Cmos圖像傳感器及其制備方法
【專利摘要】本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NCMOS圖像傳感器及其制備方法。該CMOS圖像傳感器包括：半導(dǎo)體襯底，內(nèi)部形成有多個(gè)光電二極管；介電層，形成在半導(dǎo)體襯底上；反光層，形成在介電層上；絕緣層，形成在反光層上；平坦化層，形成在絕緣層上；微透鏡，形成在平坦化層上；多個(gè)濾光片設(shè)置槽，形成在介電層、反光層、絕緣層中相應(yīng)于各光電二極管的位置；以及多個(gè)濾光片，一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置在各濾光片設(shè)置槽中。該CMOS圖像傳感器通過在介電層上設(shè)置反光層，避免了雜散光與衍射線串?dāng)_進(jìn)入相鄰的光電二極管中，使得由目標(biāo)圖像的光線只能夠通過濾光片這一特定窗口通過濾后進(jìn)而光電二極管，從而可以提高CMOS圖像傳感器的成像質(zhì)量。
【專利說明】CMOS圖像傳感器及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種CMOS圖像傳感器及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]與傳統(tǒng)圖像傳感技術(shù)相比，CMOS圖像傳感技術(shù)因所生成的圖像質(zhì)量更為清晰而被廣為推廣使用，然而，隨著科技的發(fā)展，物質(zhì)生活的不斷提升，人們已經(jīng)不滿足現(xiàn)有圖像的質(zhì)量，而是對(duì)圖像的質(zhì)量提出了更高的要求。
[0003]現(xiàn)有的CMOS圖像傳感器，通常包括:內(nèi)部設(shè)有多個(gè)光電二極管的半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上的介電層，在介電層之上對(duì)應(yīng)光電二極管位置的濾光片；在濾光片之上的微透鏡；在微透鏡之上的絕緣層等。
[0004]為了改善這種CMOS圖像傳感器所生成的圖像的質(zhì)量，研究人員發(fā)現(xiàn)，在CMOS圖像傳感器使用過程中，光電二極管所接收的光線除了由微透鏡聚攏的光纖外，還包括從相鄰微透鏡間的間隙射入到光電二極管中的雜散光或衍射線，而這部分由雜散光或衍射線正是影響所形成的圖片的質(zhì)量的一個(gè)原因。
[0005]為了解決由雜散光或衍射線所導(dǎo)致的圖片質(zhì)量惡化的問題，在美國(guó)專利US7713775B2中，給出了一種CMOS圖像傳感器及其制備方法。在該專利提出在微透鏡之間的絕緣層中形成具有凹透鏡形成的溝槽，在溝槽內(nèi)部形成凹透鏡間隙填充絕緣材料，這種新型的結(jié)構(gòu)通過在微透鏡之間形成凹透鏡間隙填充絕緣材料，將微透鏡之間的雜散光束分散并再次聚集到臨近微透鏡中，進(jìn)而將目標(biāo)圖像的光線全部或基本全部光線采集到光電二極管中以改進(jìn)圖像質(zhì)量。
[0006]上述這種結(jié)構(gòu)在一定程度改善了圖像質(zhì)量，但為了滿足人們對(duì)圖像的質(zhì)量的高要求,如何進(jìn)一步改善CMOS圖像傳感器所形成的圖像的質(zhì)量仍需繼續(xù)研究。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明提供了一種CMOS圖像傳感器及其制備方法，以提高成像效果。
[0008]為此，在本申請(qǐng)中提供了一種CMOS圖像傳感器，包括:半導(dǎo)體襯底，內(nèi)部形成有多個(gè)光電二極管；介電層，形成在半導(dǎo)體襯底上；反光層，形成在介電層上；絕緣層，形成在反光層上；平坦化層，形成在絕緣層上；微透鏡，形成在平坦化層上；多個(gè)濾光片設(shè)置槽，各濾光片設(shè)置槽形成在介電層、反光層、絕緣層中相應(yīng)于各光電二極管的位置；多個(gè)濾光片，一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置在各濾光片設(shè)置槽中。
[0009]優(yōu)選地，上述濾光片設(shè)置槽的槽內(nèi)表面上形成有保護(hù)層，濾光片形成在保護(hù)層上。
[0010]優(yōu)選地，上述保護(hù)層為氮化物保護(hù)層。
[0011]優(yōu)選地，上述反光層為金屬層。
[0012]優(yōu)選地，上述光電二極管、濾光片以及微透鏡的橫截面積依次遞增。
[0013]優(yōu)選地，上述濾光片為紅色濾光片、綠色濾光片或藍(lán)色濾光片。[0014]同時(shí)，在本申請(qǐng)中還提供了一種CMOS圖像傳感器的制備方法，包括以下步驟:提供內(nèi)部具有多個(gè)光電二極管的半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底上形成介電層；在介電層上形成反光層；在反光層上形成絕緣層；在絕緣層上形成圖案與半導(dǎo)體襯底中光電二極管排布結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的掩膜層，依次刻蝕絕緣層、反光層、介電層至半導(dǎo)體襯底，形成多個(gè)濾光片設(shè)置槽；刻蝕去除掩膜層；在各濾光片設(shè)置槽中分別形成濾光片；在絕緣層和濾光片上形成平坦化層；在平坦化層上形成微透鏡。
[0015]優(yōu)選地，上述制備方法中進(jìn)一步包括以下步驟:在各濾光片設(shè)置槽的槽內(nèi)表面上形成保護(hù)層，在保護(hù)層上形成濾光片。
[0016]優(yōu)選地，上述制備方法中濾光片設(shè)置槽采用等離子刻蝕法形成。
[0017]優(yōu)選地，上述制備方法中反光層為金屬層。
[0018]本申請(qǐng)中CMOS圖像傳感器及其制備方法通過在介電層上設(shè)置反光層，避免了雜散光與衍射線串?dāng)_進(jìn)入相鄰的光電二極管中，使得由目標(biāo)圖像的光線只能夠通過特定窗口通道，也就是濾光片過濾后進(jìn)而光電二極管。同時(shí)，通過在介電層中設(shè)置濾光片設(shè)置槽，使濾光片直接設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上，這就使得光線通過濾光片后可直接進(jìn)入光電二極管，無需再通過介電層，減少了因介電層中金屬連接結(jié)構(gòu)反射或衍射所產(chǎn)生的信號(hào)串?dāng)_產(chǎn)生類似光纖效應(yīng)的導(dǎo)光效果，同時(shí)，在這種結(jié)構(gòu)中，濾光片的設(shè)置還能夠吸收相鄰像素點(diǎn)中光線經(jīng)介電層中金屬結(jié)構(gòu)反射所產(chǎn)生的串?dāng)_，避免這些串?dāng)_對(duì)光電二極管造成的影響，可以提高CMOS圖像傳感器的成像質(zhì)量。
[0019]除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。下面將參照?qǐng)D，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。 【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]附圖構(gòu)成本說明書的一部分、用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，附圖示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并與說明書一起用來說明本發(fā)明的原理。圖中:
[0021]圖1示出了根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的CMOS圖像傳感器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2示出了根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的CMOS圖像傳感器制備方法的工藝流程圖；以及
[0023]圖3a至圖3d示出了根據(jù)本申請(qǐng)CMOS圖像傳感器制備方法的各步驟中半導(dǎo)體器件的過渡結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]應(yīng)該指出，以下詳細(xì)說明都是例示性的，旨在對(duì)本發(fā)明提供進(jìn)一步的說明。除非另有指明，本文使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)具有與本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。
[0025]需要注意的是，這里所使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述具體實(shí)施例，而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用屬于“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。
[0026]為了便于描述，在這里可以使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，如“在……之上”、“在……上方”、“上面的”等，用來描述如在圖中所示的一個(gè)器件或特征與其他器件或特征的空間位置關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包含除了器件在圖中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件被倒置，則描述為“在其他器件或構(gòu)造上方”或“在其他器件或構(gòu)造之上”的器件之后將被定位為“在其他器件或構(gòu)造下方”或“在其他器件或構(gòu)造之下”。因而，示例性術(shù)語(yǔ)“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方位)，并且對(duì)這里所使用的空間相對(duì)描述符作出相應(yīng)解釋。
[0027]為了獲得更好地圖像質(zhì)量，本申請(qǐng)發(fā)明人對(duì)現(xiàn)有的CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了的研究，發(fā)現(xiàn)對(duì)于現(xiàn)有的CMOS圖像傳感器光線在光路中遇到金屬布線發(fā)生衍射導(dǎo)致相鄰像素間的信號(hào)串?dāng)_。即在光電二極管收集目標(biāo)圖像的光線以顯影的過程中，由微透鏡或其間隙射入的不規(guī)則雜散光或衍射光經(jīng)某一像素點(diǎn)中濾光片過濾后在介電層中穿梭的過程中，經(jīng)介電層中的這些金屬結(jié)構(gòu)反射或衍射后進(jìn)入相鄰像素點(diǎn)后就產(chǎn)生的信號(hào)串?dāng)_，這也是造成圖像質(zhì)量惡化的一個(gè)重要因素。
[0028]然而，設(shè)置半導(dǎo)體襯底與濾色片之間的介電層和金屬布線是CMOS圖像傳感器必不可少的組成部分，如何解決金屬布線對(duì)光線衍射、折射效應(yīng)導(dǎo)致的串?dāng)_，改善因不規(guī)則雜散光或衍射光由某一像素點(diǎn)介電層中金屬結(jié)構(gòu)反射或衍射進(jìn)入相鄰像素點(diǎn)后造成圖像質(zhì)量惡化的問題已經(jīng)形成了一個(gè)新的課題，本申請(qǐng)正是為了解決這一問題所提出的。
[0029]如圖1所示，在本申請(qǐng)的一種實(shí)施例中，提供了 CMOS圖像傳感器，其包括:半導(dǎo)體襯底1、介電層2、反光層3、絕緣層4、平坦化層5、微透鏡6、多個(gè)濾光片設(shè)置槽7以及多個(gè)濾光片8。其中，半導(dǎo)體襯底I內(nèi)部形成有多個(gè)光電二極管11 ;介電層2形成在半導(dǎo)體襯底I上；反光層3形成在介電層2上；絕緣層4形成在反光層3上；平坦化層5形成在絕緣層4上；微透鏡6形成在平坦化層5上；多個(gè)濾光片設(shè)置槽7，各濾光片設(shè)置槽7形成在介電層
2、反光層3、絕緣層4中相應(yīng)于各光電二極管11的位置；多個(gè)濾光片8，一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置在各濾光片設(shè)置槽7中。
[0030]在本申請(qǐng)中，通過在介電層2上設(shè)置反光層3，避免了雜散光與衍射線直接串?dāng)_進(jìn)入相鄰的光電二極管中，使得由目標(biāo)圖像的光線只能夠通過特定窗口通道，也就是濾光片過濾后進(jìn)而光電二極管。同時(shí)，通過在介電層2中設(shè)置濾光片設(shè)置槽7，使濾光片8直接設(shè)置在半導(dǎo)體襯底I上，這就使得光線通過濾光片后可直接進(jìn)入光電二極管11，無需再通過介電層，減少了因介電層中金屬連接結(jié)構(gòu)反射或衍射所產(chǎn)生的像素串?dāng)_產(chǎn)生類似光纖效應(yīng)的導(dǎo)光效果。同時(shí)，在這種結(jié)構(gòu)中，濾光片的設(shè)置還能夠吸收相鄰像素點(diǎn)中光線經(jīng)介電層中金屬結(jié)構(gòu)反射所產(chǎn)生的串?dāng)_，避免這些串?dāng)_對(duì)光電二極管造成的影響。
[0031]在本申請(qǐng)中，反光層3可以采用任何具有反光作用的材料，只要不影響CMOS圖像傳感器功能即可，其中優(yōu)選采用金屬材料。當(dāng)反光層3為金屬層時(shí)，在不增加額外材料的基礎(chǔ)上，金屬層一方面可以實(shí)現(xiàn)反光的目的，另一方面可以作為最后一層金屬布線使用，降低生產(chǎn)成本。
[0032]在本申請(qǐng)所 提供的CMOS圖像傳感器中濾光片設(shè)置槽7的槽內(nèi)表面上形成有保護(hù)層9，此時(shí)濾光片8形成在保護(hù)層9上。優(yōu)選地，該保護(hù)層為氮化物保護(hù)層。氮化物保護(hù)層的材料包括但不限于SiN。保護(hù)層9的設(shè)置有利于在向?yàn)V光片設(shè)置槽7內(nèi)形成濾光片8的過程中保護(hù)各層材料，以提高所形成的CMOS圖像傳感器的質(zhì)量與產(chǎn)率。
[0033]在CMOS圖像傳感器中微透鏡將光線聚焦至光電二極管的中心處，這是本【技術(shù)領(lǐng)域】技術(shù)人員的常用技術(shù)手段，在此不再贅述。在本申請(qǐng)中優(yōu)選將濾光片與微透鏡的同軸設(shè)置，且光電二極管、濾光片設(shè)置槽以及微透鏡面積依次遞增。
[0034]在本申請(qǐng)所提供的CMOS圖像傳感器中，濾光片為紅色濾光片、綠色濾光片或藍(lán)色濾光片。本【技術(shù)領(lǐng)域】技術(shù)人員可以根據(jù)需要將紅色濾光片、綠色濾光片或藍(lán)色濾光片設(shè)置在相應(yīng)的光電二極管上，以便于實(shí)現(xiàn)顯影的目的。
[0035]如圖2，在本申請(qǐng)的一種實(shí)施方式中，提供了 CMOS圖像傳感器制備方法，包括以下步驟:提供內(nèi)部具有多個(gè)光電二極管11的半導(dǎo)體襯底I ;在半導(dǎo)體襯底I上形成介電層2 ；在介電層2上形成反光層3 ;在反光層3上形成絕緣層4 ;在絕緣層4上形成圖案與半導(dǎo)體襯底I中光電二極管11排布結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的掩膜層，依次刻蝕絕緣層4、反光層3、介電層2至半導(dǎo)體襯底1，形成多個(gè)濾光片設(shè)置槽7 ;刻蝕去除掩膜層；在各濾光片設(shè)置槽7中分別形成濾光片8 ;在絕緣層4和濾光片8上形成平坦化層5 ;在平坦化層5上形成微透鏡6。
[0036]本申請(qǐng)所提供的上述方法，通過對(duì)絕緣層4、反光層3、介電層2進(jìn)行刻蝕形成濾光片設(shè)置槽7的方式，就可以在保留介電層2的同時(shí)，將濾光片8直接設(shè)置在半導(dǎo)體襯底I上，相鄰的濾光片設(shè)置為允許不同波長(zhǎng)的光通過，使得只有特定波長(zhǎng)的光線才能通過濾光片進(jìn)入相應(yīng)光電二極管中，減少了串?dāng)_產(chǎn)生的幾率，同時(shí)，通過濾光片對(duì)光電二極管進(jìn)行保護(hù)，過濾經(jīng)由相鄰像素點(diǎn)發(fā)送的光線，減少了串?dāng)_影響，提高了成像靈敏度。
[0037]在本申請(qǐng)CMOS圖像傳感器制備方法中進(jìn)一步包括在各濾光片設(shè)置槽的槽內(nèi)表面上形成保護(hù)層，在保護(hù)層上形成濾光片的步驟。在濾光片設(shè)置槽7的槽內(nèi)表面上形成有保護(hù)層9，有利于在形成濾光片8的過程中保護(hù)各層材料，以提高所形成的CMOS圖像傳感器的質(zhì)量與產(chǎn)率。其中保護(hù)層優(yōu)選為氮化物保護(hù)層。氮化物保護(hù)層的材料包括但不限于SiN。
[0038]在本申請(qǐng)CMOS圖像傳感器制備方法中，濾光片設(shè)置槽采用等離子刻蝕法形成。
[0039]在本申請(qǐng)CMOS圖像傳感器制備方法中，優(yōu)選反光層為金屬層。金屬層時(shí)的使用在不增加額外材料的基礎(chǔ)上，一方面可以實(shí)現(xiàn)反光的目的，另一方面還可用于與介電層中金屬層一起傳輸信號(hào)。
[0040]以下將結(jié)合圖3a至圖3d詳細(xì)說明根據(jù)本申請(qǐng)CMOS圖像傳感器制備方法的一種實(shí)施方式的具體操作步驟。圖3a至圖3d示出了根據(jù)本申請(qǐng)CMOS圖像傳感器制備方法中半導(dǎo)體器件的過渡結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0041]實(shí)施例1
[0042]如圖3a所示，提供內(nèi)部具有多個(gè)光電二極管11的半導(dǎo)體襯底I ;在半導(dǎo)體襯底I上形成介電層2 ;在介電層2上形成反光層3 ;在反光層3上形成絕緣層4。
[0043]在該實(shí)施例中半導(dǎo)體襯底I可以采用多晶硅襯底，在形成光電二極管的過程中可以通過在P型硅襯底Ila上，形成外延生長(zhǎng)硅層11b，在外延生長(zhǎng)硅層中形成N型摻雜部11c，進(jìn)而形成光電二極管結(jié)構(gòu)11。在該半導(dǎo)體襯底I上還包括圖中未示出的源極和漏極，以及根據(jù)需要設(shè)置淺溝道隔離槽(STI)12，N+摻雜部13等。這些結(jié)構(gòu)的設(shè)置都是本【技術(shù)領(lǐng)域】技術(shù)人員的常用技術(shù)手段，在此不再贅述。
[0044]在該實(shí)施例中，介電層2中包括絕緣材料層和交疊設(shè)置在絕緣材料層中的3層金屬布線層，其中還設(shè)有一個(gè)或多個(gè)晶體管21，晶體管21可環(huán)繞濾光片設(shè)置槽7。介電層2和晶體管21的設(shè)置采用本【技術(shù)領(lǐng)域】技術(shù)人員的常用技術(shù)手段皆可，在此不再贅述。
[0045]在該實(shí)施例中，反光層3采用金屬材料，一方面可以實(shí)現(xiàn)反光的目的，另一方面可以作為最后一層金屬布線使用，降低生產(chǎn)成本。絕緣層4與介質(zhì)層2中的絕緣材料層材料相同，皆為低介電常數(shù)材料，例如Si02。
[0046]如圖3b所示，在絕緣層4上形成圖案與半導(dǎo)體襯底I中光電二極管11排布結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的掩膜層，依次刻蝕絕緣層4、反光層3、介電層2至半導(dǎo)體襯底1，形成多個(gè)濾光片設(shè)置槽7。然后刻蝕去除掩膜層；其中，刻蝕絕緣層4、反光層3、介電層2的過程包括:根據(jù)光電二極管的中心位置，設(shè)置微透鏡的位置，使得微透鏡的光線聚焦在光電二極管的中心處，并根據(jù)微透鏡與光電二極管的位置設(shè)置濾光片設(shè)置槽7的位置，采用等離子刻蝕法進(jìn)行刻蝕形成濾光片設(shè)置槽7。
[0047]如圖3c所示，在各濾光片設(shè)置槽7中分別形成濾光片8 ;如圖3d所示，在絕緣層4和濾光片8上形成平坦化層5 ;在平坦化層5上形成微透鏡6，然后根據(jù)本【技術(shù)領(lǐng)域】的常用技術(shù)手段進(jìn)行合理布局，形成本申請(qǐng)CMOS圖像傳感器。
[0048]該實(shí)施例所制備的CMOS圖像傳感器，通過在介電層2上設(shè)置反光層3，避免了雜散光與衍射線直接串?dāng)_進(jìn)入相鄰的光電二極管中，使得由目標(biāo)圖像的光線只能夠通過特定窗口通道，也就是濾光片過濾后進(jìn)而光電二極管。同時(shí)，通過在介電層2中設(shè)置濾光片設(shè)置槽7，使濾光片8直接設(shè)置在半導(dǎo)體襯底I上，這就使得光線通過濾光片后可直接進(jìn)入光電二極管11，無需再通過介電層，減少了因介電層中金屬連接結(jié)構(gòu)反射或衍射所產(chǎn)生的像素串?dāng)_產(chǎn)生類似光纖效應(yīng)的導(dǎo)光效果。同時(shí)，在這種結(jié)構(gòu)中，濾光片的設(shè)置還能夠吸收相鄰像素點(diǎn)中光線經(jīng)介電層中金屬結(jié)構(gòu)反射所產(chǎn)生的串?dāng)_，避免這些串?dāng)_對(duì)光電二極管造成的影響。
[0049]以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種CMOS圖像傳感器，其特征在于，包括: 半導(dǎo)體襯底，內(nèi)部形成有多個(gè)光電二極管； 介電層，形成在所述半導(dǎo)體襯底上； 反光層，形成在所述介電層上； 絕緣層，形成在所述反光層上； 平坦化層，形成在所述絕緣層上； 微透鏡，形成在所述平坦化層上； 多個(gè)濾光片設(shè)置槽，各所述濾光片設(shè)置槽形成在所述介電層、所述反光層、所述絕緣層中相應(yīng)于各所述光電二極管的位置；以及 多個(gè)濾光片，一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置在各所述濾光片設(shè)置槽中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述濾光片設(shè)置槽的槽內(nèi)表面上形成有保護(hù)層，所述濾光片形成在所述保護(hù)層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述保護(hù)層為氮化物保護(hù)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述反光層為金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述光電二極管、所述濾光片以及所述微透鏡的橫截面積依次遞增。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述濾光片為紅色濾光片、綠色濾光片或藍(lán)色濾光片。
7.—種CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供內(nèi)部具有多個(gè)光電二極管的半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底上形成介電層； 在所述介電層上形成反光層； 在所述反光層上形成絕緣層； 在所述絕緣層上形成圖案與所述半導(dǎo)體襯底中光電二極管排布結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的掩膜層，依次刻蝕所述絕緣層、所述反光層、所述介電層至所述半導(dǎo)體襯底，形成多個(gè)濾光片設(shè)置槽； 刻蝕去除所述掩膜層； 在各所述濾光片設(shè)置槽中分別形成濾光片； 在所述絕緣層和所述濾光片上形成平坦化層；以及 在所述平坦化層上形成微透鏡。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括以下步驟: 在各所述濾光片設(shè)置槽的槽內(nèi)表面上形成保護(hù)層，在所述保護(hù)層上形成所述濾光片。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述濾光片設(shè)置槽采用等離子刻蝕法形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述反光層為金屬層。
【文檔編號(hào)】H01L27/146GK104009048SQ201310060959
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月26日
【發(fā)明者】馬燕春 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司