專利名稱：凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，具體涉及一種凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
通常的凸點(diǎn)加工工藝中，濺射層使用濕法進(jìn)行蝕刻時(shí)，由于各項(xiàng)同性造成的側(cè)面蝕刻始終是一個(gè)問(wèn)題，當(dāng)側(cè)蝕過(guò)大時(shí)，會(huì)造成藥液攻擊底部的鋁層，造成電性損失?，F(xiàn)有的方法通過(guò)蝕刻設(shè)備和藥水的配合來(lái)降低側(cè)向蝕刻量?，F(xiàn)有的方法存在操作難以控制，配合不好時(shí)仍然存在側(cè)蝕過(guò)大的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容
在下文中給出關(guān)于本發(fā)明的簡(jiǎn)要概述，以便提供關(guān)于本發(fā)明的某些方面的基本理解。應(yīng)當(dāng)理解，這個(gè)概述并不是關(guān)于本發(fā)明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發(fā)明的關(guān)鍵或重要部分，也不是意圖限定本發(fā)明的范圍。其目的僅僅是以簡(jiǎn)化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細(xì)描述的前序。
本發(fā)明實(shí)施例的目的是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種減小側(cè)蝕的發(fā)生的凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:
一種凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括凸點(diǎn)，所述凸點(diǎn)的底部外圍設(shè)有突起物。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明 通過(guò)在凸點(diǎn)底部設(shè)置突起物，突起物在濕法蝕刻時(shí)起到補(bǔ)償?shù)淖饔?，減小側(cè)蝕的發(fā)生，從而形成更加可靠的凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的蝕刻前凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的蝕刻后凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)記:
1-凸點(diǎn)；2_突起物；3_凸點(diǎn)下金屬層；4_招層；5_娃片；6_純化層；7_保護(hù)層；8_鎮(zhèn)層；9_錫層。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。在本發(fā)明的一個(gè)附圖或一種實(shí)施方式中描述的元素和特征可以與一個(gè)或更多個(gè)其它附圖或?qū)嵤┓绞街惺境龅脑睾吞卣飨嘟Y(jié)合。應(yīng)當(dāng)注意，為了清楚的目的，附圖和說(shuō)明中省略了與本發(fā)明無(wú)關(guān)的、本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有付出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
參見(jiàn)圖1，一種凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括凸點(diǎn)1，凸點(diǎn)I的底部外圍設(shè)有突起物2。
本發(fā)明通過(guò)在凸點(diǎn)底部設(shè)置突起物，突起物在濕法蝕刻時(shí)起到補(bǔ)償?shù)淖饔?，減小側(cè)蝕的發(fā)生，從而形成更加可靠的凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施例在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，突起物2的材質(zhì)與凸點(diǎn)I的材質(zhì)相同。
設(shè)置相同的材質(zhì)便于突起物的設(shè)置。
本實(shí)施例在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，突起物2與凸點(diǎn)I在電鍍過(guò)程中一次形成，突起物2為中空的圓臺(tái)形，環(huán)繞在凸點(diǎn)I的底部外圍。
突起物與凸點(diǎn)材質(zhì)相同，可以在電鍍過(guò)程中一次形成，便于加工，圓臺(tái)形的中間空余部分，用于容納凸點(diǎn)及UMB (凸點(diǎn)下金屬層)，突起物的截面可以是如圖1和圖2所示的三角形，類似三角支撐的坡度結(jié)構(gòu)，也可以是梯形，設(shè)置上述結(jié)構(gòu)的突起物減少側(cè)蝕，增加結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。
本實(shí)施例在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，凸點(diǎn)I底部設(shè)有凸點(diǎn)下金屬層3，凸點(diǎn)下金屬層3下部設(shè)有鋁層4，鋁層4下部設(shè)有硅片5。
通過(guò)設(shè)置突起物，在濕法蝕刻時(shí)，有效防止了藥液攻擊底部的鋁層，造成電性損失。
本實(shí)施例在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，還包括鈍化層6，鋁層4延伸到凸點(diǎn)下金屬層3下部以外，硅片5延伸到鋁層4下部以外，鈍化層6覆蓋在硅片5上，并依次延伸到鋁層4外圍、凸點(diǎn)下金屬層3下部以外的鋁層4上及鋁層4與部分凸點(diǎn)下金屬層3之間。在本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中還可以設(shè)置鈍化層，鈍化層6為氧化硅或氮化硅。
本實(shí)施例在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，還可以在鈍化層6上設(shè)有保護(hù)層7。保護(hù)層7優(yōu)選為聚酰亞胺層。
本實(shí)施例在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述凸點(diǎn)的底部露出凸點(diǎn)下金屬層，所述突起物的下端面位于所述保護(hù)層上，所述突起物的側(cè)面將所述底部露出凸點(diǎn)下金屬層覆蓋。
本發(fā)明的突起物將側(cè)部裸露的凸點(diǎn)下金屬層覆蓋，防止對(duì)底部的鋁層造成腐蝕，造成電性損失。
本實(shí)施例在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，凸點(diǎn)I包括銅柱。本發(fā)明的凸點(diǎn)可以是銅柱，也可以是其他材質(zhì)的凸點(diǎn)，突起物的材質(zhì)也為銅，當(dāng)然，突起物的材質(zhì)也可以與凸點(diǎn)的材質(zhì)不同，可以為鎳、錫、鉛等，同樣起到保護(hù)底部鋁層的作用。
本實(shí)施例在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，銅柱上設(shè)有鎳層8，鎳層8上設(shè)有錫層9或錫銀I=Io
本發(fā)明的銅柱上可以設(shè)置鎳層，鎳層用來(lái)防止因擴(kuò)散產(chǎn)生脆性的金屬間化合物而影響可靠性，鎳層上的錫層或錫銀合金層，是最終用來(lái)焊接的。
參見(jiàn)圖2，經(jīng)濕法蝕刻后，側(cè)面的突起物相比濕法蝕刻前，其體積明顯變小，損失的突起物起到補(bǔ)償?shù)淖饔?，減小側(cè)蝕的發(fā)生 ，防止造成電性損失。
在本發(fā)明上述各實(shí)施例中，實(shí)施例的序號(hào)僅僅便于描述,不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。對(duì)各個(gè)實(shí)施例的描述都各有側(cè)重，某個(gè)實(shí)施例中沒(méi)有詳述的部分，可以參見(jiàn)其他實(shí)施例的相關(guān)描述。
在本發(fā)明的裝置和方法等實(shí)施例中，顯然，各部件或各步驟是可以分解、組合和/或分解后重新組合的。這些分解和/或重新組合應(yīng)視為本發(fā)明的等效方案。同時(shí)，在上面對(duì)本發(fā)明具體實(shí)施例的描述中，針對(duì)一種實(shí)施方式描述和/或示出的特征可以以相同或類似的方式在一個(gè)或更多個(gè)其它實(shí)施方式中使用，與其它實(shí)施方式中的特征相組合，或替代其它實(shí)施方式中的特征。
應(yīng)該強(qiáng)調(diào)，術(shù)語(yǔ)“包括/包含”在本文使用時(shí)指特征、要素、步驟或組件的存在，但并不排除一個(gè)或更多個(gè)其它特征、要素、步驟或組件的存在或附加。
最后應(yīng)說(shuō)明的是:雖然以上已經(jīng)詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，但是應(yīng)當(dāng)理解在不超出由所附的權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以進(jìn)行各種改變、替代和變換。而且，本發(fā)明的范圍不僅限于說(shuō)明書(shū)所描述的過(guò)程、設(shè)備、手段、方法和步驟的具體實(shí)施例。本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員從本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容將容易理解，根據(jù)本發(fā)明可以使用執(zhí)行與在此所述的相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或者獲得與其基本相同的結(jié)果的、現(xiàn)有和將來(lái)要被開(kāi)發(fā)的過(guò)程、設(shè)備、手段、方法或者步驟。因此，所附的權(quán)利要求旨在在它們的范圍內(nèi)包括這樣的過(guò)程、設(shè)備、 手段、方法或者步驟。
權(quán)利要求
1.一種凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括凸點(diǎn)，其特征在于，所述凸點(diǎn)的底部外圍設(shè)有突起物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述突起物的材質(zhì)與所述凸點(diǎn)的材質(zhì)相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述突起物與所述凸點(diǎn)在電鍍過(guò)程中一次形成，所述突起物為中空的圓臺(tái)形，環(huán)繞在所述凸點(diǎn)的底部外圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸點(diǎn)底部設(shè)有凸點(diǎn)下金屬層，所述凸點(diǎn)下金屬層下部設(shè)有鋁層，所述鋁層下部設(shè)有硅片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括鈍化層，所述鋁層延伸到所述凸點(diǎn)下金屬層下部以外，所述硅片延伸到所述鋁層下部以外，所述鈍化層覆蓋在所述硅片上，并依次延伸到鋁層外圍、所述凸點(diǎn)下金屬層下部以外的鋁層上及所述鋁層與部分所述凸點(diǎn)下金屬層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層上設(shè)有保護(hù)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層為氧化硅或氮化硅；所述保護(hù)層為聚酰亞胺層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸點(diǎn)的底部露出凸點(diǎn)下金屬層，所述突起物的下端面位于所述保護(hù)層上，所述突起物的側(cè)面將所述底部露出凸點(diǎn)下金屬層覆蓋。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸點(diǎn)包括銅柱。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述銅柱上設(shè)有鎳層，所述鎳層上設(shè)有錫層或 錫銀合金層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種凸點(diǎn)底部保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括凸點(diǎn)，所述凸點(diǎn)的底部外圍設(shè)有突起物，所述突起物的材質(zhì)與所述凸點(diǎn)的材質(zhì)相同。所述凸點(diǎn)底部設(shè)有凸點(diǎn)下金屬層，所述凸點(diǎn)下金屬層下部設(shè)有鋁層，所述鋁層下部設(shè)有硅片。本發(fā)明通過(guò)在凸點(diǎn)底部設(shè)置突起物，突起物在濕法蝕刻時(shí)起到補(bǔ)償?shù)淖饔?，減小側(cè)蝕的發(fā)生，從而形成更加可靠的凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L23/485GK103219305SQ20131013709
公開(kāi)日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月18日
發(fā)明者丁萬(wàn)春, 虞國(guó)良 申請(qǐng)人:南通富士通微電子股份有限公司