單層無芯基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電子芯片封裝，其包括與插件的布線層接合的至少一個芯片，所述插件包括布線層和通孔柱層，其中所述通孔柱層被第一介電材料層包圍，所述第一介電材料層包括在聚合物樹脂中的玻璃纖維，其中所述電子芯片封裝還包括包覆所述至少一個芯片、所述布線層和導(dǎo)線的第二介電材料層。本發(fā)明還提供一種制造該電子芯片封裝的方法。
【專利說明】單層無芯基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電子芯片封裝及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]消費(fèi)電子產(chǎn)品如計算機(jī)和電信裝置包括集成電路芯片。這些電子產(chǎn)品需要IC基板作為芯片封裝部件。
[0003]IC基板需要具有高平坦度并且具有剛性和抗翹曲性以確保與下方基板的良好接觸。這種支撐結(jié)構(gòu)的一般要求是可靠性以及合適的電氣性能、薄度、剛性、平坦性、散熱性好和有競爭力的單價。
[0004]已確立的相對廉價并且實(shí)現(xiàn)IC電路與外界通訊的常用芯片封裝類型是引線框架。引線框架使用延伸至外殼之外的金屬引線。引線框架技術(shù)可追溯到早期的DIP芯片，但其仍廣泛用于許多封裝類型。
[0005]引線框架用作IC封裝的“骨架”，在管芯組裝為成品的過程中為管芯提供機(jī)械支撐。引線框架由管芯附著的管芯焊盤和引線構(gòu)成，所述引線用作向外電連接至外界的手段。通過引線接合或通過帶式自動鍵合，將管芯經(jīng)由導(dǎo)線連接至引線。
[0006]在引線框架與連接導(dǎo)線相連后，使用作為塑料保護(hù)材料的模塑料覆蓋管芯或芯片。
[0007]用于制造更先進(jìn)多層基板的其它技術(shù)包括用于連接介電材料內(nèi)的焊盤或特征結(jié)構(gòu)的層。提供穿過介電材料的通孔來連接不同層中的特征結(jié)構(gòu)。
[0008]一種制造這種通孔的方法是鉆填法，其中通常利用激光來鉆孔穿過電介質(zhì)，然后用導(dǎo)電材料例如銅來填充該孔，由此形成通孔。
[0009]一種制造通孔的替代方法是利用稱為“圖案鍍覆”的技術(shù)在光刻膠形成的圖案中沉積銅或其它金屬。隨后移除光刻膠，并用介電材料層壓直立的通孔柱，所述介電材料優(yōu)選是用以增強(qiáng)剛性的聚合物浸潰玻璃纖維氈預(yù)浸料。
[0010]在圖案鍍覆中，首先沉積種子層。然后在其上沉積光刻膠層，隨后曝光形成圖案，并且選擇性移除該圖案以制成暴露出種子層的溝槽。通過將銅沉積到光刻膠溝槽中來形成通孔柱。然后移除剩余的光刻膠，蝕刻掉種子層，并在其上及其周圍層壓通常為聚合物浸潰玻璃纖維氈的介電材料，以包圍所述通孔柱。然后，可以使用各種技術(shù)和工藝來減薄所述介電材料，將其平坦化并暴露出所述通孔柱頂部以允許通過通孔柱導(dǎo)電連接到底平面或基準(zhǔn)面，用于在其上構(gòu)建下一金屬層。可在其上通過重復(fù)該過程來沉積后續(xù)的金屬導(dǎo)體層和通孔柱，以構(gòu)建所需的多層結(jié)構(gòu)。
[0011]在一個替代但緊密關(guān)聯(lián)的技術(shù)即下文所稱的“面板鍍覆”中，將連續(xù)的金屬或合金層沉積到基板上。在其頂部沉積光刻膠層，并在其中顯影出圖案。剝除顯影光刻膠的圖案，選擇性地暴露出其下的金屬，該金屬可隨后被蝕刻掉。未顯影的光刻膠保護(hù)其下方的金屬不被蝕刻掉，并留下直立的特征結(jié)構(gòu)和通孔的圖案。剝除未顯影光刻膠后，在所述直立的銅特征結(jié)構(gòu)和/或通孔柱上及周圍層壓介電材料，如聚合物浸潰玻璃纖維氈。[0012]通過諸如前述的圖案鍍覆或面板鍍覆方法創(chuàng)建的通孔層通常被稱為“通孔柱”。可以利用類似的技術(shù)制造特征層。
[0013]一種制造高密度互連的靈活技術(shù)是構(gòu)建由介電基質(zhì)中的金屬通孔或特征結(jié)構(gòu)構(gòu)成的圖案鍍覆或面板鍍覆的多層結(jié)構(gòu)。所述金屬可以是銅，電介質(zhì)可以是纖維增強(qiáng)聚合物，通常使用的是具有高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)的聚合物，例如聚酰亞胺。這些互連可以是有芯的或無芯的，并可包括用于堆疊元件的空腔。它們可具有奇數(shù)或偶數(shù)層。實(shí)現(xiàn)技術(shù)描述在授予 Amitec-Advanced Multilayer Interconnect Technologies Ltd.的現(xiàn)有專利中。例如，赫爾維茨(Hurwitz)等人的題為“高級多層無芯支撐結(jié)構(gòu)及其制造方法(Advancedmultilayer coreless support structures and method for their fabrication)，，的美國專利US7，682，972描述了一種制造包括在電介質(zhì)中的通孔陣列的獨(dú)立膜的方法，所述膜用作構(gòu)建優(yōu)異的電子支撐結(jié)構(gòu)的前體。該方法包括以下步驟:在包圍犧牲載體的電介質(zhì)中制造導(dǎo)電通孔膜，和將所述膜與犧牲載體分離以形成獨(dú)立的層壓陣列?；谠摢?dú)立膜的電子基板可通過將所述層壓陣列減薄和平坦化，隨后端接通孔來形成。該公報通過引用全文并入本文。
[0014]赫爾維茨(Hurwitz)等人的題為“集成電路支撐結(jié)構(gòu)及其制造方法(integratedcircuit support structures and their fabrication)，，的美國專利 US7, 635，641 描述了一種制造電子基板的方法，包括以下步驟:(A)選擇第一基礎(chǔ)層；(B)將蝕刻阻擋層沉積到所述第一基礎(chǔ)層上；(C)形成交替的導(dǎo)電層和絕緣層的第一半堆疊體，所述導(dǎo)電層通過貫穿絕緣層的通孔而互連；(D)將第二基礎(chǔ)層涂覆到所述第一半堆疊體上；(E)將光刻膠保護(hù)涂層涂覆到第二基礎(chǔ)層上；(F)蝕刻掉所述第一基礎(chǔ)層；(G)移除所述光刻膠保護(hù)涂層；(H)移除所述第一蝕刻阻擋層；(I)形成交替的導(dǎo)電層和絕緣層的第二半堆疊體，導(dǎo)電層通過貫穿絕緣層的通孔而互連；其中所述第二半堆疊體具有與第一半堆疊體基本對稱的構(gòu)造；(J)將絕緣層涂覆到交替的導(dǎo)電層和絕緣層的所述第二半堆疊體上；(K)移除所述第二基礎(chǔ)層，以及，(L)通過將通孔末端暴露在所述堆疊體的外表面上并對其施加端子來端接基板。該公報通過引用全文并入本文。
[0015]多層基板能夠?qū)崿F(xiàn)更高密度的互連并用于甚至更復(fù)雜的IC芯片。它們遠(yuǎn)比簡單單層引線框架更為昂貴，對于許多電子應(yīng)用來說，更經(jīng)濟(jì)的引線框架才是適合的。
[0016]然而，引線框架技術(shù)存在許多局限。芯片通過引線接合連接至引線框架，連接導(dǎo)線越長，形成斷路并導(dǎo)致故障的導(dǎo)線斷裂危險就越大。此外，裝在一起的導(dǎo)線越接近，短路的可能性就越大。
[0017]介電材料內(nèi)通孔柱的方法適用于多層基板，但通常因太過易損而不用于單層基板中，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到翹曲和彎曲導(dǎo)致接觸不良、不可靠和短路。
[0018]本發(fā)明的實(shí)施方案解決了這些問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0019]本發(fā)明的實(shí)施方案涉及提供新型芯片封裝解決方案。
[0020]一種電子芯片封裝包括與插件的布線層接合的至少一個芯片，所述插件包括布線層和通孔柱層，其中所述通孔柱層被介電材料包圍，所述介電材料包括在聚合物樹脂中的玻璃纖維，并且所述芯片和所述布線層嵌入在第二介電材料層中，所述第二介電材料層包覆所述芯片和所述布線層。
[0021]在一些實(shí)施方案中，所述電子芯片封裝還包括在所述通孔柱層的與所述布線層相反側(cè)上的金屬犧牲基底。
[0022]在一些實(shí)施方案中，所述通孔柱層中的至少一個通孔柱具有非圓柱形狀，其特征在于X-Y平面內(nèi)的長尺寸是X-Y平面內(nèi)的短尺寸的至少3倍長度。
[0023]在一些實(shí)施方案中，所述插件的底面包括被所述介電材料包圍的所述通孔柱的銅端部，使得所述通孔柱的銅端部與該介電材料齊平。
[0024]在其它實(shí)施方案中，所述插件的底面包括被所述介電材料包圍的所述通孔柱的銅端部，使得所述通孔柱的銅端部相對于該介電材料凹陷至多5微米。
[0025]在其它實(shí)施方案中，所述通孔層還包括銅通孔柱和覆蓋遠(yuǎn)離所述布線層的所述通孔柱的端部的阻擋金屬層，使得所述插件的底面包括通孔柱端部，所述通孔柱端部包括被介電材料包圍的阻擋金屬，使得所述通孔柱的阻擋金屬端部與該介電材料齊平。
[0026]通常，所述阻擋金屬層選自鎳、金、錫、鉛、鈀、銀及其組合。
[0027]在一些實(shí)施方案中，所述通孔的阻擋金屬層具有I微米至10微米范圍的厚度。
[0028]在一些實(shí)施方案中，所述至少一個芯片設(shè)置為倒裝芯片，其通過凸點(diǎn)陣列接合至所述布線層。
[0029]在一些這樣的實(shí)施方案中，所述第二介電材料層是玻璃纖維增強(qiáng)聚合物。
[0030]通常，所述至少一個芯片通過引線接合與所述布線層接合，并且所述第二介電材料層是模塑料。
[0031]任選地，包圍所述通孔柱的第一介電材料層包括第一聚合物樹脂，包圍所述布線層和所述至少一個芯片的所述第二介電材料層包括第二聚合物樹脂，其中所述第一聚合物樹脂不同于所述第二聚合物樹脂。
[0032]任選地，包圍所述通孔柱的所述第一介電材料層包括無機(jī)填料。
[0033]任選地，包圍所述通孔柱的所述第一介電材料層的聚合物樹脂選自聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、BT (雙馬來酰亞胺/三嗪樹脂)、聚苯醚(PPE或ΡΡ0)及其共混物。
[0034]本發(fā)明的第二方面涉及提供一種制造電子芯片封裝的方法，包括以下步驟:
[0035](a)選擇犧牲基板；
[0036](b)在所述犧牲基板上沉積蝕刻阻擋層；
[0037](C)鍍覆通孔柱層；
[0038](d)用介電材料層壓所述通孔柱層；
[0039](e)減薄和平坦化介電材料層；
[0040](f)在所述通孔層上鍍覆布線特征層；
[0041](g)連接至少一個芯片；
[0042](h)用第二介電材料包覆所述至少一個芯片和布線特征結(jié)構(gòu)；
[0043](i)移除所述犧牲基板，和
[0044](j)移除所述蝕刻阻擋層。
[0045]在一些實(shí)施方案中，步驟(g)包括將所述至少一個芯片引線接合至所述布線特征結(jié)構(gòu)，步驟(h)包括用模塑料包覆所述至少一個芯片和布線特征結(jié)構(gòu)。
[0046]在一些實(shí)施方案中，步驟(g)包括將所述至少一個芯片利用凸點(diǎn)陣列倒裝芯片接合至所述布線特征結(jié)構(gòu)。
[0047]任選地，在這樣的實(shí)施方案中，步驟(h)包括用玻璃纖維聚合物預(yù)浸料進(jìn)行包覆。
[0048]在一些實(shí)施方案中，所述犧牲基板包括可剝離銅基板、離型層和超薄銅箔，移除犧牲基板的步驟(i)包括剝除所述可剝離銅基板并蝕刻掉剩余的銅箔。
[0049]在一些實(shí)施方案中，所述犧牲基板包括覆銅層壓板，移除犧牲基板的步驟(j)包括蝕刻掉銅。
[0050]在一些實(shí)施方案中，所述方法還包括步驟(k):通過移除所述蝕刻阻擋層以暴露出堆疊體外表面上的通孔端部并對所述通孔端部施加端子來端接所述基板。
[0051]在一些實(shí)施方案中，步驟(b)的阻擋層的沉積厚度為0.1微米至數(shù)十微米范圍，并且步驟(b)的蝕刻阻擋層:
[0052]?包括選自鉭、鎢、鈦、鈦-鉭合金、鈦-鎢合金、鎳、錫、鉛和錫-鉛合金中的金屬，并且所述沉積包括濺射，或
[0053]?包括選自鎳、錫、鉛和錫/鉛合金中的金屬，并且所述沉積通過選自電鍍和化學(xué)鍍的工藝進(jìn)行。
[0054]在一些實(shí)施方案中，鍍覆通孔柱層的步驟(C)包括通過以下子步驟來圖案鍍覆所述通孔柱層:
[0055]?敷設(shè)光刻膠層；
[0056]?在所述光刻膠層中顯影出通孔圖案；
[0057]?在所述圖案中鍍銅；和
[0058].剝除所述光刻膠層以留下直立的所述通孔。
[0059]在一些實(shí)施方案中，鍍覆通孔柱層的步驟(C)包括沉積端子材料和在所述端子材料上構(gòu)建通孔柱。
[0060]在一些實(shí)施方案中，所述端子材料包括錫、錫-鉛合金、金、銀和鈀中的至少其一。
[0061]在一些實(shí)施方案中，鍍覆通孔柱層的步驟(C)包括通過以下子步驟來面板鍍覆所述通孔柱層:
[0062]?面板鍍覆連續(xù)銅層；
[0063]?在所述連續(xù)銅層上沉積光刻膠層；
[0064]?在所述光刻膠層中顯影出通孔圖案；
[0065]?蝕刻掉過量的銅以留下所述圖案；和
[0066]?剝除已顯影的光刻膠層，留下直立的所述通孔。
[0067]在一些實(shí)施方案中，第一介電材料層包括聚合物樹脂，選自聚四氟乙烯、聚四氟乙烯衍生物、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚苯醚(PPE或ΡΡ0)及其混合物。
[0068]在一些實(shí)施方案中，第一介電材料層還包括以下至少其一:
[0069]a)無機(jī)顆粒填料,其平均粒徑為0.5微米至30微米,顆粒含量為15wt%_30wt% ；
[0070]b)纖維，選自有機(jī)纖維和玻璃纖維，其排列成選自交叉復(fù)合排列、織造氈和隨機(jī)取向短纖維的排列。
[0071]在一些實(shí)施方案中，用介電材料層層壓通孔柱層的步驟(d)包括在通孔上施加預(yù)浸料以及通過熱壓機(jī)層壓預(yù)浸料進(jìn)行固化，所述預(yù)浸料包括在基質(zhì)中的玻璃纖維，所述基質(zhì)選自聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂或BT (雙馬來酰亞胺/三嗪樹脂)、聚苯醚(PPE或PPO)或其混合物。
[0072]在一些實(shí)施方案中，第二介電材料層包括聚合物樹脂，其選自聚四氟乙烯、聚四氟乙烯衍生物、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚苯醚(PPE或ΡΡ0)及其混合物。
[0073]在一些實(shí)施方案中，第二介電材料層還包括以下至少其一:
[0074]a)無機(jī)顆粒填料,其平均粒徑為0.5微米至30微米,顆粒含量為15wt%_30wt% ；
[0075]b)纖維，選自有機(jī)纖維和玻璃纖維，其排列成選自交叉復(fù)合排列、織造氈和隨機(jī)取向短纖維的排列。
[0076]在一些實(shí)施方案中，用介電材料層層壓通孔柱層的步驟(h)包括在芯片和布線層上施加預(yù)浸料以及通過熱壓層壓預(yù)浸料進(jìn)行固化，所述預(yù)浸料包括在基質(zhì)中的玻璃纖維，所述基質(zhì)選自聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂或BT (雙馬來酰亞胺/三嗪)、聚苯醚(PPE或ΡΡ0)或其混合物。
[0077]在一些實(shí)施方案中，減薄和平坦化介電材料層的步驟(e)包括選自干蝕刻、機(jī)械研磨、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP )、其組合及其兩階段過程的工藝。
[0078]在一些實(shí)施方案中，在通孔層上鍍覆布線特征層的步驟(f)包括:
[0079](i)在介電層上面板鍍覆銅，在其上敷設(shè)光刻膠層，顯影出布線特征層的正性圖案，選擇性地蝕刻掉過量的銅以留下所述布線特征層，以及剝除所述光刻膠層；或
[0080](ii)敷設(shè)光刻膠層，顯影出溝槽圖案，在所述溝槽中圖案鍍覆布線特征層，以及剝除所述光刻膠層。
[0081]在一些實(shí)施方案中，步驟(f)還包括在經(jīng)減薄的介電材料層上沉積粘附金屬層的預(yù)先步驟。
[0082]在一些實(shí)施方案中，所述粘附金屬層選自鈦、鉻、鎢、鎳-鉻合金和鈦-鎢合金。
[0083]在一些實(shí)施方案中，連接至少一個芯片的步驟(g)包括施加焊劑。
[0084]在一些實(shí)施方案中，將至少一個芯片連接至布線特征層的步驟(g)包括將金、鋁或銅導(dǎo)線從所述芯片延伸至所述布線特征層。
[0085]在一些實(shí)施方案中，移除犧牲基板的步驟(i)包括蝕刻掉銅。
[0086]在一些實(shí)施方案中，移除犧牲基板的步驟(i)包括剝除第一銅層和蝕刻掉剩余的銅。
[0087]在一些實(shí)施方案中，移除犧牲基板的步驟(i)采用濕蝕刻工藝，并且利用在步驟
(b)中制造的蝕刻阻擋層作為蝕刻停止層。
[0088]在一些實(shí)施方案中，在步驟(b)中制造的蝕刻阻擋層包括鉭，用于蝕刻掉犧牲基板的步驟(i)中的蝕刻過程包括將犧牲基板暴露于升高溫度下的氫氧化銨溶液中。
[0089]在一些實(shí)施方案中，在步驟(b)中制造的蝕刻阻擋層選自鉭、鈦和鎢以及鈦-鎢合金，并且移除蝕刻阻擋層的步驟(j)包括使用CF4和氬氣的混合物的等離子體蝕刻，其中所述混合物通常具有的CF4與氬氣之比為1:1至3:1。
[0090]在一些實(shí)施方案中，在步驟(b)中制造的蝕刻阻擋層選自鉭、鈦和鎢以及鈦-鎢合金，并且移除蝕刻阻擋層的步驟(j)包括使用CF4和氧氣的混合物的等離子體蝕刻。
[0091]在一些實(shí)施方案中，所述方法還包括對通孔的暴露端部施加最終涂層，所述涂層選自鎳、金、錫、鉛、銀、鈀及其合金以及有機(jī)防銹面層。
[0092]術(shù)語微米或μ m是指微米或10_6米。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0093]為了更好地理解本發(fā)明并示出本發(fā)明的實(shí)施方式，純粹以舉例的方式參照附圖。
[0094]具體參照附圖時，必須強(qiáng)調(diào)的是特定的圖示是示例性的并且目的僅在于說明性地討論本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案，并且基于提供被認(rèn)為是對于本發(fā)明的原理和概念方面的描述最有用和最易于理解的圖示的原因而被呈現(xiàn)。就此而言，沒有試圖將本發(fā)明的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)以超出對本發(fā)明基本理解所必需的詳細(xì)程度來圖示；參照附圖的說明使本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識到本發(fā)明的幾種形式可如何實(shí)際體現(xiàn)出來。在附圖中:
[0095]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方案的電子芯片封裝的簡化截面圖；
[0096]圖2是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方案的電子芯片封裝的簡化截面圖；
[0097]圖3是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方案的電子芯片封裝的簡化截面圖；
[0098]圖4是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方案的電子芯片封裝的簡化截面圖，示出能夠通過接點(diǎn)柵格陣列(LGA)或球形柵格陣列(BGA)實(shí)現(xiàn)芯片與基板連接的插件；
[0099]圖5是示出本文描述的電子芯片封裝可如何制造的流程圖；
[0100]各個附圖中相同的參考數(shù)字和附圖標(biāo)記指示相同的要素。
【具體實(shí)施方式】
[0101]在以下說明中，涉及的是包括在介電基體中的金屬通孔的支撐結(jié)構(gòu)，特別是在聚合物基體中的銅通孔柱，所述聚合物基質(zhì)例如是玻璃纖維增強(qiáng)的聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂或BT(雙馬來酰亞胺/三嗪樹脂)、聚苯醚(PPE或ΡΡ0)或它們的共混物。
[0102]參照圖1，示出超薄電子芯片封裝的示意性截面圖。超薄芯片封裝100包括至少一個芯片110，所述芯片110通過銅布線特征層114連接至包圍在介電材料116內(nèi)的銅通孔柱112，所述介電材料116由玻璃纖維增強(qiáng)的聚合物基質(zhì)構(gòu)成。所述芯片110可以通過焊線118 (通常是金導(dǎo)線)引線接合至布線特征層114，并且超薄芯片封裝100還包括包覆芯片110、布線特征層114和焊線118的模塑料120。
[0103]超薄芯片封裝100制造在通常為銅或銅合金的犧牲基板122上，僅在芯片110被接合到插件124即布線層114和通孔112上并且被模塑料120包覆后，才可以移除犧牲基板 122。
[0104]利用這種獨(dú)特的構(gòu)造，即芯片110和模塑料120提供主體并由此為包括單層通孔112的極薄插件124提供剛性，可以實(shí)現(xiàn)非常薄的芯片封裝。實(shí)際上，可以實(shí)現(xiàn)芯片尺寸封裝(CSP)。這樣的封裝是對小外形集成電路(S0IC)、方形扁平無引腳封裝(QFN)和兩層芯片尺寸封裝(2L CSP)的成本有效且高性能的替代。
[0105]如圖所示，芯片110連接至經(jīng)拋光和減薄的通孔層上。所公開的構(gòu)造比多層基板更薄，但不適合非常高密度的大數(shù)量互連。然而，與常規(guī)的引線框架不同，利用布線層114可以提供短焊線118，并且避免易于折斷的長焊線。而且，引線接合通常使用金線來實(shí)現(xiàn)，并且布線層是銅。因此，雖然實(shí)際的插件124往往比常規(guī)的引線框架更昂貴，但是在考慮到每個芯片110的全部封裝成本時，這樣的超薄芯片封裝100可能是成本有效的。此外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，兩個以上的芯片110可以在常用插件124上并排安裝。
[0106]在圖2構(gòu)造中，犧牲基板222包括市售的可剝離銅基板、離型層和超薄銅箔。Furukawa供應(yīng)這種箔，商品名為 F-DP 和 H-DP,具體參見 Furukawa Review38, 2010.http: //www.furukawa.c0.jp/review/fr038/fr38 06.pdf。
[0107]使用這種膜能夠剝離大多數(shù)基板222，并且只需要蝕刻掉相對薄的銅層，通常2-5微米的銅222，以暴露出在通孔柱112端部上的蝕刻阻擋層126。這可以在常規(guī)的芯片封裝廠實(shí)現(xiàn)。作為替代方案，基板制造廠可將芯片110附著在插件124上并以目標(biāo)垂直整合進(jìn)行包覆。
[0108]另一候選的基板是覆銅層壓板(CCL),例如廣泛用于制造印刷電路板的CCL。
[0109]為了能夠?qū)崿F(xiàn)蝕刻掉銅基板而不損傷通孔柱端部，在一些實(shí)施方案中，通常是銅的通孔柱的沉積是以沉積抗蝕刻材料的阻擋層126開始的，所述阻擋層116例如是通過濺射沉積的鉭、鎢、鈦、鈦-鉭合金、鈦-鎢合金、鎳、錫、鉛或錫-鉛合金，或者是通過電鍍或化學(xué)鍍沉積的鎳、錫、鉛或錫-鉛合金。如果沒有這種蝕刻阻擋層，則通孔柱自身的前幾個微米通常是3-5微米被蝕刻掉，導(dǎo)致通孔柱端部相對于介電材料凹陷。雖然當(dāng)芯片封裝附著至印刷電路板(PCB)時，凹陷的通孔柱需要更多的焊劑或其它連接材料來提供電連接，但是增加阻擋層增加了單位成本,因此有時候?qū)⑵涫∪ァ?br> [0110]本發(fā)明的構(gòu)造預(yù)期比兩層芯片尺寸封裝(CSP)具有更好的熱性能、更薄以及更低的單位成本，并且比微型引線框架具有更好的電氣性能和總體更低的成本。
[0111]參照圖3，示出一種經(jīng)過適當(dāng)修改的變化方案的支撐結(jié)構(gòu)300，其中芯片310以倒裝芯片構(gòu)造安裝并且通過球形柵格陣列318連接至插件324的布線特征結(jié)構(gòu)314上。在該變化方案的支撐結(jié)構(gòu)中，一個或更多個芯片310可采用玻璃纖維聚合物預(yù)浸料320而不是模塑料120進(jìn)行包覆。
[0112]參照圖4，為了將芯片110或多芯片陣列以扇入(fan-1n)型排列連接至基板，可以采用接點(diǎn)柵格陣列(LGA)或球形柵格陣列(BGA)。銅通孔412等距間隔排列成矩形格柵，如截面圖所示，其中一列顯示為等距間隔的通孔柱412隊列。布線層414縮短了銅線418需要跨越的距離，并且能夠使通孔柱412位于芯片110下方使用。以此方式，芯片可以引線接合(或倒裝芯片可以采用凸點(diǎn)陣列連接)至插件424，該插件424連接至接點(diǎn)柵格陣列。
[0113]在圖1-3中，沒有示出阻焊層以保持附圖簡潔。然而，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到可以使用阻焊層來隔離布線層的端部。
[0114]參照圖5，一種制造電子芯片封裝的方法包括以下步驟:選擇犧牲基板122—步驟(a)?；?22通常是銅或銅合金，并且可以是簡單的銅片或市售的可剝離銅基板222，如下所述。
[0115]接著，在所述犧牲基板上沉積蝕刻阻擋層126—步驟(b)。通常，蝕刻阻擋層的沉積厚度為0.1微米至數(shù)十微米的范圍，并且可包括濺射沉積的鉭、鎢、鈦、鈦-鉭合金、鈦-鎢合金、鎳、錫、鉛或錫-鉛合金或者電鍍或化學(xué)鍍沉積的鎳、錫、鉛或錫-鉛合金。
[0116]然后，在蝕刻阻擋層126上鍍覆通孔柱層112—步驟(C)。
[0117]在一個變化方案的制造方法中，鍍覆通孔柱層的步驟(C)包括通過以下子步驟圖案鍍覆所述通孔柱層:
[0118]⑴敷設(shè)光刻膠層；[0119](?)在所述光刻膠層內(nèi)顯影出通孔112的圖案；
[0120](iii)在所述圖案內(nèi)鍍覆銅通孔112 ;和
[0121](iv)剝除所述光刻膠層，保留下直立的通孔柱112。
[0122]任選地，鍍覆通孔柱層的步驟(C)包括在所述圖案中沉積端子材料128，例如鎳、金、錫、鉛、錫-鉛合金、銀、鈀或其合金，并且在所述端子材料上通過在其上電鍍銅來構(gòu)建銅通孔柱。
[0123]在另一變化方案的制造方法中，鍍覆通孔柱層的步驟(C)包括通過以下子步驟面板鍍覆所述通孔柱層:
[0124]?面板鍍覆連續(xù)銅層；
[0125]?在所述連續(xù)銅層上沉積光刻膠層；
[0126]?在所述光刻膠層內(nèi)顯影出通孔圖案；
[0127]?蝕刻掉過量的銅以留下直立的通孔柱112 ;和
[0128]?剝除已顯影的光刻膠，留下直立的通孔柱112。
[0129]應(yīng)該認(rèn)識到，與特征在于通孔基本為圓柱形并且所有通孔均相同的鉆填制通孔技術(shù)不同，本發(fā)明的制造方法采用鍍覆技術(shù)，其中通孔柱是被鍍覆到光刻膠圖案內(nèi)或者從面板鍍覆層中蝕刻掉周圍材料而·留下通孔柱，這在制造上具有無法比擬的靈活性，并且部分或全部通孔自身可提供平面布線。這樣的通孔柱可以條狀的，并且具有一個明顯更長的平面內(nèi)尺寸，其可能是其它平面內(nèi)尺寸的3倍以上長度。
[0130]接著，用介電材料116層壓通孔柱層112—步驟(d)。介電材料116可以選自聚四氟乙烯、聚四氟乙烯衍生物、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚苯醚(PPE或ΡΡ0)及其混合物和共混物。
[0131]通常，介電材料116還包括以下至少其一:
[0132](a)無機(jī)顆粒填料,平均粒徑為0.5微米至30微米,顆粒含量為15wt%_30wt% ；
[0133](b)纖維，選自有機(jī)纖維和玻璃纖維，其排列成選自交叉復(fù)合排列、織造氈和隨機(jī)取向短纖維的排列。
[0134]在一些實(shí)施方案中，用介電材料116層壓通孔柱層112的步驟(d)包括施加包括基質(zhì)中玻璃纖維的預(yù)浸料，所述基質(zhì)選自聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂或BT(雙馬來酰亞胺/三嗪樹脂)、聚苯醚(PPE或ΡΡ0)或其共混物，然后通過熱壓層壓該預(yù)浸料進(jìn)行固化。
[0135]通過在通孔柱上層壓預(yù)浸料，基板可具有剛性和抗翹曲性。選擇的聚合物具有對銅柱的良好粘附性。
[0136]接著，對介電層116進(jìn)行減薄和平坦化以暴露出通孔柱112的端部一步驟(e)。在各種工藝路線中，介電層的減薄和平坦化通過干蝕刻、機(jī)械研磨、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)及其組合以及其兩階段工藝來實(shí)現(xiàn)。
[0137]然后，在通孔柱層112上鍍覆布線特征層114。
[0138]在通孔柱層112上鍍覆布線特征層114可包括:
[0139](i)在所述介電層上面板鍍覆銅，在其上敷設(shè)光刻膠層，顯影出布線特征結(jié)構(gòu)的正性圖案，選擇性地蝕刻掉過量的銅以留下布線特征結(jié)構(gòu)114，以及剝除所述光刻膠層；或
[0140](ii)敷設(shè)光刻膠層，顯影出溝槽圖案，在所述溝槽中圖案鍍覆布線特征結(jié)構(gòu)112，以及剝除所述光刻膠層。[0141]為了有助于布線特征結(jié)構(gòu)粘附至下方的介電材料116，可以先在減薄的介電材料上沉積粘附金屬層例如鈦、鉻或鎳/鉻合金，所述粘附金屬層通常具有0.04微米至0.1微米范圍的厚度。通過先沉積種子層而在其上沉積銅，這通常通過濺射或化學(xué)鍍進(jìn)行，接著通過電鍍在其上構(gòu)建銅層。
[0142]然后，將芯片110連接至介電層116—步驟(g)。在一些實(shí)施方案中，將芯片110連接至介電層116的步驟(g)包括施加焊劑。這可以用于簡單的機(jī)械接合，或者參照圖3，用于倒裝芯片構(gòu)造中，采取球形柵格陣列318將芯片110電連接至基板(這不能采用常規(guī)的引線框架進(jìn)行)。
[0143]利用采取球形柵格陣列318的倒裝芯片設(shè)置，可以用預(yù)浸料320而不是用傳統(tǒng)的模塑料來層壓芯片110和布線層312。這提供更薄且更剛性的產(chǎn)品。
[0144]在其它實(shí)施方案中，如圖1和2所示，芯片110連接至插件124是通過利用從芯片110至布線特征結(jié)構(gòu)114延伸的金(或較不常用的鋁或銅)導(dǎo)線將芯片110引線接合至布線特征結(jié)構(gòu)114來進(jìn)行的。
[0145]由于布線特征結(jié)構(gòu)，使得所需的焊線118長度可以少于常規(guī)引線框架排列所需的焊線長度。這顯著增加了芯片封裝的可靠性并且由于需要較少的金導(dǎo)線從而通常降低總成本。
[0146]接著，用模塑料120包覆芯片110、布線特征結(jié)構(gòu)114和焊線118—步驟(h)。如果采用球形柵格陣列(圖3中的318)來連接倒裝芯片310至插件324，則可以使用具有增強(qiáng)纖維的介電材料，例如纖維在基質(zhì)中的預(yù)浸料320。這比模塑料120具有更好的剛性，但是這不能與引線接合一同使用，因?yàn)椴ＡЮw維會破壞金焊線118。
[0147]在使用芯片110和模塑料20 (纖維增強(qiáng)電介質(zhì)320)來使結(jié)構(gòu)100 (300)具有剛性后，可以移除犧牲基板112—步驟(i)。這種在移除犧牲基板112之前施加芯片110和模塑料120的工藝路線是非常革命性的，因?yàn)檫@需要將未完成的基板供應(yīng)至封裝裝配機(jī)或在基板裝配機(jī)中加入芯片110。當(dāng)采用球形柵格陣列時，使用介電預(yù)浸料320替代模塑料120進(jìn)一步增加了革命性的進(jìn)展。
[0148]在一些實(shí)施方案中，移除犧牲基板的步驟(i)包括剝除可剝離銅基板222和蝕刻掉剩余的銅箔。
[0149]在一些實(shí)施方案中，蝕刻掉犧牲基板112/222的步驟⑴采用濕蝕刻過程，并且使用在步驟(b)中制造的蝕刻阻擋層126作為蝕刻停止層。
[0150]在一個制造路線中，在步驟(b)中制造的蝕刻阻擋層126包括鉭，并且由于蝕刻掉犧牲基板的步驟(i)中的蝕刻過程包括將犧牲基板暴露于升高溫度的氫氧化銨溶液中。作為替代方案，可以使用氯化銅作為蝕刻劑。
[0151]然后，可以利用合適的蝕刻劑來移除蝕刻阻擋層一步驟(j)。
[0152]在一個制造路線中，在步驟(b)中制造的蝕刻阻擋層126選自鉭、鈦和鎢，并且移除蝕刻阻擋層的步驟(j)包括使用CF4和氬氣的混合物的等離子體蝕刻，其中該混合物通常具有CF4與氬氣之比為1:1至3:1。在另一實(shí)施例中，蝕刻掉蝕刻阻擋層的方法通過使用比例為93:7的CF4 = O2的等離子體蝕刻來進(jìn)行。
[0153]在移除犧牲基板112 (222)之后，如果蝕刻阻擋層126不適合用作端子，則任選地所述方法還包括移除蝕刻阻擋層126—步驟(j)以暴露出通孔柱122的端部，以及對通孔端部施加端子128—步驟(k)。
[0154]當(dāng)在施加銅之前通過圖案鍍覆對蝕刻阻擋層126進(jìn)行圖案化時，其可以用于端子目的。然而，通常該方法還包括步驟(I)一對通孔112的暴露端部施加最終涂層，所述最終涂層選自鎳、金、錫、鉛、銀、鈀及其合金或其汞合金以及有機(jī)防銹面層。
[0155]由單通孔和布線層124 —起構(gòu)成的插件通常具有25至40微米厚度并且不能自支撐。但是，其可制造在犧牲基板112 (222)上，例如約20微米厚的銅片上。傳統(tǒng)上，插件是以完全完成的形式供應(yīng)至芯片封裝廠的。本發(fā)明的特征則在于將插件提供至基板上的芯片封裝機(jī)或者基板制造商將芯片Iio連接至插件124 (324),形成垂直整合(verticalintegration)并簡化制造過程。
[0156]如上所述，芯片封裝100 (300)包含單個管芯或芯片，但是應(yīng)該認(rèn)識到兩個管芯可以封裝在一起。例如，存儲器芯片和控制器可以并排設(shè)置在包括布線層和通孔層的插件上，通過球形柵格陣列318或通過引線接合118電連接至布線層312，或者一個芯片110利用倒裝芯片技術(shù)連接而另一個芯片利用引線接合連接，然后可以用模塑料包覆基板124的芯片110和布線層312，或者如果兩個芯片都是倒裝芯片通過且行柵格陣列318連接至插件324，則可以通過在其上層壓預(yù)浸料320進(jìn)行包覆。
[0157]本文所述的新型封裝技術(shù)與化學(xué)鍍鎳/化學(xué)鍍鈀/浸鍍金(ENEPIG)端子技術(shù)兼容。
[0158]本領(lǐng)域技術(shù)人員將會認(rèn)識到，本發(fā)明不限于上文中具體圖示和描述的內(nèi)容。而且，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求限定，包括上文所述的各個技術(shù)特征的組合和子組合以及其變化和改進(jìn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀前述說明后將會預(yù)見到這樣的組合、變化和改進(jìn)。
[0159]在權(quán)利要求書中，術(shù)語“包括”及其變體例如“包含”、“含有”等是指所列舉的組件被包括在內(nèi)，但一般不排除其他組件。
【權(quán)利要求】
1.一種電子芯片封裝，包括與插件的布線層接合的至少一個芯片，所述插件包括布線層和通孔柱層，其中所述通孔柱層被介電材料包圍，所述介電材料包括在聚合物樹脂中的玻璃纖維，并且所述芯片和所述布線層嵌入在第二介電材料層中，所述第二介電材料層包覆所述芯片和所述布線層。
2.如權(quán)利要求1所述的電子芯片封裝，還包括在所述通孔柱層的與所述布線層相反側(cè)上的金屬犧牲基底。
3.如權(quán)利要求1所述的電子芯片封裝，其中所述通孔柱層中的至少一個通孔柱具有非圓柱形狀，其特征在于所述至少一個通孔柱的X-Y平面內(nèi)的長尺寸是X-Y平面內(nèi)的短尺寸的至少3倍長度。
4.如權(quán)利要求1所述的電子芯片封裝，其中所述插件的底面包括被所述介電材料包圍的所述通孔柱的銅端部，使得所述通孔柱的銅端部與所述介電材料齊平。
5.如權(quán)利要求1所述的電子芯片封裝，其中所述插件的底面包括被所述介電材料包圍的所述通孔柱的銅端部，使得所述通孔柱的銅端部相對于所述介電材料凹陷至多5微米。
6.如權(quán)利要求1所述的電子芯片封裝，其中所述通孔層還包括銅通孔柱和覆蓋遠(yuǎn)離所述布線層的所述通孔柱的端部的阻擋金屬層，使得所述插件的底面包括通孔柱端部，所述通孔柱端部包括被所述介電材料包圍的阻擋金屬層，使得所述通孔柱的端部的阻擋金屬層與所述介電材料齊平。
7.如權(quán)利要求6所述的電子芯片封裝，其中所述阻擋金屬層選自鎳、金、錫、鉛、鈀、銀及其組合。
8.如權(quán)利要求7所述的電子芯片封裝，其中所述阻擋金屬層具有I微米至10微米范圍的厚度。`
9.如權(quán)利要求1所述的電子芯片封裝，其中所述至少一個芯片設(shè)置為倒裝芯片，其通過凸點(diǎn)陣列接合至所述布線層。
10.如權(quán)利要求9所述的電子芯片封裝，其中所述第二介電材料層是玻璃纖維增強(qiáng)聚合物。
11.如權(quán)利要求9所述的電子芯片封裝，其中所述至少一個芯片通過引線接合與所述布線層接合，并且所述第二介電材料層是模塑料。
12.如權(quán)利要求1所述的電子芯片封裝，其中包圍所述通孔柱的所述第一介電材料層包括第一聚合物樹脂，并且包圍所述布線層和所述至少一個芯片的所述第二介電材料層包括第二聚合物樹脂，其中所述第一聚合物樹脂不同于所述第二聚合物樹脂。
13.如權(quán)利要求1所述的電子芯片封裝，其中包圍所述通孔柱的所述第一介電材料層包括無機(jī)填料。
14.如權(quán)利要求1所述的電子芯片封裝，其中包圍所述通孔柱的所述第一介電材料層的聚合物樹脂選自聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺/三嗪樹脂、聚苯醚及其共混物。
15.一種制造電子芯片封裝的方法，包括以下步驟: (a)選擇犧牲基板； (b)在所述犧牲基板上沉積蝕刻阻擋層； (c)鍍覆通孔柱層； (d)用介電材料層壓所述通孔柱層；(e)減薄和平坦化該介電材料層； (f)在所述通孔層上鍍覆布線特征層； (g)連接至少一個芯片； (h)用第二介電材料包覆所述至少一個芯片和布線特征結(jié)構(gòu)； (i)移除所述犧牲基板，和 U)移除所述蝕刻阻擋層。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中步驟(g)包括將所述至少一個芯片引線接合至所述布線特征結(jié)構(gòu)，并且步驟(h)包括用模塑料包覆。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中步驟(g)包括將所述至少一個芯片利用凸點(diǎn)陣列倒裝芯片接合至所述布線特征結(jié)構(gòu)。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中步驟(h)包括用玻璃纖維聚合物預(yù)浸料進(jìn)行包覆。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述犧牲基板包括可剝離銅基板、離型層和超薄銅箔，并且移除所述犧牲基板的步驟(i)包括剝除所述可剝離銅基板并蝕刻掉剩余的銅箔。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括步驟(k):通過移除所述蝕刻阻擋層以暴露出堆疊體外表面上的通孔端部并對所述通孔端部施加端子來端接所述基板。
21.如權(quán)利要求15所述的方法，其中步驟(b)的所述蝕刻阻擋層沉積的厚度為0.1微米至數(shù)十微米范圍，并且步驟(b)的所述蝕刻阻擋層:` 包括選自鉭、鎢、鈦、鈦-鉭合金、鈦-鎢合金、鎳、錫、鉛和錫-鉛合金中的金屬，并且所述沉積包括派射，或 包括選自鎳、錫、鉛和錫/鉛合金中的金屬，并且所述沉積通過選自電鍍和化學(xué)鍍的工藝進(jìn)行。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中鍍覆通孔柱層的步驟(c)包括通過以下子步驟來圖案鍍覆所述通孔柱層: 敷設(shè)光刻膠層； 在所述光刻膠層中顯影出通孔圖案； 在所述圖案中鍛銅；和 剝除所述光刻膠層以留下直立的通孔。
23.如權(quán)利要求21所述的方法，其中鍍覆通孔柱層的步驟(c)包括沉積端子材料和在所述端子材料上構(gòu)建通孔柱。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述端子材料包括錫、錫-鉛合金、金、銀和鈀中的至少其一。
25.如權(quán)利要求15所述的方法，其中鍍覆通孔柱層的步驟(c)包括通過以下子步驟來面板鍍覆所述通孔柱層: 面板鍍覆連續(xù)銅層； 在所述連續(xù)銅層上沉積光刻膠層； 在所述光刻膠層中顯影出通孔圖案； 蝕刻掉過量的銅以留下所述圖案；和 剝除已顯影的光刻膠以留下直立的通孔。
26.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一介電材料包括聚合物樹脂，其選自聚四氟乙烯、聚四氟乙烯衍生物、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚苯醚及其混合物。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述第一介電材料還包括以下至少其一: (a)無機(jī)顆粒填料，其平均粒徑為0.5微米至30微米，并且顆粒含量為15wt%-30wt% ； (b)纖維，其選自有機(jī)纖維和玻璃纖維，所述纖維排列成選自交叉復(fù)合排列、織造氈和隨機(jī)取向短纖維的排列。
28.如權(quán)利要求15所述的方法，其中用介電材料層層壓通孔柱層的步驟(d)包括在所述通孔層上施加預(yù)浸料以及通過熱壓層壓所述預(yù)浸料進(jìn)行固化，所述預(yù)浸料包括在基質(zhì)中的玻璃纖維，所述基質(zhì)選自聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂或雙馬來酰亞胺/三嗪樹脂、聚苯醚或其混合物。
29.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第二介電材料包括聚合物樹脂，所述聚合物樹脂選自聚四氟乙烯、聚四氟乙烯衍生物、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹月旨、聚苯醚及其混合物。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其中所述第二介電材料還包括以下至少其一: (a)無機(jī)顆粒填料,其平均粒徑為0.5微米至30微米,顆粒含量為15wt%-30wt% ； (b)纖維，其選自有機(jī)纖維和玻璃纖維，所述纖維排列成選自交叉復(fù)合排列、織造氈和隨機(jī)取向短纖維的排列。
31.如權(quán)利 要求15所述的方法，其中用介電材料層壓通孔柱層的步驟(h)包括在所述芯片和所述布線層上施加預(yù)浸料以及通過熱壓層壓所述預(yù)浸料進(jìn)行固化，所述預(yù)浸料包括在基質(zhì)中的玻璃纖維，所述基質(zhì)選自聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂或雙馬來酰亞胺/三嗪樹脂、聚苯醚或其混合物。
32.如權(quán)利要求15所述的方法，其中減薄和平坦化所述介電材料層的步驟(e)選自干蝕刻、機(jī)械研磨、化學(xué)機(jī)械拋光及其組合及其兩階段過程。
33.如權(quán)利要求15所述的方法，其中在所述通孔層上鍍覆布線特征層的步驟(f)包括: (i)在所述介電材料層上面板鍍覆銅，在其上敷設(shè)光刻膠層，顯影出布線特征層的正性圖案，選擇性地蝕刻掉過量的銅以留下所述布線特征層，以及剝除所述光刻膠層；或 (?)敷設(shè)光刻膠層，顯影出溝槽圖案，在所述溝槽中圖案鍍覆布線特征層，以及剝除所述光刻膠層。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，其中步驟(f)還包括在減薄的所述介電材料層上沉積粘附金屬層的預(yù)先步驟。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，其中所述粘附金屬層選自鈦、鉻和鎳-鉻合金。
36.如權(quán)利要求15所述的方法，其中連接所述芯片的步驟(g)包括施加焊劑。
37.如權(quán)利要求15所述的方法，其中將所述芯片連接至所述布線特征結(jié)構(gòu)的步驟(g)包括將金、鋁或銅導(dǎo)線從所述芯片延伸至所述布線特征結(jié)構(gòu)。
38.如權(quán)利要求15所述的方法，其中移除所述犧牲基板的步驟(i)包括蝕刻掉銅。
39.如權(quán)利要求15所述的方法，其中移除所述犧牲基板的步驟(i)包括剝除第一銅層和蝕刻掉剩余的銅。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，其中移除所述犧牲基板的步驟(i)采用濕蝕刻過程，并且利用在步驟(b)中制造的所述蝕刻阻擋層作為蝕刻停止層。
41.如權(quán)利要求40所述的方法，其中在步驟(b)中制造的所述蝕刻阻擋層包括鉭，并且用于蝕刻掉所述犧牲基板的步驟(i)中的蝕刻過程包括將所述犧牲基板暴露于升高溫度下的氫氧化銨溶液中。
42.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述犧牲基板包括覆銅層壓板。
43.如權(quán)利要求15所述的方法，其中在步驟(b)中制造的所述蝕刻阻擋層選自鉭、鈦和鎢以及鈦-鎢合金，并且移除蝕刻阻擋層的步驟(j)包括使用CF4和氬氣的混合物的等離子體蝕刻。
44.如權(quán)利要求15所述的方法，其中在步驟(b)中制造的所述蝕刻阻擋層選自鉭、鈦和鎢以及鈦-鎢合金，并且移除蝕刻阻擋層的步驟(j)包括使用CF4和氧氣的混合物的等離子體蝕刻。
45.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括對所述通孔的暴露端部施加最終涂層，所述涂層選自鎳、金、錫、鉛、銀、鈀及`其合金以及有機(jī)防銹面層。
【文檔編號】H01L21/48GK103871998SQ201310157191
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年4月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月13日
【發(fā)明者】卓爾·赫爾維茨, 陳先明, 黃士輔 申請人:珠海越亞封裝基板技術(shù)股份有限公司