一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述陽(yáng)極層由依次層疊的含鉿化合物層、導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層組成；所述含鉿化合物折射率高，透光率高，可以使陽(yáng)極縮小和玻璃基底的折射率差，避免全反射的現(xiàn)象，有效增強(qiáng)光出射率；導(dǎo)電金屬單質(zhì)起到導(dǎo)電作用，提高了載流子的傳輸效率，降低器件內(nèi)部能耗，使能量更多的用于光的出射；鐠的氧化物最高已占軌道能級(jí)較大，可以保證空穴的注入。本發(fā)明還公開(kāi)了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]1987年，美國(guó)Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報(bào)道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)。IOV下亮度達(dá)到1000cd/m2，其發(fā)光效率為1.511m/W，壽命大于100小時(shí)。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，一般都是以陽(yáng)極玻璃基底為出光面，這種結(jié)構(gòu)中，光的出射會(huì)先經(jīng)過(guò)陽(yáng)極導(dǎo)電材料的吸收反射，再進(jìn)行一次玻璃的吸收和反射，最后才能出射到空氣中，但是玻璃和陽(yáng)極界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO (氧化銦錫)之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8)，光從ITO到達(dá)玻璃，就會(huì)發(fā)生全反射，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述陽(yáng)極層由依次層疊的含鉿化合物層、導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層組成。通過(guò)在玻璃基底出光面上制備陽(yáng)極層，避免全反射現(xiàn)象，有效增強(qiáng)光出射率，同時(shí)，提高了載流子的傳輸速率；本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述陽(yáng)極層由依次層疊的含鉿化合物層、導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層組成。
[0007]優(yōu)選地，所述含鉿化合物層材質(zhì)為二氧化鉿(HfO2)或二硼化鉿(HfBx),所述含鉿化合物層厚度為20?lOOnm。
[0008]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電金屬單質(zhì)層材質(zhì)為銀(Ag)、鋁(Al) JS(Pt)或金(Au)，所述導(dǎo)電金屬單質(zhì)層厚度為10?30nm。
[0009]優(yōu)選地，所述鐠的氧化物層為二氧化鐠(PrO2)或三氧化二鐠(Pr2O3),所述鐠的氧化物層厚度為I?10nm。
[0010]優(yōu)選地，所述玻璃基底折射率為1.8?2.2，在400nm的光透過(guò)率為90%?96%。
[0011]更優(yōu)選地，所述玻璃基底選自牌號(hào)為N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44的玻璃，所述玻璃基底折射率為1.8?1.9。
[0012]本發(fā)明采用折射率為1.8?2.2，在400nm的光透過(guò)率為90%?96%的玻璃作為器件的基底，可以使器件更多的光入射到基板上，所述含鉿化合物層為透射波段寬(在200nm?10 μ m光透過(guò)率為70%?85%)，高折射率(折射率為2.0?2.3)材質(zhì)組成，含鉿化合物層透射波段寬可保證在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的光透過(guò)率，起到增透的作用；含鉿化合物層折射率高，可以保證從器件內(nèi)部發(fā)射的光能到達(dá)陽(yáng)極，同時(shí)含鉿化合物層與高折射率基板折射率比較匹配，可縮小兩者之間的折射率差，避免全反射現(xiàn)象，有效增強(qiáng)光出射率；所述導(dǎo)電金屬單質(zhì)層起到導(dǎo)電作用，可以提高載流子的傳輸速率，使器件內(nèi)部消耗的能量降低，使能量更多的用于光的出射；所述鐠的氧化物層為高功函數(shù)(功函數(shù)為-7.2eV?-6.5eV)材料，有助于空穴的注入，提高器件的空穴注入效率，同時(shí)，鐠的氧化物層材料較穩(wěn)定，不易與空氣中的氧氣反應(yīng)；因此，本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率高。
[0013]優(yōu)選地，所述空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5),所述空穴注入層的厚度為20?80nm，更優(yōu)選地，所述空穴注入層材質(zhì)為V2O5,厚度為25nm。
[0014]優(yōu)選地，所述空穴傳輸層材質(zhì)為1，1_ 二 [4_[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’ - (1_萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)，所述空穴傳輸層材質(zhì)厚度為20?60nm，更優(yōu)選地，所述空穴傳輸層材質(zhì)為NPB，厚度為30nm。
[0015]優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3),厚度為5?40nm，更優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為Alq3,厚度優(yōu)選為20nm。
[0016]優(yōu)選地，所述的電子傳輸層材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、3_(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，厚度為40?250nm,更優(yōu)選地,所述電子傳輸層材質(zhì)為Bphen,厚度為80nm。
[0017]優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF)，厚度為0.5?10nm，更優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為CsF，厚度為lnm。
[0018]優(yōu)選地，所述陰極為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)，厚度為80?250nm，更優(yōu)選地，所述陰極為Al，厚度為150nm。
[0019]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0020]提供相應(yīng)的玻璃基底，清洗后干燥；
[0021]在玻璃基底出光面上制備陽(yáng)極層，所述陽(yáng)極層由依次層疊的含鉿化合物層、導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層組成；
[0022]制備方法為:首先在玻璃基底出光面上采用電子束蒸鍍的方法制備所述含鉿化合物層，所述電子束蒸鍍的能量密度為10?lOOW/cm2 ；
[0023]然后在含鉿化合物層上采用熱阻蒸鍍法依次制備所述導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層，所述熱阻蒸鍍壓強(qiáng)為5X 10_5?2X 10_3Pa，蒸鍍速率為l?10nm/S ；
[0024]在鐠的氧化物層上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，最終得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0025]優(yōu)選地，所述所述含鉿化合物層材質(zhì)為HfO2或HfB2,所述含鉿化合物層厚度為20 ?lOOnm。
[0026]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電金屬單質(zhì)層材質(zhì)為Ag、Al、Pt或Au，所述導(dǎo)電金屬單質(zhì)層厚度為10 ?30nm。
[0027]優(yōu)選地，所述鐠的氧化物層材質(zhì)為PrO2或Pr2O3,所述鐠的氧化物層厚度為I?IOnm0
[0028]優(yōu)選地，所述空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的熱阻蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強(qiáng)為5X10_5?2X10_3Pa，蒸鍍速率為0.f lnm/s，所述空穴注入層和陰極的熱阻蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強(qiáng)為5X10_5?2X10_3Pa，蒸鍍速率為f lOnm/s。
[0029]優(yōu)選地，所述玻璃基底折射率為1.8?2.2，在400nm的光透過(guò)率為90%?96%。
[0030]更優(yōu)選地，所述玻璃基底選自牌號(hào)為N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44的玻璃，所述玻璃基底折射率為1.8?1.9。
[0031]優(yōu)選地，所述清洗后干燥為將玻璃基板依次用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上，清洗干凈后風(fēng)干。
[0032]優(yōu)選地，所述空穴注入層的材質(zhì)為Mo03、WO3或V2O5,所述空穴注入層的厚度為20?80nm，更優(yōu)選地，所述空穴注入層材質(zhì)為V2O5，厚度為25nm。
[0033]優(yōu)選地，所述空穴傳輸層材質(zhì)為TAPC、TCTA或NPB，所述空穴傳輸層材質(zhì)厚度為20?60nm，更優(yōu)選地，所述空穴傳輸層材質(zhì)為NPB，厚度為30nm。
[0034]優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為DCJTB、ADN、BCzVBi或Alq3,厚度為5?40nm，更優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為Alq3,厚度優(yōu)選為20nm。
[0035]優(yōu)選地，所述的電子傳輸層材質(zhì)為BpheruTAZ或TPBI，厚度為40?250nm，更優(yōu)選地，所述電子傳輸層材質(zhì)為Bphen,厚度為80nm。
[0036]優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為Cs2C03、CsF、CsN3*LiF，厚度為0.5?10nm，更優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為CsF,厚度為lnm。
[0037]優(yōu)選地,所述陰極為Ag、Al、Pt或Au,厚度為80?250nm,更優(yōu)選地,所述陰極為Al，厚度為150nm。
[0038]本發(fā)明采用折射率為1.8?2.2，在400nm的光透過(guò)率為90%?96%的玻璃作為器件的基底，可以使器件更多的光入射到基板上，所述含鉿化合物層為透射波段寬(在200nm?10 μ m光透過(guò)率為70%?85%)，高折射率(折射率為2.0?2.3)材質(zhì)組成，含鉿化合物層透射波段寬可保證在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的光透過(guò)率，起到增透的作用；含鉿化合物層折射率高，可以保證從器件內(nèi)部發(fā)射的光能到達(dá)陽(yáng)極，同時(shí)含鉿化合物層與高折射率基板折射率比較匹配，可縮小兩者之間的折射率差，避免全反射現(xiàn)象，有效增強(qiáng)光出射率；所述導(dǎo)電金屬單質(zhì)層起到導(dǎo)電作用，可以提高載流子的傳輸速率，使器件內(nèi)部消耗的能量降低，使更多的能量用于光的出射；所述鐠的氧化物層為高功函數(shù)(功函數(shù)為-7.2eV?-6.5eV)材料，有助于空穴的注入，提高器件的空穴注入效率，同時(shí)，鐠的氧化物層材料較穩(wěn)定，不易與空氣中的氧氣反應(yīng)；因此，本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率高。
[0039]實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，具有以下有益效果:
[0040]本發(fā)明消除玻璃與陽(yáng)極之間的全反射，使更多的光入射到基板中，含鉿化合物層可保證在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的光透過(guò)率，縮小玻璃與陽(yáng)極之間的折射率差，避免全反射現(xiàn)象，有效增強(qiáng)光出射率，而導(dǎo)電金屬單質(zhì)層則提高了載流子的傳輸速率，而高功函數(shù)的鐠的氧化物層最高已占軌道能級(jí)較大，可保證空穴的注入，有效提高器件的出光效率。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0041]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0042]圖1是本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖2是本發(fā)明實(shí)施例1與對(duì)比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的電壓與電流效率關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0045]實(shí)施例1
[0046]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0047](I)選用牌號(hào)為N-LASF44的玻璃(折射率為1.8，在400nm的光透過(guò)率為96%)作為玻璃基底1，將玻璃基底I依次用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上，清洗干凈后風(fēng)干。
[0048](2)在玻璃基底出光面上制備陽(yáng)極層2，首先采用電子束蒸鍍的方法在玻璃基底I出光面上制備含鉿化合物層21，含鉿化合物層21材質(zhì)為HfO2，厚度為60nm，電子束蒸鍍的能量密度為30W/cm2，然后在含鉿化合物層21上采用熱阻蒸鍍法依次制備導(dǎo)電金屬單質(zhì)層22和鐠的氧化物層23，導(dǎo)電金屬單質(zhì)層22材質(zhì)為Ag，厚度為20nm，鐠的氧化物層23材質(zhì)為PrO2，厚度為2nm，導(dǎo)電金屬單質(zhì)層22和鐠的氧化物層23蒸鍍壓強(qiáng)均為8X10_4Pa，蒸鍍速率均為2nm/s。
[0049](3)在陽(yáng)極上依次采用熱阻蒸鍍制備空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層5、電子傳輸層6、電子注入層7和陰極8，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，
[0050]空穴注入層3材質(zhì)為V2O5，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為8X10_4Pa，蒸鍍速率為2nm/s，蒸鍍厚度為25nm ；
[0051]空穴傳輸層4材質(zhì)為NPB，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為8 X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.2nm/s,蒸鍍厚度為30nm ；
[0052]發(fā)光層5材質(zhì)為Alq3,蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為8 X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.2nm/s,蒸鍍厚度為20nm ；
[0053]電子傳輸層6的材質(zhì)為Bphen,蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為8 X 10_4Pa,蒸鍍速率為0.2nm/s,蒸鍍厚度為80nm ；
[0054]電子注入層7的材質(zhì)為CsF，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為8 X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.2nm/s，蒸鍍厚度為Inm ；
[0055]陰極8的材質(zhì)為Al，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為8\10->&，蒸鍍速率為211111/8，蒸鍍厚度為 150nm。
[0056]圖1為本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底1、陽(yáng)極層2、空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層5、電子傳輸層6、電子注入層7和陰極8，陽(yáng)極層2包括依次層疊的含鉿化合物層21、導(dǎo)電金屬單質(zhì)層22和鐠的氧化物層23。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0057]玻璃基底/Hf02/Ag/Pr02/V205/NPB/Alq3/Bphen/CsF/Al。
[0058]實(shí)施例2
[0059]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0060](I)選用牌號(hào)為N-LAF36的玻璃(折射率為1.8，在400nm的光透過(guò)率為95%)作為玻璃基底，將玻璃基底依次用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上，清洗干凈后風(fēng)干。
[0061](2)在玻璃基底出光面上制備陽(yáng)極層，首先采用電子束蒸鍍的方法在玻璃基底出光面上制備含鉿化合物層，含鉿化合物層材質(zhì)為HfB2，厚度為20nm，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2，然后在含鉿化合物層上采用熱阻蒸鍍法依次制備導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層，導(dǎo)電金屬單質(zhì)層材質(zhì)為Al,厚度為IOnm,鐠的氧化物層材質(zhì)為Pr2O3,厚度為lnm,導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層熱阻蒸鍍壓強(qiáng)均為2X10_3Pa，蒸鍍速率均為lOnm/s。
[0062](3)在陽(yáng)極上依次采用熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，
[0063]空穴注入層材質(zhì)為MoO3，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為2X10_3Pa，蒸鍍速率為lOnm/s，蒸鍍厚度為40nm ；
[0064]空穴傳輸層材質(zhì)為TAPC，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為2X 10_3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為45nm ；
[0065]發(fā)光層材質(zhì)為DCJTB，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為2X10_3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為8nm ；
[0066]電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ,蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為2X 10_3Pa,蒸鍍速率為lnm/s,蒸鍍厚度為65nm ；
[0067]電子注入層的材質(zhì)為Cs2CO3，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為2X10_3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為IOnm ；
[0068]陰極的材質(zhì)為Pt，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為2X10_3Pa，蒸鍍速率為lOnm/s，蒸鍍厚度為 80nm。
[0069]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，陽(yáng)極層包括依次層疊的含鉿化合物層、導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0070]玻璃基底/HfB2/Al/Pr203/Mo03/TAPC/DCJTB/TAZn/Cs2C03/Pt。
[0071]實(shí)施例3
[0072]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0073](I)選用牌號(hào)為N-LASF31A的玻璃(折射率為1.9，在400nm的光透過(guò)率為92%)作為玻璃基底，將玻璃基底依次用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上，清洗干凈后風(fēng)干。
[0074](2)在玻璃基底出光面上制備陽(yáng)極層，首先采用電子束蒸鍍的方法在玻璃基底出光面上制備含鉿化合物層，含鉿化合物層材質(zhì)為HfO2，厚度為lOOnm，電子束蒸鍍的能量密度為lOOW/cm2，然后在含鉿化合物層上采用熱阻蒸鍍法依次制備導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層，導(dǎo)電金屬單質(zhì)層材質(zhì)為Pt,厚度為30nm,鐠的氧化物層材質(zhì)為PrO2,厚度為IOnm,導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層蒸鍍壓強(qiáng)均為5 X 10_5Pa，蒸鍍速率均為lnm/s。
[0075](3)在陽(yáng)極上依次采用熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，
[0076]空穴注入層材質(zhì)為MoO3，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為5X10_5Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為20nm ；
[0077]空穴傳輸層材質(zhì)為TCTA，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s，蒸鍍厚度為60nm ；
[0078]發(fā)光層材質(zhì)為ADN，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s，蒸鍍厚度為IOnm ；
[0079]電子傳輸層的材質(zhì)為TPBI，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s,蒸鍍厚度為200nm ；
[0080]電子注入層的材質(zhì)為L(zhǎng)iF，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s,蒸鍍厚度為0.5nm ；
[0081]陰極的材質(zhì)為Ag,蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為5 X l(T5Pa,蒸鍍速率為lnm/s,蒸鍍厚度為lOOnm。
[0082]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，陽(yáng)極層包括依次層疊的含鉿化合物層、導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0083]玻璃基底/Hf02/Pt/Pr02/Mo03/TCTA/ADN/TPBI/LiF/Ag。
[0084]實(shí)施例4
[0085]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0086](I)選用牌號(hào)為N-LASF41的玻璃(折射率為1.83，在400nm的光透過(guò)率為90%)作為玻璃基底，將玻璃基底依次用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上，清洗干凈后風(fēng)干。
[0087](2)在玻璃基底出光面上制備陽(yáng)極層，首先采用電子束蒸鍍的方法在玻璃基底出光面上制備含鉿化合物層，含鉿化合物層材質(zhì)為HfO2，厚度為25nm，電子束蒸鍍的能量密度為80W/cm2，然后在含鉿化合物層上采用熱阻蒸鍍法依次制備導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層，導(dǎo)電金屬單質(zhì)層材質(zhì)為Au，厚度為20nm，鐠的氧化物層材質(zhì)為PrO2，厚度為lnm，導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層蒸鍍壓強(qiáng)均為2 X 10_4Pa，蒸鍍速率均為6nm/s。
[0088](3)在陽(yáng)極上依次采用熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，
[0089]空穴注入層材質(zhì)為WO3，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為2 X10_4Pa，蒸鍍速率為6nm/s，蒸鍍厚度為80nm ；
[0090]空穴傳輸層材質(zhì)為NPB，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s,蒸鍍厚度為60nm ；
[0091]發(fā)光層材質(zhì)為BCzVBi，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s,蒸鍍厚度為40nm ；[0092]電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為2 X10_4Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s,蒸鍍厚度為35nm ；
[0093]電子注入層的材質(zhì)為CsN3,蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s,蒸鍍厚度為3nm ；
[0094]陰極的材質(zhì)為Au，蒸鍍時(shí)采用的壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，蒸鍍速率為6nm/s，蒸鍍厚度為250nmo
[0095]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，陽(yáng)極層包括依次層疊的含鉿化合物層、導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0096]玻璃基底/Hf02/Au/Pr02/W03/NPB/BCzVBi/TAZ/CsN3/Au。
[0097]對(duì)比實(shí)施例
[0098]為體現(xiàn)為本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設(shè)置了對(duì)比實(shí)施例，對(duì)比實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于對(duì)比實(shí)施例中的陽(yáng)極為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)，厚度為120nm，對(duì)比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)為:玻璃基底/IT0/V205/NPB/Alq3/Bphen/CSF/Al。
[0099]效果實(shí)施例
[0100]采用光纖光譜儀(美國(guó)海洋光學(xué)Ocean Optics公司，型號(hào):USB4000)，電流-電壓測(cè)試儀(美國(guó)Keithly公司，型號(hào):2400)、色度計(jì)(日本柯尼卡美能達(dá)公司，型號(hào):CS_100A)測(cè)試有機(jī)電致發(fā)光器件的電流效率隨壓強(qiáng)變化曲線，以考察器件的發(fā)光效率，測(cè)試對(duì)象為實(shí)施例1與對(duì)比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件。測(cè)試結(jié)果如圖2所示。圖2是本發(fā)明實(shí)施例1與對(duì)比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的電流效率與壓強(qiáng)的關(guān)系圖。
[0101]從圖2可以看出，從2V起，隨著電壓的提高，實(shí)施例1的電流效率都比對(duì)比例的要大，在4V時(shí)，實(shí)施例1的電流效率為1.7cd/A，而對(duì)比例的僅為1.0cd/A，這說(shuō)明，采用折射率為1.8?2.2，在400nm的光透過(guò)率為90%?96%的玻璃作為器件的基底，在玻璃基底上制備陽(yáng)極層，可以消除玻璃與陽(yáng)極層之間的全反射，保證器件在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的光透過(guò)率，縮小兩者之間的折射率差，避免全反射現(xiàn)象，有效增強(qiáng)光出射率，而陽(yáng)極層中的鐠的氧化物層為高功函數(shù)的金屬氧化物，可保證空穴的注入，有效提高器件的出光效率。
[0102]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述陽(yáng)極層由依次層疊的含鉿化合物層、導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層組成。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述含鉿化合物層材質(zhì)為二氧化鉿或二硼化鉿，所述含鉿化合物層厚度為20?lOOnm。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述導(dǎo)電金屬單質(zhì)層材質(zhì)為銀、鋁、鉬或金，所述導(dǎo)電金屬單質(zhì)層厚度為10?30nm。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述鐠的氧化物層為二氧化鐠或三氧化二鐠，所述鐠的氧化物層厚度為I?10nm。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底折射率為1.8?2.2，在400nm的光透過(guò)率為90%?96%。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟: 提供相應(yīng)的玻璃基底，清洗后干燥； 在玻璃基底出光面上制備陽(yáng)極層，所述陽(yáng)極層由依次層疊的含鉿化合物層、導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層組成； 制備方法為:首先在玻璃基底出光面上采用電子束蒸鍍的方法制備所述含鉿化合物層，所述電子束蒸鍍的能量密度為l(Tl00W/cm2 ； 然后在含鉿化合物層上采用熱阻蒸鍍法依次制備所述導(dǎo)電金屬單質(zhì)層和鐠的氧化物層，所述熱阻蒸鍍壓強(qiáng)為5 X 10_5?2 X 10_3Pa，蒸鍍速率為l?10nm/S ； 在鐠的氧化物層上依次采用熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，最終得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述所述含鉿化合物層材質(zhì)為二氧化鉿或二硼化鉿，所述含鉿化合物層厚度為20?lOOnm。
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電金屬單質(zhì)層材質(zhì)為銀、鋁、鉬或金，所述導(dǎo)電金屬單質(zhì)層厚度為10?30nm。
9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述鐠的氧化物層材質(zhì)為二氧化鐠或三氧化二鐠，所述鐠的氧化物層厚度為I?10nm。
10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的熱阻蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強(qiáng)為5X10_5?2X10_3Pa，蒸鍍速率為0.f lnm/s，所述空穴注入層和陰極的熱阻蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強(qiáng)為5 X 10_5?2 X 10_3Pa，蒸鍍速率為I?lOnm/s。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK104009175SQ201310059130
【公開(kāi)日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月26日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司