專利名稱：一種光屏障玻璃的制備方法
技術領域：
本發(fā)明涉及視差屏障技術領域，特別涉及一種光屏障玻璃的制備方法。
背景技術：
光屏障式3D技術也稱為視差屏障技術或視差障柵技術，其原理與偏振式3D技術類似。如圖1所示，實現光屏障式3D技術的裝置通常包括依次設于液晶顯示屏001上的下偏光片002、光屏障玻璃003和上偏光片005，且光屏障玻璃003與上偏光片005之間封閉有液晶層004。其中，液晶顯示屏001內設有例如能夠分別發(fā)出紅光和綠光的紅光像素區(qū)006和綠光像素區(qū)007。光屏障玻璃003包括在玻璃基板上形成的金屬層(圖中未示出)、絕緣層(圖中未示出)和透明的像素電極層008，其中像素電極層008包括多個條紋狀的像素電極，且每一個條紋狀像素電極的寬度為幾十微米，相鄰的兩個條紋狀的像素電極之間設有間隙。液晶顯示屏001中不同的像素區(qū)發(fā)出的光依次經下偏光片002、光屏障玻璃003、液晶層004和上偏光片005照射到觀察者眼中。液晶層004中的位于條紋狀像素電極上方的液晶沿縱向即垂直于下偏光片002的方向取向；位于條紋狀的像素電極之間的間隙上方的液晶沿橫向即平行于下偏光片002的方向取向。當光線經過縱向取向的液晶時，光線的偏振方向不變，因此該光線繼續(xù)傳輸至上偏振片005時，不能穿過上偏振片005照射到觀察者的眼中。當光線經過橫向取向的液晶時，光線的偏振方向發(fā)生變化，因此該光線繼續(xù)傳輸至上偏振片005時，能夠穿過上偏振片005照射到觀察者的眼中。由液晶顯示屏001中的同一像素區(qū)發(fā)出的光線僅能照射到觀察者的一只眼中，即僅能照射到觀察者的左眼009或右眼010中，而不能同時照射到觀察者的兩只眼中。因此，光屏障玻璃也被稱為“視差障壁”。現有技術中的光屏 障玻璃的制備方法通常需要三道掩膜工藝，其制備工藝繁瑣，制備效率較低，制備成本較高。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種光屏障玻璃的制備方法。本發(fā)明提供的光屏障玻璃的制備方法包括如下步驟:在玻璃基板上形成金屬層；在所述金屬層上涂覆第一光刻膠層，通過半透型掩模板對所述第一光刻膠層進行第一次曝光，然后對所述第一光刻膠層進行第一次顯影處理，形成依次分別對應半透型掩模板的不透光區(qū)域、半透光區(qū)域和完全透光區(qū)域的第一光刻膠層完全保留區(qū)域、第一光刻膠層半保留區(qū)域和第一光刻膠層完全去除區(qū)域；通過第一次刻蝕工藝去除第一光刻膠層完全去除區(qū)域對應的金屬層、以及第一光刻膠層半保留區(qū)域和第一光刻膠層完全保留區(qū)域對應的金屬層的部分區(qū)域，暴露出玻璃基板的部分區(qū)域；通過灰化工藝去除第一次顯影后的所述第一光刻膠層的部分厚度和部分區(qū)域，暴露出第一次刻蝕工藝后剩余的金屬層的部分區(qū)域；在暴露的所述玻璃基板上、暴露的所述金屬層上、灰化工藝后的所述第一光刻膠層上和灰化工藝后的所述第一光刻膠層的側壁形成絕緣層；采用光阻剝離的方法將灰化工藝后的所述第一光刻膠層、位于灰化工藝后的所述第一光刻膠層上的所述絕緣層以及灰化工藝后的所述第一光刻膠層側壁的所述絕緣層去除，得到位于所述金屬層上的過孔，暴露出所述金屬層的對應所述過孔的部分區(qū)域；在所述過孔內、所述過孔的側壁上和所述絕緣層上形成透明的像素電極圖形。優(yōu)選地，所述步驟“在所述過孔內、所述過孔的側壁上和所述絕緣層上形成透明的像素電極圖形”進一步包括如下子步驟:在所述絕緣層上、所述過孔內和所述過孔的側壁上形成透明的像素電極層；在所述像素電極層上涂覆第二光刻膠層；通過常規(guī)掩膜板對所述第二光刻膠層的部分區(qū)域進行第二次曝光；對所述第二光刻膠層進行第二次顯影處理；通過第二次刻蝕工藝去除暴露的所述像素電極層；剝離剩余的所述第二光刻膠層，得到透明的像素電極圖形。優(yōu)選地，所述像素電極層的材質為ΙΤ0。優(yōu)選地，第一次顯影處理后的所述第一光刻膠呈中間厚、兩邊薄的凸起形。優(yōu)選地，第一次刻蝕工藝后剩余的所述金屬層的兩側邊緣呈斜坡狀。進一步優(yōu)選地，第一次刻蝕后的所述金屬層的寬度小于第一次顯影處理后的所述第一光刻膠的寬度。優(yōu)選地，灰化工藝后的所述第一光刻膠層的剖面呈長方形。進一步優(yōu)選地,灰化工藝后的所述第一光刻膠層的寬度小于第一次刻蝕工藝后的所述金屬層的寬度。本發(fā)明具有如下有益效果:與現有技術的制備方法相比，本發(fā)明提供的光屏障玻璃的制備方法僅需要兩道掩膜工藝，能夠節(jié)省一道掩膜工藝，從而能夠簡化制備工藝，提高制備效率，降低制備成本。


圖1為現有技術的光屏障式3D技術的剖面示意圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的光屏障玻璃的制備方法的流程圖；圖3-圖14為本發(fā)明實施例提供的光屏障玻璃的制備方法的示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本發(fā)明的發(fā)明內容作進一步的詳細描述。如圖2所示，本實施例提供的光屏障玻璃的制備方法包括如下步驟:S1:如圖3所不,在玻璃基板I上形成一層連續(xù)的金屬層2 ；S2:如圖4和圖5所示，在金屬層2上涂覆第一光刻膠層3，通過半透型掩模板(HTM-half tone mask) 6對第一光刻膠層3進行第一次曝光,半透型掩模板6包括不透光區(qū)域61、半透光區(qū)域62和完全透光區(qū)域63，第一次曝光后對第一光刻膠層3進行第一次顯影處理，第一次顯影處理后形成對應不透光區(qū)域61的第一光刻膠層3完全保留區(qū)域31、對應半透光區(qū)域62的第一光刻膠層3半保留區(qū)域 32、以及對應完全透光區(qū)域63的第一光刻膠層3完全去除區(qū)域33，第一光刻膠層3完全保留區(qū)域31的第一光刻膠完全保留，第一光刻膠層3半保留區(qū)域32的第一光刻膠被部分去除，即半保留區(qū)域32的第一光刻膠的厚度變薄，第一光刻膠層3完全去除區(qū)域33的第一光刻膠被完全去除，優(yōu)選地，第一次顯影處理后的第一光刻膠層3呈中間厚、兩邊薄的凸起形；S3:如圖6所示，通過第一次刻蝕工藝去除第一光刻膠層3完全去除區(qū)域33對應的金屬層2、以及第一光刻膠層3半保留區(qū)域32和第一光刻膠層3完全保留區(qū)域31對應的金屬層2的部分區(qū)域，暴露出玻璃基板I的部分區(qū)域；優(yōu)選地，第一次刻蝕工藝后剩余的金屬層2的兩側邊緣呈斜坡狀，且第一次刻蝕工藝后的金屬層2的寬度小于第一次顯影處理后的第一光刻膠層3的寬度；S4:如圖7所示，通過灰化工藝去除第一次顯影處理后的第一光刻膠層3的部分厚度和部分區(qū)域，暴露出第一次刻蝕工藝后剩余的金屬層2的部分區(qū)域，優(yōu)選地，灰化工藝后的第一光刻膠層3的剖面呈長方形，且灰化工藝后的第一光刻膠層3的寬度小于第一次刻蝕工藝后的金屬層2的寬度；S5:如圖8所不,在暴露的玻璃基板I上、暴露的金屬層2上、灰化工藝后的第一光刻膠層3上和灰化工藝后的第一光刻膠層3的側壁形成絕緣層4 ；S6:如圖9所示，采用光阻剝離(lift off)的方法將灰化工藝后的第一光刻膠層
3、位于灰化工藝后的第一光刻膠層3上的絕緣層4以及灰化工藝后的第一光刻膠層3側壁的絕緣層4去除，得到位于金屬層2上的過孔7，暴露出金屬層2的對應過孔7的部分區(qū)域；S7:在過孔7內、過孔7的側壁上和絕緣層4上形成透明的像素電極圖形。上述步驟S7進一步包括如下子步驟:S7.1:如圖10所示，在絕緣層4上、過孔7內和過孔7的側壁上形成透明的像素電極層5，像素電極層5的材質 優(yōu)選為ITO (錫銦氧化物)；S7.2:如圖11所示，在像素電極層5上涂覆第二光刻膠層8 ；S7.3:通過常規(guī)掩膜板對第二光刻膠層8的部分區(qū)域進行第二次曝光；S7.4:如圖12所示，第二次曝光后對第二光刻膠層8進行第二次顯影處理，第二次顯影處理后，第二光刻膠層8的曝光區(qū)域的第二光刻膠被完全去除，第二光刻膠層8的未曝光區(qū)域的第二光刻膠完全保留；S7.5:如圖13所示，通過第二次刻蝕工藝去除暴露的像素電極層5，即去除沒有被第二次顯影處理后的第二光刻膠層8覆蓋的像素電極層5 ；S7.6:如圖14所示，剝離剩余的第二光刻膠層8，得到透明的像素電極圖形，從而得到光屏障玻璃。在本實施例中，圖14僅示出了光屏障玻璃中條紋狀的像素電極層5的一個條紋，實際的光屏障玻璃中的像素電極層5可以包括多個條紋。在所述光屏障玻璃中，金屬層2與外部電路(圖中未示出)相電連接。金屬層2通過過孔7將電壓信號傳輸給透明的像素電極層5，通過控制像素電極層5的電壓來控制液晶的翻轉。由于像素電極層5跨過多條金屬層2，因此需要通過絕緣層4將金屬層2和像素電極層5之間絕緣。以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關技術領域的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的 技術方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護范圍應由權利要求限定。
權利要求
1.一種光屏障玻璃的制備方法，其特征在于，該制備方法包括如下步驟: 在玻璃基板上形成金屬層； 在所述金屬層上涂覆第一光刻膠層，通過半透型掩模板對所述第一光刻膠層進行第一次曝光，然后對所述第一光刻膠層進行第一次顯影處理，形成依次分別對應半透型掩模板的不透光區(qū)域、半透光區(qū)域和完全透光區(qū)域的第一光刻膠層完全保留區(qū)域、第一光刻膠層半保留區(qū)域和第一光刻膠層完全去除區(qū)域； 通過第一次刻蝕工藝去除第一光刻膠層完全去除區(qū)域對應的金屬層、以及第一光刻膠層半保留區(qū)域和第一光刻膠層完全保留區(qū)域對應的金屬層的部分區(qū)域，暴露出玻璃基板的部分區(qū)域； 通過灰化工藝去除第一次顯影后的所述第一光刻膠層的部分厚度和部分區(qū)域，暴露出第一次刻蝕工藝后剩余的金屬層的部分區(qū)域； 在暴露的所述玻璃基板上、暴露的所述金屬層上、灰化工藝后的所述第一光刻膠層上和灰化工藝后的所述第一光刻膠層的側壁形成絕緣層； 米用光阻剝離的方法將灰化工藝后的所述第一光刻膠層、位于灰化工藝后的所述第一光刻膠層上的所述絕緣層以及灰化工藝后的所述第一光刻膠層側壁的所述絕緣層去除，得到位于所述金屬層上的過孔，暴露出所述金屬層的對應所述過孔的部分區(qū)域； 在所述過孔內、所述過孔的側壁上和所述絕緣層上形成透明的像素電極圖形。
2.如權利要求1所述的光屏障玻璃的制備方法，其特征在于，所述步驟“在所述過孔內、所述過孔的側壁上和所述絕緣層上形成透明的像素電極圖形”進一步包括如下子步驟: 在所述絕緣層上、所述過孔內和所述過孔的側壁上形成透明的像素電極層； 在所述像素電極層上涂覆第二光刻膠層； 通過常規(guī)掩膜板對所述第二光刻膠層的部分區(qū)域進行第二次曝光； 對所述第二光刻膠層進行第二次顯影處理； 通過第二次刻蝕工藝去除暴露的所述像素電極層； 剝離剩余的所述第二光刻膠層，得到透明的像素電極圖形。
3.如權利要求1或2所述的光屏障玻璃的制備方法，其特征在于，所述像素電極層的材質為ITO。
4.如權利要求1所述的光屏障玻璃的制備方法，其特征在于，第一次顯影處理后的所述第一光刻膠呈中間厚、兩邊薄的凸起形。
5.如權利要求1所述的光屏障玻璃的制備方法，其特征在于，第一次刻蝕工藝后剩余的所述金屬層的兩側邊緣呈斜坡狀。
6.如權利要求5所述的光屏障玻璃的制備方法，其特征在于，第一次刻蝕后的所述金屬層的寬度小于第一次顯影處理后的所述第一光刻膠的寬度。
7.如權利要求1所述的光屏障玻璃的制備方法，其特征在于，灰化工藝后的所述第一光刻膠層的剖面呈長方形。
8.如權利要求7所述的光屏障玻璃的制備方法，其特征在于，灰化工藝后的所述第一光刻膠層的寬度小于第一次刻蝕工藝后的所述金屬層的寬度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光屏障玻璃的制備方法，包括如下步驟在玻璃基板上形成金屬層；在金屬層上涂覆第一光刻膠層，通過半透型掩模板對第一光刻膠層進行第一次曝光，然后對第一光刻膠層進行第一次顯影處理；通過第一次刻蝕工藝去除金屬層的部分區(qū)域；通過灰化工藝去除第一光刻膠層的部分厚度和部分區(qū)域；在暴露的玻璃基板上、暴露的金屬層上、第一光刻膠層上和第一光刻膠層的側壁形成絕緣層；采用光阻剝離的方法將第一光刻膠層、位于第一光刻膠層上的絕緣層以及第一光刻膠層側壁的絕緣層去除，得到過孔；在過孔內、過孔的側壁上和絕緣層上形成透明的像素電極圖形。所述方法能夠節(jié)省一道掩膜工藝，從而能夠簡化制備工藝，提高制備效率，降低制備成本。
文檔編號H01L21/77GK103226286SQ20131014599
公開日2013年7月31日 申請日期2013年4月24日 優(yōu)先權日2013年4月24日
發(fā)明者劉正, 李承珉, 林承武, 郭會斌 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司