有機(jī)電致發(fā)光器件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板、設(shè)于基板上的陽極層以及位于陽極層上的陰極層，此外，有機(jī)電致發(fā)光器件還包括設(shè)在陽極層與陰極層之間的多個有機(jī)電致發(fā)光單元以及設(shè)于相鄰有機(jī)電致發(fā)光單元之間的電荷生成層，有機(jī)電致發(fā)光單元中設(shè)有發(fā)光層，電荷生成層包括層疊設(shè)置的n型層及p型層，n型層靠近陽極層設(shè)置，p型層靠近陰極層設(shè)置。該有機(jī)電致發(fā)光器件通過設(shè)置多個有機(jī)電致發(fā)光單元，并且在相鄰的有機(jī)電致發(fā)光單元之間設(shè)置由n型層和p型層構(gòu)成的電荷生成層，能夠提高電荷分離和傳輸?shù)男?，從而降低整個有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動電流，在同等驅(qū)動電流作用下，發(fā)光效率更高。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電致發(fā)光領(lǐng)域，尤其是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光(Organic Light Emiss1n D1de,以下簡稱0LED)具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時擁有高清晰、廣視角以及響應(yīng)速度快等優(yōu)勢， 是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā)展趨勢，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003]盡管全世界各國的科研人員通過選擇合適的有機(jī)材料和合理的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，已使器件性能的各項(xiàng)指標(biāo)得到了很大的提升，但傳統(tǒng)的驅(qū)動發(fā)光器件的電流需要較大，器件發(fā)光效率較低，限制了其進(jìn)一步應(yīng)用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種驅(qū)動電流小、發(fā)光效率高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制作方法。
[0005]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板、設(shè)于所述基板上的陽極層以及位于所述陽極層上的陰極層，此外，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括設(shè)在所述陽極層與所述陰極層之間的多個有機(jī)電致發(fā)光單元以及設(shè)于相鄰所述有機(jī)電致發(fā)光單元之間的電荷生成層，所述有機(jī)電致發(fā)光單元中設(shè)有發(fā)光層，所述電荷生成層包括層疊設(shè)置的η型層及P型層，所述η型層靠近所述陽極層設(shè)置，所述P型層靠近所述陰極層設(shè)置。
[0006]在其中一個實(shí)施例中，所述陽極層為透明導(dǎo)電氧化物薄膜。
[0007]在其中一個實(shí)施例中，所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜為銦錫氧化物薄膜、銦鋅氧化物薄膜、鋁鋅氧化物薄膜或鎵鋅氧化物薄膜。
[0008]在其中一個實(shí)施例中，所述有機(jī)電致發(fā)光單元還包括設(shè)在所述發(fā)光層一側(cè)的靠近所述陽極層的空穴傳輸層以及設(shè)在所述發(fā)光層另一側(cè)的靠近所述陰極層的電子傳輸層中的至少一種。
[0009]在其中一個實(shí)施例中，所述空穴傳輸層的材料為4，4'，4"_三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' -聯(lián)苯-4，4' - 二胺或4，4'，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺；所述電子傳輸層的材料為2-(4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1,3，4-噁二唑、4，7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲。
[0010]在其中一個實(shí)施例中，所述P型層的材料為酞菁銅、酞菁鋅或酞菁氧釩；所述η型層的材料為十六氟酞菁銅或十六氟酞菁鋅。
[0011]在其中一個實(shí)施例中，所述陰極層包括靠近所述陽極層的氟化鋰(LiF)層以及設(shè)在所述LiF層上的金屬層或金屬合金層。
[0012]在其中一個實(shí)施例中，所述有機(jī)電致發(fā)光單元的數(shù)量為2個。
[0013]在其中一個實(shí)施例中，2個所述有機(jī)電致發(fā)光單兀分別為藍(lán)光發(fā)光單兀和紅光發(fā)光單元；所述藍(lán)光發(fā)光單元中的發(fā)光層的材料為藍(lán)光磷光材料摻雜藍(lán)光主體材料中形成的復(fù)合材料，其中，所述藍(lán)光磷光材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥或雙(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥，所述藍(lán)光主體材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯，所述藍(lán)光磷光材料與所述藍(lán)光主體材料的質(zhì)量百分比為2~10% ；
[0014]或者所述藍(lán)光發(fā)光單元中的發(fā)光層的材料為4，V -二(2，2_ 二苯乙烯基)_1，I' ~聯(lián)苯或4，4'-雙[4- ( 二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯；
[0015]所述紅光發(fā)光單元中的發(fā)光層的材料為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (I, I, 7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃摻雜在8-羥基喹啉鋁中形成的復(fù)合材料、(乙酰丙酮)合銥摻雜在N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4' -二胺中形成的復(fù)合材料、三(1-苯基-異喹啉)合銥摻雜在N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' -聯(lián)苯-4，4' - 二胺中形成的復(fù)合材料或雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)吡啶)(乙酰丙酮)合銥摻雜在4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯中形成的復(fù)合材料，其中，所述4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃與所述8-羥基喹啉鋁的質(zhì)量百分比為I~10%，所述(乙酰丙酮)合銥與所述N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4' - 二胺的質(zhì)量百分比為I~10%，所述三(1-苯基-異喹啉)合銥與所述N，N' -二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1 ，1' -聯(lián)苯-4，4' - 二胺的質(zhì)量百分比為I~10%，所述雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)吡啶)(乙酰丙酮)合銥與所述4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯的質(zhì)量百分比為I~10%ο
[0016]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法，包括如下步驟:
[0017]在真空鍍膜系統(tǒng)中，在潔凈的基板表面濺射制備陽極層；
[0018]在真空鍍膜系統(tǒng)中，在所述陽極層表面蒸鍍制備多個有機(jī)電致發(fā)光單元，并在相鄰的有機(jī)電致發(fā)光單元之間依次蒸鍍制備由η型層和P型層構(gòu)成的電荷生成層，其中，所述有機(jī)電致發(fā)光單元中設(shè)有發(fā)光層；
[0019]在真空鍍膜系統(tǒng)中，在所述有機(jī)電致發(fā)光單元表面蒸鍍制備陰極層。
[0020]上述有機(jī)電致發(fā)光器件通過設(shè)置多個有機(jī)電致發(fā)光單元，并且在相鄰的有機(jī)電致發(fā)光單元之間設(shè)置由η型層和P型層構(gòu)成的電荷生成層，能夠提高電荷分離和傳輸?shù)男剩瑥亩档驼麄€有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動電流，在同等驅(qū)動電流作用下，發(fā)光效率更高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為實(shí)施例1與對比例I制作的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度-電流密度特性曲線。

【具體實(shí)施方式】
[0023]下面主要結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對有機(jī)電致發(fā)光器件及其制作方法作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0024]如圖1所不,一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊設(shè)置的基板110、陽極層120、第一有機(jī)電致發(fā)光單元130、電荷生成層140、第二有機(jī)電致發(fā)光單元150及陰極層160。
[0025]基板110為透明材料制作，如透明玻璃等。
[0026]陽極層120為透明導(dǎo)電氧化物薄膜，如銦錫氧化物(ITO)薄膜、銦鋅氧化物(IZO)薄膜、鋁鋅氧化物(AZO)薄膜或鎵鋅氧化物(GZO)薄膜等。陽極層120的厚度在70~200nm之間。
[0027]本實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括兩個有機(jī)電致發(fā)光單元，分別為第一有機(jī)電致發(fā)光單元130和第二有機(jī)電致發(fā)光單元150。每個有機(jī)電致發(fā)光單元中設(shè)有發(fā)光層以及空穴傳輸層和電子傳輸層中的至少一個有機(jī)功能層，其中，空穴傳輸層靠近陽極層120設(shè)置、電子傳輸層靠近陰極層160設(shè)置。
[0028]第一有機(jī)電致發(fā)光單兀130中的發(fā)光層為藍(lán)光發(fā)光層，厚度在5~20nm之間。藍(lán)光發(fā)光層的材料為藍(lán)光磷光材料摻雜藍(lán)光主體材料中形成的復(fù)合材料。其中，藍(lán)光磷光材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)或雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)。藍(lán)光主體材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯(TPBi)或4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)。藍(lán)光磷光材料與藍(lán)光主體材料的質(zhì)量百分比為2~10%?；蛘咚{(lán)光發(fā)光層的材料為4，4' -二(2，2-二苯乙烯基)-1，1'-聯(lián)苯(DPVBi)或4，4'-雙[4-( 二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)。
[0029]第二有機(jī)電致發(fā)光單兀150中的發(fā)光層紅光發(fā)光層,厚度在5~20nm之間。其材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1,7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)_4H_吡喃(DCJTB)摻雜在8-羥基喹啉鋁(Alq3)中形成的復(fù)合材料、(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))摻雜在N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' -聯(lián)苯-4，4' -二胺(NPB)中形成的復(fù)合材料、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(Piq)3)摻雜在Ν，Ν' - 二苯基_Ν，Ν' -二(1_萘基)_1，P -聯(lián)苯_4，4' - 二胺(NPB)中形成的復(fù)合材料或雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)吡啶)(乙酰丙酮)合銥(Ir(btp)2(acac))摻雜在4，4' -二(9_咔唑)聯(lián)苯(CBP)中形成的復(fù)合材料。其中，4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃與8-羥基喹啉鋁的質(zhì)量百分比為I~10%，(乙酰丙酮)合銥與N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' -聯(lián)苯-4，4' - 二胺的質(zhì)量百分比為I~10%，三(1-苯基-異喹啉)合銥與N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4' - 二胺的質(zhì)量百分比為I~10%，雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)吡啶)(乙酰丙酮)合銥與4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯的質(zhì)量百分比為I~10%。
[0030]空穴傳輸層的材料為4，4'，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4，4' -二胺(NPB)或 4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)。電子傳輸層的材料為2- (4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、4，7- 二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)0空穴傳輸層和電子傳輸層的厚度在20~60nm之間。
[0031]電荷生成層140包括層疊設(shè)置的η型層142及ρ型層144。其中，η型層142靠近陽極層120設(shè)置，ρ型層144靠近陰極層160設(shè)置。η型層142的材料為十六氟酞菁銅(F16CuPc)或十六氟酞菁鋅(F16ZnPc );ρ型層144的材料為酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)或酞菁氧I凡(VOPc)。η型層142及ρ型層144的厚度在I~1nm之間。
[0032]陰極層160包括靠近陽極層的LiF層以及設(shè)在LiF層上的金屬層或金屬合金層，如Ag層、Al層、Mg與Ag的合金層、Mg與Al的合金層。其中，LiF層的厚度為Inm,金屬層或金屬合金層的厚度在70~200nm之間。
[0033]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100通過設(shè)置多個有機(jī)電致發(fā)光單元，并且在相鄰的有機(jī)電致發(fā)光單元之間設(shè)置由η型層142和ρ型層144構(gòu)成的電荷生成層140，能夠提高電荷分離和傳輸?shù)男剩瑥亩档驼麄€有機(jī)電致發(fā)光器件100的驅(qū)動電流，在同等驅(qū)動電流作用下，發(fā)光效率更高。
[0034]兩個有機(jī)電致發(fā)光單元分別設(shè)有藍(lán)色發(fā)光層和紅色發(fā)光層，二者配合形成白光發(fā)射，兩種顏色的發(fā)光層因?yàn)閷儆诟髯詥为?dú)發(fā)光，不存在能量轉(zhuǎn)移以及載流子傳輸不平衡的問題，因而可以獲得高效，穩(wěn)定的OLED白光發(fā)射裝置。
[0035]本實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括有兩層有機(jī)電致發(fā)光單元和I層電荷生成層，在其他實(shí)施方式中，有機(jī)電致發(fā)光單元的數(shù)量還可以為3個、4個、5個等，相鄰的兩個有機(jī)電致發(fā)光單元之間設(shè)置電荷生成層。且多個有機(jī)電致發(fā)光單元發(fā)射的光色可以相同也可以不同。
[0036]此外，本實(shí)施方式還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法，包括如下步驟:
[0037]步驟一:在真空鍍膜系統(tǒng)中，在潔凈的基板表面濺射制備陽極層。
[0038]基板采用透明材料制作，如透明玻璃等。
[0039]陽極層為透明導(dǎo)電氧化物薄膜，如銦錫氧化物(ITO)薄膜、銦鋅氧化物(IZO)薄膜、鋁鋅氧化物(AZO) 薄膜或鎵鋅氧化物(GZO)薄膜等。制備的陽極層的厚度在70~200nm之間。
[0040]步驟二:在真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極層表面蒸鍍制備多個有機(jī)電致發(fā)光單元，并在相鄰的有機(jī)電致發(fā)光單元之間依次蒸鍍制備由η型層和ρ型層構(gòu)成的電荷生成層，其中，有機(jī)電致發(fā)光單元中設(shè)有發(fā)光層。
[0041]優(yōu)選的，在本實(shí)施方式中，制備的有機(jī)電致發(fā)光單元的數(shù)量為兩個，分別為第一有機(jī)電致發(fā)光單元和第二有機(jī)電致發(fā)光單元。每個有機(jī)電致發(fā)光單元中蒸鍍有發(fā)光層以及空穴傳輸層和電子傳輸層中的至少一個有機(jī)功能層，其中，空穴傳輸層靠近陽極層、電子傳輸層靠近陰極層。
[0042]制備的第一有機(jī)電致發(fā)光單兀中的發(fā)光層為藍(lán)光發(fā)光層，厚度在5~20nm之間。藍(lán)光發(fā)光層的材料為藍(lán)光磷光材料摻雜藍(lán)光主體材料中形成的復(fù)合材料。其中，藍(lán)光磷光材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)或雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)。藍(lán)光主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或4，V -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)。藍(lán)光磷光材料與藍(lán)光主體材料的質(zhì)量百分比為2~10%?；蛘咚{(lán)光發(fā)光層的材料為4，4' -二(2，2-二苯乙烯基)-1，I'-聯(lián)苯(DPVBi)或4,4'-雙[4-( 二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)。
[0043]制備的第二有機(jī)電致發(fā)光單兀中的發(fā)光層紅光發(fā)光層,厚度在5~20nm之間。其材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)_4H_吡喃(DCJTB)摻雜在8-羥基喹啉鋁(Alq3)中形成的復(fù)合材料、(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))摻雜在N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1 -聯(lián)苯-4，4' -二胺(NPB)中形成的復(fù)合材料、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(Piq)3)摻雜在N，N' - 二苯基_Ν，Ν' -二(1_萘基)_1，I'-聯(lián)苯-4，4' - 二胺(NPB)中形成的復(fù)合材料或雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)吡啶)(乙酰丙酮)合銥(Ir(btp)2(acac))摻雜在4，4' -二(9_咔唑)聯(lián)苯(CBP)中形成的復(fù)合材料。其中，4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃與8-羥基喹啉鋁的質(zhì)量百分比為I~10%，(乙酰丙酮)合銥與N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' -聯(lián)苯-4，4' - 二胺的質(zhì)量百分比為I~10%，三(1-苯基-異喹啉)合銥與N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4' - 二胺的質(zhì)量百分比為I~10%，雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)吡啶)(乙酰丙酮)合銥與4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯的質(zhì)量百分比為I~10%。
[0044]空穴傳輸層的材料為4，4'，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4，4' -二胺(NPB)或 4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)。電子傳輸層的材料為2- (4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、4，7- 二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi )或2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)0空穴傳輸層和電子傳輸層的厚度在20~60nm之間。
[0045]制備的η型層靠近陽極層設(shè)置，P型層遠(yuǎn)離陽極層設(shè)置。η型層的材料為十六氟酞菁銅(F16CuPc)或十六氟酞菁鋅(F16ZnPc );ρ型層的材料為酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)或酞菁氧f凡(VOPc)。η型層及ρ型層的厚度在I~1nm之間。
[0046]步驟三:在真空鍍膜系統(tǒng)中，在有機(jī)電致發(fā)光單元表面制備蒸鍍制備陰極層，得到具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0047]陰極層包括靠近陽極層的LiF層以及設(shè)在LiF層上的金屬層或金屬合金層，如Mg與Ag的合金層、Mg與Al的合金層、Ag層或Al層等。其中，LiF層的厚度為lnm，金屬層或金屬合金層的厚度在70~200nm之間。
[0048]上述制備方法步驟簡單，對設(shè)備要求低，可以廣泛推廣應(yīng)用。
[0049]以下為具體實(shí)施例及對比例部分，其中，“/”表示層疊，“:”表示前者(用于摻雜的材料)摻雜在后者(主體材料)中形成復(fù)合材料，括弧中百分比數(shù)據(jù)表示用于摻雜的材料與主體材料的質(zhì)量百分比。
[0050]實(shí)施例1
[0051]有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/ITO (10nm)/NPB (30nm)/DCJTB:Alq3(l%, 1nm) /Bphen (20nm) /F16CuPc (1nm) /CuPc (5nm) /NPB (30nm) /FIrpic:TPBi(10%, 20nm)/Bphen(30nm)/LiF (lnm) /Ag (10nm)。
[0052]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法，包括以下幾個步驟:
[0053]步驟一、提供玻璃基板，將基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0054]步驟二、在真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板表面濺射制備一層厚度為10nm的ITO層作為陽極層。
[0055]步驟三、在真空度為5X10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極層表面通過熱蒸發(fā)技術(shù)，制備結(jié)構(gòu)為NPB (30nm) /DCJTB: Alq3 (1%, I Onm) /Bphen (20nm)的第一有機(jī)電致發(fā)光單元，然后通過熱蒸發(fā)工藝制備電荷生成層，η型層為F16CuPc,厚度為1nm, ρ型層為CuPc,厚度為5nm ;然后在電荷生成層表面繼續(xù)制備結(jié)構(gòu)為NPB (30nm)/FIrpic: TPBi (10%，20nm)/Bphen(30nm)的第二有機(jī)電致發(fā)光單元，其中，NPB為空穴傳輸層，DCJTB = Alq3(1%，1nm)為第一有機(jī)電致發(fā)光單元中的發(fā)光層，F(xiàn)Irpic: TPBi (10%, 20nm)為第二有機(jī)電致發(fā)光單元中的發(fā)光層，Bphen為電子傳輸層。
[0056]步驟四、在真空鍍膜系統(tǒng)中，利用熱蒸發(fā)技術(shù)在第二有機(jī)電致發(fā)光單元表面制備厚度為Inm的LiF層并在LiF層上制備厚度為10nm的Ag層形成復(fù)合陰極層,從而得到具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0057]實(shí)施例2
[0058]有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/AZO (70nm)/2-TNATA ^Onm)/DPVBi (1nm) /BCP (60nm) /F16ZnPc (2nm) /ZnPc (5nm) /NPB (60nm)/Ir (piq) 3: CBP (8%, 12nm) /TPBi(60nm)/LiF/Al(70nm)。
[0059]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法，包括以下幾個步驟:
[0060]步驟一、提供玻璃基板，將基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0061]步驟二、在真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板表面濺射制備厚度為70nm的AZO形成陽極層。
[0062]步驟三、在真空度為5X10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極層表面通過熱蒸發(fā)技術(shù)，制備結(jié)構(gòu)為2-TNATA(60nm)/DPVBi (1nm)/BCP(60nm)的第一有機(jī)電致發(fā)光單元，然后通過熱蒸發(fā)工藝制備電荷生成層，η型層為F16ZnPc,厚度為2nm,p型層為ZnPc,厚度為5nm ；然后在電荷生成層表面繼續(xù)制備結(jié)構(gòu)為NPB (60nm)/Ir (piq) 3: CBP (8%，12nm) /TPBi (60nm)的第二有機(jī)電致發(fā)光單元。其中，2-TNATA為第一有機(jī)電致發(fā)光單元的空穴傳輸層，DPVBi為第一有機(jī)電致發(fā)光單兀中的發(fā)光層，BCP為第一有機(jī)電致發(fā)光單兀中的電子傳輸層；NPB為第二有機(jī)電致發(fā)光單元的空穴傳輸層，CBP為第二有機(jī)電致發(fā)光單元中的發(fā)光層，TPBi為第二有機(jī)電致發(fā)光單元的電子傳輸層。
[0063]步驟四、利用熱蒸發(fā)技術(shù)在第二有機(jī)電致發(fā)光單元表面制備厚度為Inm的LiF層并在LiF層上制備厚度為70nm的Al層形成復(fù)合陰極層，從而得到具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0064]實(shí)施例3
[0065]有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/GZO (200nm) /m-MTDATA (30nm) /FIr6: CBP (2%, 5nm) /TAZ (30nm/F16CuPc (20nm) /VOPc (15nm) /m-MTDATA (30nm) /Ir(btp)2(acac):CBP(10%, 5nm)/BPhen(30nm)/LiF/Al-Mg(200nm)。
[0066]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法，包括以下幾個步驟:
[0067]步驟一、提供玻璃基板，將基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0068]步驟二、在真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板表面濺射制備厚度為200nm的GZO形成陽極層。
[0069]步驟三、在真空度為5X10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極層表面通過熱蒸發(fā)技術(shù)，制備結(jié)構(gòu)為 m-MTDATA (30nm) /FIr6: CBP (2%, 5nm) /TAZ (30nm)的第一有機(jī)電致發(fā)光單元，然后通過熱蒸發(fā)工藝制備電荷生成層，η型層為F16CuPc,厚度為20nm, ρ型層為VOPc，厚度為15nm;然后在電荷生成層表面繼續(xù)制備結(jié)構(gòu)為m-MTDATA(30nm)/Ir (btp) 2 (acac): CBP (10%, 5nm) /BPhen (30nm)的第二有機(jī)電致發(fā)光單元。其中，m-MTDATA為第一有機(jī)電致發(fā)光單元及第二有機(jī)電致發(fā)光單元的空穴傳輸層，F(xiàn)Ir6:CBP為第一有機(jī)電致發(fā)光單元中的發(fā)光層，TAZ為第一有機(jī)電致發(fā)光單元中的電子傳輸層，Ir (btp) 2 (acac):CBP為第二有機(jī)電致發(fā)光單元中的發(fā)光層，BPhen為第二有機(jī)電致發(fā)光單兀的電子傳輸層。
[0070]步驟四、利用熱蒸發(fā)技術(shù)在第二有機(jī)發(fā)光單元表面制備厚度為Inm的LiF層并在LiF層上制備厚度為200nm的鎂鋁合金(Mg-Al)層形成復(fù)合陰極層，從而得到具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0071]實(shí)施例4
[0072]有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IZO (10nm) /m-MTDATA (40nm) /Ir (MDQ) 2 (acac): NPB (8%, 20nm) /BCP (40nm) /F16ZnPc (lnm) /CuPc (lnm) /NPB (40nm) /DPAVBi(15nm)/Bphen(40nm)/Li/Ag-Mg(120nm)。
[0073]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法，包括以下幾個步驟:
[0074]步驟一、提供玻璃基板，將基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0075]步驟二、在真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板表面濺射制備厚度為10nm的IZO形成陽極層。
[0076]步驟三、在真空度為5X10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極層表面通過熱蒸發(fā)技術(shù)，制備結(jié)構(gòu)為 m-MTDATA (40nm)/Ir (MDQ) 2 (acac):NPB (8%, 20nm) /BCP (40nm)的第一有機(jī)電致發(fā)光單元，然后通過熱蒸發(fā)工藝制備電荷生成層，η型層為F16CuPc,厚度為lnm，ρ型層為CuPc，厚度為Inm ;然后在電荷生成層表面繼續(xù)制備結(jié)構(gòu)為NPB (40nm)/DPAVBi (15nm) /Bphen(40nm)第二有機(jī)電致發(fā)光單元。其中，m-MTDATA為第一有機(jī)電致發(fā)光單元的空穴傳輸層，Ir (MDQ) 2 (acac):NPB為第一有機(jī)電致發(fā)光單兀中的發(fā)光層，BCP為第一有機(jī)電致發(fā)光單兀中的電子傳輸層；NPB為第二有機(jī)電致發(fā)光單兀的空穴傳輸層，DPAVBi為第二有機(jī)電致發(fā)光單兀中的發(fā)光層，Bphen為第二有機(jī)電致發(fā)光單兀的電子傳輸層。
[0077]步驟四、利用熱蒸發(fā)技術(shù)在第二有機(jī)發(fā)光單元表面制備厚度為Inm的LiF層并在LiF層上制備厚度為120nm的銀鎂合金(Ag-Mg)層形成復(fù)合陰極層，從而得到具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0078]對比例I
[0079]有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/ITO (10nm)/NPB (30nm)/DCJTB:Alq3(l%, 1nm)/FIrpic:TPBi(10%, 20nm)/Bphen(30nm)/LiF/Ag(10nm)。
[0080]本對比例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法，包括以下幾個步驟:
[0081]步驟一、提供玻璃基板，將基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0082]步驟二、在真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板表面濺射制備厚度為10nm的IT0，形成陽極層。
[0083]步驟三、在真空度為5X10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極層表面制備空穴傳輸層NPB、紅光發(fā)光層DCJTB = Alq3、藍(lán)光發(fā)光層FIrpic = TPBi及電子傳輸層Bphen。
[0084]對比例I與實(shí)施例1-5相比，其不采用電荷生成層，并且兩個發(fā)光層相鄰排列。
[0085]步驟四、利用熱蒸發(fā)技術(shù)在電子傳輸層表面制備厚度為Inm的LiF層并在LiF層上制備厚度為10nm的Ag層形成復(fù)合陰極層，從而得到具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0086]表1是實(shí)施例1、2、3、4和對比例I所制作的器件的發(fā)光性能數(shù)據(jù)比較。
[0087]表1
[0088]

【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板、設(shè)于所述基板上的陽極層以及位于所述陽極層上的陰極層，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括設(shè)在所述陽極層與所述陰極層之間的多個有機(jī)電致發(fā)光單元以及設(shè)于相鄰所述有機(jī)電致發(fā)光單元之間的電荷生成層，所述有機(jī)電致發(fā)光單元中設(shè)有發(fā)光層，所述電荷生成層包括層疊設(shè)置的η型層及P型層，所述η型層靠近所述陽極層設(shè)置，所述P型層靠近所述陰極層設(shè)置。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極層為透明導(dǎo)電氧化物薄膜。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜為銦錫氧化物薄膜、銦鋅氧化物薄膜、鋁鋅氧化物薄膜或鎵鋅氧化物薄膜。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光單元還包括設(shè)在所述發(fā)光層一側(cè)的靠近所述陽極層的空穴傳輸層以及設(shè)在所述發(fā)光層另一側(cè)的靠近所述陰極層的電子傳輸層中的至少一種。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為4，4'，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、Ν，Ν' - 二苯基-Ν，Ν' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯_4，4' - 二胺或4，4'，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺； 所述電子傳輸層的材料為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、4，7- 二苯基-鄰菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述P型層的材料為酞菁銅、酞菁鋅或酞菁氧釩；所述η型層的材料為十六氟酞菁銅或十六氟酞菁鋅。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極層包括靠近所述陽極層的氟化鋰層以及設(shè)在所述氟化鋰層上的金屬層或金屬合金層。
8.如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光單元的數(shù)量為2個。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，2個所述有機(jī)電致發(fā)光單元分別為藍(lán)光發(fā)光單元和紅光發(fā)光單元；所述藍(lán)光發(fā)光單元中的發(fā)光層的材料為藍(lán)光磷光材料摻雜藍(lán)光主體材料中形成的復(fù)合材料，其中，所述藍(lán)光磷光材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥或雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥，所述藍(lán)光主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或4，V -二(9-咔唑)聯(lián)苯，所述藍(lán)光磷光材料與所述藍(lán)光主體材料的質(zhì)量百分比為2~10% ;或者 所述藍(lán)光發(fā)光單元中的發(fā)光層的材料為4，4, -二(2，2_ 二苯乙烯基-聯(lián)苯或4，4'-雙[4-( 二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯； 所述紅光發(fā)光單元中的發(fā)光層的材料為4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃摻雜在8-羥基喹啉鋁中形成的復(fù)合材料、(乙酰丙酮)合銥摻雜在N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4' -二胺中形成的復(fù)合材料、三(1-苯基-異喹啉)合銥摻雜在N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4' - 二胺中形成的復(fù)合材料或雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)吡啶)(乙酰丙酮)合銥摻雜在4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯中形成的復(fù)合材料，其中，所述4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃與所述8-羥基喹啉鋁的質(zhì)量百分比為I~10%，所述(乙酰丙酮)合銥與所述N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4' -二胺的質(zhì)量百分比為I~10%，所述三(1-苯基-異喹啉)合銥與所述N，N' -二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'[ -聯(lián)苯-4，4' - 二胺的質(zhì)量百分比為I~10%，所述雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)吡啶)(乙酰丙酮)合銥與所述4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯的質(zhì)量百分比為I~10%ο
10.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 在真空鍍膜系統(tǒng)中，在潔凈的基板表面濺射制備陽極層； 在真空鍍膜系統(tǒng)中，在所述陽極層表面蒸鍍制備多個有機(jī)電致發(fā)光單元，并在相鄰的有機(jī)電致發(fā)光單元之間依次蒸鍍制備由η型層和P型層構(gòu)成的電荷生成層，其中，所述有機(jī)電致發(fā)光單元中設(shè)有發(fā)光層； 在真空鍍膜系統(tǒng)中，在所述有機(jī)電致發(fā)光單元表面蒸鍍制備陰極層。
【文檔編號】H01L51/54GK104051654SQ201310076808
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年3月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月11日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 馮小明, 張娟娟 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司