背景技術(shù)】
[0002]目前半導(dǎo)體前段封裝技術(shù)的微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systerns, MEMS)封裝技術(shù)已由結(jié)合打線技術(shù)與玻璃膠逐漸演變?yōu)榻饘倥c金屬對(duì)封，然受限于經(jīng)微機(jī)電系統(tǒng)封裝技術(shù)的封裝結(jié)構(gòu)于后段制造過(guò)程中不能有助焊劑或高溫制造過(guò)程，因此無(wú)法采用成本較低的表面粘著技術(shù)(Surface Mount Technology, SMT)進(jìn)行后段封裝,使得整體封裝成本無(wú)法降低。
[0003]有鑒于上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型的半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程及其結(jié)構(gòu)，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過(guò)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝技術(shù)存在的缺陷，而提供一種半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程，其借由加熱第一基板的第一金屬凸塊的對(duì)接部，使對(duì)接部呈軟化狀態(tài)，再壓合第一基板與第二基板，使第二基板的第二金屬凸塊嵌入呈軟化狀態(tài)的對(duì)接部，并延伸包覆第二金屬凸塊的頂面及側(cè)壁。
[0005]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程，其包含下列步驟:提供第一基板，該第一基板具有第一表面及第一金屬凸塊，該第一金屬凸塊形成于該第一表面上，該第一金屬凸塊具有底部及對(duì)接部，該底部位于該對(duì)接部與該第一基板之間，該對(duì)接部具有第一軟化點(diǎn)(first softeningpoint);提供第二基板，該第二基板具有第二表面及第二金屬凸塊，該第二金屬凸塊形成于該第二表面上，該第二金屬凸塊具有第二軟化點(diǎn)(second softening point),且該第一金屬凸塊的該第一軟化點(diǎn)小于該第二金屬凸塊的該第二軟化點(diǎn)，該第二金屬凸塊具有頂面及側(cè)壁；進(jìn)行加熱步驟，以使該第一金屬凸塊的該對(duì)接部呈軟化狀態(tài)；以及壓合該第一基板與該第二基板，該第一表面朝向該第二表面，以該第二金屬凸塊嵌入呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部，以使呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部受壓延伸包覆該第二金屬凸塊的該頂面及該側(cè)壁，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部則位于該第二金屬凸塊與該第一基板之間。
[0006]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0007]前述的半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程，其中該第一基板另具有接合層，該接合層是位于呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部與該第一基板之間。[0008]前述的半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程，其中該第一基板另具有間隔層，該間隔層是位于呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部與該接合層之間。
[0009]前述的半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程，其中該第二金屬凸塊包括有襯底層及外罩層，該外罩層覆蓋該襯底層。
[0010]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其至少包括:第一基板，其具有第一表面及呈軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊形成于該第一表面上，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊具有呈軟化狀態(tài)的底部及呈軟化狀態(tài)的對(duì)接部，呈該軟化狀態(tài)的底部位于呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部與該第一基板之間，呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部具有第一軟化點(diǎn)(first softeningpoint)；以及第二基板，其具有第二表面及第二金屬凸塊，該第二表面朝向該第一表面，且該第二金屬凸塊形成于該第二表面上，該第二金屬凸塊具有頂面及側(cè)壁，且該第二金屬凸塊具有第二軟化點(diǎn)(second softening point),呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部的該第一軟化點(diǎn)小于該第二金屬凸塊的該第二軟化點(diǎn)，其中該第二金屬凸塊嵌入呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部，以使呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部受壓延伸包覆于該第二金屬凸塊的該頂面及該側(cè)壁，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部則位于該第二金屬凸塊與該第一基板之間。
[0011]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0012]前述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中該第二金屬凸塊包括有襯底層及外罩層，該外罩層覆蓋該襯底層。
[0013]前述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一基板另具有接合層，該接合層是位于呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部與該第一基板之間。
[0014]前述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一基板另具有間隔層，該間隔層是位于呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部與該接合層之間。
[0015]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題另外還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程，其至少包含:提供第一基板，該第一基板具有第一表面及第一金屬凸塊，該第一金屬凸塊形成于該第一表面上，該第一金屬凸塊具有底部及對(duì)接部，該底部位于該對(duì)接部與該第一基板之間；提供第二基板，該第二基板具有第二表面及第二金屬凸塊，該第二金屬凸塊形成于該第二表面上，該第二金屬凸塊具有頂面及側(cè)壁；進(jìn)行加熱步驟，以使該第一金屬凸塊的該對(duì)接部呈軟化狀態(tài)；以及壓合該第一基板與該第二基板，該第一表面朝向該第二表面，以該第二金屬凸塊嵌入呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部，以使呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部受壓延伸包覆該第二金屬凸塊的該頂面及該側(cè)壁，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部則位于該第二金屬凸塊與該第一基板之間。
[0016]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題另外還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其至少包括:第一基板，其具有第一表面及呈軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊形成于該第一表面上，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊具有呈軟化狀態(tài)的底部及呈軟化狀態(tài)的對(duì)接部，呈該軟化狀態(tài)的底部位于呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部與該第一基板之間；以及第二基板，其具有第二表面及第二金屬凸塊，該第二表面朝向該第一表面，且該第二金屬凸塊形成于該第二表面上，該第二金屬凸塊具有頂面及側(cè)壁，其中該第二金屬凸塊嵌入呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部，以使呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部受壓延伸包覆于該第二金屬凸塊的該頂面及該側(cè)壁，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部則位于該第二金屬凸塊與該第一基板之間。
[0017]借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點(diǎn):
[0018]本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程是借由加熱步驟使該第一基板的該第一金屬凸塊的該對(duì)接部呈軟化狀態(tài)，再壓合該第一基板及該第二基板，使該第二基板的該第二金屬凸塊嵌入呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部，并使呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部受壓延伸包覆該第二金屬凸塊的該頂面及該側(cè)壁以形成金屬間化合物(Intermetallic Compound, IMC),使該第一基板不需助焊劑即可與該第二基板形成電性連接，因此于后段制造過(guò)程中不需助焊劑清洗步驟，且可承受高于壓合溫度 的熱制造過(guò)程或環(huán)境測(cè)試，達(dá)到高品質(zhì)低成本的封裝需求。
[0019]上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1A至圖1D是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程的截面示意圖。
[0021]圖2是依據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的截面示意圖。
[0022]圖3是依據(jù)本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的截面示意圖。
[0023]圖4是依據(jù)本發(fā)明的第四較佳實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的截面示意圖。
[0024]【主要元件符號(hào)說(shuō)明】
[0025]100:半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)110:第一基板
[0026]111:第一表面112:第一金屬凸塊
[0027]112a:底部112b:對(duì)接部
[0028]112’:軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112a’:軟化狀態(tài)的底部
[0029]112b’:軟化狀態(tài)的對(duì)接部113:第一凸塊下金屬層
[0030]114:接合層115:間隔層
[0031]120:第二基板121:第二表面
[0032]122:第二金屬凸塊122a:襯底層
[0033]122b:外罩層122c:頂面
[0034]122d:側(cè)壁123:第二凸塊下金屬層
【具體實(shí)施方式】
[0035]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程及其結(jié)構(gòu)其【具體實(shí)施方式】、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
[0036]請(qǐng)參閱圖1A至圖1D，其是本發(fā)明的第一實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程是包含下列步驟:首先，請(qǐng)參閱圖1A，提供第一基板110，該第一基板110具有第一表面111及第一金屬凸塊112,該第一金屬凸塊112形成于該第一表面111上，在本實(shí)施例中，該第一基板110另具有第一凸塊下金屬層113及接合層114,該第一凸塊下金屬層113形成于該第一表面111且該第一金屬凸塊112覆蓋該第一凸塊下金屬層113,該第一金屬凸塊112具有底部112a及對(duì)接部112b,該對(duì)接部112b具有第一軟化點(diǎn)(first softening point),該底部112a位于該對(duì)接部112b與該第一基板110之間，該接合層114是位于該第一金屬凸塊112的該底部112a與該第一基板110之間，以減少該第一金屬凸塊112的使用量,該第一金屬凸塊112的材質(zhì)選自于金，該接合層114的材質(zhì)選自于銅；接著，請(qǐng)參閱圖1B，提供第二基板120，該第二基板120具有第二表面121及第二金屬凸塊122，該第二金屬凸塊122形成于該第二表面121上，在本實(shí)施例中，該第二基板120另具有第二凸塊下金屬層123，該第二凸塊下金屬層123形成于該第二表面121且該第二金屬凸塊122覆蓋該第二凸塊下金屬層123，該第二金屬凸塊122包括有襯底層122a及外罩層122b，該外罩層122b覆蓋該襯底層122a，該襯底層122a的材質(zhì)選自于銅，該外罩層122b的材質(zhì)是選自于錫或錫銀合金，該第二金屬凸塊122具有第二軟化點(diǎn)(second softening point),且該第一金屬凸塊112的該第一軟化點(diǎn)小于該第二金屬凸塊122的該第二軟化點(diǎn)，該第二金屬凸塊122具有頂面122c及側(cè)壁122d ;之后，請(qǐng)參閱圖1C，進(jìn)行加熱步驟，以使呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’的該軟化狀態(tài)的對(duì)接部112b’呈軟化狀態(tài)；最后，請(qǐng)參閱圖1D，壓合該第一基板110與該第二基板120，該第一表面111朝向該第二表面121，以該第二金屬凸塊122嵌入呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’的呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部112b’，以使呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部112b’受壓延伸包覆該第二金屬凸塊122的該頂面122c及該側(cè)壁122d，以形成半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’的呈該軟化狀態(tài)的底部112a’則位于該第二金屬凸塊122與該第一基板110之間，該接合層114是位于呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’的呈該軟化狀態(tài)的底部112a’與該第一基板110之間。
[0037]本發(fā)明是利用加熱及壓合步驟使具有該第二軟化點(diǎn)的該第二金屬凸塊122嵌入具有該第一軟化點(diǎn)的該第一金屬凸塊112，由于該第一金屬凸塊112的該對(duì)接部112b的該第一軟化點(diǎn)小于該第二金屬凸塊122的該第二軟化點(diǎn)，因此經(jīng)加熱及壓合步驟后，該第二金屬凸塊122是可嵌入呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’的呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部112b’，以使呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部112b’受壓延伸包覆該第二金屬凸塊122的該頂面122c及該側(cè)壁122d，以電性連接該第一基板110與該第二基板120，且呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’的呈該軟化狀態(tài)的底部112a’則位于該第二金屬凸塊122與該第一基板110之間，以形成不需助焊劑且于后段制造過(guò)程中可承受高于壓合溫度的熱制造過(guò)程或環(huán)境測(cè)試及不需助焊劑清洗步驟的該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100，進(jìn)而達(dá)到高品質(zhì)低成本的封裝需求。
[0038]請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D1D，其是本發(fā)明的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100，其至少包括有第一基板110以及第二基板120,該第一基板110具有第一表面111、呈軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’、第一凸塊下金屬層113及接合層114，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’形成于該第一表面111上，該第一凸塊下金屬層113形成于該第一表面111且呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’覆蓋該第一凸塊下金屬層113，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’具有呈軟化狀態(tài)的底部112a’及呈軟化狀態(tài)的對(duì)接部112b’，呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部112b’具有第一軟化點(diǎn)，呈該軟化狀態(tài)的底部112a’位于呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部112b’與該第一基板110之間，該接合層114是位于呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’的呈該軟化狀態(tài)的底部112a’與該第一基板110之間，在本實(shí)施例中，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’的材質(zhì)選自于金，該接合層114的材質(zhì)選自于銅，該接合層114是用以減少呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’的使用量，該第二基板120具有第二表面121、第二金屬凸塊122及第二凸塊下金屬層123,該第二表面121朝向該第一表面111且該第二金屬凸塊122形成于該第二表面121上，該第二凸塊下金屬層123形成于該第二表面121且該第二金屬凸塊122覆蓋該第二凸塊下金屬層123，該第二金屬凸塊122具有頂面122c、側(cè)壁122d及第二軟化點(diǎn)，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’的呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部112b’的該第一軟化點(diǎn)是小于該第二金屬凸塊122的該第二軟化點(diǎn)，在本實(shí)施例中，該第二金屬凸塊122包括有襯底層122a及外罩層122b,該外罩層122b覆蓋該襯底層122a,該襯底層122a的材質(zhì)選自于銅，該外罩層122b的材質(zhì)是選自于錫或錫銀合金，其中該第二金屬凸塊122嵌入呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’的呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部112b’，以使呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部112b’受壓延伸包覆于該第二金屬凸塊122的該頂面122c及該側(cè)壁122d，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’的呈該軟化狀態(tài)的底部112a’則位于該第二金屬凸塊122與該第一基板110之間。由于呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部112b’受壓延伸包覆于該第二金屬凸塊122的該頂面122c及該側(cè)壁122d，因此該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100不需助焊劑即可完成該第一基板110與該第二基板120的電性連接，省略后續(xù)助焊劑清洗的步驟，且當(dāng)呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’的材質(zhì)為金時(shí)，更具有防氧化的功效。
[0039]此外，請(qǐng)參閱圖2，其為本發(fā)明的第二實(shí)施例，其與本發(fā)明的第一實(shí)施例不同之處在于該第一基板110另具有間隔層115，該間隔層115是位于呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’的呈該軟化狀態(tài)的底部112a’與該接合層114之間，該間隔層115的材質(zhì)是選自于鎳以防止該接合層114與呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊112’過(guò)度結(jié)合?；蛘?，請(qǐng)參閱圖3，其為本發(fā)明的第三實(shí)施例，其與本發(fā)明的第一實(shí)施例不同之處在于該第一基板110僅具有該第一金屬凸塊112’及該第一凸塊下金屬層113。或者,在另一實(shí)施例中，該第二基板120的該第二金屬凸塊122僅具有該襯底層122a (圖未繪出)。
[0040]另，請(qǐng)參閱圖4，其為本發(fā)明的第四實(shí)施例，其與本發(fā)明的第三實(shí)施例不同之處在于該第二金屬凸塊122的該頂面122c是呈弧狀。
[0041]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容做出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程，其特征在于其至少包含: 提供第一基板，該第一基板具有第一表面及第一金屬凸塊，該第一金屬凸塊形成于該第一表面上，該第一金屬凸塊具有底部及對(duì)接部，該底部位于該對(duì)接部與該第一基板之間，該對(duì)接部具有第一軟化點(diǎn)； 提供第二基板，該第二基板具有第二表面及第二金屬凸塊，該第二金屬凸塊形成于該第二表面上，該第二金屬凸塊具有第二軟化點(diǎn)，且該第一金屬凸塊的該第一軟化點(diǎn)小于該第二金屬凸塊的該第二軟化點(diǎn)，該第二金屬凸塊具有頂面及側(cè)壁； 進(jìn)行加熱步驟，以使該第一金屬凸塊的該對(duì)接部呈軟化狀態(tài)；以及 壓合該第一基板與該第二基板，該第一表面朝向該第二表面，以該第二金屬凸塊嵌入呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部，以使呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部受壓延伸包覆該第二金屬凸塊的該頂面及該側(cè)壁，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部則位于該第二金屬凸塊與該第一基板之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程，其特征在于其中該第一基板另具有接合層，該接合層是位于呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部與該第一基板之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半 導(dǎo)體封裝制造過(guò)程，其特征在于其中該第一基板另具有間隔層，該間隔層是位于呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部與該接合層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程，其特征在于其中該第二金屬凸塊包括有襯底層及外罩層，該外罩層覆蓋該襯底層。
5.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其至少包括: 第一基板，其具有第一表面及呈軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊形成于該第一表面上，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊具有呈軟化狀態(tài)的底部及呈軟化狀態(tài)的對(duì)接部，呈該軟化狀態(tài)的底部位于呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部與該第一基板之間，呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部具有第一軟化點(diǎn)；以及 第二基板，其具有第二表面及第二金屬凸塊，該第二表面朝向該第一表面，且該第二金屬凸塊形成于該第二表面上，該第二金屬凸塊具有頂面及側(cè)壁，且該第二金屬凸塊具有第二軟化點(diǎn)，呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部的該第一軟化點(diǎn)小于該第二金屬凸塊的該第二軟化點(diǎn)，其中該第二金屬凸塊嵌入呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部，以使呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部受壓延伸包覆于該第二金屬凸塊的該頂面及該側(cè)壁，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部則位于該第二金屬凸塊與該第一基板之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第二金屬凸塊包括有襯底層及外罩層，該外罩層覆蓋該襯底層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第一基板另具有接合層，該接合層是位于呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部與該第一基板之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第一基板另具有間隔層，該間隔層是位于呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部與該接合層之間。
9.一種半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程，其特征在于其至少包含: 提供第一基板，該第一基板具有第一表面及第一金屬凸塊，該第一金屬凸塊形成于該第一表面上，該第一金屬凸塊具有底部及對(duì)接部，該底部位于該對(duì)接部與該第一基板之間； 提供第二基板，該第二基板具有第二表面及第二金屬凸塊，該第二金屬凸塊形成于該第二表面上，該第二金屬凸塊具有頂面及側(cè)壁； 進(jìn)行加熱步驟，以使該第一金屬凸塊的該對(duì)接部呈軟化狀態(tài)；以及 壓合該第一基板與該第二基板，該第一表面朝向該第二表面，以該第二金屬凸塊嵌入呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部，以使呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部受壓延伸包覆該第二金屬凸塊的該頂面及該側(cè)壁，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部則位于該第二金屬凸塊與該第一基板之間。
10.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其至少包括: 第一基板，其具有第一表面及呈軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊形成于該第一表面上，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊具有呈軟化狀態(tài)的底部及呈軟化狀態(tài)的對(duì)接部，呈該軟化狀態(tài)的底部位于呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部與該第一基板之間；以及 第二基板，其具有第二表面及第二金屬凸塊，該第二表面朝向該第一表面，且該第二金屬凸塊形成于該第 二表面上，該第二金屬凸塊具有頂面及側(cè)壁，其中該第二金屬凸塊嵌入呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部，以使呈該軟化狀態(tài)的對(duì)接部受壓延伸包覆于該第二金屬凸塊的該頂面及該側(cè)壁，呈該軟化狀態(tài)的第一金屬凸塊的呈該軟化狀態(tài)的底部則位于該第二金屬凸塊與該第一基板之間。
【文檔編號(hào)】H01L23/488GK103972114SQ201310054918
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2013年2月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月1日
【發(fā)明者】何榮華, 吳非艱, 郭志明, 張世杰, 涂家榮 申請(qǐng)人:頎邦科技股份有限公司