半導(dǎo)體封裝件的制法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝件的制法，包括：于第一承載板上形成金屬層；于該金屬層上形成電致分離粘著層；將至少一半導(dǎo)體芯片接置于該電致分離粘著層上；于該電致分離粘著層上形成包覆該半導(dǎo)體芯片的封裝膠體；于該封裝膠體上設(shè)置第二承載板；對該金屬層通電，以使該金屬層與電致分離粘著層彼此分離，并移除該金屬層與第一承載板；移除該電致分離粘著層；以及移除該第二承載板。本發(fā)明使用電致分離粘著層可避免現(xiàn)有技術(shù)利用的熱剝離膠帶受熱膨脹使半導(dǎo)體芯片的缺點(diǎn)。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件的制法，尤指一種避免半導(dǎo)體芯片在工藝中偏離原 預(yù)定位置的半導(dǎo)體封裝件的制法。 半導(dǎo)體封裝件的制法

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能與高性能的趨勢。為了 滿足半導(dǎo)體封裝件微型化（miniaturization)的封裝需求，遂發(fā)展出晶圓級封裝（Wafer Level Packaging，WLP)的技術(shù)。
[0003] 圖1A至圖IF所示者，為現(xiàn)有晶圓級半導(dǎo)體封裝件的制法的剖視圖。
[0004] 如圖1A所示，首先，提供一承載板10。
[0005] 如圖1B所示，接者，于該承載板10上形成一熱剝離膠帶（thermal release tape) 11。
[0006] 如圖1C所示，貼合多個具有作用面12a的半導(dǎo)體芯片12于該熱剝離膠帶11上， 該作用面12a上具有多個電極墊121，且該半導(dǎo)體芯片12以其作用面12a貼附于該熱剝離 膠帶11上。
[0007] 如圖1D所示，以模壓（molding)方式于該熱剝離膠帶11上形成封裝膠體13,以使 該封裝膠體13完全包覆該半導(dǎo)體芯片12。
[0008] 如圖1E所示，之后進(jìn)行烘烤步驟，以硬化該封裝膠體13,并使該熱剝離膠帶11失 去粘性，進(jìn)而移除該熱剝離膠帶11與承載板10。
[0009] 如圖1F所示，最后，于半導(dǎo)體芯片12的作用面12a及同側(cè)的封裝膠體13表面上 形成線路層14。后續(xù)可視需要進(jìn)行切單作業(yè)(未圖標(biāo))，以完成一不具封裝基板的封裝件。 [0010] 然而，前述現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的制法中，該熱剝離膠帶具有可撓性，其于模壓工藝 中受熱時會膨脹，造成其上的半導(dǎo)體芯片偏離原本預(yù)定位置；此外，該封裝膠體注入封裝用 的模具內(nèi)時，其封裝膠體的流動所產(chǎn)生的側(cè)推力容易使粘附于該熱化離型膠層上的半導(dǎo)體 芯片發(fā)生偏移。一旦該半導(dǎo)體芯片發(fā)生偏移，后續(xù)形成的線路層與該半導(dǎo)體芯片的電極墊 間的對位將產(chǎn)生困難，進(jìn)而造成良率過低及產(chǎn)品可靠度不佳等問題。
[0011] 此外，因?yàn)楝F(xiàn)有的制法必須使用熱剝離膠帶，故無法有效降低制造成本。
[0012] 因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實(shí)已成為目前業(yè)界所急需解決的課題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0013] 有鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本發(fā)明的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝件的制 法，可避免現(xiàn)有技術(shù)利用的熱剝離膠帶受熱膨脹使半導(dǎo)體芯片的缺點(diǎn)。
[0014] 本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法包括：于第一承載板上形成金屬層；于該金屬層上 形成電致分離粘著層；將至少一具有相對的作用面與非作用面的半導(dǎo)體芯片以其作用面接 置于該電致分離粘著層上，且該作用面上形成有多個電極墊；于該電致分離粘著層上形成 包覆該半導(dǎo)體芯片的具有相對的第一表面與第二表面的封裝膠體，該第一表面面向該電致 分離粘著層；于該封裝膠體的第二表面上設(shè)置第二承載板；對該金屬層通電，以使該金屬 層與電致分離粘著層彼此分離，并移除該金屬層與第一承載板；移除該電致分離粘著層； 以及移除該第二承載板。
[0015] 于前述的半導(dǎo)體封裝件的制法中，還包括切單步驟，于移除該電致分離粘著層之 后，還包括于該封裝膠體的第一表面上形成線路增層結(jié)構(gòu)，該線路增層結(jié)構(gòu)為線路重布層， 并還包括于該線路增層結(jié)構(gòu)上形成多個導(dǎo)電組件，且該導(dǎo)電組件為焊球。
[0016] 依上所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，該線路增層結(jié)構(gòu)包括介電層、形成于該介電層 上的線路層、以及形成于該介電層中并電性連接該線路層的導(dǎo)電盲孔，且還包括于該線路 增層結(jié)構(gòu)上形成絕緣保護(hù)層，且該絕緣保護(hù)層具有外露部分該線路層的絕緣保護(hù)層開孔。
[0017] 又于前述的半導(dǎo)體封裝件的制法中，該金屬層通過物理氣相沉積（physical vapor deposition,簡稱PVD)方式來形成，且該電致分離粘著層于通電后會改變內(nèi)部分子 結(jié)構(gòu)，并失去與金屬的接著能力。
[0018] 于本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法中，該第一承載板為晶圓或基板，且該第二承載 板為晶圓或基板。
[0019] 由上可知，由于本發(fā)明未使用現(xiàn)有的熱剝離膠帶，而是使用電致分離粘著層，故無 現(xiàn)有的粘著層受熱變形而導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片偏移的缺失，進(jìn)而能增進(jìn)對位精度、提升良率和 產(chǎn)品可靠度且降低制造成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020] 圖1A至圖1F所示者為現(xiàn)有晶圓級半導(dǎo)體封裝件的制法的剖視圖。
[0021] 圖2A至圖21所示者為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的剖視圖。
[0022] 符號說明
[0023] 10 承載板
[0024] 11 熱剝離膠帶
[0025] 12,23 半導(dǎo)體芯片
[0026] 12a、23a 作用面
[0027] 23b 非作用面
[0028] 121、231 電極墊
[0029] 13 封裝膠體
[0030] 14 線路層
[0031] 20 第一承載板
[0032] 21 金屬層
[0033] 22 電致分離粘著層
[0034] 24 封裝膠體
[0035] 24a 第一表面
[0036] 24b 第二表面
[0037] 25 第二承載板
[0038] 26 線路增層結(jié)構(gòu)
[0039] 27 導(dǎo)電組件。

【具體實(shí)施方式】
[0040] 以下通過特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明 書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0041] 須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭 示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故 不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明 所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范 圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如「上」、「中」及「一」等用語，也僅為便于敘述的明了，而 非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng) 亦視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0042] 圖2A至圖21所示者，為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的剖視圖。
[0043] 如圖2A所不，于第一承載板20上形成金屬層21。
[0044] 如圖2B所示，于該金屬層21上形成電致分離粘著層22。
[0045] 如圖2C所示，將至少一具有相對的作用面23a與非作用面23b的半導(dǎo)體芯片23以 其作用面23a接置于該電致分離粘著層22上，且該作用面23a上形成有多個電極墊231。
[0046] 如圖2D所示，于該電致分離粘著層22上形成包覆該半導(dǎo)體芯片23的具有相對的 第一表面24a與第二表面24b的封裝膠體24,該第一表面24a面向該電致分離粘著層22。
[0047] 如圖2E所示，于該封裝膠體24的第二表面24b上設(shè)置第二承載板25。
[0048] 如圖2F所示，對該金屬層21通電，以使該金屬層21與電致分離粘著層22彼此分 離。
[0049] 如圖2G所示，移除該金屬層21與第一承載板20,并移除該電致分離粘著層22。
[0050] 如圖2H所示，于該封裝膠體24的第一表面24a上形成單層或多層的線路增層結(jié) 構(gòu)(例如線路重布層（RDL)) 26,且還包括于該線路增層結(jié)構(gòu)26上形成多個導(dǎo)電組件27。
[0051] 如圖21所示，進(jìn)行切單步驟，并移除該第二承載板25。
[0052] 于前述的半導(dǎo)體封裝件的制法中，該導(dǎo)電組件為焊球，且該線路增層結(jié)構(gòu)包括介 電層、形成于該介電層上的線路層、以及形成于該介電層中并電性連接該線路層的導(dǎo)電盲 孔，并還包括于該線路增層結(jié)構(gòu)上形成絕緣保護(hù)層(未圖標(biāo))，且該絕緣保護(hù)層具有外露部 分該線路層的絕緣保護(hù)層開孔。
[0053] 依前所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，該金屬層21通過物理氣相沉積（physical vapor deposition,簡稱PVD)方式來形成，且該電致分離粘著層22于通電后會改變內(nèi)部分 子結(jié)構(gòu)，并失去與金屬的接著能力。
[0054] 又于本發(fā)明的實(shí)施例中，該第一承載板20為晶圓或基板，且該第二承載板25為晶 圓或基板。
[0055] 綜上所述，由于本發(fā)明未使用現(xiàn)有的熱剝離膠帶，而是使用電致分離粘著層，故無 現(xiàn)有的粘著層受熱變形而導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片偏移的缺失，進(jìn)而能增進(jìn)對位精度、提升良率和 產(chǎn)品可靠度且降低制造成本。
[0056] 上述實(shí)施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任 何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本
【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體封裝件的制法，包括： 于第一承載板上形成金屬層； 于該金屬層上形成電致分離粘著層； 將至少一具有相對的作用面與非作用面的半導(dǎo)體芯片以其作用面接置于該電致分離 粘著層上，且該作用面上形成有多個電極墊； 于該電致分離粘著層上形成包覆該半導(dǎo)體芯片的具有相對的第一表面與第二表面的 封裝膠體，該第一表面面向該電致分離粘著層； 于該封裝膠體的第二表面上設(shè)置第二承載板； 對該金屬層通電，以使該金屬層與電致分離粘著層彼此分離，并移除該金屬層與第一 承載板； 移除該電致分離粘著層；以及 移除該第二承載板。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括切單步驟。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，于移除該電致分離粘著 層之后，還包括于該封裝膠體的第一表面上形成線路增層結(jié)構(gòu)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該線路增層結(jié)構(gòu)為線路 重布層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括于該線路 增層結(jié)構(gòu)上形成多個導(dǎo)電組件。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該導(dǎo)電組件為焊球。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該線路增層結(jié)構(gòu)包括介 電層、形成于該介電層上的線路層、以及形成于該介電層中并電性連接該線路層的導(dǎo)電盲 孔。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括于該線路 增層結(jié)構(gòu)上形成絕緣保護(hù)層，且該絕緣保護(hù)層具有外露部分該線路層的絕緣保護(hù)層開孔。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該金屬層是通過物理氣 相沉積方式來形成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該電致分離粘著層于通 電后會改變內(nèi)部分子結(jié)構(gòu)，并失去與金屬的接著能力。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一承載板為晶圓或 基板。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第二承載板為晶圓或 基板。
【文檔編號】H01L21/683GK104124191SQ201310159671
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年5月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月24日
【發(fā)明者】紀(jì)杰元, 陳冠宇, 劉鴻汶, 陳彥亨, 廖宴逸 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司