有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、陽極層、有機(jī)發(fā)光功能層及陰極層，陽極層的材料由含氯材料修飾的銦錫氧化物薄膜經(jīng)UV照射處理后形成，含氯材料為CH2Cl2、CHCl3、CCl4或CH3CHCl2。上述有機(jī)電致發(fā)光器件具有較高的發(fā)光效率。此外，還要提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電子器件領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光（Organic Light Emission Diode)，以下簡稱0LED，具有亮度高、材 料選擇范圍寬、啟動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速 度快等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動通信和信息顯示的發(fā) 展趨勢，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003] 有機(jī)電致發(fā)光二極管具有一種類似三明治的結(jié)構(gòu)，其上下分別是陰極和陽極，二 個(gè)電極之間夾著單層或多層不同材料種類和不同結(jié)構(gòu)的有機(jī)材料功能層，依次為空穴注入 層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層。有機(jī)電致發(fā)光器件是載流子注入型發(fā) 光器件，在陽極和陰極加上工作電壓后，空穴從陽極，電子從陰極分別注入到工作器件的有 機(jī)材料層中，兩種載流子在有機(jī)發(fā)光材料中形成空穴-電子對發(fā)光，然后光從電極一側(cè)發(fā) 出。
[0004] 0LED的發(fā)光效率的提高依賴于載流子在器件中的注入，傳輸和復(fù)合發(fā)光過程，其 中，載流子的注入又與電極同有機(jī)材料之間的界面勢壘有關(guān)。對于空穴注入而言，通常采用 的導(dǎo)電氧化物薄膜如ΙΤ0等，其功函只有4. 7eV，而采用的有機(jī)空穴傳輸材料，其HOMO能級 通常在5. IV左右，這樣導(dǎo)致空穴注入需要克服較大的勢壘，導(dǎo)致空穴注入效率不高，從而 影響光效的提高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 鑒于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0006] -種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、陽極層、有機(jī)發(fā)光功能層及陰極 層，所述陽極層的材料由含氯材料修飾的銦錫氧化物薄膜經(jīng)UV照射處理后形成，所述含氯 材料為 CH2C12、CHC13、CC14 或 CH3CHC12。
[0007] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)發(fā)光功能層包括依次層疊于所述陽極層上的空穴 注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層；所述空穴注入層的材料為酞菁鋅、 酞菁銅、酞菁氧釩、酞菁氧鈦、酞菁鉬或（4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯 胺；
[0008] 所述空穴傳輸層的材料為Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（3-甲基苯基）-1，Γ-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺、Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對二氨基聯(lián)苯、2, 7-雙（Ν，Ν-二（4-甲氧基苯 基)氨基)_9, 9-螺二芴、4, 4'，4'' -三（咔唑-9-基）三苯胺、1，1-二（4-(Ν，Ν'-二（ρ-甲 苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷或2, 2'，7, 7' -四（Ν，Ν-二苯胺基）-9, 9' -螺二芴）；
[0009] 所述發(fā)光層的材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、2, 3, 6, 7-四氫-1，1，7, 7-四甲基-1H，5H，11Η-10-(2-苯并噻唑 基）_喹嗪并[9,9A，1GH]香豆素、二（2-甲基-8-羥基喹啉）-(4-聯(lián)苯酚）鋁、4-(二腈甲 烯基）-2-異丙基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶 酮、8-羥基喹啉鋁、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘、4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯、 雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼 酸合銥、雙（4, 6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酸合銥、二（2'，4'-二氟苯基）吡 啶](四唑吡啶）合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、二（1-苯基 異喹啉）（乙酰丙酮）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥及三 (2-苯基吡啶）合銥中的至少一種，或4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛 呢啶-9-乙烯基）-紐-吡喃、2,3,6,7-四氫-1，1，7,7-四甲基-1!1，5!1，11!1-10-(2-苯并噻 唑基）-喹嗪并[9,9A，1GH]香豆素、二（2-甲基-8-羥基喹啉）-(4-聯(lián)苯酚）鋁、4-(二腈 甲烯基）-2-異丙基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶 酮、8-羥基喹啉鋁、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘、4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯、 雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼 酸合銥、雙（4, 6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酸合銥、二（2'，4' -二氟苯基）吡 啶](四唑吡啶）合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、二（1-苯基 異喹啉）（乙酰丙酮）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥、三（1-苯基-異喹啉)合銥及三 (2-苯基吡啶）合銥中的至少一種與所述空穴傳輸層的材料及電子傳輸層的材料中的至少 一種混合摻雜形成的材料；
[0010] 所述電子傳輸層的材料為2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3, 4-II惡二唑、 (8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯、2, 9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲、1，2, 4-三唑衍生物或雙（2-甲基-8-羥基 喹啉-N1，08) - (1，1' -聯(lián)苯-4-羥基）鋁；及 [0011] 所述電子注入層的材料為氟化鋰、氟化銫或氟化鈉。
[0012] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0013] 提供基板，在所述基板上濺射形成銦錫氧化物薄膜；
[0014] 將所述銦錫氧化物薄膜用含氯材料修飾處理，再經(jīng)UV照射處理，得到陽極層，所 述含氯材料為 CH2C12、CHC13、CC14 或 CH3CHC12 ;及
[0015] 在所述陽極層上依次真空蒸鍍形成有機(jī)發(fā)光功能層及陰極層，得到有機(jī)電致發(fā)光 器件。
[0016] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述基板上濺射形成所述銦錫氧化物薄膜之前，還包括： 將所述基板依次置于含有洗滌劑的去離子水中、異丙醇及丙酮中超聲清洗，然后干燥。
[0017] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，將所述銦錫氧化物薄膜用含氯材料修飾處理之前，還包括： 對所述銦錫氧化物薄膜進(jìn)行臭氧處理3分鐘?10分鐘。
[0018] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，將所述銦錫氧化物薄膜用含氯材料修飾處理的方法為：將 所述銦錫氧化物薄膜置于所述含氯材料中浸泡〇. 5分鐘?5分鐘，取出。
[0019] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，將所述銦錫氧化物薄膜用含氯材料修飾處理的方法為：按 照0. 02ml/cm2?0. 2ml/cm2的比例，在所述銦錫氧化物薄膜表面滴加所述含氯材料。
[0020] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，經(jīng)所述UV照射處理之后，還包括對經(jīng)所述含氯材料修飾處 理的所述銦錫氧化物薄膜的熱處理步驟：將經(jīng)所述UV照射處理后的所述含氯材料修飾處 理的所述銦錫氧化物薄膜于25°C?50°C中加熱30秒?5分鐘。
[0021] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述UV照射處理的時(shí)間為3分鐘?20分鐘；所述UV照射 所使用的設(shè)備為低壓UV汞燈；所述低壓UV汞燈的功率為40瓦?100瓦。
[0022] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述低壓UV汞燈與所述銦錫氧化物薄膜的距離為5厘米? 10厘米。
[0023] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件通過采用含氯材料修飾的銦錫氧化物薄膜經(jīng)UV照射處理 后形成的材料作為陽極層的材料，且含氯材料為CH 2C12、CHC13、CC14或CH3CHC1 2，使用上述 含氯材料對ΙΤ0薄膜進(jìn)行修飾處理，使ΙΤ0薄膜吸附有上述含氯材料，通過UV照射處理， 紫外線使上述含氯材料分解形成大量含氯的自由基，該自由基通過紫外線的能量傳遞，使 自由基同樣吸附在ΙΤ0薄膜表面，與ΙΤ0表面的銦（In)結(jié)合，形成In-Cl鍵，從而氧化銦錫 (ΙΤ0)表面的部分Sn被C1取代，因 In-Cl化學(xué)鍵的偶極作用在ΙΤ0薄膜表面形成了一個(gè)偶 極層，能夠大大提高陽極層的表面功函，從而降低空穴的注入勢壘，提高了有機(jī)電致發(fā)光器 件的發(fā)光效率，因此，上述有機(jī)電致發(fā)光器件具有較高的發(fā)光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024] 圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025] 圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0026] 圖3為實(shí)施例1制備有機(jī)電致發(fā)光器件與對比例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電 流密度-電壓特性曲線圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027] 下面主要結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對有機(jī)電子發(fā)光器件及其制備方法作進(jìn)一步詳 細(xì)的說明。
[0028] 如圖1所示，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100,包括依次層疊的基板110、陽極 層120、有機(jī)發(fā)光功能層130及陰極層140。
[0029] 基板110的材料可以為本領(lǐng)域常用的材料，優(yōu)選為玻璃，例如普通玻璃。
[0030] 陽極層120的材料由含氯材料修飾的銦錫氧化物薄膜（ΙΤ0)經(jīng)UV照射處理后形 成，含氯材料為CH 2C12 (二氯甲烷)、CHC13 (三氯甲烷)、CC14 (四氯化碳）或CH3CHC12 (二氯 乙烷)。使用上述含氯材料對ΙΤ0薄膜進(jìn)行修飾處理，使ΙΤ0薄膜吸附有上述含氯材料，通 過UV照射處理，紫外線使上述含氯材料分解形成大量含氯的自由基，該自由基通過紫外線 的能量傳遞，使自由基同樣吸附在ΙΤ0薄膜表面，與ΙΤ0表面的銦（In)結(jié)合，形成In-Cl鍵， 從而氧化銦錫（ΙΤ0)表面的部分Sn被C1取代，因 In-Cl化學(xué)鍵的偶極作用在ΙΤ0薄膜表 面形成了一個(gè)偶極層，從而大大提高了陽極的功函。
[0031] 優(yōu)選的，陽極層120的厚度為100納米。
[0032] 有機(jī)發(fā)光功能層130可以為本領(lǐng)域常用的有機(jī)發(fā)光功能層，優(yōu)選的，有機(jī)發(fā)光功 能層130包括依次層疊于陽極層120上的空穴注入層132、空穴傳輸層134、發(fā)光層136、電 子傳輸層138及電子注入層139。
[0033] 空穴注入層132層疊于陽極層120上?？昭ㄗ⑷雽?32的材料為酞菁鋅（ZnPc)、酞 菁銅（CuPc)、酞菁氧f凡（VOPc)、酞菁氧鈦（TiOPc)、酞菁鉬（PtPc)或（4, 4'，4' ' -三（N-3-甲 基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)。優(yōu)選為酞菁銅（CuPc)。
[0034] 優(yōu)選的，空穴注入層132的厚度為20納米。
[0035] 空穴傳輸層134的材料為N，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（3-甲基苯基聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（TPD)、（Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對二氨基聯(lián)苯（Me〇-TPD)、2, 7-雙 (N, N-二（4-甲氧基苯基）氨基）-9, 9-螺二芴（Me0-Spri〇-TPD)、4, 4'，4' ' -三（咔 唑-9-基）三苯胺（TCTA)、1，1-二（4-(N，N'_二（p-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷（TAPC) 或 2, 2'，7, 7' -四（N，N-二苯胺基)-9，9' -螺二芴（S-TAD )。優(yōu)選為 N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二 (3-甲基苯基）-1，Γ-聯(lián)苯-4,4'-二胺（TPD)。
[0036] 優(yōu)選的，空穴傳輸層134的厚度為40納米。
[0037] 發(fā)光層136的材料為4-(二腈甲基）-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4Η-吡喃（DCJTB)、2, 3,6, 7-四氫-1，1，7, 7-四甲基-1Η，5Η，11Η-10-(2-苯 并噻唑基）-喹嗪并[9,9A，1GH]香豆素（C545T)，二（2-甲基-8-羥基喹啉）-(4-聯(lián)苯 酚）鋁（BAlq)、4_ (二腈甲烯基）-2_異丙基-6- (1，1，7,7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基）-4H-吡喃（DCJTI)、二甲基喹吖啶酮（DMQA)、8-羥基喹啉鋁（Alq 3)、5, 6, 11，12-四苯基 萘并萘（Rubrene)、4, 4' -二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯（DPVBi)、雙（4, 6-二氟苯基 吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥 斤11'6)、雙（4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶4，〇2)吡啶甲酸合銥$〇見印1(3)、二（2'，4'-二氟 苯基）吡啶](四唑吡啶）合銥（FIrN 4)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥 (Ir(MDQ)2(acac))、二（1-苯基異喹啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir(piq) 2(acac))、乙酰丙酮酸二 (2-苯基批陡)銥（Ir (ppy)2(acac))、三（1-苯基-異喹啉)合銥（Ir (piq)3)及三（2-苯基批 啶)合銥（Ir(ppy)3)中的至少一種，或4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(l，l，7,7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、2, 3,6, 7-四氫-1，1，7, 7-四甲基-1H，5H，11Η-10-(2-苯 并噻唑基）-喹嗪并[9,9A，1GH]香豆素（C545T)，二（2-甲基-8-羥基喹啉）-(4-聯(lián)苯 酚）鋁（BAlq)、4_ (二腈甲烯基）-2-異丙基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基）-4H-吡喃（DCJTI)、二甲基喹吖啶酮（DMQA)、8-羥基喹啉鋁（Alq3)、5, 6, 11，12-四苯基 萘并萘（Rubrene)、4, 4' -二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯（DPVBi)、雙（4, 6-二氟苯基 吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥 斤11'6)、雙（4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶4，〇2)吡啶甲酸合銥$〇見印1(3)、二（2'，4'-二 氟苯基）吡啶](四唑吡啶）合銥（FIrN 4)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮） 合銥（Ir(MDQ)2(acac))、二（1-苯基異喹啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir(piq) 2(acac))、乙酰丙酮 酸二（2-苯基批陡)銥（11'&口5〇2(3〇3〇))、三（1-苯基-異喹啉)合銥（11'&丨9) 3)及三（2-苯 基批陡)合銥（Ir(ppy)3)中的至少一種與空穴傳輸層134的材料及電子傳輸層138的材料 中的至少一種混合摻雜形成的材料。
[0038] 優(yōu)選的，發(fā)光層136的厚度為2納米?15納米。
[0039] 電子傳輸層138的材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-噁二 唑（PBD)、（8-羥基喹啉）_鋁（Alq3)、4,7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、l，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)、 1，2, 4-三唑衍生物（TAZ)或雙（2-甲基-8-羥基喹啉-N1，08)-(1, 1' -聯(lián)苯-4-羥基）鋁 (BAlq)。優(yōu)選為1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)。
[0040] 優(yōu)選的，電子傳輸層138的厚度為40納米。
[0041] 電子注入層139的材料為氟化鋰（LiF)、氟化銫（CsF)或氟化鈉（NaF)。優(yōu)選為氟 化鋰（LiF)。
[0042] 優(yōu)選的，電子注入層139的厚度為1納米。
[0043] 陰極層140層疊于電子注入層139上。陰極的材料為銀（Ag)、鋁（A1)、釤（Sm)、鐿 (￥13)、鎂銀合金（1%^8)或鎂鋁合金（1%41)。優(yōu)選為銀（八 8)。
[0044] 優(yōu)選的，陰極層140的厚度為100納米。
[0045] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件100通過采用含氯材料修飾的銦錫氧化物薄膜經(jīng)UV照射 處理后形成的材料作為陽極層120的材料，且含氯材料為CH 2C12、CHC13、CC14或CH3CHC1 2，使 用上述含氯材料對ΙΤ0薄膜進(jìn)行修飾處理，使ΙΤ0薄膜吸附有上述含氯材料，通過UV照射 處理，紫外線使上述含氯材料分解形成大量含氯的自由基，該自由基通過紫外線的能量傳 遞，使自由基同樣吸附在ΙΤ0薄膜表面，與ΙΤ0表面的銦（In)結(jié)合，形成In-Cl鍵，從而氧 化銦錫（ΙΤ0)表面的部分Sn被C1取代，因 In-Cl化學(xué)鍵的偶極作用在ΙΤ0薄膜表面形成 了一個(gè)偶極層，能夠大大提高陽極層120的表面功函，從而降低空穴的注入勢壘，提高了有 機(jī)電致發(fā)光器件100的發(fā)光效率，因此，上述有機(jī)電致發(fā)光器件100具有較高的發(fā)光效率。
[0046] 如圖2所示，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0047] 步驟S210 :提供基板，在基板上濺射形成銦錫氧化物薄膜。
[0048] 優(yōu)選的，濺射的方式為磁控濺射。
[0049] 優(yōu)選的，在基板上濺射形成銦錫氧化物薄膜之前，還包括：將基板依次置于含有洗 滌劑的去離子水中、異丙醇及丙酮中超聲清洗，然后干燥。在具體的實(shí)施例中，基板置于異 丙醇及丙酮中采用超聲波各清洗20分鐘；清洗后的基板采用氮?dú)獯蹈伞?br> [0050] 步驟S220 :將銦錫氧化物薄膜用含氯材料修飾處理，再經(jīng)UV照射處理，得到陽極 層，含氯材料為CH2C12、CHC1 3、CC14或CH3CHC12。通過先使用上述含氯材料修飾ΙΤ0薄膜， 使得ΙΤ0薄膜吸附上述含氯材料，再通過UV照射處理，紫外線使上述含氯材料分解形成大 量含氯的自由基，該自由基通過紫外線的能量傳遞，使自由基同樣吸附在ΙΤ0薄膜表面，與 ΙΤ0表面的銦（In)結(jié)合，形成In-Cl鍵，從而氧化銦錫（ΙΤ0)表面的部分Sn被C1取代，因 In-Cl化學(xué)鍵的偶極作用在ΙΤ0薄膜表面形成了一個(gè)偶極層，從而大大提高了陽極的功函。
[0051] 優(yōu)選的，將銦錫氧化物薄膜用含氯材料修飾處理之前，還包括：對銦錫氧化物薄膜 進(jìn)行臭氧處理3分鐘?10分鐘。通過對銦錫氧化物薄膜進(jìn)行臭氧處理，以達(dá)到清潔銦錫氧 化物薄膜表面的作用，從而提高其表面能。
[0052] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，將銦錫氧化物薄膜用含氯材料修飾處理的方法為：將銦錫 氧化物薄膜置于含氯材料中浸泡〇. 5分鐘?5分鐘，取出。通過將銦錫氧化物薄膜置于含 氯材料中浸泡0. 5分鐘?5分鐘，使ΙΤ0薄膜表面吸附含氯材料，以便于后續(xù)處理過程。
[0053] 在另一個(gè)實(shí)施例中，將銦錫氧化物薄膜用含氯材料修飾處理的方法為：按照 0. 02ml/cm2?0. 2ml/cm2的比例，在銦錫氧化物薄膜表面滴加含氯材料。使ΙΤ0薄膜表面 吸附含氯材料，以便于后續(xù)處理過程。
[0054] 優(yōu)選的，UV照射處理的時(shí)間為3分鐘?20分鐘。
[0055] 優(yōu)選的，UV照射所使用的設(shè)備為低壓UV汞燈。進(jìn)一步的，低壓UV汞燈的功率為 40瓦?100瓦。
[0056] 優(yōu)選的，低壓UV汞燈與銦錫氧化物薄膜的距離為5厘米?10厘米。低壓UV汞燈 與銦錫氧化物薄膜之間距離太遠(yuǎn)，能量密度不夠；而距離太近，能量又太高，容易使含氯材 料發(fā)生分解與破壞，而不能產(chǎn)生含氯自由基。
[0057] 步驟S230 :在陽極層上依次真空蒸鍍形成有機(jī)發(fā)光功能層及陰極層，得到有機(jī)電 致發(fā)光器件。
[0058] 優(yōu)選的，經(jīng)UV照射處理之后，還包括對經(jīng)含氯材料修飾處理的銦錫氧化物薄膜的 熱處理步驟：將經(jīng)UV照射處理后的含氯材料修飾處理的銦錫氧化物薄膜于25°C?50°C中 加熱30秒?5分鐘。
[0059] 優(yōu)選的，真空蒸鍍的真空度為lXl(T4Pa。
[0060] 優(yōu)選的，有機(jī)發(fā)光功能層包括依次層疊于陽極層上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層及電子注入層。
[0061] 在具體的實(shí)施例中，在陽極層上依次真空蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光 層、電子傳輸層、電子注入層及陰極層。
[0062] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法簡單，容易操作，成本較低。
[0063] 以下為具體實(shí)施例部分：
[0064] 實(shí)施例1
[0065] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：玻璃/IT0/CuPc/Tro/C545T:Alq 3/TPBi/ LiF/Ag〇
[0066] 該實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下：
[0067] (1)在玻璃基板上濺射形成ΙΤ0 :將玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行 超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?。然后?玻璃表面磁控濺射形成ΙΤ0,將形成有ΙΤ0的玻璃基板置于臭氧處理室中處理5分鐘。
[0068] (2)將ΙΤ0置于CHC13中浸泡0. 5分鐘，取出，然后置于功率為50W的低壓UV汞燈 下進(jìn)行UV照射處理10分鐘，接著在50°C加熱30秒，得到陽極層，且低壓UV汞燈與ΙΤ0的 距離為5厘米。其中，陽極層的厚度為100納米。本實(shí)施例制備的陽極層的功函數(shù)據(jù)見表 1〇
[0069] (3)將形成有陽極層的玻璃基板于真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜設(shè)備中，在陽極 層的表面依次真空蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及 陰極層。其中，空穴注入層的材料為酞菁銅（CuPc);厚度為20納米；空穴傳輸層的材料為 乂^-二苯基，州'-二（3-甲基苯基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（了?0)，厚度為40納米 ；發(fā) 光層的材料為2, 3, 6, 7-四氫-1，1，7, 7-四甲基-1H，5H，11H-10- (2-苯并噻唑基）-喹嗪并 [9,9A，1GH]香豆素（C545T)與8-羥基喹啉鋁（Alq3)-合形成的材料，表示為：C545T:Alq 3， 且2,3,6,7-四氫-1，1，7,7-四甲基-1!1，5!1，11!1-10-(2-苯并噻唑基）-喹嗪并[9,9六，16!1] 香豆素（C545T)占發(fā)光層的材料的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%，發(fā)光層的厚度為10納米；電子傳輸 層的材料為1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)，厚度為40納米；電子注 入層的材料為氟化鋰（LiF)，厚度為1納米；陰極層的材料為銀(Ag)，厚度為100納米。
[0070] 得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為：玻璃/IT0/CuPc/Tro/C545T:Alq 3/TPBi/LiF/Ag的有機(jī)電 致發(fā)光器件的啟動電壓及發(fā)光效率數(shù)據(jù)見表2。
[0071] 實(shí)施例2
[0072] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：玻璃/ITO/ZnPc/MeO-Tro/ Ir (ppy) 3: TCTA/Bphen/Cs/Al 〇
[0073] 該實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下：
[0074] (1)在玻璃基板上濺射形成ΙΤ0 :將玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行 超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?。然后?玻璃表面磁控濺射形成ΙΤ0,將形成有ΙΤ0的玻璃基板置于臭氧處理室中處理3分鐘。
[0075] (2)按照0. 02ml/cm2的比例，在ΙΤ0的表面滴加 CH2C12，然后置于功率為40W的低 壓UV汞燈下進(jìn)行UV照射處理20分鐘，接著在25°C加熱5分鐘，得到陽極層，且低壓UV汞 燈與ΙΤ0的距離為6厘米。其中，陽極層的厚度為100納米。本實(shí)施例制備的陽極層的功 函數(shù)據(jù)見表1。
[0076] (3)將形成有陽極層的玻璃基板于真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜設(shè)備中，在陽極 層的表面依次真空蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及 陰極層。其中，空穴注入層的材料為酞菁鋅（ZnPc);厚度為20納米；空穴傳輸層的材料為 (Ν，Ν，Ν'，Ν'四甲氧基苯基）-對二氨基聯(lián)苯（MeO-Tro)，厚度為40納米；發(fā)光層的材料為 三（2-苯基吡啶）合銥（11'(-- 7)3)與4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)混合形 成的材料，表示為Ir(ppy) 3:TCTA,且三（2-苯基批陡）合銥（Ir(ppy)3)占發(fā)光層的材料的 質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%，發(fā)光層的厚度為10納米；電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-鄰菲咯啉 (Bphen)，厚度為40納米；電子注入層的材料為氟化銫（CsF)，厚度為1納米；陰極層的材料 為鋁（A1)，厚度為100納米。
[0077] 得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為：玻璃 /ITO/ZnPc/Me〇-Tro/Ir(ppy)3:TCTA/Bphen/Cs/Al 的有機(jī)電致發(fā)光器件的啟動電壓及發(fā)光效率數(shù)據(jù)見表2。
[0078] 實(shí)施例3
[0079] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：玻璃/ITO/VOPc/MeO-Sprio-TH)/ FIrN4: TPBi/PBD/NaF/Sm。
[0080] 該實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下：
[0081] (1)在玻璃基板上濺射形成ΙΤ0 :將玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行 超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?。然后?玻璃表面磁控濺射形成ΙΤ0,將形成有ΙΤ0的玻璃基板置于臭氧處理室中處理5分鐘。
[0082] (2)按照0.21111/(^2的比例，在11'0的表面滴加 0：14，然后置于功率為1001的低壓 UV汞燈下進(jìn)行UV照射處理5分鐘，接著在30°C加熱5分鐘，得到陽極層，且低壓UV汞燈與 ΙΤ0的距離為10厘米。其中，陽極層的厚度為100納米。本實(shí)施例制備的陽極層的功函數(shù) 據(jù)見表1。
[0083] (3)將形成有陽極層的玻璃基板于真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜設(shè)備中，在陽極 層的表面依次真空蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及 陰極層。其中，空穴注入層的材料為酞菁氧釩（VOPc);厚度為20納米；空穴傳輸層的材料為 2, 7-雙（N，N-二（4-甲氧基苯基)氨基)-9, 9-螺二芴（MeO-Sprio-TH))，厚度為40納米；發(fā) 光層的材料為二（2'，4'-二氟苯基）吡啶](四唑吡啶）合銥（FIrN 4)與1，3, 5-三（1-苯 基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯（了?8丨）混合形成的材料，表示為？1冰41?8丨，且二（2'，4'-二 氟苯基）吡啶](四唑吡啶）合銥（FIrN 4)占發(fā)光層的材料的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為6%，發(fā)光層的厚 度為15納米；電子傳輸層的材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-噁二唑 (PBD)，厚度為40納米；電子注入層的材料為氟化鈉（NaF)，厚度為1納米；陰極層的材料為 釤（Sm)，厚度為100納米。
[0084] 得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為：玻璃 /IT0/V0Pc/Me0-Spri〇-Tro/FIrN4:TPBi/PBD/NaF/ Sm的有機(jī)電致發(fā)光器件的啟動電壓及發(fā)光效率數(shù)據(jù)見表2。
[0085] 實(shí)施例4
[0086] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：玻璃/ITO/m-MTDATA/TCTA/DCJTB:Alq 3/ Alq3/LiF/Yb。
[0087] 該實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下：
[0088] (1)在玻璃基板上濺射形成ΙΤ0 :將玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行 超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?。然后?玻璃表面磁控濺射形成ΙΤ0,將形成有ΙΤ0的玻璃基板置于臭氧處理室中處理3分鐘。
[0089] (2)按照0. lml/cm2的比例，在ΙΤ0的表面滴加 CH3CHC12，然后置于功率為100W的 低壓UV汞燈下進(jìn)行UV照射處理5分鐘，接著在50°C加熱30秒，得到陽極層，且低壓UV汞 燈與ΙΤ0的距離為10厘米。其中，陽極層的厚度為100納米。本實(shí)施例制備的陽極層的功 函數(shù)據(jù)見表1。
[0090] (3)將形成有陽極層的玻璃基板于真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜設(shè)備中，在陽極 層的表面依次真空蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及 陰極層。其中，（4,4'，4''-三（^3-甲基苯基4-苯基氨基）三苯胺（111-1〇1^了4) ;厚度為20 納米；空穴傳輸層的材料為4, 4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，厚度為40納米；發(fā) 光層的材料為4-(二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡 喃（DCJTB)與（8-羥基喹啉）-鋁（Alq3)，混合形成的材料，表示為DCJTB: Alq3，且4-(二腈 甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)占發(fā)光層的 材料的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為2%，發(fā)光層的厚度為2納米；電子傳輸層的材料為（8-羥基喹啉）-鋁 (Alq 3)，厚度為40納米；電子注入層的材料為氟化鋰（LiF)，厚度為1納米；陰極層的材料為 鐿（Yb)，厚度為100納米。
[0091] 得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為：玻璃 /ITO/m-MTDATA/TCTA/DCJTB:BCP/Alq3/LiF/Yb 的有 機(jī)電致發(fā)光器件的啟動電壓及發(fā)光效率數(shù)據(jù)見表2。
[0092] 對比例1
[0093] 對比例1制備的結(jié)構(gòu)為：玻璃/IT0/CuPc/Tro/C545T:Alq3/TPBi/LiF/Ag的有機(jī)電 致發(fā)光器件。
[0094] 該實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下：
[0095] (1)在玻璃基板上濺射形成ΙΤ0陽極層：將玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水 中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈伞?然后在玻璃表面磁控濺射形成ΙΤ0陽極層。其中，ΙΤ0陽極層的厚度為100納米。對比例1 制備的陽極層的功函數(shù)據(jù)見表1。
[0096] (3)將形成有陽極層的玻璃基板于真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜設(shè)備中，在陽極 層的表面依次真空蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及 陰極層。其中，空穴注入層的材料為酞菁銅（CuPc);厚度為20納米；空穴傳輸層的材料為 乂^-二苯基，州'-二（3-甲基苯基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（了?0)，厚度為40納米 ；發(fā) 光層的材料為2, 3, 6, 7-四氫-1，1，7, 7-四甲基-1H，5H，11H-10- (2-苯并噻唑基）-喹嗪并 [9,9A，1GH]香豆素（C545T)與8-羥基喹啉鋁（Alq3)混合形成的材料，表示為C545T:Alq 3， 且2,3,6,7-四氫-1，1，7,7-四甲基-1!1，5!1，11!1-10-(2-苯并噻唑基）-喹嗪并[9,9六，16!1] 香豆素（C545T)占發(fā)光層的材料的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%，發(fā)光層的厚度為10納米；電子傳輸 層的材料為1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)，厚度為40納米；電子注 入層的材料為氟化鋰（LiF)，厚度為1納米；陰極層的材料為銀（Ag)，厚度為100納米。
[0097] 得到對比例1的結(jié)構(gòu)為：玻璃/IT0/CuPc/Tro/C545T:Alq3/TPBi/LiF/Ag的有機(jī)電 致發(fā)光器件的啟動電壓及發(fā)光效率數(shù)據(jù)見表2。
[0098] 表1表示的是實(shí)施例1?實(shí)施例4制備的陽極層與對比例1制備的陽極層的功函 數(shù)據(jù)。
[0099] 表 1
[0100]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的基板、陽極層、有機(jī)發(fā)光功能 層及陰極層，所述陽極層的材料由含氯材料修飾的銦錫氧化物薄膜經(jīng)UV照射處理后形成， 所述含氯材料為 CH2C12、CHC13、CC14 或 CH3CHC12。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光功能層包括 依次層疊于所述陽極層上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層； 所述空穴注入層的材料為酞菁鋅、酞菁銅、酞菁氧釩、酞菁氧鈦、酞菁鉬或 (4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺； 所述空穴傳輸層的材料為Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺、Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對二氨基聯(lián)苯、2, 7-雙（Ν，Ν-二（4-甲氧基苯 基)氨基)_9, 9-螺二芴、4, 4'，4'' -三（咔唑-9-基）三苯胺、1，1-二（4-(Ν，Ν'-二（ρ-甲 苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷或2, 2'，7, 7' -四（Ν，Ν-二苯胺基）-9, 9' -螺二芴）； 所述發(fā)光層的材料為4-(二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基)-紐-吡喃、2,3,6,7-四氫-1，1，7,7-四甲基-1!1，5!1，11!1-10-(2-苯并噻唑基）-喹嗪并 [9,9A，1GH]香豆素、二（2-甲基-8-羥基喹啉）-(4-聯(lián)苯酚）鋁、4-(二腈甲烯基）-2-異 丙基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羥基喹 啉鋁、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘、4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯、雙（4, 6-二 氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥、雙 (4, 6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酸合銥、二（2'，4'-二氟苯基）吡啶](四唑吡 陡）合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮)合銥、二（1-苯基異喹啉）（乙酰 丙酮）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥、三（1-苯基-異喹啉)合銥及三（2-苯基吡啶） 合銥中的至少一種，或4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7,7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基)-4H-吡喃、2, 3, 6, 7-四氫-1，1，7, 7-四甲基-1H，5H，11Η-10-(2-苯并噻唑基）-喹嗪并 [9, 9A，1GH]香豆素、二（2-甲基-8-羥基喹啉）-(4-聯(lián)苯酚）鋁、4-(二腈甲烯基）-2-異 丙基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羥基喹啉 鋁、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘、4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯、雙（4, 6-二氟苯基 吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合銥、雙（4, 6-二 氟-5-氰基苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酸合銥、二（2'，4' -二氟苯基）吡啶](四唑吡啶）合 銥、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、二（1-苯基異喹啉）（乙酰丙酮） 合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥及三（2-苯基吡啶）合銥 中的至少一種與所述空穴傳輸層的材料及電子傳輸層的材料中的至少一種混合摻雜形成 的材料； 所述電子傳輸層的材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1,3,4-11惡二唑、 (8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯、2, 9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲、1，2, 4-三唑衍生物或雙（2-甲基-8-羥基 喹啉-N1，08) - (1，1' -聯(lián)苯-4-羥基）鋁；及 所述電子注入層的材料為氟化鋰、氟化銫或氟化鈉。
3. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 提供基板，在所述基板上濺射形成銦錫氧化物薄膜； 將所述銦錫氧化物薄膜用含氯材料修飾處理，再經(jīng)UV照射處理，得到陽極層，所述含 氯材料為 CH2C12、CHC13、CC14 或 CH3CHC12 ;及 在所述陽極層上依次真空蒸鍍形成有機(jī)發(fā)光功能層及陰極層，得到有機(jī)電致發(fā)光器 件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在所述基板上 濺射形成所述銦錫氧化物薄膜之前，還包括：將所述基板依次置于含有洗滌劑的去離子水 中、異丙醇及丙酮中超聲清洗，然后干燥。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，將所述銦錫 氧化物薄膜用含氯材料修飾處理之前，還包括：對所述銦錫氧化物薄膜進(jìn)行臭氧處理3分 鐘?10分鐘。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，將所述銦錫氧 化物薄膜用含氯材料修飾處理的方法為：將所述銦錫氧化物薄膜置于所述含氯材料中浸泡 0. 5分鐘?5分鐘，取出。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，將所述銦錫氧 化物薄膜用含氯材料修飾處理的方法為：按照0. 02ml/cm2?0. 2ml/cm2的比例，在所述銦錫 氧化物薄膜表面滴加所述含氯材料。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，經(jīng)所述UV照射 處理之后，還包括對經(jīng)所述含氯材料修飾處理的所述銦錫氧化物薄膜的熱處理步驟：將經(jīng) 所述UV照射處理后的所述含氯材料修飾處理的所述銦錫氧化物薄膜于25°C?50°C中加熱 30秒?5分鐘。
9. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述UV照射處 理的時(shí)間為3分鐘?20分鐘；所述UV照射所使用的設(shè)備為低壓UV汞燈；所述低壓UV汞燈 的功率為40瓦?100瓦。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述低壓UV汞 燈與所述銦錫氧化物薄膜的距離為5厘米?10厘米。
【文檔編號】H01L51/56GK104051637SQ201310076855
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年3月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月11日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 馮小明, 鐘鐵濤 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司