專利名稱：可撓性基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種制作可撓性基板的方法，特別是一種利用局部加熱程序形成粘著區(qū)與非粘著區(qū)的可撓性基板結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
一般而言，可撓性顯示器具有高輕巧性、耐沖擊性、可撓曲性與攜帶方便等特性，儼然成為新一代具有前瞻性的顯示技術(shù)。而在目前可撓性顯示器工藝技術(shù)中，主要的技術(shù)瓶頸在于如何將薄膜晶體管(thin film transistor, TFT)制作于可撓性基板上。然而，現(xiàn)行的可撓性基板的制造與取得仍然存在于相當(dāng)大的問(wèn)題，例如:在可撓性基板制造過(guò)程中，可能會(huì)劣化容易產(chǎn)生氣泡或是裂開(kāi)，因可撓性基板工藝?yán)щy進(jìn)而導(dǎo)致且良率極低。 有鑒于此，亟需一種工藝成本低及工藝時(shí)間短的可撓性基板制造方法，以解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種制作可撓性基板的方法，其借由局部進(jìn)行加熱程序于含金屬層，可快速地于含金屬層與可撓性基板接觸處形成粘著區(qū)，于未進(jìn)行加熱程序處形成非粘著區(qū)，而能夠節(jié)省工藝時(shí)間與成本。本發(fā)明的一態(tài)樣提供一種制作可撓性基板的方法，其包含下列步驟。提供一負(fù)載基板。形成一含金屬層于負(fù)載基板上。形成一可撓性基板于含金屬層上。局部進(jìn)行一加熱程序于含金屬層，以于含金屬層與可撓性基板接觸處形成至少一粘著區(qū)，以及于未進(jìn)行該加熱程序處形成至少一非粘著區(qū)。加熱程序的升溫速率大于或等于約10°c /分鐘，升溫最高溫度約為小于或等于可撓性基板的玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg)。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，升溫速率約為10°C /分鐘至50°C /分鐘。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，升溫最高溫度約為200°C至400°C。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，局部進(jìn)行加熱程序步驟為通過(guò)紅外線、電流、電磁波、力口熱板或前述的組合局部進(jìn)行該加熱程序。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，含金屬層與可撓性基板的接觸處的粘著區(qū)的粘著強(qiáng)度約大于或等于30克力(gf)，未進(jìn)行該加熱程序處的非粘著區(qū)的粘著強(qiáng)度約小于30克力(gf)。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，方法更包含于局部進(jìn)行加熱程序后，進(jìn)行一成膜工藝于可撓性基板上，成膜工藝包含主動(dòng)元件陣列工藝、彩色濾光片工藝或前述工藝的組合。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，方法更包含于局部進(jìn)行加熱程序后，進(jìn)行另一次加熱程序于含金屬層與可撓性基板的接觸處的粘著區(qū)，以使粘著區(qū)的粘著強(qiáng)度約小于30克力，以及剝離可撓性基板。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，另一次加熱程序的升溫最高溫度大于可撓性基板的玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg)，且約小于或等于可撓性基板的裂解溫度(Td)。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，方法更包含切割非粘著區(qū)、鄰近于非粘著區(qū)的粘著區(qū)或粘著區(qū)與非粘著區(qū)的邊界，以及剝離可撓性基板。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，含金屬層包含金屬、金屬化合物或前述的組合。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，含金屬層包含一金屬元素選自由下列所構(gòu)成的群組:鈦(Ti)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、硅(Si)、鉭(Ta)、鎢(W)、鑰(Mo)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、錯(cuò)(Zr)、銠(Rh)、釕(Ru)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鋨(Os)、銥(Ir)及前述至少
二種金屬元素的組合。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，金屬化合物選自由金屬氧化物、金屬氮化物及前述的組
口 ο根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，形成含金屬層步驟包含圖案化含金屬層。本發(fā)明的實(shí)施方式是借由局部進(jìn)行加熱程序，以于含金屬層與可撓性基板接觸處形成粘著區(qū)，以及于未進(jìn)行該加熱程序處形成非粘著區(qū)，因此工藝速度快、工藝成本低，且含金屬層能夠承受高溫工藝。換言之，本發(fā)明的確提供了一種有效固定可撓性基板于負(fù)載基板上的方法，且此方法能夠輕易地應(yīng)用于各種需要制作元件于可撓性基板上的工藝中。


為讓本發(fā)明的的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附圖式的的說(shuō)明如下:圖1A至圖1B分別顯示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的D可撓性基板結(jié)構(gòu)的立體圖與剖面示意圖。圖2顯示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的制作可撓性基板的方法的一工藝階段的剖面示意圖。圖3A-3C顯示依照本發(fā)明數(shù)實(shí)施方式的制作可撓性基板的方法的一工藝階段的剖面示意圖。圖4A顯示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的可撓性基板結(jié)構(gòu)的上視示意圖。圖4B顯示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的可撓性基板結(jié)構(gòu)的上視示意圖。圖4C顯示圖4A的可撓性基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖5顯示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的制作可撓性基板的方法的一工藝階段的剖面示意圖。圖6A-6C顯示依照本發(fā)明數(shù)實(shí)施方式的制作可撓性基板的方法的一工藝階段的剖面示意圖。其中，附圖標(biāo)記:110負(fù)載基板120含金屬層130可撓性基板Rb粘著區(qū)Rn非 粘著區(qū)
具體實(shí)施例方式以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說(shuō)明起見(jiàn)，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說(shuō)明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說(shuō)，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡(jiǎn)化圖式起見(jiàn)，一些現(xiàn)有慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示之。圖1A至圖1B分別顯示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的可撓性基板結(jié)構(gòu)的立體圖與剖面示意圖。圖2顯示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的制作可撓性基板的方法的一工藝階段的剖面示意圖。制作可撓性基板的方法請(qǐng)依序參照?qǐng)D1及圖2。首先，如圖1所示，提供一負(fù)載(carrier or support)基板110。此負(fù)載基板110較佳為一種硬質(zhì)基板，例如玻璃基板、石英基板或硅基板，但不以此為限。接著，形成含金屬層120于負(fù)載基板110上,如圖1所不。形成含金屬層120的方法例如為物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積工藝、網(wǎng)版印刷工藝、噴墨、噴墨涂布工藝、金屬屏蔽沉積工藝、金屬屏蔽蒸鍍工藝或其它合適的工藝。含金屬層120可全部或部分覆蓋負(fù)載基板110。換言之,含金屬層120可為整面含金屬層120或?yàn)閳D案化含金屬層120。圖1例不為整面的含金屬層120，而圖案化含金屬層120的實(shí)施方式(例示于圖4A-4B中)將于下述中再詳細(xì)說(shuō)明。含金屬層120包含金屬、金屬化合物或前述的組合。詳細(xì)而言，含金屬層120包含一金屬元素選自由下列所構(gòu)成的群組:鈦(Ti)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、硅(Si)、鉭(Ta)、鎢(W)、鑰(Mo)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鋨(Os)、銥(Ir)及前述至少二種金屬元素的組合。另外，金屬化合物選自由金屬氧化物、金屬氮化物及前述的組合。

于形成含金屬層120后，形成可撓性基板130于含金屬層120上?？蓳闲曰?30的材質(zhì)包括聚亞酰胺(polyimide, PI)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚醚砜(polyethersulfone, PES)、聚原冰烯(polynorbornene, PNB)、聚醚亞酰胺(polyetherimide, PEI)> 聚苯并咪唑(poly (p-phenylene benzobisimidazole)，PBI)、聚苯并惡唑(poly (p-phenylene benzobisoxazole), PB0)、聚對(duì)苯二甲酸對(duì)苯二胺(poly (p-phenylene terephthalamide), PPTA)其它合適的材料或上述的組合,但不以此為限。本發(fā)明以聚亞酰胺為較佳實(shí)施例。其中，上述可撓性基板材質(zhì)的物理或化學(xué)性質(zhì)可查閱物質(zhì)安全數(shù)據(jù)表(material safely data sheet,MSDS)?？蓳闲曰?30也可為有機(jī)材料與無(wú)機(jī)材料的組合。例如可先涂布可撓性基板130的組成物于含金屬層120上，再固化此組成物，而形成可撓性基板130。隨后，如圖2所示，局部進(jìn)行一加熱程序于含金屬層120，以于含金屬層120與可撓性基板130接觸處形成至少一粘著區(qū)Rb，以及于未進(jìn)行加熱程序處形成至少一非粘著區(qū)Rn。局部進(jìn)行加熱程序的目的是要讓局部的含金屬層120中的金屬、金屬化合物或前述的組合與可撓性基板130產(chǎn)生極高的粘著性。當(dāng)然，預(yù)定形成非粘著區(qū)Rn的部分不能夠被加熱。其中，加熱程序的加熱源，較佳地，是局部加熱于負(fù)載基板110外表面(如圖所示)，再傳熱到含金屬層中，但不限于此。于其它實(shí)施例中，加熱程序的加熱源，是局部加熱于可撓性基板130上，再傳熱到含金屬層中?；蛘呤?，加熱程序的加熱源，同時(shí)局部加熱于負(fù)載基板110外表面與可撓性基板130上,并同時(shí)再傳熱到含金屬層中。
實(shí)際檢測(cè)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)升溫速率大于或等于10°C /分鐘，升溫最高溫度小于或等于可撓性基板130的玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg)的條件下，能夠使含金屬層120與可撓性基板130間產(chǎn)生高粘著性。此高粘著性的性質(zhì)據(jù)信是由于加熱程序中的含金屬層120的熱膨脹系數(shù)與可撓性基板130的熱膨脹系數(shù)相異而產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力造成。承上述，升溫最高溫度需實(shí)質(zhì)上小于或等于可撓性基板130的玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg)。換言之，在此加熱程序中，可撓性基板130仍處于玻璃態(tài)(glass state),且熱膨脹系數(shù)(coefficient of thermal expansion, CTE)的變化極小。本發(fā)明可撓性基板130的玻璃轉(zhuǎn)移溫度需小于或等于約430°C，較佳地，可撓性基板130的玻璃轉(zhuǎn)移溫度需約200°C至約400°C，以避免可撓性基板130于后續(xù)的工藝，例如:沉積薄膜工藝，產(chǎn)生劣化、起泡、變質(zhì)或黃化現(xiàn)象，而不能使用或良率降低。舉例來(lái)說(shuō)，聚酰亞胺基板的升溫最高溫度需小于或等于約400°C。聚碳酸酯基板的升溫最高溫度需不大于約260°C、聚醚砜基板的升溫最高溫度需不大于約230°C、聚原冰烯基板的升溫最高溫度需不大于約270°C、聚醚亞酰胺基板的升溫最高溫度需不大于約216°C、聚苯并咪唑基板的升溫最高溫度需不大于約420°C、聚苯并惡唑基板的升溫最高溫度需分別不大于約300°C與聚對(duì)苯二甲酰對(duì)苯二胺基板的升溫最高溫度需分別不大于約350°C。 在一實(shí)施方式中，加熱程序的升溫速率約為10°C /分鐘至50°C /分鐘。在一實(shí)施方式中，加熱程序的升溫最高溫度約為200°C至400°C。根據(jù)下述的實(shí)驗(yàn)例可得知，分別為二氧化鈦及氧化鋁的含金屬層120，當(dāng)升溫最高溫度約為200°C時(shí)，升溫速率較佳至少約為500C /分鐘。當(dāng)升溫最高溫度約為300°C或400°C時(shí)，升溫速率較佳至少約為10°C /分鐘。換言之，當(dāng)含金屬層120為二氧化鈦或氧化鋁時(shí)，若設(shè)定較低的升溫最高溫度，則需以較快的速度升溫，才能達(dá)到良好的粘著效果。另外，局部進(jìn)行加熱程序步驟可利用外部熱源(如紅外線、微波、電磁波、加熱板)或者是內(nèi)部加熱(如電壓加熱、電流加熱、電磁波加熱)等方式局部加熱含金屬層120，但不限于此。例如可使用紅外線燈管或加熱板局部加熱含金屬層120。而在此所使用的含金屬層120可為整面的含金屬層120或者是圖案化含金屬層120。電流加熱是利用電流的焦耳效應(yīng)將電能轉(zhuǎn)換成熱能，而可快速加熱物體。例如可直接施加電壓于含金屬層120,使其內(nèi)部產(chǎn)生熱能而升溫。但含金屬層120需暴露出一部分，以使電壓能夠直接施加于含金屬層120。電磁波加熱是將電能以電磁波形式直接作用于物體，使其內(nèi)部產(chǎn)生熱能。例如可將可撓性基板結(jié)構(gòu)置于帶有電磁場(chǎng)的極板間或置于能產(chǎn)生電磁波的感應(yīng)線圈內(nèi)。據(jù)此，以上述電流加熱與電磁波加熱方式而言，較佳是于預(yù)定形成粘著區(qū)Rb的位置設(shè)有含金屬層120，于預(yù)定形成非粘著區(qū)Rn的位置不設(shè)置含金屬層120。換言之，在此所使用的含金屬層120較佳為圖案化含金屬層120。此時(shí)，粘著區(qū)Rb的粘著強(qiáng)度實(shí)質(zhì)上大于非粘著區(qū)Rn的粘著強(qiáng)度。在一實(shí)施方式中，含金屬層120與可撓性基板130的接觸處的粘著區(qū)Rb的粘著強(qiáng)度大于或等于約30克力(gf)，未進(jìn)行該加熱程序處的非粘著區(qū)Rn的粘著強(qiáng)度約小于30克力(gram-force, gf)。較佳的是,粘著區(qū)Rb的粘著強(qiáng)度大于或等于約50克力(gf)。如圖2所示，未進(jìn)行該加熱程序處是指兩粘著區(qū)Rb之間未進(jìn)行該加熱程序的區(qū)域，亦即，含金屬層120與可撓性基板130接觸處的另一部分。在此所指的「粘著強(qiáng)度」是指在試片寬度約為25毫米，剝離速度約為300毫米/分鐘的條件下，兩層材料(例如含金屬層120與可撓性基板130)分別往二個(gè)不同方向拉伸，以使得二層材料產(chǎn)生剝離的強(qiáng)度，其中，二個(gè)不同方向間的夾角約180度。在另一實(shí)施方式中，制造可撓性基板130的方法更包含于局部進(jìn)行加熱程序后，進(jìn)行一成膜工藝于可撓性基板130上。一般而言，成膜工藝包含主動(dòng)元件陣列工藝、彩色濾光片工藝或前述工藝的組合。所進(jìn)行的成膜工藝為主動(dòng)元件陣列工藝，是指于可撓性基板130上形成主動(dòng)元件陣列；所進(jìn)行的成膜工藝150為彩色濾光片工藝，是指于可撓性基板130上形成彩色濾光片。另一方面，所進(jìn)行的成膜工藝150同時(shí)包含主動(dòng)元件陣列工藝以及彩色濾光片工藝，是指于可撓性 基板130上形成彩色濾光片位于陣列上(color filter onarray, COA)結(jié)構(gòu)或陣列位于彩色濾光片上(array on color filter, A0C)結(jié)構(gòu)；或者是黑色矩陣(black matrix, BM)位于陣列上(black matrix on array, BOA)結(jié)構(gòu)或陣列位于黑色矩陣(black matrix,BM)上(array on black matrix, AOB)結(jié)構(gòu)。其中主動(dòng)兀件陣列工藝?yán)缡蔷哂兄鲃?dòng)層的薄膜晶體管陣列工藝，主動(dòng)層為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、單晶硅、有機(jī)半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、其它合適的材料或上述的組合。在另一實(shí)施方式中，制造可撓性基板130的方法更包含局部進(jìn)行加熱程序后，進(jìn)行另一次加熱程序于含金屬層120與可撓性基板130的接觸處的粘著區(qū)Rb，以使粘著區(qū)Rb的粘著強(qiáng)度實(shí)質(zhì)上小于非粘著區(qū)Rn的粘著強(qiáng)度。較佳地，進(jìn)行另一次加熱程序于含金屬層120與可撓性基板130的接觸處的粘著區(qū)Rb，以使粘著區(qū)Rb的粘著強(qiáng)度約小于30克力(gf)。隨后，可借由任何方式剝離可撓性基板130。由于經(jīng)過(guò)另一次加熱程序后，含金屬層120與可撓性基板130的所有接觸處的粘著強(qiáng)度均低于約30克力，故可輕易地剝離可撓性基板130。但為了不讓可撓性基板130于另一次加熱程序中嚴(yán)重裂解或變質(zhì)，故其升溫最高溫度大于可撓性基板130的玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg)，且約小于或等于可撓性基板130的裂解溫度(Td)。在此所指的「裂解溫度(Td)」，是指以熱重分析儀(thermogravimetricanalysis，TGA)(升溫速率約為10°C /分鐘)所測(cè)得的可撓性基板130的熱裂解溫度Td5(即失重約為5%時(shí)的溫度)。推測(cè)可能是含金屬層120和可撓性基板130間界面的內(nèi)應(yīng)力于另一次加熱程序中，可撓性基板130中的高分子重新排列釋放應(yīng)力，而造成粘著區(qū)Rb的粘著強(qiáng)度大幅下降。其中，另一次加熱程序的加熱源，較佳地，是局部加熱于負(fù)載基板110外表面(如圖所示)，再傳熱到含金屬層中，但不限于此。于其它實(shí)施例中，另一次加熱程序的加熱源，是局部加熱于可撓性基板130上，再傳熱到含金屬層中。或者是，另一次加熱程序的加熱源，同時(shí)局部加熱于負(fù)載基板110外表面與可撓性基板130上，并同時(shí)再傳熱到含金屬層中。舉例來(lái)說(shuō)，聚酰亞胺基板的另一次加熱程序的升溫最高溫度需介于約420°C至約500°C。聚碳酸酯基板的另一次加熱程序的升溫最高溫度范圍為約270°C至約320°C、聚醚砜基板的另一次加熱程序的升溫最高溫度范圍為約240°C至約280°C、聚原冰烯基板的另一次加熱程序的升溫最高溫度范圍為約280°C至約320°C、聚醚亞酰胺基板的另一次加熱程序的升溫最高溫度范圍為約230°C至約260°C、聚苯并咪唑基板的另一次加熱程序的升溫最高溫度范圍為約430°C至520°C、聚苯并惡唑基板的另一次加熱程序的升溫最高溫度范圍為約345°C至410°C與聚對(duì)苯二甲酰對(duì)苯二胺基板的另一次加熱程序的升溫最高溫度范圍為約360°C至480°C。此外，另一次加熱程序也不能讓成膜工藝所形成的元件(如彩色濾光樹(shù)脂或半導(dǎo)體層)嚴(yán)重裂解或變質(zhì)。因此，較佳的是同時(shí)考慮到各種材料的耐熱特性，以決定另一次加熱程序的升溫最高溫度。其中，可撓性基板130于另一次加熱程序可運(yùn)用于成膜工藝之前或之后。在另一實(shí)施方式中，制造可撓性基板130的方法更包含切割非粘著區(qū)(如圖3A所示)、鄰近于非粘著區(qū)Rn的粘著區(qū)Rb (如圖3C所示)或粘著區(qū)Rb與非粘著區(qū)Rn的邊界(如圖3B所示)，再以任何方式剝離可撓性基板130。例如可使用鏟刀、刀輪、鉆石刀、雷射或上述的組合切割上述的位置。詳細(xì)而言，較佳的是可先切割非粘著區(qū)Rn (如圖3A所示)，再剝離可撓性基板130的非粘著區(qū)Rn的其中一角，然后以機(jī)械方式分離含金屬層120與可撓性基板130。次佳的是切割粘著區(qū)Rb與非粘著區(qū)Rn的邊界，如圖3B所示。另外，也可切割鄰近于非粘著區(qū)Rn的粘著區(qū)Rb，再施力撕離可撓性基板130的非粘著區(qū)Rn的其中一角，并撕開(kāi)至非粘著區(qū)Rn，然后以機(jī)械方式分離含金屬層120與可撓性基板130。其中，切割與剝離可撓性基板130程序可接續(xù)于進(jìn)行另一次加熱程序在可撓性基板130之后，或者是，切割與剝離可撓性基板130程序可直接接續(xù)著局部進(jìn)行一加熱程序于含金屬層120之后，而上述二者程序之間可不存在進(jìn)行另一次加熱程序在可撓性基板130。其中，取下的可撓性基板的形狀不限于矩形，其它形狀亦可，例如:圓形、楕圓、多邊形、或其它合適的形狀。圖4A顯示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的可撓性基板結(jié)構(gòu)的上視示意圖。圖4B顯示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的可撓性基板結(jié)構(gòu)的上視示意圖。圖4C顯示圖4A的可撓性基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。其中，圖4A與圖4B顯示的可撓性基板結(jié)構(gòu)均包含圖案化的含金屬層120。也就是說(shuō)，制造方法中包括圖案化含金屬層120的步驟。圖案化含金屬層120的方式例如為光學(xué)微影(photolithographic)與蝕刻工藝；或者是網(wǎng)版印刷工藝、噴墨涂布工藝、金屬屏蔽沉積工藝、金屬屏蔽蒸鍍工藝或其它合適的工藝，來(lái)形成圖案化含金屬層120。至于提供負(fù)載基板110與形成可撓性基板130等步驟請(qǐng)參考上述實(shí)施方式，在此不再贅述。
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與圖4A的差異在于，圖4B顯示的可撓性基板結(jié)構(gòu)可在單片負(fù)載基板上制造出多片可撓性基板。如圖4B所示，于一負(fù)載基板110上形成一陣列狀的圖案化含金屬層120，再于含金屬層120上形成整面的可撓性基板130。其中，陣列狀的圖案化含金屬層120中開(kāi)口的形狀(即后續(xù)要取下的可撓性基板的形狀)不限于矩形，其它形狀也可，例如:圓形、楕圓、多邊形、或其它合適的形狀。當(dāng)進(jìn)行局部加熱程序后，于含金屬層120與可撓性基板130接觸處形成粘著區(qū)Rb。最后以上述的方式，例如:先進(jìn)行另一加熱程序，再以切割程序或者是僅以切割程序，可一次取下四片可撓性基板(130a、130b、130c及130d)。圖4B的單片負(fù)載基板上的單片可撓性基板(130a、130b、130c或130d)堆棧結(jié)構(gòu)的剖面圖類似于圖4C所示。因此，圖4B相關(guān)的程序/工藝或步驟，例如:加熱程序、成膜工藝、切割/剝離步驟，可參閱上述的描述，例如:圖4A及其后序圖示的描述或者是圖2及其后序圖示的描述。圖5系顯示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的制作可撓性基板的方法的一工藝階段的剖面示意圖。如圖5所示，局部進(jìn)行加熱程序于圖案化含金屬層120，以形成粘著區(qū)Rb。而非粘著區(qū)Rn可位于兩粘著區(qū)Rb之間。假使進(jìn)行加熱程序后不會(huì)增加可撓性基板130與負(fù)載基板110間的粘著強(qiáng)度，也可對(duì)此可撓性基板結(jié)構(gòu)全面進(jìn)行加熱程序。
并且，可選擇性地進(jìn)行成膜工藝于可撓性基板130上。成膜工藝的具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱上述。為了取下可撓性基板130，可先進(jìn)行另一次加熱程序，再以任何方式剝離可撓性基板130，其具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱上述?；蛘撸惹懈罘钦持鴧^(qū)(如圖6A所示)、鄰近于非粘著區(qū)Rn的粘著區(qū)Rb (如圖6C所示)或切割粘著區(qū)Rb與非粘著區(qū)Rn的邊界(如圖6B所示)，再以任何方式剝離可撓性基板130。上述切割、剝離步驟的具體實(shí)施方式
及其與其它步驟之間的順序，請(qǐng)參閱上述圖3A-3C的具體實(shí)施方式
。實(shí)施例以下的實(shí)施例用以詳述本發(fā)明的特定態(tài)樣，并使本領(lǐng)域技術(shù)人員得以實(shí)施本發(fā)明。以下的實(shí)施例不應(yīng)用以限制本發(fā)明。比較例1:未經(jīng)加熱程序處理的聚酰亞胺層/ 二氧化鈦層先形成聚酰亞胺層于二氧化鈦層上。然后，將未經(jīng)過(guò)任何加熱程序處理的情況下所得的試片，測(cè)試聚酰亞胺層與二氧化鈦層間的約180°剝離強(qiáng)度。試片寬度約為25毫米，剝離速度約為300毫米/分鐘。實(shí)驗(yàn)例1-8:經(jīng)加熱程序處理的聚酰亞胺層/ 二氧化鈦層先形成聚酰亞胺層于二氧化鈦層上。然后經(jīng)過(guò)不同的加熱程序處理，形成實(shí)驗(yàn)例1-8的試片，其加熱條件如表一所示。實(shí)驗(yàn)例I的試片是于約3°C /分鐘升溫約至200°C，恒溫約I小時(shí)，再冷卻至約25°C (約室溫)。實(shí)驗(yàn)例2-8的試片的制備方式類似于實(shí)驗(yàn)例1，不同之處在于加熱條件。然后以相同于比較例I的測(cè)試方式測(cè)試實(shí)驗(yàn)例1-8的試片的約180°剝離強(qiáng)度，其測(cè)試結(jié)果列于表一中。表一`
權(quán)利要求
1.一種制作可撓性基板的方法，其特征在于，依序包含: 提供一負(fù)載基板； 形成一含金屬層于該負(fù)載基板上； 形成一可撓性基板于該含金屬層上；以及 局部進(jìn)行一加熱程序于該含金屬層，以于該含金屬層與該可撓性基板接觸處形成至少一粘著區(qū)，以及于未進(jìn)行該加熱程序處形成至少一非粘著區(qū)，其中該加熱程序的升溫速率大于或等于10°c /分鐘，升溫最高溫度為小于或等于該可撓性基板的玻璃轉(zhuǎn)移溫度Tg。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該升溫速率為10°C/分鐘至50°C /分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該升溫最高溫度為200°C至400°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，局部進(jìn)行該加熱程序步驟是通過(guò)紅外線、微波、電磁波、加熱板、電流、電壓或前述的組合局部進(jìn)行該加熱程序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該含金屬層與該可撓性基板的該接觸處的該粘著區(qū)的粘著強(qiáng)度大于或等于30克力，未進(jìn)行該加熱程序處的該非粘著區(qū)的粘著強(qiáng)度小于30克力。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，更包含于局部進(jìn)行該加熱程序后，進(jìn)行一成膜工藝于該可撓性基板上，該成膜工藝包含主動(dòng)元件陣列工藝、彩色濾光片工藝、黑色矩陣工藝或前述工藝的組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的方法，其特征在于，更包含于局部進(jìn)行該加熱程序后，進(jìn)行另一次加熱程序于該含金屬層與該可撓性基板的該接觸處的該粘著區(qū)，以使該粘著區(qū)的粘著強(qiáng)度小于30克力；以及 剝離該可撓性基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，該另一次加熱程序的升溫最高溫度大于該可撓性基板的玻璃轉(zhuǎn)移溫度Tg，且小于或等于該可撓性基板的裂解溫度Td。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的方法，其特征在于，更包含: 切表I]該非粘著區(qū)、鄰近于該非粘著區(qū)的該粘著區(qū)或該粘著區(qū)與該非粘著區(qū)的邊界；以及剝離該可撓性基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該含金屬層包含金屬、金屬化合物或前述的組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，該含金屬層包含一金屬兀素選自由下列所構(gòu)成的群組:鈦(Ti)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、硅(Si)、鉭(Ta)、鎢(W)、鑰(Mo)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、銠(Rh)、釕(Ru)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鋨(Os)、銥(Ir)及前述至少二種金屬元素的組合。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，該金屬化合物選自由金屬氧化物、金屬氮化物及前述的組合。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成該含金屬層步驟包含圖案化該含金屬層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制作可撓性基板的方法，其包含下列步驟。提供一負(fù)載基板。形成含金屬層于負(fù)載基板上。形成可撓性基板于含金屬層上。局部進(jìn)行一加熱程序于含金屬層，以于含金屬層與可撓性基板接觸處形成至少一粘著區(qū)，以及于未進(jìn)行該加熱程序處形成至少一非粘著區(qū)。上述加熱程序的升溫速率大于或等于10℃/分鐘，升溫最高溫度為小于或等于可撓性基板的玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg)。
文檔編號(hào)H01L21/77GK103236418SQ20131007113
公開(kāi)日2013年8月7日 申請(qǐng)日期2013年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月10日
發(fā)明者陳建螢, 趙俊賢, 謝明哲, 吳開(kāi)杰, 張育誠(chéng), 林郁欣 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司