有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽極由依次層疊的金屬層和摻雜層組成，所述金屬層材料選自銀、鋁、鉑及金中至少一種，所述摻雜層包括鑭系氧化物及摻雜在鑭系氧化物中的VB族氧化物，其中，所述鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中至少一種，所述VB族氧化物選自五氧化二鉭、五氧化二鈮及五氧化二釩中的至少一種，所述VB族氧化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%～30%，上述有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0003]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會(huì)以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達(dá)玻璃，就會(huì)發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽極由依次層疊的金屬層和摻雜層組成，所述金屬層材料選自銀、鋁、鉬及金中至少一種，所述摻雜層包括鑭系氧化物及摻雜在鑭系氧化物中的VB族氧化物，其中，所述鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中至少一種，所述VB族氧化物選自五氧化二鉭、五氧化二鈮及五氧化二釩中的至少一種，所述VB族氧化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%?30%。
[0006]所述金屬層的厚度為lnnT20nm,摻雜層的厚度為20nnT60nm。
[0007]所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
[0008]所述電子傳輸層的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。
[0009]所述電子注入層的材料選自碳酸銫、氟化銫、疊氮銫及氟化鋰的至少一種。
[0010]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0011]在玻璃基底的背面蒸鍍陽極，所述陽極包括依次層疊的金屬層和摻雜層組成，所述金屬層材料選自銀、鋁、鉬及金中至少一種，所述摻雜層包括鑭系氧化物及摻雜在鑭系氧化物中的VB族氧化物，其中，所述鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中至少一種，所述VB族氧化物選自五氧化二鉭、五氧化二鈮及五氧化二釩中的至少一種，所述VB族氧化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%?30%，及
[0012]在所述陽極的表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。[0013]所述金屬層的厚度為lnnT20nm,摻雜層的厚度為20nnT60nm。
[0014]所述蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X KT5Pa~2 X KT3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s^lOnm/S。
[0015]上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，通過在制備疊成陽極消除玻璃與陽極之間的全反射，使玻璃表面平整化，有利于膜層之間的連接，提高空穴的載載流子濃度，從而產(chǎn)生更多的空穴，而摻雜層可提高空穴的注入能力，與高折射率玻璃比較匹配，適合蒸鍍制備，成膜性好，這種結(jié)構(gòu)可以極大的提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0017]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0018]圖3為實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與電流效率關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0020]請(qǐng)參閱圖 1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的玻璃基底20、陽極30、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0021]玻璃基底20為折射率為1.8~2.2的玻璃，在400nm透過率高于90%。玻璃基底20優(yōu)選為牌號(hào)為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0022]陽極30形成于玻璃基底20的表面。陽極30由依次層疊的金屬層301和摻雜層302組成，其中，所述金屬層301材料選自銀、鋁、鉬及金中至少一種，所述摻雜層302包括鑭系氧化物及摻雜在鑭系氧化物中的VB族氧化物，其中，所述鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中至少一種，所述VB族氧化物選自五氧化二鉭、五氧化二鈮及五氧化二釩中的至少一種，所述VB族氧化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%~30%。
[0023]所述金屬層301的厚度為lnnT20nm,摻雜層302的厚度為20nnT60nm。
[0024]空穴傳輸層50形成于陽極30的表面?？昭▊鬏攲?0的材料選自1,1_ 二 [4_[N,N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)、N，N’_ (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種?？昭▊鬏攲?0的厚度為40nnT80nm。
[0025]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nnT40nm,優(yōu)選為20nm。
[0026]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TPBI。電子傳輸層70的厚度為40nnT250nm，優(yōu)選為150nm。
[0027]電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為CsF。電子注入層80的厚度為0.5nnTl0nm,優(yōu)選為1.5nm。
[0028]陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Al。陰極90的厚度為80nnT250nm,優(yōu)選為150nm。
[0029]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100，通過制備疊成陽極30消除玻璃與陽極之間的全反射，使玻璃表面平整化，有利于膜層之間的連接，提高空穴的載載流子濃度，從而產(chǎn)生更多的空穴，而摻雜層可提高空穴的注入能力，與高折射率玻璃比較匹配，適合蒸鍍制備，成膜性好，這種結(jié)構(gòu)可以極大的提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。
[0030]可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0031]請(qǐng)同時(shí)參閱圖2，一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0032]步驟S110、在玻璃基底20的背面采用蒸鍍制備陽極30。
[0033]玻璃基底20為折射率為1.8~2.2的玻璃，在400nm透過率高于90%。玻璃基底20優(yōu)選為牌號(hào)為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0034]陽極30由依次層疊的金屬層301和摻雜層302組成，其中，所述金屬層301材料選自銀、鋁、鉬及金中至少一種，所述摻雜層302包括鑭系氧化物及摻雜在鑭系氧化物中的VB族氧化物，其中，所述鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中至少一種，所述VB族氧化物選自五氧化二鉭、五氧化二鈮及五氧化二釩中的至少一種，所述VB族氧化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%~30%。
[0035]所述金屬層301的厚度為lnnT20nm,摻雜層302的厚度為20nnT60nm。
[0036]所述蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X 10_5Pa~2X 10_3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s^lOnm/
So
[0037]本實(shí)施方式中，玻璃基底20在使用前用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡I小時(shí)~5小時(shí)。
[0038]步驟S120、在陽極30的表面依次蒸鍍形成空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0039]空穴傳輸層50形成于陽極30的表面?？昭▊鬏攲?0的材料選自1,1_ 二 [4_[N,N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)、N，N’_ (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種?？昭▊鬏攲?0的厚度為40-80nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X KT5Pa~2 X KT3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s~lnm/sο
[0040]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nnT40nm,優(yōu)選為20nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X10_5Pa~2X10_3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s~lnm/s。
[0041]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TPBI。電子傳輸層70的厚度為40nnT250nm，優(yōu)選為150nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X ICT5Pa~2X ICT3Pa下進(jìn)行,蒸鍍速率為0.lnm/s~lnm/s。[0042]電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為CsF。電子注入層80的厚度為0.5nnTl0nm,優(yōu)選為1.5nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X KT5Pa~2 X KT3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s^lnm/so
[0043]陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種,優(yōu)選為Ag。陰極90的厚度為80nnT250nm,優(yōu)選為150nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X10-5Pa~2Xl(T3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為lnm/s~10nm/s。
[0044]上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，制備工藝簡(jiǎn)單；制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的出
光效率較高。
[0045]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0046]本發(fā)明實(shí)施例及對(duì)比例所用到的制備與測(cè)試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國(guó)海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜，美國(guó)吉時(shí)利公司的Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測(cè)試電流密度和色度。
[0047]實(shí)施例1
[0048]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為/玻璃基底/Ag: Ta2O5:Pr203/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件。 [0049]玻璃基底為N-LASF44，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。采用蒸鍍的方式在玻璃基底表面制備陽極，首先蒸鍍一層Ag，厚度為10nm，接著再蒸鍍摻雜層，摻雜層為Ta2O5和Pr2O3，其中Ta2O5占Pr2O3的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為15%，摻雜層的厚度為40nm，接著在疊成陽極表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層:所選材料為NPB，空穴傳輸層的厚度為45nm,蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為Alq3,厚度為20nm ;蒸鍍制備電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為150nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為CsF，厚度為1.5nm ;蒸鍍制備陰極，材料為Al，厚度為150nm;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍制備的工作壓強(qiáng)為8 X10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬氧化物材料的蒸鍍速率為2nm/s。
[0050]請(qǐng)參閱圖3，所示為實(shí)施例1中制備的結(jié)構(gòu)為/玻璃基底/Ag:Ta2O5:Pr203/NPB/Alq/TAZ/CsF/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線I)與對(duì)比例制備的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃/MoO3/NPB/Alq/TAZ/CsF/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線2)的電流效率與電流密度的關(guān)系。對(duì)比例制備有機(jī)電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實(shí)施例1均相同。
[0051]從圖上可以看到，實(shí)施例1的電流效率都比對(duì)比例的要大,實(shí)施例1的最大電流效率為3.9cd/A，而對(duì)比例的僅為2.51cd/A，而且對(duì)比例的電流效率隨著電流密度的增大而快速增大，這說明，堆疊式結(jié)構(gòu)作可使玻璃表面平整化，有利于膜層之間的連接，提高器件的導(dǎo)電性，可降低界面勢(shì)壘，提高空穴注入能力。最終提高器件的出光效率，這種結(jié)構(gòu)可以極大的提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。
[0052]以下各個(gè)實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流效率都與實(shí)施例1相類似，各有機(jī)電致發(fā)光器件也具有類似的電流效率，在下面不再贅述。
[0053]實(shí)施例2
[0054]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為/玻璃基底/Al = Nb2O5:Pr02/TAPC/ADN/TAZ/LiF/Pt的有機(jī)電致發(fā)光器件。[0055]玻璃基底為N-LAF36，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上；采用蒸鍍的方式在玻璃基底表面制備陽極，首先蒸鍍一層Al，厚度為lnm，接著再蒸鍍摻雜層，摻雜層為Nb2O5和PrO2，其中Nb2O5占PrO2的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%，摻雜層的厚度為60nm,接著在疊成陽極表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層:所選材料為TAPC,空穴傳輸層的厚度為40nm,蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為ADN,厚度為8nm ;蒸鍍制備電子傳輸層,材料為TAZ，厚度為40nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為L(zhǎng)iF，厚度為0.5nm ;蒸鍍制備陰極，材料為Pt，厚度為SOnm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍制備的工作壓強(qiáng)為2X10_3Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s,金屬及金屬氧化物材料的蒸鍍速率為10nm/s。
[0056]實(shí)施例3
[0057]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為/玻璃基底Pt:V 205:Yb203/TCTA/DCJTB/Bphen/Cs2C03/Au 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0058]玻璃基底為N-LASF31A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上；采用蒸鍍的方式在玻璃基底表面制備陽極，首先蒸鍍一層Pt，厚度為20nm，接著再蒸鍍摻雜層，摻雜層為V2O5和Yb2O3，其中V2O5占Yb2O3的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為30%，摻雜層的厚度為20nm，接著在疊成陽極表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層:所選材料為TCTA，空穴傳輸層的厚度為80nm，蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為IOnm ;蒸鍍制備電子傳輸層，材料為Bphen,厚度為200nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為Cs2CO3,厚度為IOnm ;蒸鍍制備陰極，材料為Au，厚度為IOOnm;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍制備的工作壓強(qiáng)為5 X10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬及金屬氧化物材料的蒸鍍速率為lnm/s。
[0059]實(shí)施例4
[0060]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/Au = Ta2O5: Sm203/TCTA/BCzVBi/TPBi/CsN3/Ag 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0061]玻璃基底為N-LASF41A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上；采用蒸鍍的方式在玻璃基底表面制備陽極，首先蒸鍍一層Au，厚度為5nm，接著再蒸鍍摻雜層，摻雜層為Ta2O5和Sm2O3，其中Ta2O5占Sm2O3的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為25%，摻雜層的厚度為50nm，接著在疊成陽極表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層:所選材料為TCTA，空穴傳輸層的厚度為45nm，蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為40nm ;蒸鍍制備電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為80nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為CsN3，厚度為3nm ;蒸鍍制備陰極，材料為Ag，厚度為250nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍制備的工作壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s，金屬及金屬氧化物材料的蒸鍍速率為6nm/s。
[0062]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽極由依次層疊的金屬層和摻雜層組成，所述金屬層材料選自銀、鋁、鉬及金中至少一種，所述摻雜層包括鑭系氧化物及摻雜在鑭系氧化物中的VB族氧化物，其中，所述鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中至少一種，所述VB族氧化物選自五氧化二鉭、五氧化二鈮及五氧化二釩中的至少一種，所述VB族氧化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%?30%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬層的厚度為Inm?20nm,慘雜層的厚度為20nm?60nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料選自碳酸銫、氟化銫、疊氮銫及氟化鋰的至少一種。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在玻璃基底的背面蒸鍍陽極，所述陽極為依次層疊的金屬層和摻雜層組成，所述金屬層材料選自銀、鋁、鉬及金中至少一種，所述摻雜層包括鑭系氧化物及摻雜在鑭系氧化物中的VB族氧化物，其中，所述鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中至少一種，所述VB族氧化物選自五氧化二鉭、五氧化二鈮及五氧化二釩中的至少一種，所述VB族氧化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%?30%，及 在所述陽極的表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述金屬層的厚度為lnnT20nm,摻雜層的厚度為20nnT60nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X KT5Pa?2 X KT3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK104009180SQ201310059726
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月26日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司