半導(dǎo)體封裝件的制法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝件的制法，包括：提供一具有剝離層的第一承載件，再形成結(jié)合層于該剝離層上；接著，設(shè)置半導(dǎo)體組件于該結(jié)合層上，且形成絕緣層于該結(jié)合層上，以包覆該半導(dǎo)體組件；之后，移除該第一承載件與該剝離層，再移除該結(jié)合層，以外露該半導(dǎo)體組件。通過該剝離層作為離型層以取代現(xiàn)有熱化離型膠層，所以可降低制造成本。
【專利說明】半導(dǎo)體封裝件的制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件的制法，尤指一種晶圓級的半導(dǎo)體封裝件的制法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。為了滿足半導(dǎo)體封裝件微型化(miniaturization)的封裝需求,發(fā)展出晶圓級封裝(Wafer LevelPackaging, WLP )的技術(shù)。第6，452，265號美國專利與第7，202，107號美國專利提供一種晶圓級封裝的制法。如圖1A至圖1E，其為現(xiàn)有晶圓級半導(dǎo)體封裝件I的制法的剖面示意圖。
[0003]如圖1A所示,形成一熱化離型膠層(thermal release tape)ll于一承載件10上。
[0004]如圖1B所示，置放多個半導(dǎo)體芯片12于該熱化離型膠層11上，該些半導(dǎo)體芯片
12具有相對的主動面12a與非主動面12b，各該主動面12a上均具有多個電極墊120，且各該主動面12a粘著于該熱化離型膠層11上。
[0005]如圖1C所示，以模壓(molding)方式形成一封裝膠體13于該熱化離型膠層11上，以包覆該半導(dǎo)體芯片12。
[0006]如圖1D所示，進行烘烤工藝以硬化該封裝膠體13，而同時該熱化離型膠層11因受熱后會失去粘性，所以可一并移除該熱化離型膠層11與該承載件10，以外露該半導(dǎo)體芯片12的主動面12a。
[0007]如圖1E所示,進行線路重布層(Redistribution layer, RDL)工藝,形成一線路重布結(jié)構(gòu)14于該封裝膠體13與該半導(dǎo)體芯片12的主動面12a上，令該線路重布結(jié)構(gòu)14電性連接該半導(dǎo)體芯片12的電極墊120。
[0008]然而，現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件I的制法中，該熱化離型膠層11具有撓性，其于模壓工藝中受熱時會膨脹，且因受熱膨脹造成半導(dǎo)體芯片12偏離原本預(yù)定位置，此外其熱膨脹系數(shù)(Coefficient of thermal expansion, CTE)及該封裝膠體13注入封裝用的模具時其膠體流動所產(chǎn)生的側(cè)推力容易使粘附于該熱化離型膠層11上的半導(dǎo)體芯片12產(chǎn)生偏移。故而，該半導(dǎo)體芯片12發(fā)生偏移，后續(xù)形成的線路重布結(jié)構(gòu)14與該半導(dǎo)體芯片12的電極墊120間的對位將產(chǎn)生偏移，而當(dāng)偏移公差過大時，該線路重布結(jié)構(gòu)14將無法與該半導(dǎo)體芯片12的電極墊120連接，致使該線路重布結(jié)構(gòu)14與該半導(dǎo)體芯片12間的電性連接造成極大影響，因而造成良率過低及產(chǎn)品可靠度不佳等問題。
[0009]此外，現(xiàn)有的制法因需使用該熱化離型膠層11，所以無法降低制造成本。
[0010]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺點，本發(fā)明的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝件的制法，可降低制造成本。
[0012]本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法，包括:提供一具有剝離層的第一承載件；形成結(jié)合層于該剝離層上；設(shè)置至少一半導(dǎo)體組件于該結(jié)合層上；形成絕緣層于該結(jié)合層上，以包覆該半導(dǎo)體組件；以及移除該第一承載件與該剝離層，以分離該半導(dǎo)體組件與該第一承載件
[0013]前述的制法中，該第一承載件具有多個溝槽，例如，該第一承載件具有相對的第一表面與第二表面，且該些溝槽貫穿該第一承載件以連通第一與第二表面。
[0014]前述的制法中，該第一承載件的材質(zhì)為玻璃或金屬，且形成該剝離層的材質(zhì)為光阻，例如，正型光阻。
[0015]前述的制法中，該半導(dǎo)體組件具有相對的主動面與非主動面，且于移除該結(jié)合層后，該主動面外露于該絕緣層。
[0016]前述的制法中，形成該絕緣層的方式為模壓工藝、壓合工藝或涂布工藝。
[0017]前述的制法中，還包括于形成該結(jié)合層之前，圖案化該剝離層，令該剝離層具有多個溝槽。
[0018]前述的制法中，移除該剝離層是使用剝離液。
[0019]另外，前述的制法中，還包括于移除該第一承載件與該剝離層之前，形成第二承載件于該絕緣層上。
[0020]由上可知，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法，通過該剝離層作為離型層以取代現(xiàn)有熱化離型膠層，所以可降低制造成本。
[0021]此外，該剝離層 于溫度變化時不會產(chǎn)生伸縮，因而可避免該半導(dǎo)體組件產(chǎn)生偏移，所以當(dāng)該第一承載件的尺寸越大時，各該半導(dǎo)體組件間的位置公差不會隨之加大，使該線路重布結(jié)構(gòu)與該半導(dǎo)體組件間的電性連接能有效對接，因而可避免良率過低及產(chǎn)品可靠度不佳等問題。
[0022]另外，利用該溝槽的設(shè)計，使剝離液能遍布于該剝離層與該第一承載件之間，以完全清除該剝離層，而利于移除該第一承載件。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1A至圖1E為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的制法的剖視示意圖；
[0024]圖2A至圖2F為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的第一實施例的剖視示意圖；
[0025]圖3A至圖3D為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的第二實施例的剖視示意圖；其中，圖3A’為圖3A的上視圖；以及
[0026]圖4A至圖4E為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的第三實施例的剖視示意圖；其中，圖4A’為圖4A的立體圖，圖4A”為圖4A’的另一實施例的局部立體圖，圖4C’為圖4C的立體圖。
[0027]符號說明
[0028]I, 2半導(dǎo)體封裝件
[0029]10承載件
[0030]11熱化離型膠層
[0031]12半導(dǎo)體芯片
[0032]12a, 22a主動面
[0033]12b, 22b非主動面
[0034]120，220電極墊[0035]13封裝膠體
[0036]14線路重布結(jié)構(gòu)
[0037]20, 40第一承載件
[0038]21，31剝離層
[0039]210結(jié)合層
[0040]22半導(dǎo)體組件
[0041]23絕緣層
[0042]25第二承載件
[0043]310，400，400’ 溝槽。
【具體實施方式】
[0044]以下通 過特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點及功效。
[0045]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“第一”、“第二”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0046]圖2A至圖2F為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件2的第一實施例的制法的剖面示意圖。
[0047]如圖2A所不,形成一剝離層21于一第一承載件20上。
[0048]于本實施例中，形成該第一承載件20的材質(zhì)為玻璃或金屬，且該剝離層21作為離型層，而形成該剝離層21的材質(zhì)可為光阻或干膜，并利用壓膜方式(當(dāng)該剝離層21的材質(zhì)為干膜時)或涂布方式(當(dāng)該剝離層21的材質(zhì)為光阻時)形成于該第一承載件20上。較佳地，該剝離層21的材質(zhì)選用正型光阻。
[0049]如圖2B所示，形成一結(jié)合層210于該剝離層21上。于本實施例中，該結(jié)合層210是作粘著之用，例如，膠材。
[0050]如圖2C所示，設(shè)置多個半導(dǎo)體組件22于該結(jié)合層210上，再形成一絕緣層23于該結(jié)合層210上以包覆該些半導(dǎo)體組件22。
[0051]于本實施例中，該半導(dǎo)體組件22為芯片，其具有相對的主動面22a與非主動面22b，該主動面22a結(jié)合于該結(jié)合層210，并于該主動面22a上具有多個電極墊220。
[0052]此外，于形成該絕緣層23之前，可選擇性進行烘烤工藝，以固化該結(jié)合層210。
[0053]另外，該絕緣層23的材質(zhì)為模壓工藝的封裝膠體；于其它實施例中，也可通過涂布方式形成該絕緣層23、或當(dāng)該絕緣層23的材質(zhì)為干膜時可利用壓膜方式形成之。
[0054]如圖2D所示，形成一第二承載件25于該絕緣層23上。于另一實施例中，可通過壓合工藝，令該第二承載件25壓合該絕緣層23，以制作該絕緣層23。
[0055]如圖2E所示，移除該第一承載件20與該剝離層21。于本實施例中，通過剝離液(stripper)移除該剝離層21,以分離方式移除該第一承載件20。[0056]如圖2F所示，移除該結(jié)合層210，以外露該半導(dǎo)體組件22的主動面22a。
[0057]于后續(xù)工藝,可進行線路重布層(Redistribution layer, RDL)工藝，即形成一線路重布結(jié)構(gòu)(圖略)于該絕緣層23與該半導(dǎo)體組件22的主動面22a上，令該線路重布結(jié)構(gòu)電性連接該電極墊220。
[0058]圖3A至圖3D為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件2的制法的第二實施例的剖面示意圖。本實施例與第一實施例的差異僅在于剝離層31，其它工藝大致相同，所以不再贅述。
[0059]如圖3A及圖3A’所示，接續(xù)圖2A的工藝，圖案化該剝離層31，令該剝離層31具有多個貫穿的溝槽310。
[0060]于本實施例中，通過于該剝離層31上形成屏蔽(圖略)，以進行曝光、顯影的開口工藝，而制作該些溝槽310。
[0061]此外，若該第一承載件20為玻璃，可于該第一承載件20的下側(cè)形成(如濺鍍)圖案化金屬層以作為屏蔽，再由該第一承載件20的下側(cè)朝上進行曝光、顯影的開口工藝，以制作該些溝槽310。
[0062]如圖3B所示，進行圖2B至圖2D的工藝。
[0063]如圖3C所示，使用剝離液流入該些溝槽310中，以移除該剝離層31，進而分離該第一承載件20。
[0064]如圖3D所示，移除該結(jié)合層210，并于后續(xù)進行線路重布層(RDL)工藝。
[0065]本實施例的制法通過該剝離層31的溝槽310，使該剝離液能流動于該剝離層31與該第一承載件20之間，借以完全清除該剝離層31，以利于移除該第一承載件20。
[0066]圖4A至圖4E為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件2的制法的第三實施例的剖面示意圖。本實施例與第一實施例的差異僅在于該第一承載件40，其它工藝大致相同，所以不再贅述。
[0067]如圖4A及圖4A’所示，圖案化該第一承載件40，令該第一承載件40具有多個溝槽400。
[0068]于另一實施例中，該些溝槽400’可貫穿該第一承載件40，如圖4A”所示。
[0069]如圖4B所示，接續(xù)圖4A及圖4A’的工藝，形成一剝離層21于該第一承載件40上。
[0070]如圖4C及圖4C’所示，進行圖2B至圖2D的工藝。
[0071]如圖4D所示，使用剝離液流入該些溝槽400中，以移除該剝離層21，進而分離該第
一承載件40。
[0072]如圖4E所示，移除該結(jié)合層210，并于后續(xù)進行線路重布層(RDL)工藝。
[0073]本實施例的制法通過該第一承載件40的溝槽400，400’，使該剝離液能流動于該剝離層21與該第一承載件40之間，借以完全清除該剝離層21，以利于移除該第一承載件40。
[0074]綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法，主要通過該剝離層作為離型層，不僅能降低制造成本，且能避免該半導(dǎo)體組件產(chǎn)生偏移，而使該線路重布結(jié)構(gòu)與該半導(dǎo)體組件間的電性連接能有效對接，從而有效提升產(chǎn)品的良率及可靠度。
[0075]此外，利用溝槽的設(shè)計，使剝離液能遍布于該剝離層與該第一承載件之間，借以完全清除該剝離層，而利于移除該第一承載件。
[0076]上述實施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，包括: 提供一具有剝離層的第一承載件； 形成結(jié)合層于該剝離層上； 設(shè)置至少一半導(dǎo)體組件于該結(jié)合層上； 形成絕緣層于該結(jié)合層上，以包覆該半導(dǎo)體組件；以及 移除該第一承載件與該剝離層，以分離該半導(dǎo)體組件與該第一承載件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一承載件具有多個溝槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一承載件具有相對的第一表面與第二表面，且該些溝槽貫穿該第一承載件以連通第一與第二表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，形成該第一承載件的材質(zhì)為玻璃或金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，形成該剝離層的材質(zhì)為光阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該光阻為正型光阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該半導(dǎo)體組件具有相對的主動面與非主動面，且于移除該結(jié)合層后，該主動面外露于該絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該絕緣層的形成以模壓工藝、壓合工藝或涂布工藝為之。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括于形成該結(jié)合層之前，圖案化該剝離層，以令該剝離層具有多個溝槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求1、2或9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，是使用剝離液移除該剝離層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括于移除該第一承載件與該剝離層之前，形成第二承載件于該絕緣層上。
【文檔編號】H01L21/56GK103972112SQ201310059722
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月6日
【發(fā)明者】紀(jì)杰元, 陳彥亨, 張江城, 廖宴逸, 黃榮邦, 邱世冠 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司