有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極、發(fā)光層、陰極及封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽(yáng)極上，所述封裝蓋包括第一有機(jī)阻擋層、形成于所述第一有機(jī)阻擋層表面的第一無(wú)機(jī)阻擋層、形成于所述第一無(wú)機(jī)阻擋層表面的第二有機(jī)阻擋層及形成于所述第二有機(jī)阻擋層表面的第二無(wú)機(jī)阻擋層，第一有機(jī)阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化物、硼化物及硒化物，第二有機(jī)阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化物及硒化物。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長(zhǎng)。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專(zhuān)利說(shuō)明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制備一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層,發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光器件受到濕氣和潮氣侵蝕后，會(huì)引起有機(jī)電致發(fā)光器件內(nèi)部元件的材料發(fā)生老化進(jìn)而失效，從而所述有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較短。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種壽命較長(zhǎng)的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極、發(fā)光層及陰極，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽(yáng)極上，所述封裝蓋包括第一有機(jī)阻擋層、形成于所述第一有機(jī)阻擋層表面的第一無(wú)機(jī)阻擋層、形成于所述第一無(wú)機(jī)阻擋層表面的第二有機(jī)阻擋層及形成于所述第二有機(jī)阻擋層表面的第二無(wú)機(jī)阻擋層；
[0006]所述第一有機(jī)阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化物、硼化物及硒化物，所述第二有機(jī)阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化物及硒化物，所述空穴傳輸材料選自N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-Ν，Ν' - 二苯基-4,4' - 二胺、1，1-二((4-Ν，Ν, -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺及1，3-二(9Η-咔唑-9-基)苯中的至少一種，所述電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁及3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑中的至少一種，所述氮化物選自氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述硼化物選自硼化鋁、六硼化鑭、硼化釩、硼化鈮、二硼化鈦及硼化鑰中的至少一種，所述硒化物選自硒化鋪、硒化鑰、硒化秘、二硒化銀、二硒化鉭及硒化亞銅中的至少一種。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋的數(shù)量為2?4，2?4個(gè)封裝蓋依次層疊。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一有機(jī)阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第一無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為10nm?150nm ;所述第二有機(jī)阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第二無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為10nm?150nm。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一有機(jī)阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100?60:100 ;所述第一無(wú)機(jī)阻擋層中所述硼化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%，所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%?30% ;所述第二有機(jī)阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100?60:100 ;所述第二無(wú)機(jī)阻擋層中所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋與所述陽(yáng)極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。
[0011]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0012]在陽(yáng)極表面制備發(fā)光層；
[0013]在所述發(fā)光層表面制備陰極；及
[0014]在所述陰極表面制備封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽(yáng)極上，所述封裝蓋包括第一有機(jī)阻擋層、形成于所述第一有機(jī)阻擋層表面的第一無(wú)機(jī)阻擋層、形成于所述第一無(wú)機(jī)阻擋層表面的第二有機(jī)阻擋層及形成于所述第二有機(jī)阻擋層表面的第二無(wú)機(jī)阻擋層，所述第一有機(jī)阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化物、硼化物及硒化物，所述第二有機(jī)阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化物及硒化物，所述空穴傳輸材料選自N，N’- 二苯基-N，N’- 二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-Ν，Ν' - 二苯基-4,4' - 二胺、1，1-二((4-Ν，Ν, -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’’-三(咔唑_9_基)三苯胺及1，3-二(9Η-咔唑-9-基)苯中的至少一種，所述電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁及3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑中的至少一種，所述氮化物選自氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述硼化物選自硼化鋁、六硼化鑭、硼化釩、硼化鈮、二硼化鈦及硼化鑰中的至少一種，所述硒化物選自硒化鋪、硒化鑰、硒化秘、二硒化銀、二硒化鉭及硒化亞銅中的至少一種。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一有機(jī)阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100?60:100 ;所述第一無(wú)機(jī)阻擋層中所述硼化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%，所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%?30% ;所述第二有機(jī)阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100?60:100 ;所述第二無(wú)機(jī)阻擋層中所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋的數(shù)量為2?4，2?4個(gè)封裝蓋依次層疊。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一有機(jī)阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第一無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為10nm?150nm ;所述第二有機(jī)阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第二無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為10nm?150nm。
[0018]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋與所述陽(yáng)極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。
[0019]上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、第二無(wú)機(jī)阻擋層，四層配合可以有效的阻擋水氧的腐蝕，提高防水氧能力，從而有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長(zhǎng)。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光的制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0023]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的具有陽(yáng)極圖案的陽(yáng)極10、功能層20、陰極30及封裝蓋40。
[0024]陽(yáng)極10為導(dǎo)電玻璃或?qū)щ娪袡C(jī)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基板。陽(yáng)極10上具有制備有陽(yáng)極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm~150nm。
[0025]功能層20形成于基底10表面。功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層?？梢岳斫?，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層可以省略，此時(shí)功能層20僅包括發(fā)光層。
[0026]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基-1，1‘ -聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm。
[0027]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm。
[0028]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。
[0029]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為1nm0
[0030]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3)。CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。
[0031]需要說(shuō)明的是，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層也可以根據(jù)需要采用其他材料?？昭ㄗ⑷雽印⒖昭▊鬏攲印l(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的厚度也可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整。
[0032]陰極30形成于功能層20表面。陰極的厚度為lOOnm。陰極30的材料為鋁(Al)。
[0033]封裝蓋40形成于陰極30的表面。本實(shí)施方式中，封裝蓋40罩設(shè)于功能層20及陰極30，且封裝蓋40的邊緣與陽(yáng)極10固接，從而將功能層20及陰極30封裝在陽(yáng)極10上。封裝蓋40形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋40的表面凹陷的凹槽。封裝蓋40將功能層20及陰極30收容于收容腔。
[0034]封裝蓋40包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層41、第一無(wú)機(jī)阻擋層42、第二有機(jī)阻擋層43及第二無(wú)機(jī)阻擋層44。
[0035]第一有機(jī)阻擋層41形成于陰極30的表面，且覆蓋陰極30及功能層20的端面以及陽(yáng)極10的部分表面，從而將將功能層20及陰極30封裝在陽(yáng)極10上。
[0036]第一有機(jī)阻擋層41的材料包括空穴傳輸材料和電子傳輸材料?？昭▊鬏敳牧线x自 N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’_ 聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(ΝΡΒ)、1，1-二((4-Ν，Ν, -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4，4’，4’’_ 三(咔唑 _9_ 基)三苯胺(TCTA)及1，3-二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)中的至少一種。電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉(Bphen)、2, 9- 二甲基-4，7- 二苯基-1, 10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基_8_喹啉)_(4_苯基苯酚)鋁(Balq)及3- (4_聯(lián)苯基)_4苯基_5_叔丁基苯-1，2，4_三唑(TAZ)中的至少一種。第一有機(jī)阻擋層41的厚度為200nm~300nm。
[0037]進(jìn)一步的，第一有機(jī)阻擋層41中，空穴傳輸材料與電子傳輸材料的摩爾比為40:100 ~60:100。
[0038]第一無(wú)機(jī)阻擋層42形成于第一無(wú)機(jī)阻擋層41的表面。第一無(wú)機(jī)阻擋層42的材料包括氮化物、硼化物及硒化物。氮化物選自氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(AlN)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)及氮化鈦(TiN)中的至少一種。硼化物選自硼化鋁(A1B2)、六硼化鑭(LaB6)、硼化釩(VB2)、硼化鈮(NbB)、二硼化鈦(TiB2)及硼化鑰(MoB)中的至少一種。硒化物選自硒化銻(Sb2Se3)、硒化鑰(MoSe2)、硒化鉍(Bi2Se3)、二硒化鈮(NbSe2)、二硒化鉭(TaSe2)及硒化亞銅(Cu2Se )中的至少一種。第一無(wú)機(jī)阻擋層42的厚度為10nm~150nm。
[0039]進(jìn)一步的，第一無(wú)機(jī)阻擋層中，硼化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，其余為氮化物。
[0040]第二有機(jī)阻擋層43形成于第一無(wú)機(jī)阻擋層42的表面。第二有機(jī)阻擋層43的材料包括空穴傳輸材料和電子傳輸材料。空穴傳輸材料選自N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’_ 聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(ΝΡΒ)、
I,1-二((4-Ν，Ν, -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4, 4’，4’’-三(咔唑 _9_基)三苯胺(TCTA)及 1，3-二 (9H-咔唑-9-基)苯(mCP)中的至少一種。電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉(8?1^11)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基-8-喹啉)_ (4-苯基苯酚)鋁(Balq)及3-(4-聯(lián)苯基)_4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑(TAZ)中的至少一種。第二有機(jī)阻擋層43的厚度為200nm~300nmo
[0041]進(jìn)一步的，第二有機(jī)阻擋層43中，空穴傳輸材料與電子傳輸材料的摩爾比為40:100 ~60:100。
[0042]第二無(wú)機(jī)阻擋層44形成于第二有機(jī)阻擋層43的表面。第二無(wú)機(jī)阻擋層44的材料包括氮化物及硒化物。氮化物選自氮化硅(Si3N4X氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)及氮化鈦(TiN)中的至少一種。硒化物選自硒化鋪(Sb2Se3)、硒化鑰(MoSe2)、硒化鉍(Bi2Se3)、二硒化鈮(NbSe2)、二硒化鉭(TaSe2)及硒化亞銅(Cu2Se)中的至少一種。第二無(wú)機(jī)阻擋層44的厚度為10nm~150nm。
[0043]進(jìn)一步的，第二無(wú)機(jī)阻擋層44中硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，其余為氮化物。
[0044]優(yōu)選的，封裝蓋40的數(shù)量為2~4，2~4個(gè)封裝蓋40依次層疊。即2~4個(gè)封裝蓋40均罩設(shè)于功能層20及陰極30，且位于外側(cè)的封裝蓋40罩設(shè)于位于內(nèi)側(cè)的封裝蓋40上，從而多個(gè)封裝蓋40形成如下的層疊結(jié)構(gòu):第一有機(jī)阻擋層41/第一無(wú)機(jī)阻擋層42/第二有機(jī)阻擋層43/第二無(wú)機(jī)阻擋層44/./第一有機(jī)阻擋層41/第一無(wú)機(jī)阻擋層42/第二有機(jī)阻擋層43/第二無(wú)機(jī)阻擋層44。
[0045]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100中，封裝蓋40包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層41、第一無(wú)機(jī)阻擋層42、第二有機(jī)阻擋層43及第二無(wú)機(jī)阻擋層44，四層配合可以有效的阻擋水氧的腐蝕，封裝蓋40把功能層20及陰極30封裝在陽(yáng)極10上，可有效的提高防水氧能力，從而有機(jī)電致發(fā)光器件100的壽命較長(zhǎng)。
[0046]可以理解，封裝蓋40的收容腔可以省略，此時(shí)直接在陽(yáng)極10上設(shè)置收容腔即可。
[0047]請(qǐng)同時(shí)參閱圖2，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0048]步驟S110、在陽(yáng)極10上形成功能層20。
[0049]功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。
[0050]陽(yáng)極10可以為導(dǎo)電玻璃基底或?qū)щ娪袡C(jī)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基板。陽(yáng)極10具有制備有陽(yáng)極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm?150nm。
[0051]陽(yáng)極10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽(yáng)極10表面的含氧量以提高陽(yáng)極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽(yáng)極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0052]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s。
[0053]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為30nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa,蒸發(fā)速度為0.1A/S。
[0054]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為0.2A/S。
[0055]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為1nm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_%，蒸發(fā)速度為0.認(rèn)1
[0056]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%,蒸發(fā)速度為0.2人/5。
[0057]需要說(shuō)明的是，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層也可以根據(jù)需要采用其他材料?？昭ㄗ⑷雽印⒖昭▊鬏攲?、電子傳輸層、電子注入層可以省略，此時(shí)功能層20僅包括發(fā)光層。
[0058]步驟S120、在功能層20表面形成陰極30。
[0059]陰極30的材料為鋁(Al)。陰極30的厚度為lOOnm。陰極30由真空蒸鍍形成，真空度為5 X 1-5Pa,蒸發(fā)速度為H
[0060]步驟S130、在陰極30表面制備封裝蓋40。
[0061]封裝蓋40形成于陰極30的表面。本實(shí)施方式中，封裝蓋40罩設(shè)于功能層20及陰極30，且封裝蓋40的邊緣與陽(yáng)極10固接，從而將功能層20及陰極30封裝在陽(yáng)極10上。封裝蓋40形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋40的表面凹陷的凹槽。封裝蓋40將功能層20及陰極30收容于收容腔。
[0062]封裝蓋40包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層41、第一無(wú)機(jī)阻擋層42、第二有機(jī)阻擋層43及第二無(wú)機(jī)阻擋層44。
[0063]第一有機(jī)阻擋層41形成于陰極30的表面，且覆蓋陰極30及功能層20的端面以及陽(yáng)極10的部分表面，從而將將功能層20及陰極30封裝在陽(yáng)極10上。
[0064]第一有機(jī)阻擋層41的材料包括空穴傳輸材料和電子傳輸材料?？昭▊鬏敳牧线x自 N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’_ 聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺 (ΝΡΒ)、1，1-二((4-Ν，Ν, -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4，4’，4’’_ 三(咔唑 _9_ 基)三苯胺(TCTA)及1，3-二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)中的至少一種。電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉(Bphen)、2, 9- 二甲基-4，7- 二苯基-1, 10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基_8_喹啉)_(4_苯基苯酚)鋁(Balq)及3-(4-聯(lián)苯基)_4苯基_5_叔丁基苯-1，2，4_三唑(TAZ)中的至少一種。第一有機(jī)阻擋層41的厚度為200nm~300nm。
[0065]進(jìn)一步的，第一有機(jī)阻擋層41中，空穴傳輸材料與電子傳輸材料的摩爾比為40:100 ~60:100。
[0066]第一有機(jī)阻擋層41由真空蒸鍍形成，真空度為I X 1-5Pa~I X 10?,電子傳輸材料的蒸發(fā)速度0.5A~5 A/s。
[0067]第一無(wú)機(jī)阻擋層42形成于第一無(wú)機(jī)阻擋層41的表面。第一無(wú)機(jī)阻擋層42的材料包括氮化物、硼化物及硒化物。氮化物選自氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(AlN)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)及氮化鈦(TiN)中的至少一種。硼化物選自硼化鋁(A1B2)、六硼化鑭(LaB6)、硼化釩(VB2)、硼化鈮(NbB)、二硼化鈦(TiB2)及硼化鑰(MoB)中的至少一種。硒化物選自硒化銻(Sb2Se3)、硒化鑰(MoSe2)、硒化鉍(Bi2Se3)、二硒化鈮(NbSe2)、二硒化鉭(TaSe2)及硒化亞銅(Cu2Se)中的至少一種。第一無(wú)機(jī)阻擋層42的厚度為10nm~150nm。
[0068]進(jìn)一步的，第一無(wú)機(jī)阻擋層中，硼化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，其余為氮化物。
[0069]第一無(wú)機(jī)阻擋層42由磁控濺射制備，本底真空度為I X KT5Pa~I X 10_3Pa。
[0070]第二有機(jī)阻擋層43形成于第一無(wú)機(jī)阻擋層42的表面。第二有機(jī)阻擋層43的材料包括空穴傳輸材料和電子傳輸材料。空穴傳輸材料選自N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’_ 聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(ΝΡΒ)、
I,1-二((4-Ν，Ν, -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4, 4’，4’’-三(咔唑 _9_基)三苯胺(TCTA)及 1，3-二 (9H-咔唑-9-基)苯(mCP)中的至少一種。電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉(8?1^11)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基-8-喹啉)_ (4-苯基苯酚)鋁(Balq)及3-(4-聯(lián)苯基)_4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑(TAZ)中的至少一種。第二有機(jī)阻擋層43的厚度為200nm~300nmo
[0071]進(jìn)一步的，第二有機(jī)阻擋層43中，空穴傳輸材料與電子傳輸材料的摩爾比為40:100 ~60:100。
[0072]第二有機(jī)阻擋層43由真空蒸鍍形成，真空度為I X 1-5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度
0.5 A~5 A/s?
[0073]第二無(wú)機(jī)阻擋層44形成于第二有機(jī)阻擋層43的表面。第二無(wú)機(jī)阻擋層44的材料包括氮化物及硒化物。氮化物選自氮化硅(Si3N4X氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)及氮化鈦(TiN)中的至少一種。硒化物選自硒化鋪(Sb2Se3)、硒化鑰(MoSe2)、硒化鉍(Bi2Se3)、二硒化鈮(NbSe2)、二硒化鉭(TaSe2)及硒化亞銅(Cu2Se)中的至少一種。第二無(wú)機(jī)阻擋層44的厚度為10nm~150nm。
[0074]第二無(wú)機(jī)阻擋層44由磁控濺射制備，本底真空度為I X KT5Pa~I X 10_3Pa。
[0075]進(jìn)一步的，第二無(wú)機(jī)阻擋層44中硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，其余為氮化物。
[0076]優(yōu)選的，封裝蓋40的數(shù)量為2~4，2~4個(gè)封裝蓋40依次層疊。即2~4個(gè)封裝蓋40均罩設(shè)于功能層20及陰極30，且位于外側(cè)的封裝蓋40罩設(shè)于位于內(nèi)側(cè)的封裝蓋40上，從而多個(gè)封裝蓋40形成如下的層疊結(jié)構(gòu):第一有機(jī)阻擋層41/第一無(wú)機(jī)阻擋層42/第二有機(jī)阻擋層43/第二無(wú)機(jī)阻擋層44/./第一有機(jī)阻擋層41/第一無(wú)機(jī)阻擋層42/第二有機(jī)阻擋層43/第二無(wú)機(jī)阻擋層44。
[0077]封裝蓋40形成于陰極30的表面。本實(shí)施方式中，封裝蓋40罩設(shè)于功能層20及陰極30，且封裝蓋40的邊緣與陽(yáng)極10固接，從而將功能層20及陰極30封裝在陽(yáng)極10上。封裝蓋40形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋40的表面凹陷的凹槽。封裝蓋40將功能層20及陰極30收容于收容腔。
[0078]可以理解，封裝蓋40的收容腔可以省略，此時(shí)直接在陽(yáng)極10上設(shè)置收容腔即可。
[0079]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，制備工藝簡(jiǎn)單，容易大批量制備。
[0080]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0081]實(shí)施例1
[0082]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件；其中，斜桿“/”表示層狀結(jié)構(gòu)，冒號(hào)“:”表示摻雜，下同。
[0083]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0084]1、在陽(yáng)極上形成功能層。
[0085]陽(yáng)極10為導(dǎo)電玻璃。陽(yáng)極10具有制備有陽(yáng)極圖形的ITO層。ITO層的厚度為150nmo
[0086]陽(yáng)極10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽(yáng)極10表面的含氧量以提高陽(yáng)極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽(yáng)極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0087]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%。空穴注入層的厚度為10nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s。
[0088]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為30nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_中&，蒸發(fā)速度為0.1八S
[0089]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。客體材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%,蒸發(fā)速度為0.2人/3。
[0090]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為1nm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X KT5Pa,蒸發(fā)速度為0JA/S。
[0091]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%,蒸發(fā)速度為0.2人/5。
[0092]2、在功能層表面形成陰極。
[0093]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3 X KT5Pa,蒸發(fā)速度為5A/S。
[0094]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0095]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽(yáng)極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽(yáng)極上。
[0096]封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層。
[0097]第一有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括TH)及Bphen，TPD與Bphen的摩爾比為55: 100，真空度I X 10_5Pa，Bphen的蒸發(fā)速度5 A /S，厚度300nm ；
[0098]第一無(wú)機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括Si3N4、AlB2及Sb2Se3,本底真空度I X 1-5Pa, AlB2的摻雜濃度為15wt%，Sb2Se3的摻雜濃度為21wt%，其余為Si3N4,厚度150nm ；
[0099]第二有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括TH)及Bphen，TPD與Bphen的摩爾比為55:100，真空度I X10_5Pa，Bphen的蒸發(fā)速度5 ▲/S，厚度300nm ；
[0100]第二無(wú)機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括Si3N4及Sb2Se3,本底真空度IX l(T5Pa，Sb2Se3的摻雜濃度為30wt%，其余為Si3N4，厚度150nm ；
[0101]封裝蓋的數(shù)量為4，4個(gè)封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(TH):Bphen/Si3N4:AlB2:Sb2Se3APD:Bphen/Si3N4 =Sb2Se3)4，其中，“/”表示層與層之間的分隔，冒號(hào)表示至少兩種材料摻雜或混合，下同。
[0102]實(shí)施例2
[0103]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0104]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0105]1、在陽(yáng)極上形成功能層。
[0106]陽(yáng)極10為導(dǎo)電玻璃。陽(yáng)極10具有制備有陽(yáng)極圖形的ITO層。ITO層的厚度為120nmo
[0107]陽(yáng)極10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽(yáng)極10表面的含氧量以提高陽(yáng)極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽(yáng)極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0108]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s
[0109]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為0.1 A/S.
[0110]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_%，蒸發(fā)速度為0.21奴
[0111]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_午&，蒸發(fā)速度為0.1人/8--
[0112]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10?,蒸發(fā)速度為0.2A/se
[0113]2、在功能層表面形成陰極。
[0114]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為以10_%，蒸發(fā)速度為5人/5<>
[0115]3、在陰極表面蒸鍍保護(hù)層。
[0116]保護(hù)層的材料為NPB。保護(hù)層40的厚度為300nm。保護(hù)層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為5A/S。
[0117]4、在保護(hù)層表面制備封裝蓋。
[0118]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽(yáng)極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽(yáng)極上。
[0119]封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層。
[0120]第一有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括NPB及BCP，NPB與BCP的摩爾比為50:100，真空度5X10_5Pa，BCP的蒸發(fā)速度2 A/s,厚度250nm ；
[0121]第一無(wú)機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括AIN、LaB6及MoSe2，本底真空度IX l(T5Pa，LaB6的摻雜濃度為20wt%，MoSe2的摻雜濃度為10wt%，其余為A1N，厚度10nm ；
[0122]第二有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括NPB及BCP，NPB與BCP的摩爾比為50:100，真空度5 X 10_5Pa，BCP的蒸發(fā)速度2A/S,厚度250nm ；
[0123] 第二無(wú)機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括MoSe2及A1N，本底真空度I X 10_5Pa，MoSe2的摻雜濃度為20wt%，其余為A1N，厚度120nm ；
[0124]封裝蓋的數(shù)量為3，3個(gè)封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(NPB:BCP/A1N =LaB6:MoSe2/NPB:BCP/A1N =MoSe2) 3
[0125]實(shí)施例3
[0126]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0127]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0128]1、在陽(yáng)極上形成功能層。
[0129]陽(yáng)極10為導(dǎo)電玻璃。陽(yáng)極10具有制備有陽(yáng)極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm0
[0130]陽(yáng)極10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽(yáng)極10表面的含氧量以提高陽(yáng)極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽(yáng)極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0131]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm 。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.lA/s,
[0132]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為30nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_中&，蒸發(fā)速度為0.11^<>
[0133]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S。
[0134]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為1nm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為0.1 A/S。
[0135]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為 0.2A/S.
[0136]2、在功能層表面形成陰極。
[0137]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為5A/S。
[0138]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0139]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽(yáng)極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽(yáng)極上。
[0140]封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層。
[0141]第一有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括TAPC及TPBi，TAPC與TPBi的摩爾比為50:100，真空度5X 10_5Pa，TPBi的蒸發(fā)速度0.5A /S，厚度200nm ；
[0142]第一無(wú)機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括BN、VB2及Bi2Se3,本底真空度IX l(T5Pa，VB2的摻雜濃度為15wt%，Bi2Se3的摻雜濃度為15wt%，其余為BN，厚度120nm ；
[0143]第二有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括TAPC及TPBi，TAPC與TPBi的摩爾比為50:100，真空度5 X10_5Pa，TPBi的蒸發(fā)速度0.5A/S，厚度200nm ；
[0144]第二無(wú)機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括Bi2Se3及BN，本底真空度I X 10_4Pa，Bi2Se3的摻雜濃度為10wt%，其余為BN，厚度120nm ；
[0145]封裝蓋的數(shù)量為3，3個(gè)封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(TAPC =TPBi/BN =VB2:Bi2Se3/TAPC:TPBi/BN =Bi2Se3) 3
[0146]實(shí)施例4
[0147]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0148]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0149]1、在陽(yáng)極上形成功能層。
[0150]陽(yáng)極10為導(dǎo)電玻璃。陽(yáng)極10具有制備有陽(yáng)極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm0
[0151]陽(yáng)極10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽(yáng)極10表面的含氧量以提高陽(yáng)極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽(yáng)極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0152]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s?
[0153]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹? X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為0.1A/S。
[0154]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-^,蒸發(fā)速度為0.2人/5。
[0155]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為1nm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_%，蒸發(fā)速度為0.丨^^
[0156]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%,蒸發(fā)速度為0.2人/5?
[0157]2、在功能層表面形成陰極。
[0158]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為5 A/S。
[0159]3、在陰極表面蒸鍍保護(hù)層。
[0160]保護(hù)層的材料為S1。保護(hù)層40的厚度為200nm。保護(hù)層由真空蒸鍍形成，真空度為5 X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5Α/S。
[0161]4、在保護(hù)層表面制備封裝蓋。
[0162]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽(yáng)極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽(yáng)極上。
[0163]封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層。
[0164]第一有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括MADN及Alq3，MADN與Alq3的摩爾比為60:100，真空度5X10_5Pa，Alq3的蒸發(fā)速度2人/S，.厚度250nm ；
[0165]第一無(wú)機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括HfN、NbB及NbSe2，本底真空度5 X 1^5Pa, NbB摻雜濃度為10wt%，NbSe2摻雜濃度為30wt%，其余為HfN，厚度140nm ；
[0166]第二有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括MADN及Alq3，MADN與Alq3的摩爾比為60:100，真空度5X10_5Pa，Alq3的蒸發(fā)速度2 A/s,厚度250nm ；
[0167]第二無(wú)機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括NbSe2及HfN，本底真空度I X 10_4Pa，NbSe2的摻雜濃度為14wt%，其余為HfN，厚度10nm ；
[0168]封裝蓋的數(shù)量為3，3個(gè)封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(MADN:Alq3/HfN =NbB:NbSe2/MADN:Alq3/HfN =NbSe2) 3
[0169]實(shí)施例5
[0170]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0171]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0172]1、在陽(yáng)極上形成功能層。
[0173]陽(yáng)極10為導(dǎo)電玻璃。陽(yáng)極10具有制備有陽(yáng)極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm0
[0174]陽(yáng)極10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽(yáng)極10表面的含氧量以提高陽(yáng)極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽(yáng)極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0175]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.lA/so
[0176]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為30nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_中&，蒸發(fā)速度為0.1人/8?>
[0177]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。客體材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%,蒸發(fā)速度為0.2人/3。
[0178]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_^，蒸發(fā)速度為0.1^^
[0179]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為0.2人1
[0180]2、在功能層表面形成陰極。
[0181]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發(fā)速度為5贏/§4
[0182]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0183]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽(yáng)極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽(yáng)極上。
[0184]封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層。
[0185]第一有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括TCTA及Balq，TCTA與Balq的摩爾比為50:100，真空度5X10_5Pa，Balq的蒸發(fā)速度I A.S,厚度250nm;
[0186]第一無(wú)機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括TaN、TiB2及TaSe2，本底真空度5 X l(T5Pa，TiB2的摻雜濃度為30wt%，TaSe2的摻雜濃度為20wt%，其余為T(mén)aN，厚度130nm ；
[0187]第二有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括TCTA及Balq，TCTA與Balq的摩爾比為50: 100，真空度I X 10_5Pa，真空度5 X 10_5Pa，Balq的蒸發(fā)速度I A /S，厚度250nm ；
[0188]第二無(wú)機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括TaSe2及TaN，本底真空度I X 10_4Pa，TaSe2的摻雜濃度為15wt%，其余為T(mén)aN，厚度IlOnm ；
[0189]封裝蓋的數(shù)量為3，3個(gè)封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(TCTA:Balq/TaN =TiB2:TaSe2/TCTA:Balq/TaSe2:TaN)3
[0190]實(shí)施例6
[0191]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0192]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0193]1、在陽(yáng)極上形成功能層。
[0194]陽(yáng)極10為導(dǎo)電玻璃。陽(yáng)極10具有制備有陽(yáng)極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm0
[0195]陽(yáng)極10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽(yáng)極10表面的含氧量以提高陽(yáng)極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽(yáng)極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈桑鞠浜娓伞?br> [0196]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s。
[0197]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.!As
[0198]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。客體材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_%，蒸發(fā)速度為0.2人1
[0199]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為1nm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X KT5Pa,蒸發(fā)速度為OJA/S。
[0200]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%,蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0201]2、在功能層表面形成陰極。
[0202]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為5A/S。
[0203]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0204]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽(yáng)極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽(yáng)極上。
[0205]封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層。
[0206]第一有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括mCP及TAZ，mCP與TAZ的摩爾比為40:100，真空度I X10_3Pa，TAZ的蒸發(fā)速度2 A/s,厚度250nm ；
[0207]第一無(wú)機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括TiN、MoB及Cu2Se，本底真空度I X 10?, MoB的摻雜濃度為20wt%，Cu2Se的摻雜濃度為25wt%，其余為T(mén)iN，厚度120nm ；
[0208]第二有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括mCP及TAZ，mCP與TAZ的摩爾比為40:100，真空度lX10_3Pa，TAZ的蒸發(fā)速度2 A/S，厚度250nm ；
[0209]第二無(wú)機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括Cu2Se及TiN，本底真空度I X 10?,Cu2Se的摻雜濃度為15wt%，其余為T(mén)iN，厚度130nm ；
[0210]封裝蓋的數(shù)量為2，2個(gè)封裝蓋依次層疊。2個(gè)封裝蓋依次層疊的結(jié)構(gòu)為(mCP =TAZ/TiN:MoB:Cu2Se/mCP:TAZ/Cu2Se:TiN)2
[0211]對(duì)比例
[0212]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0213]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0214]1、在陽(yáng)極上形成功能層。
[0215]陽(yáng)極10為導(dǎo)電玻璃。陽(yáng)極10具有制備有陽(yáng)極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm0
[0216]陽(yáng)極10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽(yáng)極10表面的含氧量以提高陽(yáng)極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽(yáng)極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0217]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基-1,1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/So
[0218]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為30nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹? X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.丨Λ S。
[0219]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(ΤΡΒΙ)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2H
[0220]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為1nm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_%，蒸發(fā)速度為0.1人奴
[0221]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為0.2產(chǎn)/§6
[0222]2、在功能層表面形成陰極。
[0223]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3 X KT5Pa,蒸發(fā)速度為5A/S。
[0224]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0225]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽(yáng)極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽(yáng)極上。
[0226]封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層。
[0227]第一有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為T(mén)PD，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度5 A /S，厚度 300nm ；
[0228]第一無(wú)機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料為Sb2Se3，本底真空度lX10_5Pa，厚度150nm ；
[0229]第二有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為T(mén)PD，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度5 A/S，厚度 300nm ；
[0230]第二無(wú)機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料為Sb2Se3，本底真空度lX10_5Pa，厚度150nm ；
[0231]封裝蓋的數(shù)量為4，4個(gè)封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(TPD/Sb2Se3/Tro/
SbgSeg) 4 O
[0232]本發(fā)明實(shí)施例及對(duì)比例所用到的制備與測(cè)試儀器為:高真空鍍膜設(shè)備(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司，壓強(qiáng)〈IX 10-3Pa)、磁控濺射設(shè)備(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司)、電流-電壓測(cè)試儀(美國(guó)Keithly公司，型號(hào):2400)、色彩亮度計(jì)(柯尼卡美能達(dá)，型號(hào):CS-100A)。
[0233]請(qǐng)參閱表1，表1所示為實(shí)施例1~實(shí)施例6及對(duì)比例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水氣穿透率(Water Vapor Transmiss1n Rate)的測(cè)試結(jié)果。從表1中可以看出實(shí)施例1~實(shí)施例6制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水氣穿透率均小于4.2X 10_4g/m2/day，遠(yuǎn)小于對(duì)比例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水氣穿透率(5.5 X 10-3g/m2/day )防水效果較好，可以有效減少外部水氣對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
[0234]表1
[0235]

【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極、發(fā)光層及陰極，其特征在于:所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽(yáng)極上，所述封裝蓋包括第一有機(jī)阻擋層、形成于所述第一有機(jī)阻擋層表面的第一無(wú)機(jī)阻擋層、形成于所述第一無(wú)機(jī)阻擋層表面的第二有機(jī)阻擋層及形成于所述第二有機(jī)阻擋層表面的第二無(wú)機(jī)阻擋層； 所述第一有機(jī)阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化物、硼化物及硒化物，所述第二有機(jī)阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化物及硒化物，所述空穴傳輸材料選自N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺、N，N' -二( α -萘基)-N，N' -二苯基-4，4' - 二胺、1，1-二((4-Ν，Ν, -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺及1，3- 二(9Η-咔唑-9-基)苯中的至少一種，所述電子傳輸材料選自4，7- 二苯基鄰菲羅啉、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁及3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑中的至少一種，所述氮化物選自氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述硼化物選自硼化鋁、六硼化鑭、硼化釩、硼化鈮、二硼化鈦及硼化鑰中的至少一種，所述硒化物選自硒化鋪、硒化鑰、硒化秘、二硒化銀、二硒化鉭及硒化亞銅中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋的數(shù)量為2~4，2~4個(gè)封裝蓋依次層疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述第一無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為10nm~150nm ;所述第二有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述第二無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為10nm~150nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機(jī)阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100 ;所述第一無(wú)機(jī)阻擋層中所述硼化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30% ；所述第二有機(jī)阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100 ;所述第二無(wú)機(jī)阻擋層中所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋與所述陽(yáng)極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在陽(yáng)極表面制備發(fā)光層； 在所述發(fā)光層表面制備陰極；及 在所述陰極表面制備封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽(yáng)極上，所述封裝蓋包括第一有機(jī)阻擋層、形成于所述第一有機(jī)阻擋層表面的第一無(wú)機(jī)阻擋層、形成于所述第一無(wú)機(jī)阻擋層表面的第二有機(jī)阻擋層及形成于所述第二有機(jī)阻擋層表面的第二無(wú)機(jī)阻擋層，所述第一有機(jī)阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化物、硼化物及硒化物，所述第二有機(jī)阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化物及硒化物，所述空穴傳輸材料選自N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4,4' - 二胺、1，1-二((4-N，N, -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’’-三(咔唑_9_基)三苯胺及1，3-二(9H-咔唑-9-基)苯中的至少一種，所述電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁及3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑中的至少一種，所述氮化物選自氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述硼化物選自硼化鋁、六硼化鑭、硼化釩、硼化鈮、二硼化鈦及硼化鑰中的至少一種，所述硒化物選自硒化鋪、硒化鑰、硒化秘、二硒化銀、二硒化鉭及硒化亞銅中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一有機(jī)阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100 ;所述第一無(wú)機(jī)阻擋層中所述硼化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%;所述第二有機(jī)阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100 ;所述第二無(wú)機(jī)阻擋層中所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述封裝蓋的數(shù)量為2~4，2~4個(gè)封裝蓋依次層疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述第一有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述第一無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為10nm~150nm ;所述第二有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述第二無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為10nm~150nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述封裝蓋與所述陽(yáng)極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104078579SQ201310110251
【公開(kāi)日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 馮小明 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司