專利名稱：發(fā)光設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例涉及一種發(fā)光設(shè)備。
背景技術(shù)：
由于其物理和化學(xué)特性，已經(jīng)廣泛使用II1-V族氮化物半導(dǎo)體作為用于諸如發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD)等的發(fā)光裝置的主要材料。通常，II1-V族氮化物半導(dǎo)體包括具有InxAlyGanyN (O彡x彡1，0彡y彡1，以及O彡x+y彡I)的復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體材料。LED是通過利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號轉(zhuǎn)換為紅外線或者光來發(fā)送或接收信號的半導(dǎo)體器件。LED還用作光源。

使用氮化物半導(dǎo)體材料的LED主要用于發(fā)光裝置以提供光。例如，使用氮化物半導(dǎo)體材料的LED被作為用于諸如蜂窩電話的鍵區(qū)發(fā)光部分、電子標(biāo)識牌以及發(fā)光裝置等的各種產(chǎn)品的光源來使用。通過以各種形狀加工透鏡或包封構(gòu)件來將這樣的LED布置在發(fā)光設(shè)備上，以調(diào)節(jié)從發(fā)光裝置發(fā)出的光的分布特性。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提供一種具有新穎結(jié)構(gòu)的發(fā)光設(shè)備。實(shí)施例提供一種包括結(jié)構(gòu)新穎的透鏡的發(fā)光設(shè)備。實(shí)施例提供一種具有寬取向角的發(fā)光設(shè)備。本發(fā)明提供了一種發(fā)光設(shè)備，包括:襯底；位于所述襯底上的發(fā)光裝置組件；以及透鏡，所述透鏡由所述襯底支撐在所述發(fā)光裝置組件上方并且包括反射結(jié)構(gòu)，其中，所述透鏡包括具有第一凹部的透鏡本體，并且其中，所述反射結(jié)構(gòu)被布置在所述發(fā)光裝置組件上方并且反射從所述發(fā)光裝置組件發(fā)出的光，使得所述光被從所述反射結(jié)構(gòu)反射并且沿所述透鏡的側(cè)向方向行進(jìn)。根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備可以包括:組件本體；第一電極和第二電極；發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置電連接到第一電極和第二電極，并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層，該有源層位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；以及透鏡，該透鏡被支撐在組件本體上，并且該透鏡的至少一部分包括反射結(jié)構(gòu)，其中，所述組件本體包括第一空腔，第一電極和第二電極的一端暴露于第一空腔中，且第一電極和第二電極的另一端在組件本體的橫向側(cè)暴露，并且，在第一電極的暴露于第一空腔中的預(yù)定部分處形成有第
二空腔。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備可以包括:襯底；位于該襯底上的發(fā)光裝置組件；以及透鏡，該透鏡由襯底支撐在發(fā)光裝置組件上方并且包括反射結(jié)構(gòu)，其中，該透鏡包括透鏡本體和透鏡支撐件，該透鏡本體具有第一凹部，該透鏡支撐件支撐所述透鏡本體使得透鏡本體與所述襯底隔開。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備可以包括:襯底；發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置位于襯底上，并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層，該有源層位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；包封物，該包封物位于所述襯底和發(fā)光裝置上，以包圍該發(fā)光裝置；以及透鏡，該透鏡由襯底支撐在發(fā)光裝置上方并且包括反射結(jié)構(gòu)。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光裝置可以包括:襯底；發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置位于襯底上，并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層，該有源層位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；包封物，該包封物位于所述襯底和發(fā)光裝置上，以包圍該發(fā)光裝置；透鏡，該透鏡由襯底支撐在發(fā)光裝置上方并且包括凹部；以及冷光材料，該冷光材料形成在透鏡和/或包封物中的至少一個上，以吸收從發(fā)光裝置發(fā)出的光從而將該光轉(zhuǎn)換為另一類型的光，其中，所述冷光材料包括第一冷光材料和第二冷光材料，該第一冷光材料和第二冷光材料通過吸收從發(fā)光裝置發(fā)出的光而發(fā)出具有不同頻帶的光，并且第一冷光材料的比例高于第二冷光材料的比例。


圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的透視圖；圖2是示出根據(jù)第一 實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的截面透視圖；圖3是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的截面透視圖；圖4是示出在根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備中使用的透鏡的另一示例的截面透視圖；圖5是示出圖1和圖2所示的、根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的光分布的視圖；圖6是示出圖3所示的、根據(jù)第一實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備的光分布的視圖；圖7至圖13是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的各種示例的截面圖；圖14是示出在根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備中使用的發(fā)光裝置的截面圖；圖15是示出在根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備中使用的發(fā)光器件的另一示例的截面圖；圖16和圖17是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的視圖；圖18是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖；圖19是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又一示例的視圖；圖20是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又一示例的視圖；圖21是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又一示例的視圖22是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又一示例的視圖；圖23是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又一示例的視圖；圖24是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又一示例的視圖；圖25是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又一示例的視圖；圖26是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又一示例的視圖；圖27是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又一示例的視圖；圖28是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又一示例的視圖；圖29是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又一示例的視圖；圖30和圖31是用于說明根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的光分布特性的視圖。
具體實(shí)施例方式在以下實(shí)施例的描述中，應(yīng)理解的是，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱為在另一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一墊或另一圖案“上”或“下”時，它可以“直接”或“間接”位于另一襯底、層(或膜)、區(qū)域、墊或圖案上，或者也可以存在有一個或多個中間層。已經(jīng)參考附圖描述了層的這種位置。為了方便或清楚起 見，附圖所示的每一層的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性繪出。另外，元件的尺寸并不完全反映實(shí)際尺寸。在下文中，將參考附圖來詳細(xì)描述根據(jù)所述實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備。第一實(shí)施例圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的透視圖，并且圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的截面透視圖。參考圖1和圖2,根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以及透鏡30。能夠通過使用適于注入成型的聚合物樹脂來形成組件本體21。例如，該聚合物樹脂包括PPA (聚鄰苯二甲酰胺)或LCP (液晶聚合物)。用于組件本體21的材料可以不限于聚合物樹脂，而是諸如硅酮等的各種樹脂材料均能用于組件本體21。另外，組件本體21可以包括陶瓷材料。根據(jù)該實(shí)施例，組件本體21具有大致矩形六面體結(jié)構(gòu)，在其上部形成有第一空腔28。第一電極26與第二電極27電氣隔離。第一電極26和第二電極27的一端暴露于第一空腔28中，并且第一電極26和第二電極27的另一端在組件本體21的兩個橫向側(cè)暴露。根據(jù)該實(shí)施例，在組件本體的兩個橫向側(cè)，第一電極26和第二電極27中的每一個電極均被分為三個部分，但該實(shí)施例不限于此。第一電極26和第二電極27可以分為兩個部分或者可以不進(jìn)行劃分。在組件本體21中，第一電極26和第二電極27的三個劃分的部分相互電連接。第一電極26和第二電極27的底表面的至少一部分布置成與組件本體21的底表面處于同一平面上。另外，第一電極26的底表面的至少兩個部分可以布置成與組件本體21的底表面處于同一平面上。
另外，第一電極26的暴露于第一空腔28中的中央向下凹陷，從而形成第二空腔29。第一電極26的與第二空腔29相對應(yīng)的底表面從組件本體21向下突出。第一電極26和第二電極27不僅將電力供應(yīng)給發(fā)光裝置22，而且散發(fā)由發(fā)光裝置22生成的熱并且反射從發(fā)光裝置22發(fā)出的光。發(fā)光裝置22安裝在第一電極26上。例如，發(fā)光裝置22可以包括發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有η型半導(dǎo)體層、有源層以及P型半導(dǎo)體層。發(fā)光裝置22可以包括諸如藍(lán)光發(fā)光二極管芯片、紅光發(fā)光二極管芯片或綠光發(fā)光二極管芯片等的彩色發(fā)光二極管芯片，或者發(fā)出UV光的UV光發(fā)光二極管芯片。能夠?yàn)榘l(fā)光裝置22采用各種發(fā)光二極管芯片。發(fā)光裝置22通過電線(未示出)電連接到第一電極26和第二電極27。例如，發(fā)光裝置22的一部分通過電線連接到第二電極27，并且發(fā)光裝置22的其余部分通過與第一電極26直接接觸而電連接到第一電極26。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極26的第二空腔29中。在組件本體21中形成的第一空腔28和在第一電極26中形成的第二空腔29被制備成凹部的形式，當(dāng)從其頂部觀察時，這些凹部具有圓形形狀或多邊形形狀。另外，第一空腔28和第二空腔29的內(nèi)壁可以傾斜，以允許由發(fā)光裝置22產(chǎn)生的光容易地發(fā)射到外部。此外，還能透鏡30安裝在發(fā)光裝置22上，以改變從發(fā)光裝置22發(fā)出或者從第一空腔28和第二空腔29的內(nèi)周壁反射的光的取向角。例如，透鏡30包括硅酮樹脂或環(huán)氧樹脂。透鏡30的至少一部分可以包括冷光材料。另外，設(shè)置在透鏡30下方的發(fā)光裝置22的至少一部分可以包括冷光材料。具體地，該冷光材料能夠形成在發(fā)光裝置22的表面上，或者能夠形成在發(fā)光裝置22與透鏡30之間，同時與發(fā)光裝置22隔開。透鏡30可以不形成在第一空腔28和第二空腔29中。在這樣的情況下，透鏡30由組件本體21支撐，從而透鏡30能夠布置在發(fā)光裝置22上方。此外，在不形成于第二空腔29中的情況下，透鏡30能夠形成在第一空腔28中，使得透鏡30能夠布置在發(fā)光裝置22上方并與發(fā)光裝置22隔開。另外，透鏡30能夠形成在第一空腔28和第二空腔29中，同時與發(fā)光裝置22的頂表面接觸。能夠不同地選擇透鏡30的位置，從而透鏡30能夠與發(fā)光裝置22接觸或者能夠與發(fā)光裝置22隔開。透鏡30在半固化狀態(tài)下被注入到組件本體21中或者在固化狀態(tài)下與組件本體21聯(lián)接。透鏡30具有凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)，并且在透鏡30的中央形成有向下凹陷的凹部32。例如，暴露到組件本體21之外的透鏡30可以具有半球形形狀，并且凹部32形成在透鏡30上，同時沿豎直方向與發(fā)光裝置22重疊。透鏡30的至少一部分包括反射結(jié)構(gòu)37。例如，該反射結(jié)構(gòu)37能夠形成在凹部32中。反射結(jié)構(gòu)37的面積相當(dāng)于基于透鏡30的上表面的面積的5%至60%。凹部32可以被反射結(jié)構(gòu)37完全或部分填充。由于反射結(jié)構(gòu)37形成在凹部32中，所以能夠從反射結(jié)構(gòu)37反射從發(fā)光裝置22發(fā)出的光、從第一空腔28的內(nèi)周壁和底表面反射的光、或者在從第一空腔28的內(nèi)周壁和底表面反射之后被朝著凹部32定向的光，使得該光沿著透鏡30的側(cè)向方向行進(jìn)。 因此，從發(fā)光裝置22發(fā)出的光以及從第一空腔28和第二空腔29的底表面和內(nèi)周壁反射的光穿過透鏡30的外周部分發(fā)射到外部，該外周部分即透鏡30的未形成有反射結(jié)構(gòu)37的區(qū)域。因此，由于光能夠穿過透鏡30的外周部分發(fā)射到外部，所以根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備能夠提供具有寬取向角的光。例如，通過將具有70%或更大透射率的有機(jī)物與能夠?qū)膺M(jìn)行反射或散射的無機(jī)物混合，能夠獲得反射結(jié)構(gòu)37。該無機(jī)物可以包括Ti02、SiO2, Al、Al2O3以及Ag中的至少一種。根據(jù)該有機(jī)物和無機(jī)物之間的混合比，反射結(jié)構(gòu)37能夠完全或部分反射光。該有機(jī)物和無機(jī)物之間的混合比在1: 0.001至1:1的范圍內(nèi)。另外，例如，反射結(jié)構(gòu)37可以包括通過使用Si02、Ti02、Al、Ag以及Ti中的至少一種而形成的沉積層。該沉積層可以具有大約IOOA或更大的厚度。根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備，凹部32形成在透鏡30上，同時沿豎直方向與發(fā)光裝置22重疊，并且反射結(jié)構(gòu)37形成在凹部32中，從而能夠調(diào)節(jié)從發(fā)光裝置22發(fā)出的光的取向角。
圖3是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的截面透視圖。圖1所示的發(fā)光設(shè)備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發(fā)光設(shè)備22以及透鏡30。能夠通過使用適于注入成型的聚合物樹脂來形成組件本體21。例如，該聚合物樹脂包括PPA (聚鄰苯二甲酰胺)或LCP (液晶聚合物)。用于組件本體21的材料可以不限于聚合物樹脂，而是諸如硅酮等的各種樹脂材料均能用于組件本體21。另外，組件本體21可以包括陶瓷材料。根據(jù)該實(shí)施例，組件本體21具有大致矩形六面體結(jié)構(gòu)，在其上部形成有第一空腔28。第一電極26與第二電極27電氣隔離。第一電極26和第二電極27的一端暴露于第一空腔28中，并且第一電極26和第二電極27的另一端在組件本體21的兩個橫向側(cè)暴露。根據(jù)實(shí)施例，在組件本體21的兩個橫向側(cè)，第一電極26和第二電極27中的每一個電極均被分為三個部分，但該實(shí)施例不限于此。第一電極26和第二電極27可以分為兩個部分或者可以不進(jìn)行劃分。在組件本體21中，第一電極26和第二電極27的三個劃分的部分相互電連接。第一電極26和第二電極27的底表面的至少一部分布置成與組件本體21的底表面處于同一平面上。另外，第一電極26的底表面的至少兩個部分可以布置成與組件本體21的底表面處于同一平面上。另外，第一電極26的暴露于第一空腔28中的中央向下凹陷，從而形成第二空腔
29。第一電極26的與第二空腔29相對應(yīng)的底表面從組件本體21向下突出。第一電極26和第二電極27不僅將電力供應(yīng)給發(fā)光裝置22，而且發(fā)散由發(fā)光裝置22生成的熱并且反射從發(fā)光裝置22發(fā)出的光。發(fā)光裝置22安裝在第一電極26上。例如，發(fā)光裝置22可以包括發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有η型半導(dǎo)體層、有源層以及P型半導(dǎo)體層。發(fā)光裝置22可以包括諸如藍(lán)光發(fā)光二極管芯片、紅光發(fā)光二極管芯片或綠光發(fā)光二極管芯片等的彩色發(fā)光二極管芯片，或者發(fā)出UV光的UV光發(fā)光二極管芯片。能夠?yàn)榘l(fā)光裝置22采用各種發(fā)光二極管芯片。發(fā)光裝置22通過電線(未示出)電連接到第一電極26和第二電極27。例如，發(fā)光裝置22的一部分通過電線連接到第二電極27，并且發(fā)光裝置22的其余部分通過與第一電極26直接接觸而電連接到第一電極26。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極26的第二空腔29中。在組件本體21中形成的第一空腔28和在第一電極26中形成的第二空腔29被制備成凹部的形式，當(dāng)從其頂部觀察時，這些凹部具有圓形形狀或多邊形形狀。另外，第一空腔28和第二空腔29的內(nèi)壁可以傾斜，以允許由發(fā)光裝置22產(chǎn)生的光容易地發(fā)射到外部。此外，還能夠在第一空腔28的傾斜表面21a上形成有反射材料。透鏡30安裝在發(fā)光裝置22上，以改變從發(fā)光裝置22發(fā)出或者從第一空腔28和第二空腔29的內(nèi)周壁反射的光的取向角。例如，透鏡30包括硅酮樹脂或環(huán)氧樹脂。透鏡30的至少一部分可以包括冷光材料。另外，設(shè)置在透鏡30下方的發(fā)光裝置22的至少一部分可以包括冷光材料。具體地，該冷光材料能夠形成在發(fā)·光裝置22的表面上，或者能夠形成在發(fā)光裝置22與透鏡30之間，同時與發(fā)光裝置22隔開。透鏡30可以不形成在第一空腔28和第二空腔29中。在這樣的情況下，透鏡30由組件本體21支撐，從而透鏡30能夠布置在發(fā)光裝置22上方。此外，在不形成于第二空腔29中的情況下，透鏡30能夠形成在第一空腔28中，使得透鏡30能夠布置在發(fā)光裝置22上方并與發(fā)光裝置22隔開。另外，透鏡30能夠形成在第一空腔28和第二空腔29中時與發(fā)光裝置22的頂表面接觸。能夠不同地選擇透鏡30的位置，從而透鏡30能夠與發(fā)光裝置22接觸或者能夠與發(fā)光裝置22隔開。透鏡30在半固化狀態(tài)下被注入到組件本體21中或者在固化狀態(tài)下與組件本體21聯(lián)接。透鏡30具有凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)，并且在透鏡30的中央形成有向下凹陷的凹部32。例如，暴露到組件本體21之外的透鏡30可以具有半球形形狀，并且凹部32形成在透鏡30上，同時沿豎直方向與發(fā)光裝置22重疊。透鏡30的至少一部分包括反射結(jié)構(gòu)37。例如，該反射結(jié)構(gòu)37能夠形成在凹部32中。反射結(jié)構(gòu)37的面積相當(dāng)于基于透鏡30的上表面的面積的5%至60%。凹部32可以被反射結(jié)構(gòu)37完全或部分填充。由于反射結(jié)構(gòu)37形成在凹部32中，所以能夠從反射結(jié)構(gòu)37反射從發(fā)光裝置22發(fā)出的光、從第一空腔28的內(nèi)周壁和底表面反射的光、或者在從第一空腔28的內(nèi)周壁和底表面反射之后被朝著凹部32導(dǎo)向的光，使得該光沿著透鏡30的側(cè)向方向行進(jìn)。因此，從發(fā)光裝置22發(fā)出的光以及從第一空腔28和第二空腔29的底表面和內(nèi)周壁反射的光穿過透鏡30的外周部分被發(fā)射到外部，該外周部分即透鏡30的未形成有反射結(jié)構(gòu)37的區(qū)域。因此，由于光能夠穿過透鏡30的外周部分發(fā)射到外部，所以根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例能夠提供具有寬取向角的光。
例如，通過將具有70%或更大透射率的有機(jī)物與能夠?qū)膺M(jìn)行反射或散射的無機(jī)物混合，能夠獲得反射結(jié)構(gòu)37。該無機(jī)物可以包括Ti02、SiO2, Al、A1203、以及Ag中的至少一種。根據(jù)該有機(jī)物和無機(jī)物之間的混合比，反射結(jié)構(gòu)37能夠完全或部分反射光。該有機(jī)物和無機(jī)物之間的混合比在1: 0.001至1:1的范圍內(nèi)。另外，例如，反射結(jié)構(gòu)37可以包括通過使用Si02、Ti02、Al、Ag以及Ti中的至少一種而形成的沉積層。該沉積層可以具有大約1 OOA或更大的厚度。根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，凹部32形成在透鏡30上，同時沿豎直方向與發(fā)光裝置22重疊，并且反射結(jié)構(gòu)37形成在凹部32中，從而能夠調(diào)節(jié)從發(fā)光裝置22發(fā)出的光的取向角。根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，形成在透鏡30上的凹部32的面積大于形成在圖1和圖2的發(fā) 光設(shè)備中的凹部32的面積。圖1和圖2所示的凹部32的面積小于第二空腔29的面積。然而，圖3所示的凹部32的面積大于第二空腔29的面積。因此，可以與凹部32的面積成比例地放大該反射結(jié)構(gòu)37的面積。由于圖3所示的發(fā)光設(shè)備的反射結(jié)構(gòu)37比圖1和圖2所示的發(fā)光設(shè)備的反射結(jié)構(gòu)37大，所以從發(fā)光設(shè)備發(fā)出的光的取向角能夠變得更寬，從而該發(fā)光設(shè)備沿側(cè)向方向可以呈現(xiàn)優(yōu)異的光效率。圖4是示出在根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例中使用的透鏡的截面透視圖。參考圖4，在透鏡130的上表面上形成有向下凹陷的第一凹部132，并且在第一凹部132中形成有第一反射結(jié)構(gòu)137。另外，在第一凹部132的周圍形成有向下凹陷的第二凹部134，并且在第二凹部134中形成有第二反射結(jié)構(gòu)138。例如，第二凹部134被制備成圍繞第一凹部132的環(huán)的形式。另外，第一凹部132可以比第二凹部134深。第一反射結(jié)構(gòu)37與第二反射結(jié)構(gòu)138隔開一段預(yù)定距離。能夠根據(jù)第一反射結(jié)構(gòu)137的面積、第二反射結(jié)構(gòu)138的面積以及第一反射結(jié)構(gòu)137和第二反射結(jié)構(gòu)138之間的間隔來調(diào)節(jié)該發(fā)光設(shè)備的光分布。圖5是示出圖1和圖2所示的、根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的光分布的視圖，并且圖6是示出圖3所示的、根據(jù)第一實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備的光分布的視圖。圖4所示的根據(jù)第一實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備的光分布與圖6所示的發(fā)光設(shè)備類似，因此，為了避免重復(fù)，在附圖中將其省略。如圖5所示，在根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的情況下，峰-峰取向角是90°至120°。如圖6所示，在根據(jù)第一實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備的情況下，峰-峰取向角是130。至 165。。S卩，從發(fā)光設(shè)備發(fā)出的光的分布根據(jù)沿豎直方向與發(fā)光裝置22重疊的凹部32和形成在該凹部32上的反射結(jié)構(gòu)37的面積而變化。圖7至圖13是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的各種示例的截面圖。圖7至圖13示出具有各種類型的冷光材料的發(fā)光設(shè)備，并且為了避免重復(fù)，將會省略已經(jīng)參考圖1至圖6描述過的說明。
參考圖7，該發(fā)光設(shè)備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以及透鏡30。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極26上或者通過電線140電連接到第二電極27。可以在發(fā)光裝置22與透鏡30之間布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括第一至第三冷光材料223a至223c，并且包封物224包括第一至第四包封物224a至224d，其中，第一包封物224a包圍發(fā)光裝置22，第一冷光材料223a形成在第一包封物224a上，第二包封物224b形成在第一冷光材料223a上，第二冷光材料223b形成在第二包封物224b上，第三包封物224c形成在第二冷光材料223b上，第三冷光材料223c形成在第三包封物224c上，并且第四包封物224d形成在第三冷光材料223c上。第一至第三冷光材料223a至223c在彼此隔開的同時與發(fā)光裝置22隔開。例如，第一至第四包封物224a至224d可以包括環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂。在該發(fā)光設(shè)備中至少包括兩種類型的冷光材料。根據(jù)該實(shí)施例，描述三種類型的冷光材料作為第一至第三冷光材料223a至223c。例如，如果發(fā)光裝置22是發(fā)出藍(lán)光的藍(lán)光發(fā)光二極管芯片，那么第一冷光材料223a和第二冷光材料223b能夠設(shè)置在該發(fā)光設(shè)備中。在這樣的情況下，第一冷光材料223a和第二冷光材料223b可以分別用作發(fā)出黃光的黃光冷光材料和發(fā)出綠光的綠光冷光材料，或者分別用作發(fā)出黃光的黃光冷光材料和發(fā)出紅光的紅光冷光材料。另外，第一冷光材料223a和第二冷光材料223b可以分別用作發(fā)出紅光的紅光冷光材料和發(fā)出綠光的綠光冷光材料。例如，如果發(fā)光裝置22是發(fā)出藍(lán)光的藍(lán)光發(fā)光二極管芯片,那么第一至第三冷光材料223a至223c能夠設(shè)置在該發(fā)光設(shè)備中。在這樣的情況下，第一至第三冷光材料223a至223c可以分別用作發(fā)出黃光的黃光冷光材料、發(fā)出綠光的綠光冷光材料以及發(fā)出紅光的紅光冷光材料。第一至第三冷光材料223a至223c可以布置在從發(fā)光裝置22發(fā)出的光的光學(xué)路徑上?？拷l(fā)光裝置22的冷光材料可以發(fā)出具有較短波長的光。例如，如果發(fā)光裝置22是藍(lán)光發(fā)光二極管芯片，那么第一冷光材料223a包括綠光冷光材料，第二冷光材料223b包括黃光冷光材料，并且第三冷光材料223c包括紅光冷光材料。另外，例如，如果發(fā)光裝置22是UV光發(fā)光二極管芯片，那么第一冷光材料223a包括藍(lán)光冷光材料，第二冷光材料223b包括綠光冷光材料，并且第三冷光材料223c包括紅光冷光材料。綠光冷光材料可以包括基于氧氮化物的冷光材料或者基于硅酸鹽的冷光材料，黃光冷光材料可以包括YAG冷光材料、TAG冷光材料或者基于硅酸鹽的冷光材料，并且紅光冷光材料可以包括基于氧氮化物的冷光材料或者基于氮化物的冷光材料。如果第一至第三冷光材料分別用作綠光冷光材料、黃光冷光材料和紅光冷光材料,那么黃光冷光材料的量最大，而紅光冷光材料的量最小。綠光冷光材料可以包括發(fā)出具有50至lOOnm、優(yōu)選為60至90nm的FWHM (半峰全寬)的光的冷光材料。例如，綠光冷光材料是發(fā)出具有60至IOOnm的FWHM的光的、基于硅酸鹽的冷光材料并且包括(Sr，Ba, Mg, Ca)2Si04:EU2+,或者發(fā)出具有50至70nm的FWHM的光的、基于氧氮化物的冷光材料并且包括Si6_xAlx0xN8_x:EU2+(0〈X〈6)。在基于硅酸鹽的冷光材料的情況下，如 果Ba的摩爾比等于或者大于Sr的摩爾比，那么基于硅酸鹽的冷光材料可以發(fā)出具有綠光的波段的光。另外，如果Sr的摩爾比大于Ba的，那么基于硅酸鹽的冷光材料可以發(fā)出具有黃光的波段的光。另外，能夠選擇性地采用Mg和Ca中的至少一種。黃光冷光材料發(fā)出具有50至IOOnm或者120nm或以上的FWHM的光。例如，黃光冷光材料是包括Y3Al5O12: Ce3+的YAG冷光材料、包括Tb3Al5O12: Ce3+的TAG冷光材料、或者發(fā)出具有60至IOOnm的FWHM的光的基于硅酸鹽的冷光材料，并且包括(Sr, Ba, Mg, Ca) 2Si04:EU2+。紅光冷光材料可以包括發(fā)出具有80至llOnm、優(yōu)選為90至IOOnm的FWHM的光的、基于氮化物的冷光材料。例如，紅光冷光材料可以包括發(fā)出具有90至IOOnm的光的冷光材料并且包括CaAlSiN3:EU2+。例如，第一冷光材料223a可以包括基于氧氮化物的冷光材料，第二冷光材料223b可以包括YAG冷光材料，并且第三冷光材料223c可以包括基于氮化物的冷光材料。另外，例如，第一冷光材料223a可以包括基于娃酸鹽的冷光材料,第二冷光材料223b可以包括基于硅酸鹽的冷光材料，并且第三冷光材料223c可以包括基于氮化物或者基于氧氮化物的冷光材料。此外,例如,第一冷光材料223a可以包括基于娃酸鹽的冷光材料,第二冷光材料223b可以包括YAG冷光材料，并且第三冷光材料223c可以包括基于氧氮化物的冷光材料。另外，例如，第一冷光材料223a可以包括YAG冷光材料或者基于娃酸鹽的冷光材料，第二冷光材料223b可以包括基于氧氮化物的冷光材料，并且第三冷光材料223c可以包括基于氧氮化物的冷光材料。此外，例如，第一冷光材料223a可以包括基于氧氮化物的冷光材料，第二冷光材料223b可以包括基于氧氮化物 的冷光材料，并且第三冷光材料223c可以包括基于氧氮化物的冷光材料。因此，圖7所示的發(fā)光設(shè)備能夠通過使用至少兩種類型的冷光材料來發(fā)出白光。參考圖8，發(fā)光設(shè)備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以及透鏡30。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極26上或者通過電線40電連接到第二電極27。在發(fā)光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括:第一冷光材料223a，該第一冷光材料223a布置在發(fā)光裝置22的橫向側(cè)和頂表面周圍以包圍發(fā)光裝置22 ;第二冷光材料223b，該第二冷光材料223b布置在位于發(fā)光裝置22的橫向側(cè)和頂表面周圍以包圍發(fā)光裝置22的第一冷光材料223a上；以及第三冷光材料223c，該第三冷光材料223c布置在發(fā)光裝置22的橫向側(cè)和頂表面周圍以包圍發(fā)光裝置22的第二冷光材料223b上。包封物224包圍第一至第三冷光材料223a至223c。例如，第一冷光材料223a能夠與發(fā)光裝置22接觸，第二冷光材料223b能夠與第一冷光材料223a接觸，同時與發(fā)光裝置22隔開，并且第三冷光材料223c能夠與第二冷光材料223b接觸，同時與發(fā)光裝置22隔開。包封物224可以包括環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂，并且第一至第三冷光材料223a至223c與圖7所示的相同。參考圖9，發(fā)光設(shè)備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以及透鏡30。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極26上或者通過電線40電連接到第二電極27。在發(fā)光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括分布在包封物224中的第一至第三冷光材料223a至223c。包封物224可以包括環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂，并且第一至第三冷光材料223a至223c與圖7所示的相同。參考圖10，發(fā)光設(shè)備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以及透鏡30。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極26上或者通過電線140電連接到第二電極27。在發(fā)光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。包封物224包圍發(fā)光裝置22，并且冷光材料223包括形成在包封物224上的第一冷光材料223a、形成在第一冷光材料223a上的第二冷光材料223b、以及形成在第二冷光材料223b上的第三冷光 材料223c。例如，第一冷光材料223a形成在包封物224上，同時與發(fā)光裝置22隔開，第二冷光材料223b與第一冷光材料223a接觸，并且第三冷光材料223c與第二冷光材料223b接觸。包封物224可以包括環(huán)氧樹脂或硅樹脂，并且第一至第三冷光材料223a至223c與圖7所示的相同。參考圖11，發(fā)光設(shè)備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以及透鏡30。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極26上或者通過電線140電連接到第二電極27。在發(fā)光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括第一至第三冷光材料223a至223c，并且包封物224包括第一至第三包封物224a至224c，其中，第一包封物224a包圍發(fā)光裝置22，第一冷光材料223a形成在第一包封物224a上，第二包封物224b形成在第一冷光材料223a上，第二冷光材料223b形成在第二包封物224b上，第三包封物224c形成在第二冷光材料223b上，并且第三冷光材料223c形成在第三包封物224c上。例如，第一冷光材料223a與發(fā)光裝置22隔開，第二冷光材料223b與第一冷光材料223a隔開，并且第三冷光材料223c與第二冷光材料223b隔開。第一至第三包封物224a至224c可以包括環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂，并且第一至第三冷光材料223a至223c與圖7所示的相同。參考圖12，發(fā)光設(shè)備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以及透鏡30。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極26上或者通過電線140電連接到第二電極27。在發(fā)光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括:第一冷光材料223a，該第一冷光材料223a布置在發(fā)光裝置22的頂表面的周圍；第二冷光材料223b，該第二冷光材料223b布置在位于發(fā)光裝置22的頂表面周圍的第一冷光材料223a上；以及第三冷光材料223c，該第三冷光材料223c布置在發(fā)光裝置22的頂表面周圍的第二冷光材料223b上。包封物224包圍第一至第三冷光材料223a 至 223c。例如，第一冷光材料223a能夠與發(fā)光裝置22接觸，第二冷光材料223b能夠與第一冷光材料223a接觸，同時與發(fā)光裝置22隔開，并且第三冷光材料223c能夠與第二冷光材料223b接觸。包封物224可以包括環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂，并且第一至第三冷光材料223a至223c與圖7所示的相同。參考圖13，發(fā)光設(shè)備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以及透鏡30。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極26上或者通過電線140電連接到第二電極27。在發(fā)光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括第一至第三冷光材料223a至223c，并且包封物224包括第一包封物224a和第二包封物224b，其中，第一冷光材料223a布置在發(fā)光裝置22的頂表面周圍，第一包封物224a包圍發(fā)光裝置22和第一冷光材料223a，第二冷光材料223b布置在第一包封物224a上，第二包封物224b布置在第二冷光材料223b上，并且第三冷光材料223c布置在第二包封物224b上。例如，第一冷光材料223a能夠與發(fā)光裝置22接觸，第二冷光材料223b能夠形成在第一包封物224a上，同時與第一冷光材料223a隔開，并且第三冷光材料223c能夠形成在第二包封物224b上，同時與第二冷光材料223b隔開。第一 224a和第二包封物224b可以包括環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂，并且第一至第三冷光材料223a至223c與圖7所示的相同。圖14是示出在根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備中使用的發(fā)光裝置的截面圖。根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光裝置22包括:生長襯底2210 ;未摻雜的半導(dǎo)體層2220，該未摻雜的半導(dǎo)體層2220形成在生長襯底2210上；以及發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層形成在該未摻雜的半導(dǎo)體層2220上。所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括:第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230 ;有源層2240 ;以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250,該第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250形成在未摻雜的半導(dǎo)體層2220上。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230上形成有第一電極層2260,并且在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250上形成有第二電極層2270。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230和有源層2240之間可以形成有第一導(dǎo)電InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)或者第一導(dǎo)電InGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)2235。另外，還能夠在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250與有源層2240之間形成有第二導(dǎo)電AlGaN層 2255。生長襯底2210 可以包括從由 Al203、SiC、S1、GaAs、GaN、Zn0、S1、GaP、InP 以及 Ge組成的組中選擇的至少一種，并且該實(shí)施例不限于此。例如，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層能夠生長在包括Al2O3的生長襯底2210上。在生長襯底2210上能夠形成有多個突出圖案2211。突出圖案2211散射從有源層2240發(fā)出的光，從而提高光效率。例如，突出圖案2211可以具有半球形形狀、多邊形形狀、三角錐形形狀以及納米柱形形狀中的一種形狀。盡管第一導(dǎo)電雜質(zhì)沒有被有意注入到 未摻雜的半導(dǎo)體層2220中，但是未摻雜的半導(dǎo)體層2220是具有第一導(dǎo)電傳導(dǎo)性的氮化物層。例如，未摻雜的半導(dǎo)體層2220可以包括未摻雜的GaN層。在未摻雜的半導(dǎo)體層2220和生長襯底2210之間可以形成有緩沖層。另外，未摻雜的半導(dǎo)體層2220不是必須需要的。即，可以省略未摻雜的半導(dǎo)體層2220。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230可以包括η型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230可以包括具有InxAlyGa1IyN (0^x^l,0^y^l,0^ x+y ( I)的復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體材料。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230可以包括從由InAlGaN、GaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN組成的組中選擇的一個并且可以摻雜有諸如S1、Ge或者Sn的η型摻雜物。在有源層2240處，通過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230注入的電子(或者空穴)與通過第二半導(dǎo)體層2250注入的空穴(或者電子)復(fù)合，從而有源層2240發(fā)出具有根據(jù)有源層2240的本征材料的能帶確定的波長的光。有源層2240可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)、MQff (多量子阱)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)或者量子線結(jié)構(gòu)，但該實(shí)施例不限于此。有源層2240可以包括具有InxAlyGanyN (O彡χ彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)的復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體材料。如果有源層2240具有MQW結(jié)構(gòu)，那么有源層2240可以包括多個阱層和阻擋層。例如，有源層2240可以具有InGaN阱/GaN阻擋層的堆疊結(jié)構(gòu)。在有源層2240上和/或下方能夠形成被摻雜有η型或P型摻雜物的包覆層(未示出)。該包覆層可以包括AlGaN層或InAlGaN層。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250可以包括P型半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250可以包括諸如 InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN 或者 InN 的具有 InxAlyGanyN(O ^ X ^ 1, O ^ y ^ 1, O ^ x+y ^ I)的復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體材料。另外，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250可以摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba的p型摻雜物。

第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230可以包括P型半導(dǎo)體層并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250可以包括η型半導(dǎo)體層。另外，包括η型或P型半導(dǎo)體層的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層(未示出)能夠形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250上。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)層可以具有ΝΡ、ΡΝ、ΝΡΝ以及PNP結(jié)結(jié)構(gòu)中的一種。另外，雜質(zhì)能夠均勻或不均勻地?fù)诫s在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250中。即，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層可以具有各種結(jié)構(gòu)而沒有限制。第一電極層2260形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230上,并且第二電極層2270形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250上以將電力供應(yīng)給有源層2240。發(fā)光裝置22可以包括GaN基發(fā)光二極管，其產(chǎn)生具有位于450nm至480nm、優(yōu)選為465nm的波段的中心波長和具有15nm至40nm的FWHM的藍(lán)光。圖15是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備中使用的發(fā)光裝置的另一示例的截面圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不會進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖14描述過的元件和結(jié)構(gòu)。發(fā)光裝置22包括:導(dǎo)電支撐襯底2280 ;發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層形成在導(dǎo)電支撐襯底2280上并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230、有源層2240和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250 ；以及第一電極層2260,該第一電極層2260形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230上。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230和有源層2240之間可以形成第一導(dǎo)電InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)或第一導(dǎo)電InGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)2235。另外，在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250和有源層2240之間能夠形成有第二導(dǎo)電AlGaN層 2255。能夠在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230上形成具有柱狀或孔狀形狀的光提取結(jié)構(gòu)2231。第一提取結(jié)構(gòu)2231允許從有源層2240產(chǎn)生的光被有效發(fā)射到外部。例如，光提取結(jié)構(gòu)2231可以具有半球形形狀、多邊形形狀、三角錐形形狀以及納米柱形形狀中的一種形狀。另外，光提取結(jié)構(gòu)2231可以包括光子晶體。導(dǎo)電支撐襯底2280支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)層并且與第一電極層2260協(xié)作將電力供應(yīng)給發(fā)光結(jié)構(gòu)層。導(dǎo)電支撐襯底2280可以包括支撐層、歐姆接觸層以及位于該支撐層與歐姆接觸層之間的結(jié)合層。該支撐層可以包括從由Cu、N1、Mo、Al、Au、Nb、W、T1、Cr、Ta、Pd、Pt、S1、Ge>GaAs>ZnO以及SiC組成的組中選擇的至少一種。另外,通過使用包括Ag或Al的金屬形成歐姆接觸層，以使其與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250歐姆接觸同時用作反射結(jié)構(gòu)。該歐姆接觸層可以包括具有歐姆接觸功能的第一層和具有反射功能的第二層。例如，具有歐姆接觸功能的第一層可以包括與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250歐姆接觸的材料。例如，通過使用從由ITO(銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁錫氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ΑΖ0 (鋁鋅氧化物)、ΑΤ0 (銻鋅氧化物)、GZ0 (鎵鋅氧化物)、Ir0x、Ru0x、Ru0x/IT0、N1、Ag、Ni/Ir0x/Au 以及 Ni/Ir0x/Au/IT0 組成的組中選擇的至少一種能夠以單層或多層制備具有歐姆接觸功能的第一層。該結(jié)合層可以包括從由Cu、N1、Ag、Mo、Al、Au、Nb、W、T1、Cr、Ta、Al、Pd、Pt、S1、Al-S1、Ag-Cd、Au-Sbλ Al-Zn、Al-MgΛ Al-GeΛ Pd-PbΛ Ag-SbΛ Au_In、Al-Cu-Si Λ Ag-Cd-CuΛCu-Sbλ Cd-Cuλ Al-S1-Cuλ Ag-CuΛ Ag-ZnΛ Ag-Cu-ZnΛ Ag-Cd-Cu-ZnΛ Au_S1、Au-GeΛ Au_N1、Au-Cu、Au-Ag-Cu、Cu_Cu20、Cu-Zn、Cu-P、N1-P、N1-Mn-PcUN1-P 以及 Pd-Ni 組成的組中選擇的至少一種或至少兩種。該發(fā)光結(jié)構(gòu)層可以包括化合物半導(dǎo)體層，其包括多個II1-V族元素。在發(fā)光結(jié)構(gòu)的橫向側(cè)和頂表面上能夠·形成有絕緣層。例如,第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230可以包括η型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230可以包括具有InxAlyGa1IyN (0^x^l,0^y^l,0^ x+y ( I)的復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體材料。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230可以包括從由InAlGaN、GaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN組成的組中選擇的一種，并且可以被摻雜有諸如S1、Ge或Sn等的η型摻雜物。在有源層2240處，通過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230注入的電子(或者空穴)與通過第二半導(dǎo)體層2250注入的空穴(或者電子)復(fù)合，從而有源層2240發(fā)出具有根據(jù)有源層2240的本征材料的能帶確定的波長的光。有源層2240可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)、MQff (多量子阱)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)或者量子線結(jié)構(gòu)，但該實(shí)施例不限于此。有源層2240可以包括具有InxAlyGanyN (O彡χ彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)的復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體材料。如果有源層2240具有MQW結(jié)構(gòu)，那么有源層2240可以包括多個阱層和阻擋層。例如，有源層2240可以具有InGaN阱/GaN阻擋層的堆疊結(jié)構(gòu)。在有源層2240上和/或下方能夠形成被摻雜有η型或P型摻雜物的包覆層(未示出)。該包覆層可以包括AlGaN層或InAlGaN層。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250可以包括P型半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250可以包括諸如 InAlGaN、GaN、AlGaN, InGaN, Al InN、AlN 或 InN 等的具有 InxAlyGanyN(O ^ X ^ I, O ^ y ^ I, O ^ x+y ^ I)的復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體材料。另外，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250可以摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba等的p型摻雜物。同時，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230可以包括P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250可以包括η型半導(dǎo)體層。另外，在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250上能夠形成有包括η型或P型半導(dǎo)體層的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層(未示出)。因此，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層可以具有NP、PN、NPN及PNP結(jié)結(jié)構(gòu)中的一種。另外，雜質(zhì)能夠均勻或不均勻地?fù)诫s在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250中。即，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層可以具有各種結(jié)構(gòu)而沒有限制。在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250和導(dǎo)電支撐襯底2280之間能夠形成有電流阻擋區(qū)域(未示出)，使得該電流阻擋區(qū)域的至少一部分能夠與第一電極層2260重疊。該電流阻擋區(qū)域可以包括具有低于導(dǎo)電支撐襯底2280的導(dǎo)電性的材料，或者電絕緣材料。另外，能夠通過將等離子體損傷應(yīng)用于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250來形成該電流阻擋區(qū)域。由于該電流阻擋區(qū)域使得電流能夠被廣泛地擴(kuò)散，從而能夠提高有源層2240的光效率。發(fā)光裝置22可以包括GaN基發(fā)光二極管，其產(chǎn)生具有位于450nm至480nm、優(yōu)選為465nm的波段的中心波長和具有15nm至40nm的FWHM的藍(lán)光。第二實(shí)施例圖16和圖17是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考第一實(shí)施例描述的兀件和結(jié)構(gòu)。參考圖16和圖17，根 據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備包括:襯底210 ;發(fā)光裝置組件220，該發(fā)光裝置組件220安裝在襯底210上；以及透鏡230，該透鏡230安裝在發(fā)光裝置組件220的上方，同時由襯底210支撐。襯底210可以包括PCB(印制電路板)并且在襯底210上形成有電路圖案(未示出)。所述電路圖案電連接到發(fā)光裝置組件220。另外，襯底210可以包括MCPCB (金屬核印制電路板)。能夠不同地選擇襯底210的材料和結(jié)構(gòu)。發(fā)光裝置組件220包括組件本體221、安裝在組件本體221上的至少一個發(fā)光裝置222、包圍發(fā)光裝置222的冷光材料223、以及包圍組件本體221上的冷光材料223的包封物224。組件本體221中設(shè)置有電極(未示出)。所述電極形成為穿過組件本體221或者形成在組件本體221的表面上，以將發(fā)光裝置222和襯底210的電路圖案電連接。能夠通過使用各種材料來形成組件本體221。例如，能夠通過使用陶瓷材料、樹脂材料以及硅酮材料中的一種材料來形成組件本體221。能夠以發(fā)光二極管芯片的形式來制備發(fā)光裝置222。多個發(fā)光裝置222能夠安裝在組件本體221上。根據(jù)該實(shí)施例，三個發(fā)光裝置222安裝在組件本體221上。發(fā)光裝置222彼此并聯(lián)或串聯(lián)連接。另外，通過倒裝芯片方案或引線鍵合方案，能夠?qū)l(fā)光裝置222與所述電極電連接。例如，發(fā)光裝置222是包括η型半導(dǎo)體層、有源層以及P型半導(dǎo)體層的發(fā)光二極管
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發(fā)光裝置222可以包括諸如藍(lán)光發(fā)光二極管芯片、紅光發(fā)光二極管芯片或綠光發(fā)光二極管芯片等的彩色發(fā)光二極管芯片。另外，發(fā)光裝置222可以包括發(fā)出UV光的UV(紫外線)光發(fā)光二極管芯片。能夠不同地選擇所述芯片的類型。根據(jù)該實(shí)施例，發(fā)出藍(lán)光的藍(lán)光發(fā)光二極管芯片可以用作發(fā)光裝置222。冷光材料223包圍組件本體221上的發(fā)光裝置222。例如，冷光材料223可以包括黃光冷光材料。能夠不同地選擇在冷光材料223中包括的冷光材料的類型。冷光材料223的頂表面被平坦化，從而冷光材料223在組件本體221上具有預(yù)定高度。包封物224形成在組件本體221上并且包圍冷光材料223。包封物224可以包括諸如環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂等的透明樹脂材料。包封物224的頂表面的中央是凸起的，并且包封物224的上表面的中央周圍的外圍部分被平坦化。透鏡230包括透鏡本體231和支撐該透鏡本體231的透鏡支撐件231a。通過注入成型使透鏡本體231和透鏡支撐件231a彼此形成一體，或者使其形成為彼此分離并然后通過使用粘合劑來相互粘合。當(dāng)在平面圖中 觀察時，透鏡本體231具有大致圓形形狀。另外，在透鏡本體231的底表面上能夠形成凹凸部分或粗糙部。多個透鏡支撐件231a能夠設(shè)置在透鏡本體231的底表面上。盡管在圖16和圖17中僅示出兩個透鏡支撐件231a，但是能夠設(shè)置有至少三個透鏡支撐件231a，同時使它們相互隔開以穩(wěn)定地支撐透鏡本體231?？梢愿鶕?jù)該發(fā)光設(shè)備的設(shè)計(jì)來更改透鏡支撐件231a的數(shù)目和形狀。透鏡本體231包括透明樹脂材料并且通過透鏡支撐件231a與襯底210隔開。通過使用粘合劑能夠?qū)⑼哥R支撐件231a穩(wěn)固地附接到襯底210。透鏡本體231的上表面通常是凸起的，并且在透鏡本體231的上表面的中央形成有向下凹陷的第一凹部232。在第一凹部232中能夠形成有反射結(jié)構(gòu)237。第一凹部232可以被反射結(jié)構(gòu)237完全或部分填充。例如，通過將具有70%或更大透射率的有機(jī)物與能夠?qū)膺M(jìn)行反射或散射的無機(jī)物混合，能夠獲得反射結(jié)構(gòu)237。該無機(jī)物可以包括Ti02、Si02、Al、Al2O3以及Ag中的至少一種。根據(jù)該有機(jī)物和無機(jī)物之間的混合比，反射結(jié)構(gòu)237能夠完全或部分反射光。該有機(jī)物和無機(jī)物之間的混合比在1: 0.001至1:1的范圍內(nèi)。另外，例如，反射結(jié)構(gòu)237可以包括通過使用Si02、TiO2, Al、Ag以及Ti中的至少一種而形成的沉積層。該沉積層可以具有大約iooA或更大的厚度。另外，透鏡本體231具有平的底表面，并且在透鏡本體231的底表面的中央形成有向上凹陷的第二凹部233。第一凹部232沿豎直方向與第二凹部233重疊。由于第一凹部232和第二凹部233位于透鏡本體231的中央，所以透鏡本體231的中央部分具有薄的厚度。具體地，透鏡本體231的厚度從透鏡本體231的中央向外圍部分逐漸增加，然后在透鏡本體231的外周部分再次減少。另外，透鏡本體231的上表面的外周部分可以被平坦化，并且透鏡本體231的橫向側(cè)可以與透鏡本體231的底表面垂直。第一凹部232的最大深度a在0.3至0.4mm的范圍內(nèi)，并且第二凹部233的最大深度b在2.5至3mm的范圍內(nèi)。另外，第一凹部232的最大深度c在3.5至4mm的范圍內(nèi)，并且第二凹部233的最大深度d在2.5至3mm的范圍內(nèi)。透鏡支撐件231a的最大厚度e在0.5至0.8mm的范圍內(nèi)。透鏡本體231的最大厚度h在4至5mm的范圍內(nèi)，從底表面到透鏡本體231的上表面的平坦部分的最大厚度f在1.8至2.2mm的范圍內(nèi)，并且從透鏡本體231的上表面的平坦部分到最上部分的最大厚度g在2.2至2.8mm的范圍內(nèi)。透鏡本體231的最大寬度j在13至19mm的范圍內(nèi)，并且透鏡本體231的彎曲部分的最大寬度I在12至18mm的范圍內(nèi)。同時，從發(fā)光裝置組件220到組件本體221的最大厚度在0.3至0.4mm的范圍內(nèi)，并且從組件本體231的上表面到包封物224的最上表面的高度在1.1至1.5mm的范圍內(nèi)。根據(jù)第二實(shí)施例，第一凹部232的最大深度a與透鏡本體231的最大厚度h的比率在0.06至0.1的范圍內(nèi)，并且第二凹部233的最大深度b與透鏡本體231的最大厚度h的比率在0.5至0.75的范圍內(nèi)。另外，第二凹部233的最大深度b與第一凹部232的最大深度a的比率在6.25至10的范圍內(nèi)。此外，第一凹部232的最大寬度c與透鏡本體231的最大寬度j的比率在0.18至
0.3的范圍內(nèi)，第二凹部233的最大寬度d與透鏡本體231的最大寬度j的比率在0.14至
0.25的范圍內(nèi)，并且第二凹部233的最大寬度d與第一凹部232的最大寬度c的比率在0.7至0.94的范圍內(nèi)。 另外，包封物224的至少一部分被提供在第二凹部233中。組件本體221的最大厚度小于透鏡支撐件231a的最大厚度，并且透鏡本體231的底表面布置成與發(fā)光裝置222、冷光材料224或包封物224處于同一平面上。因此，具有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光設(shè)備可以沿側(cè)向方向呈現(xiàn)優(yōu)異的光效率。由發(fā)光裝置222生成的光被反射并且被從包封物224和第二凹部233折射，然后從反射結(jié)構(gòu)237反射，從而能夠沿側(cè)向方向發(fā)出更大量的光。特別地，形成在第一凹部232和第二凹部233中的反射結(jié)構(gòu)237可以減少沿向上方向發(fā)出的光的量。圖18是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖18，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，發(fā)光裝置組件220包括與襯底210相鄰的包封物224。包封物224形成在襯底210、組件本體221以及冷光材料223上。由于包封物224與組件本體221和襯底210的橫向側(cè)接觸，所以接觸面積擴(kuò)大了，從而包封物224能夠更加穩(wěn)固地接合到襯底210和組件本體221。圖19是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在圖19中，透鏡被省略。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖19，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，發(fā)光裝置組件220包括以預(yù)定厚度形成在發(fā)光裝置222上的冷光材料223和組件本體221。冷光材料223沿著發(fā)光裝置222的輪廓以波紋形狀布置。即，形成在組件本體221上的冷光材料223的高度低于形成在發(fā)光裝置222上的冷光材料223的高度。根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，具有預(yù)定厚度的冷光材料223包圍發(fā)光裝置222，因此能夠減小從發(fā)光設(shè)備發(fā)出的光的色偏。圖20是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在圖20中，透鏡被省略。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述參考已經(jīng)圖16和圖17描述過的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖20，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，發(fā)光裝置組件220包括以凸起形狀形成在發(fā)光裝置222上的冷光材料223和組件本體221。根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，能夠通過點(diǎn)膠方案來形成冷光材料223，從而能夠簡化制造工藝。圖21是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在圖21中，透鏡被省略。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖21，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，發(fā)光裝置組件220包括在其頂表面上形成有狹槽221a的組件本體221和填充在該狹槽221a中的包封物224。因此，可以擴(kuò)大包封物224與組件本體221之間的接觸面積，并且包封物224能夠穩(wěn)固地與組件本體221接合。盡管圖21示出了形成在組件本體221的頂表面上的狹槽221a，但該狹槽221a能夠形成在組件本體221的橫向側(cè)。另外，還能夠形成突起來替代狹槽221a。圖22是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在圖22中，透鏡被省略。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖22，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，發(fā)光裝置組件220包括在其頂表面上形成有雙狹槽221b的組件本體221和填充在所述雙狹槽221b中的包封物224。雙狹槽221b從組件本體221的頂表面垂直向下延伸，然后水平延伸。因此，可以擴(kuò)大包封物224與組件本體221之間的接觸面積，并且，填充在雙狹槽221b中的包封物224可以用作鎖定單元，從而包封物224可以與組件本體221穩(wěn)固地接合。圖23是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在圖23中，透鏡被省略。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖23，根 據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，發(fā)光裝置組件220包括組件本體221和形成在該組件本體221的頂表面上的反射結(jié)構(gòu)225。反射結(jié)構(gòu)225可以包括具有高反射率的墨或金屬。反射結(jié)構(gòu)225可以減少在組件本體221中吸收的光的量，從而能夠提高該發(fā)光設(shè)備的光效率。圖24是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。
在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖24，通過COB (板上芯片貼裝)方案來形成根據(jù)第二實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備。即，發(fā)光裝置222直接安裝在襯底210上，并且冷光材料223形成在襯底210上以包圍發(fā)光裝置222。另外，包封物224形成在襯底210上以包圍冷光材料223上。包封物224與襯底210接觸并且包封物224的一部分被填充在第二凹部233中。與圖16和圖17所示的發(fā)光裝置不同，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，發(fā)光裝置222直接安裝在襯底210上，而沒有通過使用組件本體221進(jìn)行封裝。因此，由 發(fā)光裝置222產(chǎn)生的光能夠以較寬的取向角發(fā)出，并且由發(fā)光裝置222產(chǎn)生的熱能夠通過襯底210有效散發(fā)到外部。圖25是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過的元件和結(jié)構(gòu)。在圖25中，透鏡230被省略。參考圖25，通過COB (板上芯片貼裝)方案來形成根據(jù)第二實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備。即，發(fā)光裝置222直接安裝在襯底210上，并且冷光材料223形成在襯底210和發(fā)光裝置222上以包圍發(fā)光裝置222。另外，包封物224形成在襯底210和冷光材料223上以包圍冷光材料223。包封物224的一部分設(shè)置在第二凹部233中。在襯底210上形成有狹槽231a并且包封物224被填充在該狹槽231a中。因此，能夠擴(kuò)大包封物224與襯底210之間的接觸面積，并且包封物224能夠與襯底210和冷光材料223穩(wěn)固地接合。圖26是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過的元件和結(jié)構(gòu)。在圖26中，透鏡被省略。參考圖26，通過COB (板上芯片貼裝)方案來形成根據(jù)第二實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備。即，發(fā)光裝置222直接安裝在襯底210上，并且冷光材料包封物226形成在襯底210和發(fā)光裝置222上以包圍發(fā)光裝置222。通過對其內(nèi)分布有冷光材料的包封物進(jìn)行點(diǎn)膠來以凸起形狀形成冷光材料包封物226。因此，冷光材料包封物226可以具有冷光材料和包封物的功能。根據(jù)第二實(shí)施例的另一示例，能夠簡化制造工藝。圖27是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過的元件和結(jié)構(gòu)。在圖27中，透鏡被省略。參考圖27，通過COB (板上芯片貼裝)方案來形成根據(jù)第二實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備。即，發(fā)光裝置222直接安裝在襯底210上，并且，具有預(yù)定厚度的冷光材料223形成在襯底210和發(fā)光裝置222上以包圍發(fā)光裝置222。另外，包封物224形成在襯底210和冷光材料223上以包圍冷光材料223。包封物224的一部分設(shè)置在第二凹部233中。冷光材料223沿著發(fā)光裝置222的輪廓以波紋形狀布置。即，形成在襯底210上的冷光材料223的高度低于形成在發(fā)光裝置222上的冷光材料223的高度。根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，具有預(yù)定厚度的冷光材料223包圍發(fā)光裝置222，因此能夠減少從發(fā)光設(shè)備發(fā)出的光的色偏。圖28是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過的元件和結(jié)構(gòu)。 參考圖28，根據(jù)第二實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備包括透鏡230，該透鏡230具有透鏡本體231和支撐該透鏡本體231的透鏡支撐件231a，在該透鏡本體231內(nèi)形成有間隙235。當(dāng)在平面圖中觀察時，透鏡本體231具有大致圓形形狀。另外，能夠在透鏡本體231的底表面上形成凹凸部分或粗糙部。能夠在透鏡本體231的底表面上設(shè)置有多個透鏡支撐件231a。盡管在圖28中僅示出兩個透鏡支撐件231a，但是能夠設(shè)置有至少三個透鏡支撐件231a，同時使它們相互隔開以穩(wěn)固地支撐透鏡本體231?？梢愿鶕?jù)該發(fā)光設(shè)備的設(shè)計(jì)來更改透鏡支撐件231a的數(shù)目和形狀。透鏡本體231包括透明樹脂材料并且通過透鏡支撐件231a與襯底210隔開。通過使用粘合劑能夠?qū)⑼哥R支撐件231a穩(wěn)固地附接到襯底210。透鏡本體231的上表面通常是凸起的，并且在透鏡本體231的上表面的中央形成有向下凹陷的第一凹部232。在第一凹部232中能夠形成有反射結(jié)構(gòu)237。第一凹部232可以被反射結(jié)構(gòu)237完全或部分填充。

另外，透鏡本體231具有平坦的底表面，并且在透鏡本體231的底表面的中央形成有向上凹陷的第二凹部233。第一凹部232與第二凹部233沿豎直方向重疊，并且在第一凹部232和第二凹部233之間形成有間隙235。另外，透鏡本體231的上表面的外周部分可以被平坦化，并且透鏡本體231的橫向側(cè)可以與透鏡本體231的底表面垂直。在穿過第二凹部233和間隙235朝著第一凹部232的反射結(jié)構(gòu)237行進(jìn)的同時，由發(fā)光裝置222生成的光被反射和折射。因此，可以減少沿向上方向?qū)虻墓獾牧浚瑥亩軌蜓貍?cè)向方向發(fā)出更大量的光。圖29是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖29，根據(jù)第二實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備包括:襯底20 ;發(fā)光裝置組件220，該發(fā)光裝置組件220安裝在襯底210上；以及透鏡230，該透鏡230安裝在發(fā)光裝置組件220上方，同時由襯底210支撐。發(fā)光裝置組件220包括組件本體221、安裝在組件本體221上的至少一個發(fā)光裝置222、包圍發(fā)光裝置222的冷光材料223。透鏡230包括:包封物部分230a，該包封物部分230a形成在襯底210和發(fā)光裝置組件220上以包圍發(fā)光裝置組件220 ;透鏡部分230c，該透鏡部分230c設(shè)置在包封物部分230a上；以及支撐部分230b，該支撐部分230b在支撐所述透鏡部分230c的同時將包封物部分230a連接到透鏡部分230c。透鏡230可以包括諸如環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂等的透明樹脂材料?？梢酝ㄟ^注入成型來使包封物部分230a、透鏡部分230c以及支撐部分230b彼此形成一體，或者使其形成為相互分離并然后通過使用粘合劑將其相互粘合。透鏡部分230c的上表面是凸起的，并且在透鏡部分230c的上表面的中央形成有第一凹部232。在第一凹部232中形成有反射結(jié)構(gòu)237。透鏡部分230c與包封物部分230a隔開，從而在透鏡部分230c和包封物部分230a之間形成間隙236。包封物部分230a可以提高從發(fā)光裝置222發(fā)出的光的提取效率，同時保護(hù)發(fā)光裝置 222。在穿過包封物部分230a、間隙236以及透鏡部分230c行進(jìn)的同時，從發(fā)光裝置222發(fā)出的光被反射和折射，從而能夠減少沿向上方向?qū)虻墓獾牧?。因此，發(fā)光設(shè)備能夠沿側(cè)向方向發(fā)出更大量的光。圖30和圖31是用于說明根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的光分布特性的視圖。如圖30和圖31所示，當(dāng)與襯底210垂直的方向被設(shè)定為0°時，圖16和圖17所示的根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備以70°至85°或者-70°至-85°的角度發(fā)出峰值光。即，從發(fā)光設(shè)備產(chǎn)生的光主要沿側(cè)向方向發(fā)出。
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同時，圖18至圖29所示的發(fā)光設(shè)備可以具有與圖30和圖31所示的光分布特性。在本說明書中對于“一個實(shí)施例”、“一實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的引用意味著結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個實(shí)施例中。在說明書中，在各處出現(xiàn)的這類短語不必都表示相同實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時，都認(rèn)為結(jié)合實(shí)施例中的其它實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性也是本領(lǐng)域技術(shù)人員所能夠想到的。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的多個示例性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但應(yīng)該理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以想到多個其它修改和實(shí)施例，這將落入本發(fā)明原理的精神和范圍內(nèi)。更具體地，在本說明書、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的主題組合布置結(jié)構(gòu)的組成部件和/或布置結(jié)構(gòu)中，能夠進(jìn)行各種變化和修改。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，除了對組成部件和/或布置結(jié)構(gòu)的變化和修改之外，替代用途也將是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光設(shè)備，包括: 襯底； 位于所述襯底上的發(fā)光裝置組件；以及 透鏡，所述透鏡由所述襯底支撐在所述發(fā)光裝置組件上方并且包括反射結(jié)構(gòu)， 其中，所述透鏡包括具有第一凹部的透鏡本體，并且 其中，所述反射結(jié)構(gòu)被布置在所述發(fā)光裝置組件上方并且反射從所述發(fā)光裝置組件發(fā)出的光，使得所述光被從所述反射結(jié)構(gòu)反射并且沿所述透鏡的側(cè)向方向行進(jìn)。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述透鏡本體包括透鏡支撐件，所述透鏡支撐件設(shè)置在所述透鏡本體的底表面上以支撐所述透鏡本體，使得所述透鏡本體與所述襯底隔開。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述反射結(jié)構(gòu)形成在所述透鏡的所述第一凹部中。
4.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述透鏡本體包括向上凹陷的第二凹部，并且所述第一凹部向下凹陷。
5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述透鏡支撐件包括相互隔開的至少三個透鏡支撐件。
6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述第一凹部沿豎直方向與所述第二凹部重疊。
7.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光 設(shè)備，其中，所述反射結(jié)構(gòu)以反射材料被填充在所述第一凹部中。
8.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述反射結(jié)構(gòu)以反射材料被涂覆在所述第一凹部上。
9.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述透鏡本體的厚度從所述透鏡本體的中央向外周部分逐漸增加，并且在所述透鏡本體的外周部分再次減小。
10.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光設(shè)備，其中，包封物的一部分被設(shè)置在所述第二凹部中。
11.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述第一凹部的最大深度與所述透鏡本體的最大厚度的比率在0.06至0.1的范圍內(nèi)。
12.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述第二凹部的最大深度與所述透鏡本體的最大厚度的比率在0.5至0.75的范圍內(nèi)。
13.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述第二凹部的最大深度與所述第一凹部的最大深度的比率在6.25至10的范圍內(nèi)。
14.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述第一凹部的最大寬度與所述透鏡本體的最大寬度的比率在0.18至0.3的范圍內(nèi)。
15.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述第二凹部的最大寬度與所述透鏡本體的最大寬度的比率在0.14至0.25的范圍內(nèi)。
全文摘要
公開了一種發(fā)光設(shè)備，其包括襯底；位于所述襯底上的發(fā)光裝置組件；以及透鏡，所述透鏡由所述襯底支撐在所述發(fā)光裝置組件上方并且包括反射結(jié)構(gòu)，其中，所述透鏡包括具有第一凹部的透鏡本體，并且其中，所述反射結(jié)構(gòu)被布置在所述發(fā)光裝置組件上方并且反射從所述發(fā)光裝置組件發(fā)出的光，使得所述光被從所述反射結(jié)構(gòu)反射并且沿所述透鏡的側(cè)向方向行進(jìn)。
文檔編號H01L33/60GK103236488SQ20131012520
公開日2013年8月7日 申請日期2010年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月15日
發(fā)明者閔鳳杰 申請人:Lg伊諾特有限公司