有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】有機電致發(fā)光器件及制備方法，器件包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，電子注入層包括主體材料及摻雜于主體材料的第一客體材料及第二客體材料，主體材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、4,7-二苯基-1,10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；第一客體材料為次亞磷酸鋰、次亞磷酸鈉、次亞磷酸鉀、次亞磷酸銣或次亞磷酸銫；第二客體材料為氟化鋰、疊氮化鋰、氮化鋰、氟化銫、疊氮化銫或氮化銫。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及電致發(fā)光【技術領域】，特別是涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方 法。

【背景技術】
[0002] 有機電致發(fā)光器件（0LED)具有一些獨特的優(yōu)點：（1)0LED屬于擴散型面光源，不 需要像發(fā)光二極管（LED) -樣通過額外的導光系統(tǒng)來獲得大面積的白光光源；（2)由于有 機發(fā)光材料的多樣性，0LED照明可根據(jù)需要設計所需顏色的光，目前無論是小分子0LED， 還是聚合物有機發(fā)光二極管（PLED)都已獲得了包含白光光譜在內(nèi)的所有顏色的光；（3) 0LED可在多種襯底如玻璃、陶瓷、金屬、塑料等材料上制作，這使得設計照明光源時更加自 由；(4)采用制作0LED顯示的方式制作0LED照明面板，可在照明的同時顯示信息；（5)0LED 在照明系統(tǒng)中還可被用作可控色，允許使用者根據(jù)個人需要調(diào)節(jié)燈光氛圍。
[0003] 然而，目前的有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較低，難以滿足使用需求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機電致發(fā)光器件。
[0005] -種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、 電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層包括主體材料及摻雜于所述主體材料中 的第一客體材料及第二客體材料，所述主體材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、4, 7-二苯 基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián) 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑或1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并 咪唑-2-基）苯；所述第一客體材料為次亞磷酸鋰、次亞磷酸鈉、次亞磷酸鉀、次亞磷酸銣或 次亞磷酸銫；所述第二客體材料為氟化鋰、疊氮化鋰、氮化鋰、氟化銫、疊氮化銫或氮化銫。
[0006] 在其中一個實施例中，所述第一客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為2:100? 12:100。
[0007] 在其中一個實施例中，所述第二客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為25:100? 35:100。
[0008] 在其中一個實施例中，所述電子注入層的厚度為15?45納米。
[0009] 在其中一個實施例中，所述空穴注入層由金屬氧化物摻雜于空穴傳輸材料中形 成，所述金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩或三氧化錸；所述空穴傳輸材料為 N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三 苯胺、4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯、Ν，Ν' -二（3-甲基苯基）-Ν，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺或 1，1-二[4-[Ν, f -二（ρ-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己燒；
[0010] 所述空穴傳輸層由1^-二苯基，州'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二 胺、4, 4'，4''-三(咔唑-9-基）三苯胺、4, 4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯、Ν，Ν'-二（3-甲基苯 基）-Ν，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺或1，1-二[4-[Ν，Ν'-二（ρ-甲苯基）氨基]苯基] 環(huán)己烷形成； toon] 所述發(fā)光層由發(fā)光客體材料摻雜于發(fā)光主體材料中形成，所述發(fā)光客體材料為三 (2-苯基吡啶）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥或三[2-(對甲苯基）吡啶]合銥）； 所述發(fā)光主體材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺、9, 9' - (1，3-苯基）二-9H-咔唑、 4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯、N，Ν' -二（3-甲基苯基）-N，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺、1，1-二 [4-[Ν, Ν'-二（ρ-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己燒及9, 10-雙（1-萘基）蒽中的一種中形 成；
[0012] 所述電子傳輸層由4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉、 4_聯(lián)苯酚基-二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔 丁基苯基）-4-苯基-4Η-1，2,4-三唑或1，3,5_三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯形 成；
[0013] 所述陰極由銀、鋁或金形成。
[0014] 在其中一個實施例中，所述金屬氧化物占所述空穴注入層的質(zhì)量百分數(shù)為25%? 35% ；
[0015] 所述發(fā)光客體材料與所述發(fā)光主體材料的質(zhì)量比為2:100?10:100。
[0016] 在其中一個實施例中，所述空穴注入層的厚度為10?15納米，所述空穴傳輸層的 厚度為30?50納米，所述發(fā)光層的厚度為10?30納米，所述電子傳輸層的厚度為10? 60納米，所述陰極的厚度為50?200納米。
[0017] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0018] 提供陽極，在所述陽極上真空蒸鍍形成空穴注入層；
[0019] 在所述空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層；
[0020] 在所述空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層；
[0021 ] 在所述發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層；
[0022] 在所述電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，所述電子注入層包括主體材料 及摻雜于所述主體材料中的第一客體材料及第二客體材料，所述主體材料為4, 7-二苯 基-1，10-菲羅啉、4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二（2-甲基-8-羥基喹啉） 合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯基）-4-苯基-4Η-1，2, 4-三唑或 1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯；所述第一客體材料為次亞磷酸鋰、次亞磷 酸鈉、次亞磷酸鉀、次亞磷酸銣或次亞磷酸銫；所述第二客體材料為氟化鋰、疊氮化鋰、氮化 鋰、氟化銫、疊氮化銫或氮化銫；
[0023] 在所述電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0024] 在其中一個實施例中，所述真空蒸鍍的的真空度為IX 10_5Pa?IX l(T3Pa。
[0025] 在其中一個實施例中，在所述電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層的步驟中， 所述真空蒸鍍的蒸發(fā)速度為0.1人?2A/S。
[0026] 上述有機電致發(fā)光器件的電子注入層由鋰鹽及銫鹽中的一種與次亞磷酸鹽共同 摻雜于電子注入材料中形成，能夠提高電子注入效率，使空穴和電子達到平衡，從而提高發(fā) 光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027] 圖1為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構示意圖；
[0028] 圖2為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的制備方法流程圖；
[0029] 圖3為實施例1?6及對比例1的有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率曲線圖。

【具體實施方式】
[0030] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā) 明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不 違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0031] 請參閱圖1，一實施方式的有機電致發(fā)光器件100，包括依次層疊的陽極10、空穴 注入層20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、電子傳輸層50、電子注入層60及陰極70。
[0032] 陽極10可以為銦錫氧化物玻璃（ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃（ΑΖ0)或銦鋅氧化物玻璃 (ΙΖ0)，優(yōu)選為銦錫氧化物玻璃（ΙΤ0)。
[0033] 銦錫氧化物玻璃（ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃（ΑΖ0)或銦鋅氧化物玻璃（ΙΖ0)是指表面 上層疊有銦錫氧化物薄膜、鋁鋅氧化物薄膜或銦鋅氧化物薄膜的玻璃，優(yōu)選地，銦錫氧化物 薄膜、鋁鋅氧化物薄膜或銦鋅氧化物薄膜的厚度為100納米。
[0034] 空穴注入層20由金屬氧化物摻雜于空穴傳輸材料中形成。
[0035] 金屬氧化物為三氧化鑰（Mo03)、三氧化鶴（W03)、五氧化二fL(V20 5)或三氧化錸 (Re03);空穴傳輸材料為 N, N，- 二苯基-N，N' - 二（1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4，4' - 二胺（NPB)、 4，4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4, 4' - 二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、N，N，- 二（3-甲 基苯基）-N，N'_ 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺（丁?0)或1，1-二 [4-[N，N' -二（ρ-甲苯基）氨 基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)。
[0036] 優(yōu)選地，金屬氧化物占空穴注入層20的質(zhì)量百分數(shù)為25%?35%。
[0037] 優(yōu)選地，空穴注入層20的厚度為10?15納米。
[0038] 空穴傳輸層30由隊^-二苯基州州'-二（1-萘基）_1，1'-聯(lián)苯_4，4'-二胺 (ΝΡΒ)、4，4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4，4，- 二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、N，N，- 二 (3-甲基苯基）-N，N'_ 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺（丁?0)或 1，1-二 [4-[N，N' -二（ρ-甲苯 基）氨基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)形成。
[0039] 優(yōu)選地，空穴傳輸層30的厚度為30?50納米。
[0040] 發(fā)光層40由發(fā)光客體材料摻雜于發(fā)光主體材料中形成。
[0041 ] 發(fā)光客體材料為三（2-苯基吡啶）合銥（Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶） 銥（Ir(ppy)2(acac))或三[2_(對甲苯基）卩比唳]合銥）（Ir(mppy)3);發(fā)光主體材料為 4，4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)、9, 9'-(1, 3-苯基)二 -9H-咔唑（mCP)、4, 4' - 二 (9-咔唑)聯(lián)苯（CBP)、N, N，- 二（3-甲基苯基)-N，N' -二苯基-4，4' -聯(lián)苯二胺（TPD)、1，1-二 [4-[N，N' -二（ρ-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)或9，10-雙（1_萘基）蒽（ADN)。
[0042] 優(yōu)選地，發(fā)光客體材料與發(fā)光主體材料的質(zhì)量比為2:100?10:100。
[0043] 優(yōu)選地，發(fā)光層40的厚度為10?20納米。
[0044] 電子傳輸層50由4，7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、4，7_ 二苯基_1，10-鄰菲 羅啉（BCP)、4-聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、 3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)或1，3, 5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)形成。
[0045] 優(yōu)選地，電子傳輸層50的厚度為10?60納米。
[0046] 電子注入層60包括主體材料及摻雜于主體材料中的第一客體材料及第二客體材 料。
[0047] 主體材料為4,7-二苯基-1，10_菲羅啉（8?1^11)、4,7-二苯基-1，10-鄰菲羅 啉（BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)、8_羥基喹啉鋁（Alq 3)、 3-(聯(lián)苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)或1，3, 5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)。
[0048] 第一客體材料為次亞磷酸鋰（Li3P02)、次亞磷酸鈉（Na 3P02)、次亞磷酸鉀（Κ3Ρ02)、 次亞磷酸銣（Rb 3P02)或次亞磷酸銫（Cs3P02)。
[0049] 第二客體材料為氟化鋰（LiF)、疊氮化鋰（LiN3)、氮化鋰（Li3N)、氟化銫（CsF)、疊 氮化銫（CsN 3)或氮化銫（Cs3N)。
[0050] 優(yōu)選地，第一客體材料與主體材料的質(zhì)量比為2:100?12:100。
[0051] 優(yōu)選地，第二客體材料與主體材料的質(zhì)量比為25:100?35:100。
[0052] 優(yōu)選地，電子注入層60的厚度為15?45納米。
[0053] 陰極70由金屬銀（Ag)、鋁（A1)或金（Au)形成。
[0054] 優(yōu)選地，陰極70的厚度為50?200納米。
[0055] 電致發(fā)光器件是載流子（電子或空穴）注入型電致發(fā)光器件，電子和空穴的注入、 傳輸及其平衡，決定了電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。有機電致發(fā)光器件中，空穴遷移率比電子 遷移率要大得多，因此，提高電子注入效率和電子傳輸能力，使空穴和電子達到平衡，對于 發(fā)光效率至關重要。
[0056] 有機電致發(fā)光器件100的電子注入層60由鋰鹽及銫鹽中的一種與次亞磷酸鹽共 同摻雜于電子注入材料中形成，有利于降低LUM0能級差，有利于提高電子注入效率，從而 使空穴和電子平衡，提高發(fā)光效率，在亮度為l〇〇〇cd/ Cm2下，發(fā)光效率提高了 30%。并且，次 亞磷酸鹽的熱穩(wěn)定性較高，使得電子注入層60的穩(wěn)定性較高。
[0057] 當鋰鹽及銫鹽中的一種的摻雜濃度即第二客體材料與主體材料的質(zhì)量比為 25:100?35:100,次亞磷酸鹽的摻雜濃度即第一客體材料與主體材料的質(zhì)量比為2:100? 12:100時，發(fā)光效率最高。
[0058] 請參閱圖2, 一實施方式的有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0059] 步驟S110 :提供陽極，在陽極上真空蒸鍍形成空穴注入層。
[0060] 陽極可以為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃，優(yōu)選為銦錫氧 化物玻璃。
[0061] 優(yōu)選的，陽極的銦錫氧化物薄膜、鋁鋅氧化物薄膜或銦鋅氧化物薄膜的厚度為100 納米。
[0062] 采用真空蒸鍍在陽極上形成空穴注入層之前，首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙 醇對陽極進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次，再用烘箱烘干， 得到潔凈、干燥的陽極。進一步將陽極進行表面活性處理，以增加陽極表面的含氧量，提高 陽極的功函數(shù)。進行表面活化處理的步驟為采用紫外-臭氧（UV-ozone)對清洗干燥后的 陽極進行處理30?50分鐘。
[0063] 空穴注入層由金屬氧化物摻雜于空穴傳輸材料中形成。
[0064] 金屬氧化物為三氧化鑰（M〇03)、三氧化鶴（W03)、五氧化二fL(V 205)或三氧化錸 (Re03);空穴傳輸材料為Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)、 4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、Ν, Ν' -二（3-甲 基苯基），州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺（了?0)或1，1-二[4-[1以-二（?-甲苯基）氨 基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)。
[0065] 優(yōu)選地，金屬氧化物占空穴注入層的質(zhì)量百分數(shù)為25%?35%。
[0066] 優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10?15納米。
[0067] 真空蒸鍍的真空度優(yōu)選為1 X 10_5Pa?1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度為0.1人?1A/S。
[0068] 步驟S120 :在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層。
[0069] 空穴傳輸層由 N，N'_ 二苯基-N，N'_ 二（1-萘基）_1，Γ-聯(lián)苯-4,4'_ 二胺（NPB)、 4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、Ν, Ν' -二（3-甲 基苯基），州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺（了?0)或1，1-二[4-[乂以-二（?-甲苯基）氨 基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)形成。
[0070] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30?50納米。
[0071] 真空蒸鍍的真空度優(yōu)選為IX l〇_5Pa?IX l(T3Pa，蒸發(fā)速度為0.1人?2A/S。
[0072] 步驟S130 :在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層。
[0073] 發(fā)光層由發(fā)光客體材料摻雜于發(fā)光主體材料中形成。
[0074] 發(fā)光客體材料為三（2-苯基吡啶）合銥（Ir (ppy)3)、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶） 銥（Ir(ppy)2(acac))或三[2-(對甲苯基）批陡]合銥）（Ir(mppy) 3);發(fā)光主體材料為 4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)、9, 9' - (1，3-苯基）二-9H-咔唑（mCP)、4, 4' -二 (9-咔唑)聯(lián)苯（08?)、1^-二（3-甲基苯基)，州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺（了?0)、1，1-二 [4-[N，N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)或9, 10-雙（1-萘基）蒽（ADN)。
[0075] 優(yōu)選地，發(fā)光客體材料與發(fā)光主體材料的質(zhì)量比為2:100?10:100。
[0076] 優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為10?20納米。
[0077] 真空蒸鍍的真空度1 X 10_5Pa?1 X 10_3Pa，蒸發(fā)速度0J人?1A/S。
[0078] 步驟S140 :在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層。
[0079] 電子傳輸層由4,7-二苯基-1，10_菲羅啉（8?1^11)、4,7-二苯基-1，10-鄰菲羅 啉（BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)、8_羥基喹啉鋁（Alq 3)、 3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)或1，3, 5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)形成。
[0080] 優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為10?60納米。
[0081] 真空蒸鍍的真空度1 X 10_5Pa?1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度〇.1人?2人/S。
[0082] 步驟S150 :在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層。
[0083] 電子注入層包括主體材料及摻雜于主體材料中的第一客體材料及第二客體材料。
[0084] 主體材料為4,7-二苯基-1，10_菲羅啉（8?1^11)、4,7-二苯基-1，10-鄰菲羅 啉（BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)、8_羥基喹啉鋁（Alq 3)、 3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)或1，3, 5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)。
[0085] 第一客體材料為次亞磷酸鋰（Li3P02)、次亞磷酸鈉（Na 3P02)、次亞磷酸鉀（Κ3Ρ02)、 次亞磷酸銣（Rb 3P02)或次亞磷酸銫（Cs3P02)。
[0086] 第二客體材料為氟化鋰（LiF)、疊氮化鋰（LiN3)、氮化鋰（Li3N)、氟化銫（CsF)、疊 氮化銫（CsN 3)或氮化銫（Cs3N)。
[0087] 優(yōu)選地，第一客體材料與主體材料的質(zhì)量比為2:100?12:100。
[0088] 優(yōu)選地，第二客體材料與主體材料的質(zhì)量比為25:100?35:100。
[0089] 優(yōu)選地，電子注入層的厚度為15?45納米。
[0090] 真空蒸鍍的真空度1 X l〇_5Pa?1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度0.1人?2A/S。
[0091] 步驟S160 :在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0092] 陰極由金屬銀（Ag)、鋁（A1)或金（Au)形成。
[0093] 優(yōu)選地，陰極的厚度為50?200納米。
[0094] 真空蒸鍍的真空度1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度〇.1人?5人/S
[0095] 上述有機電致發(fā)光器件的制備方法采用真空蒸鍍在陽極上形成依次層疊的空穴 注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極得到有機電致發(fā)光器件，制備 工藝簡單，易于大規(guī)模制備。
[0096] 真空蒸鍍的真空度為1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa，制備空穴注入層及發(fā)光層的蒸發(fā)速 度為0.1人?1人/s，制備空穴傳輸層、電子傳輸層及電子注入層的蒸發(fā)速度為0.1人?2A/s， 制備陰極的蒸發(fā)速度為0.1人?5A/s,選用合適的真空度，并根據(jù)不同的物質(zhì)采用不同的蒸 發(fā)速度，有利于提高成膜質(zhì)量，從而得到性能穩(wěn)定的有機電致發(fā)光器件。
[0097] 尤其是，在真空度為lX10_5Pa?lXl(T3Pa下，以〇.1人?2A/S的蒸發(fā)速度蒸鍍 次亞磷酸鋰、次亞磷酸鈉、次亞磷酸鉀、次亞磷酸銣及次亞磷酸銫中的一種、氟化鋰、疊氮化 鋰、氮化鋰、氟化銫、疊氮化銫及氮化銫中的一種及4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、4, 7-二苯 基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián) 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑及1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并 咪唑-2-基）苯中的一種，形成致密、均勻的電子注入層，有利于提高有機電致發(fā)光器件的 發(fā)光效率。
[0098] 以下為具體實施例。
[0099] 實施例1
[0100] 結(jié)構為 IT0/Mo03:NPB/NPB/Ir(ppy)3:TCTA/Bphen/Li3P0 2:LiF:Bphen/Ag 的有機電 致發(fā)光器件的制備
[0101] (1)以銦錫氧化物玻璃作為陽極，表示為ΙΤ0。首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙 醇對陽極進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次，再用烘箱烘干， 得到潔凈、干燥的陽極。進一步采用紫外-臭氧（UV-ozone)對清洗干燥后的陽極進行表面 活化處理30分鐘；
[0102] (2)在經(jīng)過表面活化處理的陽極表面真空蒸鍍形成空穴注入層，真空度為 1 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S;空穴注入層由三氧化鑰摻雜于Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘 基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺中形成，表示為此03:即8;其中，11〇0 3占空穴注入層的質(zhì)量百 分數(shù)為30%，空穴注入層的厚度為12. 5納米；
[0103] (3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，真空度為IX l(T5Pa，蒸發(fā)速度 .11^;空穴傳輸層由1^-二苯基4州'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺形成，表 示為NPB ;空穴傳輸層的厚度為40納米；
[0104] (4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空度為IX l(T5Pa，蒸發(fā)速度〇.5人/S; 發(fā)光層由三（2-苯基吡啶）合銥摻雜于4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺中形成，表示為 Ir(ppy)3:TCTA ;其中，Ir(ppy)3與TCTA的質(zhì)量比為6:100 ;發(fā)光層的厚度為20納米；
[0105] (5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度1A/S;電 子傳輸層由4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉形成，表示為Bphen ;電子傳輸層的厚度為35納米；
[0106] (6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度 ΙΑ/S;電子注入層由次亞磷酸鋰和氟化鋰摻雜于4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉中形成，表示 為Li3P02:LiF:Bphen ;其中，Li3P02與Bphen的質(zhì)量比為10:100, LiF與Bphen的質(zhì)量比為 30:100 ;電子注入層的厚度為30納米；
[0107] (7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度3A/S;陰極 由金屬銀（Ag)形成，表示為Ag，陰極的厚度為125納米。
[0108] 依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰 極形成結(jié)構為 ITO/M〇03:NPB/NPB/Ir (ppy) 3: TCTA/Bphen/Li3P02: LiF:Bphen/Ag 的有機電致 發(fā)光器件。
[0109] 實施例2
[0110] 結(jié)構為 ITO/TO3:TCTA/TCTA/Ir(ppy)2(acac) :mCP/BCP/Na3P02:LiN3:BCP/Al 的有機 電致發(fā)光器件的制備
[0111] (1)以銦錫氧化物玻璃作為陽極，表示為ΙΤ0。首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙 醇對陽極進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次，再用烘箱烘干， 得到潔凈、干燥的陽極。進一步采用紫外-臭氧（UV-ozone)對清洗干燥后的陽極進行表面 活化處理50分鐘；
[0112] (2)在經(jīng)過表面活化處理的陽極表面真空蒸鍍形成空穴注入層，真空度為 5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度〇.lA/s;空穴注入層由三氧化鎢摻雜于4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三 苯胺中形成，表示為W03:TCTA ;其中，W03占空穴注入層的質(zhì)量百分數(shù)為25%，空穴注入層的 厚度為10納米；
[0113] (3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，真空度為5X l(T5Pa，蒸發(fā)速度 0.1A/S;空穴傳輸層由4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺形成，表示為TCTA ;空穴傳輸層的 厚度為30納米；
[0114] (4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度0.1人/s; 發(fā)光層由乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶)銥摻雜于9, 9' - (1，3-苯基）二-9H-咔唑中形成，表 示為Ir(ppy)2(acac) :mCP ;其中，Ir(ppy)2(acac)與mCP的質(zhì)量比為2:100 ;發(fā)光層的厚度 為10納米；
[0115] (5 )在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度〇. 1A/S; 電子傳輸層由4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉形成，表示為BCP ;電子傳輸層的厚度為10納 米；
[0116] (6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度 0.1 A/S;電子注入層由次亞磷酸鈉和疊氮化鋰摻雜于4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉中形 成，表示為Na3P02:LiN3:BCP ;其中，Na3P02與BCP的質(zhì)量比為12:100, LiN3與BCP的質(zhì)量比 為25:100 ;電子注入層的厚度為45納米；
[0117] (7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度0.1人/S溯 極由金屬鋁（A1)形成，表示為A1，陰極的厚度為50納米。
[0118] 依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰 極形成結(jié)構為 IT0/W03:TCTA/TCTA/Ir(ppy)2(acac) :mCP/BCP/Na3P02:LiN3:BCP/Al 的有機電 致發(fā)光器件。
[0119] 實施例3
[0120] 結(jié)構為 IT0/V205:CBP/CBP/Ir(mppy)3:CBP/BAlq/K 3P02:Li3N:BAlq/Au 的有機電致 發(fā)光器件的制備
[0121] (1)以銦錫氧化物玻璃作為陽極，表示為ΙΤ0。首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙 醇對陽極進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次，再用烘箱烘干， 得到潔凈、干燥的陽極。進一步采用紫外-臭氧（UV-ozone)對清洗干燥后的陽極進行表面 活化處理40分鐘；
[0122] (2)在經(jīng)過表面活化處理的陽極表面真空蒸鍍形成空穴注入層，真空度為 5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度1A/S;空穴注入層由五氧化二釩摻雜于4, 4' -二（9-咔唑)聯(lián)苯中形成， 表示為V205:CBP ;其中，V205占空穴注入層的質(zhì)量百分數(shù)為35%，空穴注入層的厚度為15納 米；
[0123] (3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，真空度為5X l(T5Pa，蒸發(fā)速度 2A/S;空穴傳輸層由4, 4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯形成，表示為CBP ;空穴傳輸層的厚度為50納 米；
[0124] (4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度1A/S; 發(fā)光層由三[2_(對甲苯基）吡啶]合銥摻雜于4, 4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯中形成，表示為 Ir(mppy)3:CBP ;其中，Ir(mppy)3與CBP的質(zhì)量比為10:100 ;發(fā)光層的厚度為30納米；
[0125] (5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度2人/S;電 子傳輸層由4-聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁形成，表示為BAlq;電子傳輸層 的厚度為60納米；
[0126] (6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空度為5X l(T5Pa，蒸發(fā)速度 2A/S;電子注入層由次亞磷酸鉀和氮化鋰摻雜于4-聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉） 合鋁中形成，表示為K 3P02:Li3N:BAlq ;其中，Κ3Ρ02與BAlq的質(zhì)量比為5:100, Li3N與BAlq 的質(zhì)量比為35:100 ;電子注入層的厚度為40納米；
[0127] (7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度5A/S;陰極 由金屬金（Au)形成，表示為Au，陰極的厚度為200納米。
[0128] 依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰 極形成結(jié)構為 IT0/V205:CBP/CBP/Ir (mppy)3:CBP/BAlq/K3P02:Li3N:BAlq/Au 的有機電致發(fā) 光器件。
[0129] 實施例4
[0130] 結(jié)構為 IT0/Re03:TPD/TPD/Ir(ppy)3:TPD/Alq3/Rb 3P02:CsF:Alq3/Ag 的有機電致發(fā) 光器件的制備
[0131] (1)以銦錫氧化物玻璃作為陽極，表示為ΙΤ0。首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙 醇對陽極進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次，再用烘箱烘干， 得到潔凈、干燥的陽極。進一步采用紫外-臭氧（UV-ozone)對清洗干燥后的陽極進行表面 活化處理30分鐘；
[0132] (2)在經(jīng)過表面活化處理的陽極表面真空蒸鍍形成空穴注入層，真空度 為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S;空穴注入層由三氧化錸摻雜于N，N'_二（3-甲基苯 基)-N，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺中形成，表示為Re03:Tro ;其中，Re03占空穴注入層的質(zhì) 量百分數(shù)為30%，空穴注入層的厚度為13納米；
[0133] (3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，真空度為5X l(T5Pa，蒸發(fā)速度 lA/s;空穴傳輸層由Ν，Ν' -二（3-甲基苯基）-N，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺形成，表示為 TPD ;空穴傳輸層的厚度為40納米；
[0134] (4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S; 發(fā)光層由三（2-苯基吡啶）合銥摻雜于N，Ν' -二（3-甲基苯基）-N，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯 二胺中形成，表示為Ir (ppy) 3: ΤΗ);其中，Ir (ppy) 3與--)的質(zhì)量比為5:100 ;發(fā)光層的厚度 為20納米；
[0135] (5 )在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度1A/S;電 子傳輸層由8-羥基喹啉鋁形成，表示為Alq3 ;電子傳輸層的厚度為30納米；
[0136] (6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā) 速度1A/S;電子注入層由次亞磷酸銣和氟化銫摻雜于8-羥基喹啉鋁中形成，表示為 Rb3P02:CsF:Alq3 ;其中，Rb3P02 與六1% 的質(zhì)量比為 2:100, Li20 與 Alq3 的質(zhì)量比為 30:100 ; 電子注入層的厚度為15納米；
[0137] (7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度2A/S;陰極 由金屬銀（Ag)形成，表示為Ag，陰極的厚度為100納米。
[0138] 依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰 極形成結(jié)構為 IT0/Re03: Tro/Tro/Ir (ppy) 3: TPD/Alq3/Rb3P02: CsF: Alq3/Ag 的有機電致發(fā)光 器件。
[0139] 實施例5
[0140] 結(jié)構為 ITO/M〇03:TAPC/TAPC/Ir(ppy)2(acac) :TAPC/TAZ/Cs3P02:CsN3:TAZ/A1 的有 機電致發(fā)光器件的制備
[0141] (1)以銦錫氧化物玻璃作為陽極，表示為ΙΤ0。首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙 醇對陽極進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次，再用烘箱烘干， 得到潔凈、干燥的陽極。進一步采用紫外-臭氧（UV-ozone)對清洗干燥后的陽極進行表面 活化處理30分鐘；
[0142] (2)在經(jīng)過表面活化處理的陽極表面真空蒸鍍形成空穴注入層，真空度為 5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2人/S;空穴注入層由三氧化鑰摻雜于1，1-二[4-[N，N'-二（p-甲 苯基）氣基]苯基]環(huán)己燒中形成，表不為M〇03:TAPC ;其中，M〇03占空穴注入層的質(zhì)量百 分數(shù)為25%，空穴注入層的厚度為10納米；
[0143] (3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，真空度為5X l(T5Pa，蒸發(fā)速度 1A/S;空穴傳輸層由1，1_二[4_[N，N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷形成，表示 為TAPC ;空穴傳輸層的厚度為40納米；
[0144] (4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S; 發(fā)光層由乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶)銥摻雜于1，1_二[4-[N，N'-二（p-甲苯基）氨基] 苯基]環(huán)己燒中形成，表示為Ir(ppy)2(acac):TAPC;其中，Ir(ppy)2(acac)與TAPC的質(zhì)量 比為20:100 ;發(fā)光層的厚度為7納米；
[0145] (5 )在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度lA/S;電 子傳輸層由3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑形成，表示為 TAZ ;電子傳輸層的厚度為50納米；
[0146] (6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空度為5X l(T5Pa，蒸發(fā)速度 lA/s;電子注入層由次亞磷酸銫和疊氮化銫摻雜于3-(聯(lián)苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯 基）-4-苯基-4H-1，2,4-三唑中形成，表示為Cs 3P02:CsN3:TAZ ;其中，Cs3P02與TAZ的質(zhì)量 比為10:100, CsN3與TAZ的質(zhì)量比為30:100 ;電子注入層的厚度為30納米；
[0147] (7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度2A/S;陰極 由金屬鋁（A1)形成，表示為A1，陰極的厚度為100納米。
[0148] 依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰 極形成結(jié)構為 ITO/M〇03:TAPC/TAPC/Ir(ppy)2(acac) :TAPC/TAZ/Cs3P02:CsN3:TAZ/A1 的有機 電致發(fā)光器件。
[0149] 實施例6
[0150] 結(jié)構為 IT0/W03:NPB/NPB/Ir(mppy)3:ADN/TPBI/Cs3P02:Cs 3N:TPBI/Ag 的有機電致 發(fā)光器件的制備
[0151] (1)以銦錫氧化物玻璃作為陽極，表示為ΙΤ0。首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙 醇對陽極進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次，再用烘箱烘干， 得到潔凈、干燥的陽極。進一步采用紫外-臭氧（UV-ozone)對清洗干燥后的陽極進行表面 活化處理30分鐘；
[0152] (2)在經(jīng)過表面活化處理的陽極表面真空蒸鍍形成空穴注入層，真空度為 1 X 10_3Pa，蒸發(fā)速度0.3人/S;空穴注入層由三氧化鎢摻雜于Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘 基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺中形成，表示為冊3:即8;其中，103占空穴注入層的質(zhì)量百分 數(shù)為30%，空穴注入層的厚度為12納米；
[0153] (3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，真空度為IX l(T3Pa，蒸發(fā)速度 lA/s;空穴傳輸層由Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺形成，表示 為ΝΡΒ ;空穴傳輸層的厚度為40納米；
[0154] (4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空度為lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S; 發(fā)光層由三[2_(對甲苯基）吡啶]合銥摻雜于9，10_雙（1-萘基）蒽中形成，表示為 Ir(mppy)3:ADN ;其中，Ir(mppy)3與ADN的質(zhì)量比為6:100 ;發(fā)光層的厚度為20納米；
[0155] (5 )在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空度為1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度1A/S;電 子傳輸層由1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯形成，表示為TPBI ;電子傳輸層 的厚度為30納米；
[0156] (6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空度為lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度 lA/s;電子注入層由次亞磷酸銫和氮化銫摻雜于1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯中形成，表示為Cs3P02:Cs 3N:TPBI ;其中，〇8丨02與了?81的質(zhì)量比為10:100,〇8#與了卩81 的質(zhì)量比為30:100 ;電子注入層的厚度為30納米；
[0157] (7 )在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，真空度為1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度2人/S;陰極 由金屬銀（Ag)形成，表示為Ag，陰極的厚度為100納米。
[0158] 依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰 極形成結(jié)構為 IT0/W03:NPB/NPB/Ir (mppy) 3:ADN/TPBI/Cs3P02 : Cs3N: TPBI/Ag 的有機電致發(fā) 光器件。
[0159] 對比例1
[0160] 結(jié)構為 ITO/M〇03:NPB/NPB/Ir (ppy)3:TCTA/Bphen/Cs3N:Bphen/Ag 的有機電致發(fā)光 器件的制備
[0161] (1)以銦錫氧化物玻璃作為陽極，表示為ΙΤ0。首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙 醇對陽極進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次，再用烘箱烘干， 得到潔凈、干燥的陽極。進一步采用紫外-臭氧（UV-ozone)對清洗干燥后的陽極進行表面 活化處理30分鐘；
[0162] (2)在經(jīng)過表面活化處理的陽極表面真空蒸鍍形成空穴注入層，真空度為 1 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S;空穴注入層由三氧化鑰摻雜于Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘 基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺中形成，表示為此03:即8;其中，11 〇03占空穴注入層的質(zhì)量百 分數(shù)為30%，空穴注入層的厚度為12. 5納米；
[0163] (3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，真空度為IX l(T5Pa，蒸發(fā)速度 lA/s;空穴傳輸層由N, Ν' -二苯基-N, Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺形成，表不 為ΝΡΒ ;空穴傳輸層的厚度為40納米；
[0164] (4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S; 發(fā)光層由三（2-苯基吡啶）合銥摻雜于4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺中形成，表示為 Ir(ppy)3:TCTA ;其中，Ir(ppy)3與TCTA的質(zhì)量比為6:100 ;發(fā)光層的厚度為20納米；
[0165] (5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空度為IX l(T5Pa，蒸發(fā)速度lA/s;電 子傳輸層由4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉形成，表示為Bphen ;電子傳輸層的厚度為35納米；
[0166] (6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度 lA/s;電子注入層由氮化銫摻雜于4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉中形成，表示為Cs3N:Bphen ; 其中，Cs3N與Bphen的質(zhì)量比為28:100 ;電子注入層的厚度為30納米；
[0167] (7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度3A/S;陰極 由金屬銀（Ag)形成，表示為Ag，陰極的厚度為100納米。
[0168] 依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰 極形成結(jié)構為 ITO/M〇03: NPB/NPB/Ir (ppy) 3: TCTA/Bphen/Cs3N: Bphen/Ag 的有機電致發(fā)光器 件。
[0169] 表1為實施例1?6及對比例1的有機電致發(fā)光器件在亮度為200. 0?1800. Ocd/ m2下的發(fā)光效率。
[0170] 圖3為實施例1?6及對比例1的有機電致發(fā)光器件在亮度為200. 0?1800. Ocd/ m2下的發(fā)光效率曲線。
[0171] 表1實施例1?6及對比例1的有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率
[0172]

【權利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層、電子注入層及陰極，其特征在于，所述電子注入層包括主體材料及摻雜于所述主 體材料中的第一客體材料及第二客體材料，所述主體材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、 4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁、8-羥基喹 啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑或1，3, 5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯；所述第一客體材料為次亞磷酸鋰、次亞磷酸鈉、次亞磷酸鉀、 次亞磷酸銣或次亞磷酸銫；所述第二客體材料為氟化鋰、疊氮化鋰、氮化鋰、氟化銫、疊氮化 銫或氮化銫。
2. 根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一客體材料與所述 主體材料的質(zhì)量比為2:100?12:100。
3. 根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二客體材料與所述 主體材料的質(zhì)量比為25:100?35:100。
4. 根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的厚度為 15?45納米。
5. 根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于， 所述空穴注入層由金屬氧化物摻雜于空穴傳輸材料中形成，所述金屬氧化物為三氧化 鑰、三氧化鎢、五氧化二釩或三氧化錸；所述空穴傳輸材料為Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑)聯(lián)苯、 1^-二（3-甲基苯基），州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺或1，1-二[4-[乂以-二&-甲 苯基）氣基]苯基]環(huán)己燒； 所述空穴傳輸層由Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二 胺、4, 4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4, 4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯、Ν，Ν'-二（3-甲基苯 基）-Ν，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺或1，1-二[4-[Ν，Ν'-二（ρ-甲苯基）氨基]苯基] 環(huán)己烷形成； 所述發(fā)光層由發(fā)光客體材料摻雜于發(fā)光主體材料中形成，所述發(fā)光客體材料為三 (2-苯基吡啶）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥或三[2-(對甲苯基）吡啶]合銥）； 所述發(fā)光主體材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺、9, 9' - (1，3-苯基）二-9Η-咔唑、 4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯、Ν，Ν' -二（3-甲基苯基）-Ν，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺、1，1-二 [4-[Ν, Ν'-二（ρ-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己燒及9, 10-雙（1-萘基）蒽中的一種中形 成； 所述電子傳輸層由4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯 酚基-二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯 基）-4-苯基-4Η-1，2, 4-三唑或1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯形成； 所述陰極由銀、鋁或金形成。
6. 根據(jù)權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于， 所述金屬氧化物占所述空穴注入層的質(zhì)量百分數(shù)為25%?35% ; 所述發(fā)光客體材料與所述發(fā)光主體材料的質(zhì)量比為2:100?10:100。
7. 根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的厚度為 10?15納米，所述空穴傳輸層的厚度為30?50納米，所述發(fā)光層的厚度為10?30納米， 所述電子傳輸層的厚度為10?60納米，所述陰極的厚度為50?200納米。
8. -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 提供陽極，在所述陽極上真空蒸鍍形成空穴注入層； 在所述空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層； 在所述空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層； 在所述發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層； 在所述電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，所述電子注入層包括主體材料及 摻雜于所述主體材料中的第一客體材料及第二客體材料，所述主體材料為4, 7-二苯 基-1，10-菲羅啉、4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二（2-甲基-8-羥基喹啉） 合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑或 1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯；所述第一客體材料為次亞磷酸鋰、次亞磷 酸鈉、次亞磷酸鉀、次亞磷酸銣或次亞磷酸銫；所述第二客體材料為氟化鋰、疊氮化鋰、氮化 鋰、氟化銫、疊氮化銫或氮化銫； 在所述電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
9. 根據(jù)權利要求8所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述真空蒸鍍 的的真空度為1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa。
10. 根據(jù)權利要求8所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在所述電子傳 輸層上真空蒸鍍形成電子注入層的步驟中，所述真空蒸鍍的蒸發(fā)速度為0.1人?2A/S。
【文檔編號】H01L51/54GK104051647SQ201310084230
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年3月15日 優(yōu)先權日:2013年3月15日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 馮小明 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司