專利名稱：直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種可調(diào)諧激光器，具體是直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器。
背景技術：
波分復用技術(WDM)在光纖光通訊系統(tǒng)中已廣泛應用。波分復用的光電轉調(diào)器包含一個激光器，一個調(diào)制器，一個接收器和相關的電子設備。波分復用轉換器的運行可通過一個近紅外波長在1550nm的固定波長激光器實現(xiàn)。由于很易于操作和高度可靠性，分布反饋式(DFB)激光器在波分復用傳輸系統(tǒng)廣泛地應用。在DFB激光器中，提供光學反饋的衍射光柵位于整個增益共振腔的上方，這樣激光會在固定波長下獲得一個穩(wěn)定的單模振蕩。并且，在低數(shù)字速率的信息傳輸也可通過直接對DFB激光器調(diào)制實現(xiàn)。波分多路系統(tǒng)的構成實施是通過在每個ITU (國際電信聯(lián)盟)規(guī)定的每一波長通道格點上使用一個激光器。然而，DFB激光器不具有較寬的波長調(diào)諧范圍，因此，必須對每個波長使用不同的激光器，這便導致了昂貴的波長管理的成本，同時要求很大的余料庫存來隨時解決激光器故障等問題。

為了克服現(xiàn)有DFB激光器的這一缺點同時獲得大范圍波長單模運行，可調(diào)諧激光器應運而生。可調(diào)諧激光器就是單個激光器的波長變化可覆蓋很多ITU規(guī)定的波長通道，并在應用中根據(jù)需要可隨時變化到所需波長通道。因此，一個可調(diào)諧激光器可以為很多波長通道做光源備份，需要作為WDM轉換器庫存?zhèn)浼募す馄鲿罅繙p少?？烧{(diào)諧激光器還可在波分復用的定位中提供靈活的方案，即可以根據(jù)需要將某些波長通道從光網(wǎng)中添補加或移除。相應地，可調(diào)諧激光器可以幫助運營商在整個光纖網(wǎng)絡中有效地進行波長管理。傳統(tǒng)的FP (Fabry-perot)激光器是指法布里-珀羅激光器，具有法布里-珀羅諧振腔，是發(fā)射多波長激光的多模激光器，即發(fā)射的激光的光譜在一定波長范圍內(nèi)的波長分布呈若干個峰，這些波長峰的位置分布和它們之間的間距(稱自由光譜范圍)由芯片的增益曲線、光學折射率及其長度來決定，并且這些波長峰的位置呈梳狀分布，其缺點是:在一定波長范圍內(nèi)激光發(fā)射的頻譜范圍較寬。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，可輸出單波長激光并持續(xù)地或有選擇地改變輸出激光的波長，還可大范圍地調(diào)諧輸出激光的波長，同時還可直接高速調(diào)制輸出激光，實現(xiàn)寬帶數(shù)據(jù)傳輸。本發(fā)明的目的通過以下技術方案實現(xiàn):一種直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，其特征在于包括用于產(chǎn)生激發(fā)光源、提供激光增益并可對輸出激光的工作速率直接調(diào)制的半導體FP激光器芯片，用于外腔反饋及波長調(diào)諧的無源光子芯片，所述FP激光器芯片發(fā)射輸出的激光光譜呈梳狀的發(fā)射峰分布；所述FP激光器芯片和無源光子芯片內(nèi)各具有波導，兩個芯片經(jīng)波導芯耦合對接；無源光子芯片的波導上具有由激光相位控制部分和波導反射鏡部分組成的外腔反饋區(qū)，該外腔反饋區(qū)與FP激光器芯片構成激光共振腔，所述波導反射鏡部分具有梳狀的反射峰分布，相鄰反射峰的波長間隔與所述FP激光器芯片發(fā)射的相鄰發(fā)射峰的波長間隔不同；所述激光相位控制部分和波導反射鏡部分均設有對應的通過加熱或注入載流子來改變波導折射率的電極；通過擇一改變波導反射鏡部分的波導折射率，波導反射鏡部分的反射峰分布的波長位置隨之改變或調(diào)諧；選擇性地調(diào)諧波導反射鏡部分使反射峰與FP激光器芯片的相應發(fā)射峰在某一波長處重疊，再改變激光相位控制部分的波導折射率來調(diào)節(jié)激光相位，光子在該波長重疊處獲得最大反饋，并經(jīng)激光共振腔多次反射從而產(chǎn)生激光；通過重復使其余發(fā)射峰、反射峰的重疊，并相應調(diào)節(jié)激光相位控制部分，從而實現(xiàn)激光輸出波長的步幅式調(diào)諧。本發(fā)明可在所述FP激光器芯片的底部增加設置用于改變FP激光器芯片的波導折射率的加熱器或制冷器；在上述某一波長處于重疊的基礎上，再同步改變FP激光器芯片的波導和波導反射鏡部分的波導的波導折射率，使上述重疊處的發(fā)射峰和反射峰的波長位置同步移動，產(chǎn)生波峰重疊處波長的連續(xù)變化，從而實現(xiàn)輸出激光波長的連續(xù)式調(diào)諧。本發(fā)明所述FP激光器芯片的波導在導出激發(fā)光源的端口端面上鍍有部分透射部分反射膜，F(xiàn)P激光器芯片的波導的另一端口端面上設有高反射膜；無源光子芯片的波導的兩個端口端面均鍍有抗反射膜；或者，所述無源光子芯片上靠近FP激光器芯片的波導一端端口端面鍍有部分投射部分反射膜，無源光子芯片的波導的另一端端口端面鍍有高反射膜。本發(fā)明所述波導反射鏡部分的反射鏡采用取樣光柵或超結構光柵。本發(fā)明所述可調(diào)諧激光器還包括用于監(jiān)控所述可調(diào)諧激光器的輸出功率的光探測器，該光探測器設于具有高反射膜的波導端面的一側。本發(fā)明所述激光相位控制區(qū)段還可設于FP激光器芯片的波導上。

本發(fā)明所述可調(diào)諧激光器還包括用于所述可調(diào)諧激光器保持恒溫工作環(huán)境的恒溫裝置，該恒溫裝置位于所述可調(diào)諧激光器的下方或外圍。本發(fā)明所述FP激光器芯片可通過高速驅動電流直接調(diào)制輸出工作速率在2.5Gb/s-lOGb/s的激光信號。與現(xiàn)有技術相比，該發(fā)明技術具有以下優(yōu)點:(I)本發(fā)明通過對發(fā)射峰和反射峰波長位置的調(diào)諧，可輸出單波長激光并持續(xù)地或有選擇地改變輸出激光的波長，還可大范圍地調(diào)諧輸出激光的波長，解決了傳統(tǒng)FP激光器在一定波長范圍內(nèi)激光發(fā)射的頻譜范圍較寬的缺陷；(2)本發(fā)明由高調(diào)制速率FP激光器芯片和無源光子芯片構成，兩個芯片構成了外腔激光器，無源波導芯片上可調(diào)諧反射光柵對FP發(fā)射的多激光模進行進一步濾波，保證了外腔激光器的單模輸出，通過對FP激光器芯片的直接調(diào)制，實現(xiàn)新的外腔單波長可調(diào)諧激光器發(fā)射的信號高速調(diào)制，不需要外部加調(diào)制器即可實現(xiàn)波長可調(diào)的高速率數(shù)字信號傳輸，相比于多模FP激光器，本發(fā)明的單波長激光器由于不受色散影響，可以傳輸更長的距離；(3)本發(fā)明通過在波導的熱或電效應實現(xiàn)光學調(diào)諧，不需要機械變動，因此無移動元件；(4)本發(fā)明可通過恒溫裝置、光探測器來保證激光輸出的調(diào)諧精度。


圖1為本發(fā)明實施例一的俯視結構示意圖；圖2為圖1的主視圖；圖3為本發(fā)明FP激光器芯片的發(fā)射光譜圖(虛線)；圖4為本發(fā)明無源光子芯片的波導反射鏡部分的反射光譜圖(實線)；圖5為本發(fā)明調(diào)諧前波導反射鏡部分的反射光譜和FP激光器芯片的發(fā)射光譜的示意圖；圖6為本發(fā)明調(diào)諧后波導反射鏡部分的反射光譜和FP激光器芯片的發(fā)射光譜的示意圖；圖7 為本發(fā)明實施例二的結構示意圖。圖中:1、FP激光器芯片；11、FP激光器芯片的波導；2、無源光子芯片；21、無源光子芯片的波導；22、波導反射鏡部分；221、取樣光柵或超結構光柵；23、激光相位控制部分；24、波導反射鏡部分對應的電極；25、激光相位控制部分對應的電極；3、恒溫裝置；4、光探測器；5、發(fā)射峰；6、反射峰；7、加熱器或制冷器。
具體實施例方式實施例一如圖1、圖2所示，一種直接信號調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，它包括用于產(chǎn)生激發(fā)光源、提供激光增益并可對輸出激光的工作速率直接高速調(diào)制的半導體FP激光器芯片1，用于外腔反饋及波長調(diào)諧的無源光子芯片2，F(xiàn)P激光器芯片I發(fā)射輸出的激光光譜呈梳狀的發(fā)射峰分布；FP激光器芯片I和無源光子芯片2內(nèi)各具有波導，兩個芯片經(jīng)波導芯耦合對接；無源光子芯片的波導上具有由激光相位控制部分23和波導反射鏡部分22組成的外腔反饋區(qū)，該外腔反饋區(qū)與FP激光器芯片I構成激光共振腔，波導反射鏡部分22具有梳狀的反射峰分布，相鄰反射峰的波長間隔與FP激光器芯片發(fā)射的相鄰發(fā)射峰的波長間隔不同；激光相位控制部分23和波導反射鏡部分22均設有對應的通過加熱或注入載流子來改變波導折射率的電極。另外，激光相位控制部分23也可設置在FP激光器芯片的波導11上，同樣可起到相干相長產(chǎn)生激光的作用。FP激光器芯片常用III一 V化合物半導體材料InP系列制成，上面具有光波導，F(xiàn)P激光器芯片I的特點是它的激光光譜具有一個幾乎等波長間距的梳狀的發(fā)射峰分布，如圖
3、圖5所示的虛線表示部分，相鄰反射峰之間的波長間隔稱為自由光譜范圍(FSR)。本實施例的FP激光器芯片I采用可實現(xiàn)發(fā)射激光的高速信號調(diào)制的激光器芯片，其調(diào)制工作速率為2.5 lOGb/s，或采用更高調(diào)制工作速率的FP激光器。無源光子芯片上的波導反射鏡部分22為反射光柵,可米用取樣光柵或超結構光柵221,也可米用多個波導布拉格光柵排列組成，使波導反射鏡部分22的光譜也具有幾乎等波長間距的梳狀的反射峰分布，如圖4和圖6所示的實線表示部分，相鄰反射峰之間的波長間隔也被稱作自由光譜范圍(FSR)。如圖5、圖6所示，在外腔激光器的共振腔內(nèi)，F(xiàn)P激光器芯片I的和波導反射鏡部分22提供了兩種梳狀譜。通過波導反射鏡部分對應的電極24來改變波導反射鏡部分的波導折射率，波導反射鏡部分22的反射峰分布的波長位置隨之改變或調(diào)諧；可以選擇性地調(diào)諧波導反射鏡部分22使其某一反射峰6與FP激光芯片I發(fā)射光源的某一發(fā)射峰5在某一波長處重疊。因為發(fā)射峰梳狀分布和反射峰梳狀分布的波長間隔不同，每次調(diào)諧只存在一個發(fā)射峰和反射峰在某一波長的重疊。再通過激光相位控制部分對應的電極25來調(diào)節(jié)激光相位控制部分23，使其滿足在該波長產(chǎn)生激光的位相條件，相干相長，從而產(chǎn)生激光，實現(xiàn)外腔激光器在該波長的單波長激光輸出。這樣通過波導反射鏡部分的波導折射率的改變，本外腔可調(diào)諧激光器在一定波長范圍內(nèi)可以選擇性地在FP激光器芯片的任一發(fā)射峰波長處進行單模激光輸出，也實現(xiàn)了激光輸出波長的步幅式調(diào)諧。并且，相比于多模FP激光器，單波長激光器由于不受色散影響，可以傳輸更長的距離。而布拉格反射光柵的反射波長由下式(I)的通用關系決定:λ = 2.neff.Λ (I)式(I)中λ是布拉格反射光柵的最大反射波長，neff是單模波導的有效折射率，Λ是布拉格反射光柵的周期。所以，當波導材料的折射率變化時，F(xiàn)P激光器芯片I發(fā)射峰波長位置、波導反射鏡部分22的反射峰波長位置也會變化或被調(diào)諧。由于波導的折射率可以通過熱-光效應來改變，即通過對電極的加熱來改變；或者可對電極應用電-光效應來進行改變，即通過對電極電流的載流子注入來改變。無源光子芯片的波導21的材料應選用在折射率上具有較大熱-光或電-光系數(shù)的材料，比如硅或聚合物材料等等，則可以對單模波導的折射率地進行有效的調(diào)諧。比如，利用絕緣體上硅結構(SOI)上的硅波導來實現(xiàn)調(diào)諧。無源光子芯片中各個反射光柵可以刻蝕在SOI波導芯上，然后覆蓋包層。很容易利用現(xiàn)有成熟的微電子半導體硅工藝來進行生產(chǎn)。由于絕緣體上硅結構波導的折射率對比很高，與有源增益芯片中的波導接近，因此，在兩個波導芯片的對接處，也可以通過使它的波導光學模與增益芯片的波導光學模盡量匹配來獲得最優(yōu)的光學耦合。當通過電極對波導 的折射率進行改變時，波導反射鏡部分的梳狀反射峰的波長會被調(diào)諧，即整個梳狀反射峰光譜會相對于波長做整體移動。當通過電極向FP激光器芯片I的有源波導注入電子通過電光轉換在某一中心波長附近產(chǎn)生寬帶光子自發(fā)輻射并可對FP激光器芯片I的發(fā)射的強度進行快速調(diào)制。對波導折射率的調(diào)節(jié)也調(diào)節(jié)了光子的光學路徑行程長度，因為光學路徑行程長度等于光波導的光學折射率和物理長度的乘積。因此，通過電極對取樣光柵或超結構光柵221進行微調(diào)，可選擇性實現(xiàn)它的某一梳狀反射峰6與半導體FP激光器的梳狀的發(fā)射峰5在某一波長上的重疊；然后，通過對應電極調(diào)節(jié)激光相位控制部分23的波導反射率，來保證發(fā)射峰5和反射峰6在重疊的波長處相干相長，使得光子在該波長獲得最大的反饋而產(chǎn)生激光。其余反射峰和其余發(fā)射峰由于反饋強度不足在激光競爭中被壓制，不能產(chǎn)生激光。而且通過上述取樣光柵或超結構光柵221的光譜與半導體FP激光器的梳狀的發(fā)射峰光譜的耦合調(diào)諧，使輸出的激光波長也能達到更加單一。具體應用中，可以將半導體FP激光器芯片I的梳狀的發(fā)射峰分布的波長位置和自由光譜范圍與ITU (國際電信聯(lián)盟)光網(wǎng)通訊對波長格點和間隔的要求兼容；由于選定后的半導體FP激光器芯片I的梳狀的發(fā)射峰光譜分布的波長位置和自由光譜范圍是保持不變的，激光共振腔中一次只存在一個反射峰與發(fā)射峰的重疊，所以，激光輸出波長只能出現(xiàn)在半導體FP激光器芯片I的梳狀的發(fā)射峰上。因此，只要通過取樣光柵或超結構光柵221的調(diào)諧，就可以使激光器在一定波長范圍內(nèi)在任一 ITU波長格點上產(chǎn)生激光，實現(xiàn)輸出激光波長的步幅式調(diào)諧。本發(fā)明可調(diào)諧激光器的輸出波長可實現(xiàn)與ITU兼容，在實際應用中無需外部的波長控制或波長參考標準。FP激光器芯片的波導11在導出激發(fā)光源的端口端面(即右端面)上鍍有部分透射部分反射膜，F(xiàn)P激光器芯片的波導11的另一端口端面(即左端面)上設有高反射膜；無源光子芯片的波導21的兩個端口端面均鍍有抗反射膜，在激光共振腔內(nèi)多次反射產(chǎn)生的激光將在無光子芯片的波導21的右端面射出。如圖2所示，本可調(diào)諧激光器可以設置在一個恒溫裝置3的頂部，使本激光器的工作不受外界環(huán)境溫度影響，該恒溫裝置3為現(xiàn)有常用的電熱/制冷器，也可將恒溫裝置3設于本激光器的外圍，即將本激光器置于恒溫裝置3內(nèi)部。在FP激光器芯片I的左端面還可增加設置用于監(jiān)控本可調(diào)諧激光器的輸出功率的光探測器4。實施例二如圖7所示為本發(fā)明的實施例二，本實施例二與實施例一構成激光共振腔及產(chǎn)生激光的過程都相同，與實施例一的不同之處在于:將FP激光器芯片置于加熱器或制冷器7之上，通過加熱器或制冷器7的溫度變化可改變FP激光器芯片I的梳狀的發(fā)射峰光譜。也可在FP激光器芯片的波導11上設置電極，通過加熱電極或對電極注入載流子來改變FP激光器芯片的波導11的波導折射率。先通過對應的電極改變無源光子芯片2的波導反射鏡部分22的梳狀反射峰分布的波長位置，或先改變FP激光器芯片I的梳狀的發(fā)射峰分布的波長位置，使反射峰6與發(fā)射峰5在某一波長處重疊，如圖6所示發(fā)射峰5和反射峰6的重疊，光子在該重疊處波長獲得最大反饋，并經(jīng)激光共振腔獲得該重疊處波長的激光；再同步改變波導反射鏡部分的梳狀反射峰分布和FP激光器芯片的梳狀發(fā)射峰分布的波長位置，使上述重疊處的發(fā)射峰和反射峰的波長位置同步移動，產(chǎn)生波峰重疊處波長的連續(xù)變化，這樣 激光共振腔輸出的激光實現(xiàn)了連續(xù)式調(diào)諧。本發(fā)明的實施方式不限于此，根據(jù)上述內(nèi)容，按照本領域的普通技術知識和慣用手段，在不脫離本發(fā)明上述基本技術思想前提下，本發(fā)明還可以做出其它多種形式的等效修改、替換或變更，均可實現(xiàn)本發(fā)明目的。
權利要求
1.一種直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，其特征在于包括用于產(chǎn)生激發(fā)光源、提供激光增益并可對輸出激光的工作速率直接高速調(diào)制的半導體FP激光器芯片，用于外腔反饋及波長調(diào)諧的無源光子芯片，所述FP激光器芯片發(fā)射輸出的激光光譜呈梳狀的發(fā)射峰分布；所述FP激光器芯片和無源光子芯片內(nèi)各具有波導，兩個芯片經(jīng)波導芯耦合對接；無源光子芯片的波導上具有由激光相位控制部分和波導反射鏡部分組成的外腔反饋區(qū)，該外腔反饋區(qū)與FP激光器芯片構成激光共振腔，所述波導反射鏡部分具有梳狀的反射峰分布，相鄰反射峰的波長間隔與所述FP激光器芯片發(fā)射的相鄰發(fā)射峰的波長間隔不同；所述激光相位控制部分和波導反射鏡部分均設有對應的通過加熱或注入載流子來改變波導折射率的電極； 通過擇一改變波導反射鏡部分的波導折射率，波導反射鏡部分的反射峰分布的波長位置隨之改變或調(diào)諧；選擇性地調(diào)諧波導反射鏡部分使反射峰與FP激光器芯片的相應發(fā)射峰在某一波長處重疊，再改變激光相位控制部分的波導折射率來調(diào)節(jié)激光相位，光子在該波長重疊處獲得最大反饋，并經(jīng)激 光共振腔多次反射從而產(chǎn)生激光，實現(xiàn)在該波長的單模激光輸出； 通過重復使其余發(fā)射峰、反射峰的重疊，并相應調(diào)節(jié)激光相位控制部分，從而實現(xiàn)激光輸出波長的步幅式調(diào)諧。
2.根據(jù)權利要求1所述的直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，其特征在于:所述FP激光器芯片的波導在導出激發(fā)光源的端口端面上鍍有部分透射部分反射膜，F(xiàn)P激光器芯片的波導的另一端口端面上設有高反射膜；無源光子芯片的波導的兩個端口端面均鍍有抗反射膜。
3.根據(jù)權利要求2所述的直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，其特征在于:所述波導反射鏡部分的反射鏡采用取樣光柵或超結構光柵。
4.根據(jù)權利要求3所述的直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，其特征在于:所述可調(diào)諧激光器還包括用于監(jiān)控所述可調(diào)諧激光器的輸出功率的光探測器，該光探測器設于具有高反射膜的波導端面的一側。
5.根據(jù)權利要求4所述的直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，其特征在于:所述激光相位控制區(qū)段設于FP激光器芯片的波導上。
6.根據(jù)權利要求4或5所述的直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，其特征在于:所述可調(diào)諧激光器還包括用于所述可調(diào)諧激光器保持恒溫工作環(huán)境的恒溫裝置，該恒溫裝置位于所述可調(diào)諧激光器的下方或外圍。
7.根據(jù)權利要求1所述的直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，其特征在于:所述FP激光器芯片通過高速驅動電流直接調(diào)制輸出工作速率在2.5Gb/s-10Gb/s的激光信號。
8.一種直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，其特征在于包括用于產(chǎn)生激發(fā)光源、提供激光增益并可對輸出激光的工作速率直接調(diào)制的半導體FP激光器芯片，用于外腔反饋及波長調(diào)諧的無源光子芯片，所述FP激光器芯片發(fā)射輸出的激光光譜呈梳狀的發(fā)射峰分布；所述FP激光器芯片和無源光子芯片內(nèi)各具有波導，兩個芯片經(jīng)波導芯耦合對接；無源光子芯片的波導上具有由激光相位控制部分和波導反射鏡部分組成的外腔反饋區(qū)，該外腔反饋區(qū)與FP激光器芯片構成激光共振腔，所述波導反射鏡部分具有梳狀的反射峰分布，相鄰反射峰的波長間隔與所述FP激光器芯片發(fā)射的相鄰發(fā)射峰的波長間隔不同；所述激光相位控制部分和波導反射鏡部分均設有對應的通過加熱或注入載流子來改變波導折射率的電極；所述FP激光器芯片的底部設有用于改變FP激光器芯片的波導折射率的加熱器或制冷器； 通過擇一改變波導反射鏡部分的波導折射率，波導反射鏡部分的反射峰分布的波長位置隨之改變或調(diào)諧；選擇性地調(diào)諧波導反射鏡部分使反射峰與FP激光器芯片的相應發(fā)射峰在某一波長處重疊，再改變激光相位控制部分的波導折射率來調(diào)節(jié)激光相位，光子在該波長重疊處獲得最大反饋，并經(jīng)激光共振腔多次反射從而產(chǎn)生激光，實現(xiàn)在該波長的單模激光輸出； 在上述某一波長處于重疊的基礎上，再同步改變FP激光器芯片的波導和波導反射鏡部分的波導的波導折射率，使上述重疊處的發(fā)射峰和反射峰的波長位置同步移動，產(chǎn)生波峰重疊處波長的連續(xù)變化，從而實現(xiàn)輸出激光波長的連續(xù)式調(diào)諧。
9.根據(jù)權利要求8所述的直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，其特征在于:所述FP激光器芯片的波導在導出激發(fā)光源的端口端面上鍍有部分透射部分反射膜，F(xiàn)P激光器芯片的波導的另一端口端面上設有高反射膜；無源光子芯片的波導的兩個端口端面均鍍有抗反射膜。
10.根據(jù)權利要求9所述的直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，其特征在于:所述可調(diào)諧激光器還包括用于監(jiān)控所述可調(diào)諧激光器的輸出功率的光探測器，該光探測器設于具有高反射膜的波導端面的一側。
11.根據(jù)權利要求10所述的直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，其特征在于:所述激光相位控制區(qū)段設于FP激光器芯片的波導上。
12.根據(jù)權利要11所述的直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，其特征在于:所述可調(diào)諧激光器還包括用 于所述可調(diào)諧激光器保持恒溫工作環(huán)境的恒溫裝置，該恒溫裝置位于所述可調(diào)諧激光器的下方或外圍。
全文摘要
本發(fā)明公開了直接高速調(diào)制外腔式波長可調(diào)諧激光器，包括FP激光器芯片，無源光子芯片，所述FP激光器芯片可對輸出激光的工作速率進行直接高速調(diào)制，它發(fā)射輸出的激光光譜呈梳狀的發(fā)射峰分布；FP激光器芯片和無源光子芯片內(nèi)各具有波導，兩個芯片經(jīng)波導芯耦合對接；所述波導反射鏡部分具有梳狀的反射峰分布，相鄰反射峰的波長間隔與所述FP激光器芯片發(fā)射的相鄰發(fā)射峰的波長間隔不同；通過擇一改變波導反射鏡部分的波導折射率，波導反射鏡部分的反射峰分布的波長位置隨之改變或調(diào)諧。本發(fā)明可輸出單波長激光并持續(xù)地或有選擇地改變輸出激光的波長，還可大范圍地調(diào)諧輸出激光的波長，同時還可直接高速調(diào)制輸出激光，實現(xiàn)寬帶數(shù)據(jù)傳輸。
文檔編號H01S5/06GK103219649SQ20131007738
公開日2013年7月24日 申請日期2013年3月12日 優(yōu)先權日2012年6月25日
發(fā)明者李若林 申請人:四川馬爾斯科技有限責任公司