專(zhuān)利名稱(chēng)：一種肖特基二極管的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種肖特基二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前，肖特基二極管的封裝是關(guān)系到肖特基二極管性能的重要步驟，而現(xiàn)在的封裝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且不合理，尤其是散熱性能差，這也影響到了肖特基二極管的使用壽命。而且在高溫焊接芯片時(shí)，芯片容易發(fā)生旋轉(zhuǎn)，增加了焊接難度。跳線(xiàn)在芯片上方的定位精度也不高，這些影響著產(chǎn)品的生產(chǎn)效率和質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
為解決以上技術(shù)上的不足，本發(fā)明提供了一種散熱好、質(zhì)量高的肖特基二極管的封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明是通過(guò)以下措施實(shí)現(xiàn)的:
本發(fā)明一種肖特基二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、跳線(xiàn)和金屬框架，所述金屬框架包括間隔相對(duì)的一個(gè)基部金屬框架和兩個(gè)引出金屬框架，所述芯片的下表面與基部金屬框架的上表面相焊接，芯片上表面焊接跳線(xiàn)的一端，跳線(xiàn)的另一端焊接在引出金屬框架的上表面，所述基部金屬框架、引出金屬框架之間和上方以及芯片、跳線(xiàn)的上方和外圍均包覆有塑封體，基部金屬框架和引出金屬框架的下表面暴露在塑封體外，并且基部金屬框架和引出金屬框架均延伸有位于塑封體外的引腳。上述基部金屬框架的上表面設(shè)置有網(wǎng)格狀的防移溝。上述引出金屬框架上表面設(shè)置有卡槽，所述跳線(xiàn)的端部設(shè)置有與卡槽相配合的凸塊。上述基部金屬框架和引出金屬框架相對(duì)的側(cè)壁均為梯級(jí)形狀且之間填充塑封體。上述塑封體的長(zhǎng)、寬、厚分別為5.4mm、4.0mm和1.1mm。上述若干金屬框架矩陣式排列連接為一體，包括20排，每排包括8個(gè)基部金屬框架，每個(gè)基部金屬框架相對(duì)設(shè)置有兩個(gè)引出金屬框架。本發(fā)明的有益效果是:
結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，具有較高的散熱效率，提高了可靠性，延長(zhǎng)了使用壽命；體積縮小，減少了占用空間；有效避免了高溫焊接時(shí)的芯片在基部金屬框架上的旋轉(zhuǎn)，提升跳線(xiàn)在芯片上方的定位精度，提聞了質(zhì)量。


圖1為本發(fā)明的正面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明的反面結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明剖視結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本發(fā)明在生產(chǎn)中連為一體的金屬框架。
其中:1塑封體，2基部金屬框架，3引出金屬框架，4引腳，5跳線(xiàn)，6芯片，7卡槽，8凸塊。
具體實(shí)施例方式如圖1、2、3、4所示，本發(fā)明一種肖特基二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括芯
片、跳線(xiàn)5和金屬框架，金屬框架包括間隔相對(duì)的一個(gè)基部金屬框架2和兩個(gè)引出金屬框架3，芯片6的下表面與基部金屬框架2的上表面相焊接，芯片6上表面焊接跳線(xiàn)5的一端，跳線(xiàn)5的另一端焊接在引出金屬框架3的上表面，基部金屬框架2、引出金屬框架3之間和上方以及芯片6、跳線(xiàn)5的上方和外圍均包覆有塑封體1，基部金屬框架2和引出金屬框架3的下表面暴露在塑封體I外，并且基部金屬框架2和引出金屬框架3均延伸有位于塑封體I外的引腳4。由于基部金屬框架2和引出金屬框架3的下表面暴露在塑封體I外，所以提高了芯片6的散熱效率，延長(zhǎng)了芯片6的使用壽命。同時(shí)塑封體I的長(zhǎng)、寬、厚分別為
5.4mm、4.0mm和1.1mm。封裝的占位面積僅為26 mm2,較SMC封裝小41% ;高度只有1.1mm,僅為DPAK (T0252)封裝的一半。減少占用空間。基部金屬框架2的上表面設(shè)置有網(wǎng)格狀的防移溝?？捎行П苊飧邷睾附訒r(shí)的芯片6在基部金屬框架2上的旋轉(zhuǎn)。引出金屬框架3上表面設(shè)置有卡槽7，跳線(xiàn)5的端部設(shè)置有與卡槽7相配合的凸塊8。將跳線(xiàn)5的凸塊8卡在卡槽7內(nèi)再焊接，提升跳線(xiàn)5在芯片6上方的定位精度?；拷饘倏蚣?和引出金屬框架3相對(duì)的側(cè)壁均為梯級(jí)形狀且之間填充塑封體I。有利于金屬框架與塑封體I的結(jié)合，連接更加牢固。在生產(chǎn)過(guò)程中，一般先加工出連為一體的金屬框架，這些金屬框架矩陣式排列連接為一體，包括20排，每排包括8個(gè)基部金屬框架2，每個(gè)基部金屬框架2相對(duì)設(shè)置有兩個(gè)引出金屬框架3。這樣有效節(jié)省塑封時(shí)的黑膠用量，而且方便進(jìn)行自動(dòng)化生產(chǎn)方式。然后再進(jìn)行自動(dòng)印刷錫膏、自動(dòng)固晶、自動(dòng)點(diǎn)錫膏等工藝，最后將引腳4切斷，成為一個(gè)一個(gè)的產(chǎn)品O以上所述僅是本專(zhuān)利的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本專(zhuān)利技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本專(zhuān)利的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種肖特基二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、跳線(xiàn)和金屬框架，所述金屬框架包括間隔相對(duì)的一個(gè)基部金屬框架和兩個(gè)引出金屬框架，所述芯片的下表面與基部金屬框架的上表面相焊接，芯片上表面焊接跳線(xiàn)的一端，跳線(xiàn)的另一端焊接在引出金屬框架的上表面，其特征在于:所述基部金屬框架、引出金屬框架之間和上方以及芯片、跳線(xiàn)的上方和外圍均包覆有塑封體，基部金屬框架和引出金屬框架的下表面暴露在塑封體外，并且基部金屬框架和弓I出金屬框架均延伸有位于塑封體外的引腳。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述肖特基二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基部金屬框架的上表面設(shè)置有網(wǎng)格狀的防移溝。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述肖特基二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述引出金屬框架上表面設(shè)置有卡槽，所述跳線(xiàn)的端部設(shè)置有與卡槽相配合的凸塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述肖特基二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基部金屬框架和引出金屬框架相對(duì)的側(cè)壁均為梯級(jí)形狀且之間填充塑封體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述肖特基二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述塑封體的長(zhǎng)、寬、厚分別為 5.4mm、4.0mm 和 1.1mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述肖特基二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:若干金屬 框架矩陣式排列連接為一體，包括20排，每排包括8個(gè)基部金屬框架，每個(gè)基部金屬框架相對(duì)設(shè)置有兩個(gè)弓I出金屬框架。
全文摘要
本發(fā)明一種肖特基二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、跳線(xiàn)和金屬框架，金屬框架包括間隔相對(duì)的一個(gè)基部金屬框架和兩個(gè)引出金屬框架，芯片的下表面與基部金屬框架的上表面相焊接，芯片上表面焊接跳線(xiàn)的一端，跳線(xiàn)的另一端焊接在引出金屬框架的上表面，基部金屬框架、引出金屬框架之間和上方以及芯片、跳線(xiàn)的上方和外圍均包覆有塑封體，基部金屬框架和引出金屬框架的下表面暴露在塑封體外，并且基部金屬框架和引出金屬框架均延伸有位于塑封體外的引腳。本發(fā)明的有益效果是具有較高的散熱效率，提高了可靠性，延長(zhǎng)了使用壽命，提高了質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01L23/495GK103187383SQ20131005977
公開(kāi)日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月26日
發(fā)明者陳鋼全 申請(qǐng)人:山東迪一電子科技有限公司