有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的二氧化鈦層、玻璃基底、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽(yáng)極的材料為聚3,4-二氧乙烯噻吩與聚苯磺酸鹽的混合物，所述空穴注入層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料，所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述客體材料選自二氧化鉿及二硼化鉿中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:100~1:10。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專(zhuān)利說(shuō)明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0003]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會(huì)以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達(dá)玻璃，就會(huì)發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的二氧化鈦層、玻璃基底、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽(yáng)極的材料為聚3，4-二氧乙烯噻吩與聚苯磺酸鹽的混合物，所述空穴注入層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料，所 述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述客體材料選自二氧化鉿及二硼化鉿中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為 1: 100~1: 10。
[0006]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述二氧化鈦層的厚度為10μπm30μπι，所述陽(yáng)極的厚度為20nnT80nm,所述空穴注入層的厚度為10nnT60nm。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述玻璃基底的折射率為1.8^2.2。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴傳輸層的材料選自I，1-二 [4-[N，K -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺及Ν，Ν’_ (1-萘基)_Ν，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺。
[0010]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0011]在玻璃基底的背面涂敷含有二氧化鈦的溶液制備二氧化鈦層；
[0012]在所述玻璃基底的正面涂敷制備陽(yáng)極，所述陽(yáng)極的材料為聚3，4-二氧乙烯噻吩與聚苯磺酸鹽的混合物；
[0013]在所述陽(yáng)極的表面蒸鍍制備空穴注入層，所述空穴注入層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料，所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述客體材料選自二氧化鉿及二硼化鉿中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:10(Tl: 10，蒸鍍?cè)谡婵諌毫?Χ 10_3Pa飛X 10_5Pa下進(jìn)行，所述主體材料及所述客體材料分別放在兩個(gè)蒸發(fā)舟中進(jìn)行蒸發(fā)，所述主體材料的蒸鍍速率為Inm/s"10nm/s,所述客體材料的蒸鍍速率為lnm/s"10nm/s ;及
[0014]在所述空穴注入層的表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述二氧化鈦層的厚度為10μm~30μπι，所述陽(yáng)極的厚度為20nnT80nm,所述空穴注入層的厚度為10nnT60nm。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述玻璃基底的折射率為1.8^2.2。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述含有二氧化鈦的溶液中還含有聚乙二醇對(duì)異辛基苯基醚，所述二氧化鈦的質(zhì)量百分含量為20飛0%，所述聚乙二醇對(duì)異辛基苯基醚的質(zhì)量百分含量為0.19Tl%，所述含有二氧化鈦的溶液中的溶劑選自水、乙醇、異丙醇及正丁醇。
[0018]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述二氧化鈦層通過(guò)刮涂制備，刮涂后在400°C飛00°C下下煅燒20分鐘飛O分鐘。
[0019]上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，采用聚合物層作為陽(yáng)極，其導(dǎo)電性高，在可見(jiàn)光范圍內(nèi)有很高的透過(guò)率，適合作為有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極；而采用高折射率且高透過(guò)率的金屬氧化物與酞菁類(lèi)材料摻雜作為空穴注入層，金屬氧化物折射率與玻璃基底的相符，避免全反射，且具有較高的 HOMO能級(jí)，可提高空穴的注入能力，同時(shí)，酞菁類(lèi)具有良好的空穴注入能力以及結(jié)晶性，通過(guò)結(jié)晶，可提高光的散射，而在玻璃出光面制備二氧化鈦層作為散射層，將玻璃中的大部分光提取出來(lái)，從而極大的提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0022]圖3為實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與電流效率關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0024]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的二氧化鈦層10、玻璃基底20、陽(yáng)極30、空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0025]玻璃基底20為折射率為1.8~2.2的玻璃，在400nm透過(guò)率高于90%。玻璃基底20優(yōu)選為牌號(hào)為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0026]二氧化鈦層10形成于玻璃基底20的背面。二氧化鈦層10的材料為二氧化鈦(TiO2)0 二氧化鈦層10的厚度為10 μ m~30 μ m。
[0027]陽(yáng)極30形成于玻璃基底20的正面。陽(yáng)極30材料為為聚3，4_ 二氧乙烯噻吩(PEDOT)與聚苯磺酸鹽(PSS)的混合物。其中，PEDOT與PSS的質(zhì)量比為2:1~6:1。陽(yáng)極30的厚度為20nm~800nm。[0028]空穴注入層40形成于陽(yáng)極30的表面。空穴注入層40的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料選自酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)、酞菁鎂(MgPc)及酞菁鑰;(VPc)?？腕w材料選自二氧化鉿(HfO2)及二硼化鉿(HfB2)中的至少一種。客體材料在200nm~10 μ m的透過(guò)率高于70%，且折射率大于2.0，較高?？腕w材料與主體材料的質(zhì)量比為I: 100~1:10。空穴注入層40的厚度為10nnT60nm。
[0029]空穴傳輸層50形成于空穴注入層40的表面。空穴傳輸層50的材料選自1，1_ 二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為T(mén)CTA?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nnT60nm，優(yōu)選為40nm。
[0030]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nnT40nm,優(yōu)選為20nm。
[0031]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為Bphen。電子傳輸層70的厚度為40nnT250nm,優(yōu)選為160nm。
[0032]電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為Cs2C03。電子注入層80的厚度為0.5nnTl0nm,優(yōu)選為lnm。
[0033]陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Au。陰極90的厚度為80nnT250nm,優(yōu)選為200nm。
[0034]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100，采用折射率在1.8以上，在可見(jiàn)光透過(guò)率(一般標(biāo)準(zhǔn)為400nm處)為90%以上的玻璃作為器件的玻璃基底20，消除玻璃基底20與陽(yáng)極30之間的全反射，采用聚合物層作為陽(yáng)極30，其導(dǎo)電性高，在可見(jiàn)光范圍內(nèi)有很高的透過(guò)率，適合作為有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極30 ;而采用高折射率且高透過(guò)率的金屬氧化物與酞菁類(lèi)材料摻雜作為空穴注入層40，金屬氧化物折射率與玻璃基底20的相符，避免全反射，且具有較高的HOMO能級(jí)，可提高空穴的注入能力，同時(shí)，酞菁類(lèi)具有良好的空穴注入能力以及結(jié)晶性，通過(guò)結(jié)晶，可提高光的散射，而在玻璃出光面制備二氧化鈦層10作為散射層，將玻璃中的大部分光提取出來(lái)，從而極大的提高有機(jī)電致發(fā)光器件100的出光效率。
[0035]可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0036]請(qǐng)同時(shí)參閱圖2，一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0037]步驟S110、在玻璃基底20的背面涂敷含有二氧化鈦的溶液制備二氧化鈦層10。
[0038]玻璃基底20為折射率為1.8~2.2的玻璃，在400nm透過(guò)率高于90%。玻璃基底20優(yōu)選為牌號(hào)為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0039]二氧化鈦層10形成于玻璃基底20的背面。二氧化鈦層10的材料為二氧化鈦(TiO2)0 二氧化鈦層10的厚度為10 μ π-30 μ m。
[0040]含有二氧化鈦的溶液中還含有聚乙二醇對(duì)異辛基苯基醚(曲拉通)。二氧化鈦的質(zhì)量百分含量為20飛0%。聚乙二醇對(duì)異辛基苯基醚的質(zhì)量百分含量為0.19Tl%。含有二氧化鈦的溶液中的溶劑選自水、乙醇、異丙醇及正丁醇。
[0041]優(yōu)選的，二氧化鈦層10通過(guò)刮涂制備，當(dāng)然二氧化鈦層10還可以通過(guò)旋涂等其他方法制備。刮涂后，在400°C~600°C下煅燒20分鐘~60分鐘。
[0042]本實(shí)施方式中，玻璃基底20在使用前用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡I小時(shí)~12小時(shí)。
[0043]步驟S120、在玻璃基底20的正面涂敷制備陽(yáng)極30。
[0044]陽(yáng)極30的材料為聚3，4- 二氧乙烯噻吩(PEDOT)與聚苯磺酸鹽(PSS)的混合物。其中，PEDOT與PSS的質(zhì)量比為2:1~6:1。聚合物層25的厚度為20nnT800nm。
[0045]優(yōu)選的，陽(yáng)極30由旋涂制備，旋涂時(shí)使用含有PEDOT及PSS的水溶液，其中PEDOT與PSS的質(zhì)量比為2:1飛:1，水溶液中聚3，4- 二氧乙烯噻吩的質(zhì)量濃度為1%~5%。旋涂的轉(zhuǎn)速為2000rpnT6000rpm，時(shí)間為IOS~30S，旋涂后在50°C~200°C下烘干10分鐘~30分鐘。需要說(shuō)明的是，陽(yáng)極30也可采用刮涂等其他方法制備。
[0046]需要說(shuō)明的是，玻璃基底20的正面與背面在進(jìn)行處理之前沒(méi)有實(shí)質(zhì)的區(qū)別，在本發(fā)明中，為了區(qū)別玻璃基底20兩個(gè)相對(duì)的表面將該兩個(gè)表面分別稱為正面及背面。
[0047]步驟S130、在陽(yáng)極30的表面蒸鍍制備空穴注入層40。
[0048]空穴注入層40的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料選自酞菁銅(CuPc )、酞 菁鋅(ZnPc )、酞菁鎂(MgPc )及酞菁f凡(VPc )?？腕w材料選自二氧化鉿(HfO2)及二硼化鉿(HfB2)中的至少一種?？腕w材料在200nm~10 μ m的透過(guò)率高于70%，且折射率大于2.0，較高。客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1:10(Tl: 10。空穴注入層40的厚度為10nm~60nm。
[0049]蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X 10_HX 10_5Pa下進(jìn)行，主體材料及客體材料分別放在兩個(gè)蒸發(fā)舟中進(jìn)行蒸發(fā)，主體材料的蒸鍍速率為lnm/s"10nm/s,客體材料的蒸鍍速率為Inm/s~10nm/so
[0050]步驟S140、在空穴注入層40的表面依次蒸鍍形成空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0051]空穴傳輸層50形成于空穴注入層40的表面?？昭▊鬏攲?0的材料選自1，1_ 二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為T(mén)CTA?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nnT60nm，優(yōu)選為40nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X 10 3Pa~5 X 10 5Pa下進(jìn)行，蒸鍛速率為0.lnm/s~lnm/s。
[0052]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nnT40nm,優(yōu)選為20nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X10-3Pa~5Xl(T5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s~lnm/s。
[0053]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為Bphen。電子傳輸層70的厚度為40nnT250nm,優(yōu)選為160nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X ICT3Pa~5 X ICT5Pa下進(jìn)行,蒸鍍速率為0.lnm/s~lnm/s。[0054]電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為Cs2C03。電子注入層80的厚度為0.5nm?IOnm,優(yōu)選為lnm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X KT3Pa?5 X KT5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0055]陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Au。陰極90的厚度為80nnT250nm,優(yōu)選為200nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X10-3Pa?5Xl(T5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0056]上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，制備工藝簡(jiǎn)單；制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的出
光效率較高。
[0057]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0058]本發(fā)明實(shí)施例及對(duì)比例所用到的制備與測(cè)試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國(guó)海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜，美國(guó)吉時(shí)利公司的Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測(cè)試電流密度和色度。
[0059]實(shí)施例1
[0060]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為T(mén)iO2/ 玻璃基底 /PEDOT:PSS/HfO2:CuPc/TCTA/Alq3/Bphen/Cs2C03/Au的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0061]玻璃基底為N-LASF44，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。在玻璃出光面(背面)制備二氧化鈦層，厚度為15 μ m，二氧化鈦凝膠先配置成溶液，溶液的溶劑為乙醇，二氧化鈦質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%，溶液還含有曲拉通乳化劑，曲拉通質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.2%,然后進(jìn)行刮涂,然后在450°C下煅燒，時(shí)間為30min ;玻璃基底另一面制備陽(yáng)極層，材料為PEDOT: PSS (“: ”表示混合，下同)，旋涂制備，旋涂時(shí)使用采用重量比為3:1的PED0T:PSS水溶液(此處指的是PTDOT與PSS的質(zhì)量比，下同)，在PED0T:PSS水溶液中，PEDOT的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1.5%，轉(zhuǎn)速為4000rpm，時(shí)間為15s，在100°C下烘干15min，厚度為60nm ;在陽(yáng)極表面上制備空穴注入層，材料包括CuPc及摻雜在CuPc中的HfO2, HfO2與CuPc的質(zhì)量比為1:40，采用熱蒸鍍制備，厚度為30nm ;蒸鍍制備空穴傳輸層:材料為T(mén)CTA，厚度為40nm ;蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為Alq3,厚度為20nm ;蒸鍍制備電子傳輸層,材料為Bphen,厚度為160nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為Cs2CO3,厚度為Inm ;蒸鍍制備陰極，材料為Au，厚度為200nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。制備的工作壓強(qiáng)為8 X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬與金屬化合物的蒸鍍速率為2nm/s。
[0062]請(qǐng)參閱圖3，所示為實(shí)施例1中制備的結(jié)構(gòu)為T(mén)iO2/玻璃基底/PEDOT:PSS/HfO2: CuPc/TCTA/Alq3/Bphen/Cs2C03/Au的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線I)與對(duì)比例制備的結(jié)構(gòu)為ITO玻璃/Mo03/TCTA/Alq3/Bphen/CS2C03/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線2)的電流效率與電流密度的關(guān)系。對(duì)比例制備有機(jī)電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實(shí)施例1均相同。
[0063]從圖上可以看到，實(shí)施例1的電流效率都比對(duì)比例的要大，實(shí)施例1的電流效率為
8.9cd/A，而對(duì)比例的僅為6.7cd/A，而且對(duì)比例的電流效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說(shuō)明，采用聚合物層作為陽(yáng)極，用高折射率且高透過(guò)率的金屬氧化物與酞菁類(lèi)材料摻雜作為空穴注入層，金可提高光的散射，提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。
[0064]以下各個(gè)實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流效率都與實(shí)施例1相類(lèi)似，各有機(jī)電致發(fā)光器件也具有類(lèi)似的電流效率，在下面不再贅述。
[0065]實(shí)施例2
[0066]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為T(mén)iO2/ 玻璃基底 /PEDOT:PSS/HfB2:ZnPc/TAPC/ADN/Bphen/LiF/Pt的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0067]玻璃基底為N-LAF36，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上，在玻璃出光面(背面)制備散射層，厚度為10 μ m, 二氧化鈦凝膠先配置成溶液，然后進(jìn)行刮涂，溶液的溶劑為水，二氧化鈦質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，溶液還含有曲拉通乳化劑，曲拉通質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%，然后在400°C下煅燒，時(shí)間為60min ;在玻璃另一面制備陽(yáng)極，材料為PEDOT:PSS (“: ”表示混合，下同)，旋涂制備，旋涂時(shí)使用采用重量比為2:1的PED0T:PSS水溶液(此處指的是PTDOT與PSS的質(zhì)量比，下同)，在PED0T:PSS水溶液中，PEDOT的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%，轉(zhuǎn)速為2000rpm，時(shí)間為10s，在50°C下烘干30min，厚度為80nm ;在陽(yáng)極上制備空穴注入層，材料包括ZnPc及摻雜在ZnPc中的為HfB2, HfB2與ZnPc的質(zhì)量比為1:10，采用熱蒸鍍制備，厚度為60nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為T(mén)APC，厚度為45nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為ADN，厚度為8nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為Bphen，厚度為65nm ;蒸鍍電子注入層、材料為L(zhǎng)iF，厚度為0.5nm ;蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為80nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。制備的工作壓強(qiáng)為2 X 10_3Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬與金屬化合物的蒸鍍速率為10nm/s。
[0068]實(shí)施例3
[0069]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為T(mén)iO2/ 玻璃基底 /PEDOT:PSS/HfO2:MgPc/NPB/DCJTB/Bphen/CsF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0070]玻璃基底為N-LASF31A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。在玻璃出光面(背面)制備二氧化鈦層，厚度為30 μ m, 二氧化鈦凝膠先配置成溶液，然后進(jìn)行刮涂，溶液的溶劑為異丙醇，二氧化鈦質(zhì)量分?jǐn)?shù)為60%,溶液還含有曲拉通乳化劑，曲拉通質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1%，然后在600°C下煅燒，時(shí)間為20min ;在玻璃另一面制備陽(yáng)極，材料為PEDOT: PSS (“: ”表示混合，下同)，旋涂制備，旋涂時(shí)使用采用重量比為6:1的PED0T:PSS水溶液(此處指的是PTDOT與PSS的質(zhì)量比，下同)，在PED0T:PSS水溶液中，PEDOT的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%，轉(zhuǎn)速為6000rpm，時(shí)間為30s，在200°C下烘干lOmin，厚度為20nm ；在陽(yáng)極上制備空穴注入層，材料包括MgPc及摻雜在MgPc中的為HfO2, HfO2與MgPc的質(zhì)量比為1:100，采用熱蒸鍍制備，厚度為IOnm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為IOnm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為Bphen，厚度為200nm ；蒸鍍電子注入層、材料為CsF,厚度為IOnm ;蒸鍍陰極,材料為Ag,厚度為IOOnm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。制備的工作壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬與金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s。
[0071]實(shí)施例4
[0072]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為T(mén)iO2/ 玻璃基底 /PEDOT:PSS/HfB2:VPc/TAPC/BCzVBi/TAZ/CsN3/A1的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0073]玻璃基底為N-LASF41A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。在玻璃出光面(背面)制備二氧化鈦層，厚度為20μπι，二氧化鈦凝膠先配置成溶液，然后進(jìn)行刮涂，溶液的溶劑為正丁醇，二氧化鈦質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%,溶液還含有曲拉通乳化劑，曲拉通質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.8%，然后在4501:下煅燒，時(shí)間為30min ;在玻璃另一面制備陽(yáng)極，材料為PEDOT:PSS (“: ”表示混合，下同)，旋涂制備，旋涂時(shí)使用采用重量比為3:1的PEDOT:PSS水溶液(此處指的是PTDOT與PSS的質(zhì)量比，下同)，在PED0T:PSS水溶液中，PEDOT的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%，轉(zhuǎn)速為3500rpm，時(shí)間為15s，在100°C下烘干20min，厚度為45nm ；在陽(yáng)極上制備空穴注入層，材料包括VPc及摻雜在VPc中的HfB2, HfB2與VPc的質(zhì)量比為
I: 70,采用熱蒸鍍制備，厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為T(mén)APC，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為T(mén)AZ，厚度為35nm ;蒸鍍電子注入層、材料為CsN3,厚度為3nm ;蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為250nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。制備的工作壓強(qiáng)為2 X 10_4Pa,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s,金屬與金屬化合物的蒸鍍速率為6nm/s。
[0074]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專(zhuān)利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專(zhuān)利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的二氧化鈦層、玻璃基底、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽(yáng)極的材料為聚3，4- 二氧乙烯噻吩與聚苯磺酸鹽的混合物，所述空穴注入層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料，所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述客體材料選自二氧化鉿及二硼化鉿中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為l:100~l:10。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述二氧化鈦層的厚度為10 μ m~30 μ m,所述陽(yáng)極的厚度為20nnT80nm,所述空穴注入層的厚度為10nnT60nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率為1.8~2.2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料選自1，1_ 二 [4-[Ν，Ν' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在玻璃基底的背面涂敷含有二氧化鈦的溶液制備二氧化鈦層； 在所述玻璃基底的正面涂敷制備陽(yáng)極，所述陽(yáng)極的材料為聚3，4-二氧乙烯噻吩與聚苯磺酸鹽的混合物； 在所述陽(yáng)極的表面蒸鍍制備空穴注入層，所述空穴注入層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料，所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述客體材料選自二氧化鉿及二硼化鉿中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:100~l: 10，蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X 10_3Pa~5X 10_5Pa下進(jìn)行，所述主體材料及所述客體材料分別放在兩個(gè)蒸發(fā)舟中進(jìn)行蒸發(fā)，所述主體材料的蒸鍍速率為Inm/s~10nm/s,所述客體材料的蒸鍍速率為lnm/s"10nm/s ;及 在所述空穴注入層的表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述二氧化鈦層的厚度為10μm~30μm，所述陽(yáng)極的厚度為20nm~80nm，所述空穴注入層的厚度為10nm~60nm.
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述玻璃基底的折射率為1.8~2.2。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述含有二氧化鈦的溶液中還含有聚乙二醇對(duì)異辛基苯基醚，所述二氧化鈦的質(zhì)量百分含量為20%~60%，所述聚乙二醇對(duì)異辛基苯基醚的質(zhì)量百分含量為0.1%~l%，所述含有二氧化鈦的溶液中的溶劑選自水、乙醇、異丙醇及正丁醇。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述二氧化鈦層通過(guò) 刮涂制備，刮涂后在400°C飛00°C下下煅燒20分鐘飛O分鐘。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104009172SQ201310060386
【公開(kāi)日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月26日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司