多層陶瓷電子元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：含有介電層的陶瓷主體；堆疊于所述陶瓷主體中的多個內部電極；和形成在所述陶瓷主體的外表面并與所述內部電極電連接的外部電極，其中，所述外部電極包括金屬層和形成在所述金屬層上的導電樹脂層，所述導電樹脂層含有銅粉和環(huán)氧樹脂，所述銅粉含有含量為10重量％以上且粒徑為2μm或更大的第一銅粉和含量為5重量％以上且粒徑為0.7μm或更小的第二銅粉，所述第一銅粉為球形粉末顆粒與片型粉末顆粒的混合物。本發(fā)明提供的多層陶瓷電子元件具有優(yōu)良的等效串聯(lián)電阻（ESR）特性和高度可靠性。
【專利說明】多層陶瓷電子元件
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求2013年2月20日提交到韓國知識產權局的韓國專利申請N0.10-2013-0018273的優(yōu)先權，該申請的全部內容引入本申請中以作參考。
【技術領域】
[0003]本發(fā)明涉及用于外部電極的導電漿料和含有該導電漿料的多層陶瓷電子元件，在所述多層陶瓷電子元件中所述導電漿料能夠提高等效串聯(lián)電阻(ESR)特性。
【背景技術】
[0004]根據近來電子產品的小型化趨勢，也需要多層陶瓷電子元件具有較小的尺寸和較大的電容。
[0005]由于這個原因，已經嘗試用各種方法進行變薄和增加電介質層和內部電極堆疊在彼此上。最近，已經制造出具有介電層的多層陶瓷電子元件，所述介電層具有減小的厚度和增加的層壓數量。
[0006]伴隨著這一點，還需要外部電極更薄，電鍍液通過薄的外部電極可能滲透到芯片上，因此，在電子產品的小型化上存在技術困難。
[0007]特別地，當外部電極具有不規(guī)則的形狀，電鍍液通過外部電極的薄的部分可能滲透，這樣的可能性導致安全可靠性缺乏。
[0008]另外，在安全可靠性方面，由于外部沖擊可能出現(xiàn)裂縫等。裂縫的出現(xiàn)也可能來自于外部電極可能不能充分地吸收壓力，或通過電鍍層可能產生的壓力的影響。
[0009]為了解決該缺陷，將含有導電材料的樹脂組合物涂覆在外部電極的金屬層和電鍍層之間，這樣可能會吸收外部沖擊并且提高可靠性。
[0010]然而，在涂覆樹脂組合物的情況下，與通常銅(Cu)燒結的外部電極的情況相比，可能引起等效串聯(lián)電阻(ESR)增加。
[0011]因此，仍然需要研究具有優(yōu)良的等效串聯(lián)電阻(ESR)以及高度可靠性實施其中的多層陶瓷電子元器件。
[0012][相關技術文獻]
[0013](專利文獻I)日本專利公開特許公報N0.2008-112759
【發(fā)明內容】

[0014]本發(fā)明一方面提供了一種用于外部電極的導電衆(zhòng)料和含有該導電衆(zhòng)料的多層陶瓷電子元件，在所述多層陶瓷電子元件中所述導電漿料能夠提高等效串聯(lián)電阻(ESR)特性。
[0015]根據本發(fā)明的一方面，提供一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括:含有介電層的陶瓷主體；堆疊于所述陶瓷主體中的多個內部電極；和形成在所述陶瓷主體的外表面并與所述內部電極電連接的外部電極，其中，所述外部電極包括金屬層和形成在所述金屬層上的導電樹脂層，所述導電樹脂層含有銅粉和環(huán)氧樹脂，所述銅粉含有含量為10重量％以上且粒徑為2 μ m或更大的第一銅粉和含量為5重量％以上且粒徑為0.7 μ m或更小的第二銅粉，所述第一銅粉為球形粉末顆粒與片型粉末顆粒的混合物。
[0016]本文中，在所述第一銅粉中，所述球形粉末顆粒的含量可以等于或大于所述片型粉末顆粒的含量。
[0017]所述球形粉末顆粒具有1.45或更小的長軸與短軸的長度比(長軸/短軸)。
[0018]所述片型粉末顆粒具有1.95或更大的長軸與短軸的長度比(長軸/短軸)。
[0019]本文中，所述多層陶瓷電子元件的等效串聯(lián)電阻(ESR)可以滿足
0.1mQ ≤ ESR ≤ 30ι?Ω。
[0020]根據本發(fā)明的另一方面，提供一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括:含有介電層的陶瓷主體；堆疊于所述陶瓷主體中的多個內部電極；和形成在所述陶瓷主體的外表面并與所述內部電極電連接的外部電極，其中，所述外部電極包括金屬層和形成在所述金屬層上的導電樹脂層，所述導電樹脂層含有銅粉和環(huán)氧樹脂，所述銅粉含有粒徑為2 μ m或更大的第一銅粉和粒徑為0.7 μ m或更小的第二銅粉，所述第一銅粉為球形粉末顆粒與片型粉末顆粒的混合物，所述第一銅粉在所述導電樹脂層中占據10%以上的面積，以及所述第二銅粉在所述導電樹脂層中占據5%以上的面積。
[0021]本文中，在所述第一銅粉中，所述球形粉末顆粒在所述外部電極中占據的面積可以等于或大于所述片型粉末顆粒在所述外部電極中占據的面積。
[0022]所述球形粉末顆粒可以具有1.45或更小的長軸與短軸的長度比(長軸/短軸)。
[0023]所述片型粉末顆?？梢跃哂?.95或更大的長軸與短軸的長度比(長軸/短軸)。
[0024]本文中，所述多層陶瓷電子元件的等效串聯(lián)電阻(ESR)可以滿足
0.1mQ ≤ESR ≤ 30ι?Ω。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]下面結合附圖的詳細描述將更清楚地理解本發(fā)明的上述和其他方面、特征和其它優(yōu)點，其中:
[0026]圖1是根據本發(fā)明的實施方式的用于多層疊陶瓷電容器的外部電極的銅粉的圖解不意圖；
[0027]圖2根據本發(fā)明的實施方式的多層陶瓷電容器的圖解透視圖；
[0028]圖3是沿圖2的Β-Β’線的剖視圖；
[0029]圖4是顯示根據本發(fā)明的實施方式的多層陶瓷電容器的外部電極的橫截面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像；
[0030]圖5是根據本發(fā)明的實施例和本發(fā)明的對比例比較阻抗(Z)和ESR的曲線圖。【具體實施方式】
[0031]在下 文中，將參考附圖詳細描述本發(fā)明的實施方式。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實施，并且不應該被解釋為限于這里所闡述的實施方式。相反，提供這些實施方式是為了使本發(fā)明公開的徹底和完整，并且向本領域的技術人員充分地傳達本發(fā)明的范圍。為清楚起見，在附圖中，可以夸大構件的形狀和尺寸，并且相同的附圖標記將在全文中指定相同的或相似的構件。[0032]圖1是根據本發(fā)明的實施方式的用于多層疊陶瓷電容器的外部電極的銅粉的圖解示意圖。
[0033]圖2根據本發(fā)明的實施方式的多層陶瓷電容器的圖解透視圖。
[0034]圖4是顯示根據本發(fā)明的實施方式的多層陶瓷電容器的外部電極的橫截面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。
[0035]參考圖1至4，根據本發(fā)明的實施方式的多層陶瓷電子元件可以包括:含有介電層11的陶瓷主體10 ;堆疊于所述陶瓷主體10中的多個內部電極21 ;和形成在陶瓷主體10的外表面并與內部電極21和22電連接的外部電極31和32，其中，所述外部電極31和32可以包括金屬層31a和32a以及形成在金屬層31a和32a上的導電樹脂層31b和32b，所述導電樹脂層31b和32b含有銅粉和環(huán)氧樹脂，所述銅粉含有含量為10重量％以上且粒徑為
2μ m或更大的第一銅粉和含量為5重量％以上且粒徑為0.7 μ m或更小的第二銅粉，所述第一銅粉為球形粉末顆粒與片型粉末顆粒的混合物。
[0036]在下文中，將描述根據本發(fā)明實施方式的多層陶瓷電子元件，尤其是多層陶瓷電容器，但是本發(fā)明并不限于此。
[0037]陶瓷主體10可以具有，例如，六面體形狀，但并不限于此。
[0038]同時，關于根據本發(fā)明實施方式的多層陶瓷電容器，在圖1中“長度方向”、“寬度方向”和“厚度方向”分別被指定為“ L”方向、“W”方向和“ T ”方向。本文中，“厚度方向”被使用的概念可能會與介電層的層壓方向相同，即，“層壓方向”。
[0039]根據本發(fā)明的實施方式，用于形成陶瓷主體10的原料沒有特別限定，只要其中能夠獲得足夠的電容即可。例如，原料可以是鈦酸鋇(BaTiO3)粉。
[0040]根據本發(fā)明期望的目的，作為用于形成陶瓷主體10的材料，各種陶瓷添加劑、有機溶劑、增塑劑、粘合劑、分散劑或類似物可以加入到粉末如鈦酸鋇(BaTiO3)粉中。
[0041]形成多個內部電極21和22的材料沒有特別的限制。內部電極21和22可以由，例如，含有銀(Ag)、鉛(鈀)，鉬(Pt)，鎳(Ni)和銅(Cu)中的至少一種的導電漿料形成。
[0042]根據本發(fā)明實施方式的多層陶瓷電容器可以包括電連接到多個內部電極21和22的外部電極31和32。
[0043]外部電極31和32可以電連接到內部電極21和22，用于形成電容。
[0044]根據本發(fā)明的實施方式，外部電極31和32可以包括金屬層31a和32a以及形成在金屬層31a和32a上的導電樹脂層31b和32b。
[0045]基于金屬層31a和32a的總重量,金屬層31a和32a可以含有，例如，60重量％或以下的導電金屬，但并不限于此。
[0046]用于金屬層31a和32a的導電金屬沒有特別的限制，只要它可以電連接到內部電極以形成電容即可。例如，導電金屬可以選自由銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)和銀-鈀(Ag-Pd)組成的組中的至少一種。
[0047]導電樹脂層31b和32b形成在金屬層31a和32a上，并且形成的導電樹脂層31b和32b可能完全覆蓋金屬層31a和32a,但并不限于此。
[0048]根據本發(fā)明的實施方式，導電樹脂層31b和32b可以含有銅粉和環(huán)氧樹脂。
[0049]在一般的多層陶瓷電容器中，由于外部沖擊裂縫可能會出現(xiàn)。這種裂縫的產生可能來自于外部電極可能不能充分地吸收壓力或通過電鍍層產生的壓力的影響。[0050]為了解決該缺陷，將含有導電材料的樹脂組合物涂覆在外部電極的金屬層和電鍍層之間，這樣可能會吸收外部沖擊，并且因此可以提高可靠性。
[0051]然而，在涂覆樹脂組合物的情況下，與通常銅(Cu)燒結的外部電極的情況相比，可能引起等效串聯(lián)電阻(ESR)增加。
[0052]根據本發(fā)明的實施方式，導電樹脂層31b和32b可以含有銅粉和環(huán)氧樹脂，以吸收外部沖擊，從而提高可靠性。
[0053]包含在導電樹脂層31b和32b中的環(huán)氧樹脂沒有特別的限制，但基于100重量份的銅粉，例如可以具有5-30重量份的含量。
[0054]如果環(huán)氧樹脂的含量低于5重量份，由于樹脂短缺，可能引起相分離，或由于相穩(wěn)定性的劣化，粘度可能隨時間而變化，可能很難制備漿料。另外，在這樣的情況下，銅分散可能會降低，并且因此填充率下降，導致緊密性下降。
[0055]如果環(huán)氧樹脂的含量大于30重量份，金屬之間的接觸性能劣化，這樣由于樹脂過量使得電阻系數增加，并且在表面部分的樹脂的面積增加。因此，在導電樹脂層形成后，在電鍍層形成時可能會產生未電鍍的部分。
[0056]同時，根據本發(fā)明的實施方式，導電樹脂層31b和32b可以含有銅粉和環(huán)氧樹脂。銅粉可以含有含量為10重量％以上且粒徑(Dl)為2μπι或更大的第一銅粉和含量為5重量％以上且粒徑(D2)為0.7μπι或更小的第二銅粉3，所述第一銅粉可以為球形粉末顆粒I與片型粉末顆粒的混合物2。
[0057]因此，根據本發(fā)明的實施方式，等效串聯(lián)電阻(ESR)增加的缺陷，可以通過包含具有如上所述的不同平均粒徑的不同種類的銅粉的預定含量來解決。
[0058]S卩，不像一般的導電樹脂層，銅粉含有含量為10重量％以上且粒徑(Dl)為2μπι或更大的第一銅粉和含量為5重量％以上且粒徑(D2)為0.7μπι或更小的第二銅粉3，這樣，可以實現(xiàn)具有提高的等效串聯(lián)電阻(ESR)特性和高可靠性的多層陶瓷電容器。
[0059]如上所述，將第一銅粉的粒徑(Dl)控制為2μπι或更大，從而在多層陶瓷電容器中可以防止外部電極31和32的層之間的分層。
[0060]此外，將第二銅粉3的粒徑(D2)控制為0.7μπι或更小，從而允許第二銅粉顆粒在粉末顆粒和第一銅粉之間進行分布，這樣可以增加金屬在導電樹脂層31b和32b上的面積，以提高多層陶瓷電容器中的電鍍性能。
[0061]如果第一銅粉的粒徑(Dl)低于2μπι或第二銅粉3的粒徑(D2)在0.7μπι以上，可能發(fā)生電鍍缺陷或外部電極31和32的層之間可能發(fā)生分層。
[0062]另外，提供含量為10重量％以上的所述第一銅粉和含量為5重量％以上的第二銅粉3，可以實現(xiàn)具有提高的等效串聯(lián)電阻(ESR)特性和高度可靠性的多層陶瓷電容器。
[0063]第一銅粉和第二銅粉的含量可以通過使用掃描電子顯微鏡(SEM)在長度方向上圖像掃描多層陶瓷電容器的橫截面來測量，如圖3所示。
[0064]具體而言，如圖3所示，第一銅粉和第二銅粉的含量可以通過使用掃描電子顯微鏡(SEM)，通過在長度和厚度(L-T)方向上掃描多層陶瓷電容器中心部分以其寬度(W)方向切割獲得的橫截面而獲得圖像，通過觀察提取自該圖像的導電樹脂層區(qū)域長度和厚度方向10 μ mX 10 μ m的區(qū)域而測量。
[0065]第一銅粉和第二銅粉的含量可以通過測量的第一銅粉和第二銅粉占用的面積來計算。
[0066]即，在同樣的銅粉中，銅粉顆?？梢员徽J為具有相同的比重，在導電樹脂層中包含的各種粉末的含量，基于它們相同的比重，可以通過轉換各種粉末顆粒占據的測量的面積來計算。
[0067]第一銅粉的含量可以像球形粉末顆粒與片型粉末顆粒的總含量一樣計算，并且可以通過計算具有粒徑為2 μ m或更大的銅粉顆粒來獲得。
[0068]另外，通過計算具有粒徑為0.7μπι或更小的銅粉顆?？梢垣@得第二銅粉的含量。
[0069]與從導電樹脂層的整個區(qū)域中提取的第一銅粉和第二銅粉相比，第一銅粉和第二銅粉的含量可以參考各種粉末的重量百分比。
[0070]當包含在銅粉中的第一銅粉具有低于10重量％的含量或包含在銅粉中的第二銅粉具有低于5重量％的含量時，電鍍缺陷可能發(fā)生或者外部電極的層之間可能發(fā)生分層。
[0071]第一銅粉可以是，例如，球形粉末顆粒I和片型粉末顆粒2的混合物，但不限于此。
[0072]在第一銅粉中，在外部電極的球形粉末顆粒I的含量可以等于或大于在外部電極的片型粉末顆粒2的含量，但并不限于此。
[0073]球形粉末顆粒 I可以被定義為具有例如1.45或更小的長軸與短軸的長度比(長軸
/短軸)。
[0074]同時，片型粉末顆粒2可以被定義為具有1.95或更大的長軸與短軸的長度比(長軸/短軸),但并不限于此。
[0075]球形粉末顆粒I和片型粉末顆粒2的長軸和短軸的長度可以通過使用掃描型電子顯微鏡(SEM)，在長度方向上圖像掃描多層陶瓷電容器的橫截面來測量，如圖3所示。
[0076]具體而言，如圖3所示，球形粉末顆粒I和片型粉末顆粒2的長軸和短軸的長度可以通過使用掃描型電子顯微鏡(SEM)，通過在長度和厚度(L-T)方向上掃描多層陶瓷電容器中心部分以其寬度(W)方向切割獲得的橫截面而獲得圖像，通過觀察提取自該圖像的導電樹脂層區(qū)域長度和厚度方向10 μ mX 10 μ m的區(qū)域而測量。
[0077]參考圖4，可以看出，外部電極的導電樹脂層區(qū)域包括第一銅粉的球形和片型粉末顆粒I和2，以及具有比第一銅粉粒徑更小的第二銅粉3。
[0078]根據本發(fā)明實施方式的多層陶瓷電容器中，多層陶瓷電容器的等效串聯(lián)電阻(ESR)，可以滿足，例如，0.1mQ ( ESR≤30mΩ，但本發(fā)明沒有特別的限制。
[0079]根據本發(fā)明的另一個實施方式的多層陶瓷電子元件可以包括:含有介電層11的陶瓷主體10 ;堆疊于陶瓷主體10中的多個內部電極21 ;和形成在陶瓷主體10的外表面并與內部電極21和22電連接的外部電極31和32，其中，外部電極31和32可以包括金屬層31a和32a以及形成在金屬層31a和32a上的導電樹脂層31b和32b，所述導電樹脂層31b和32b含有銅粉和環(huán)氧樹脂，所述銅粉含有粒徑為2 μ m或更大的第一銅粉和粒徑為0.7 μ m或更小的第二銅粉，所述第一銅粉為球形粉末顆粒與片型粉末顆粒的混合物，第一銅粉在所述導電樹脂層中占據10%以上的面積，以及第二銅粉在所述導電樹脂層中占據5%以上的面積。
[0080]在第一銅粉中，球形粉末顆粒在外部電極中占據的面積可以等于或大于片型粉末顆粒在外部電極中占據的面積。
[0081]球形粉末顆?？梢跃哂?.45或更小的長軸與短軸的長度比(長軸/短軸)。[0082]片型粉末顆?？梢跃哂?.95或更大的長軸與短軸的長度比(長軸/短軸)。
[0083]多層陶瓷電子元件的等效串聯(lián)電阻(ESR)可以滿足0.1mΩ≤ESR≤30mΩ。
[0084]在下文中，將描述根據本發(fā)明另一個實施方式的多層陶瓷電子元件，尤其是多層陶瓷電容器，但本發(fā)明并不限于此。
[0085]另外，根據本發(fā)明的另一個實施方式的多層陶瓷電容器的特性與根據本發(fā)明的上述實施方式的多層陶瓷電子元件中相同特征的描述將被省略，以避免重復的解釋。
[0086]根據本發(fā)明的另一個實施方式，在導電樹脂層31b和32b中第一銅粉占據的面積可以是10%或以上，以及在導電樹脂層31b和32b中第二銅粉占據的面積可以是5%或以上。
[0087]第一銅粉和第二銅粉占據的面積可以通過使用掃描電子顯微鏡(SEM)在長度方向上圖像掃描多層陶瓷電容器的橫截面來測量，如圖3所示。
[0088]具體而言，如圖3所示，第一銅粉和第二銅粉的面積可以通過使用掃描電子顯微鏡(SEM)，通過在長度和厚度(L-T)方向上掃描多層陶瓷電容器中心部分以其寬度(W)方向切割獲得的橫截面而獲得圖像，通過觀察提取自該圖像的導電樹脂層區(qū)域長度和厚度方向10 μ mX 10 μ m的區(qū)域而測量。
[0089]如上所述，第一銅粉的面積可以像球形粉末顆粒和片型粉末顆粒的總面積一樣測量，并且可以通過測量粒徑為2 μ m或更大的粉末顆粒來獲得。
[0090]另外，第二銅粉的面積可以通過測量具有粒徑為0.7μm或更小的粉末顆粒來獲得。
[0091]與從導電樹脂層的整個區(qū)域中提取的第一銅粉和第二銅粉相比，第一銅粉占據的面積和第二銅粉占據的面積可以參考各種粉末占據的面積的百分比。
[0092]根據本發(fā)明的另一個實施方式，在導電樹脂層3 Ib和32b中，控制第一銅粉占據的面積為10%或以上，以及控制第二銅粉占據的面積為5%或以上，這樣可以實現(xiàn)具有提高的等效串聯(lián)電阻(ESR)特性和高度可靠性的多層陶瓷電容器。
[0093]當第一銅粉的面積低于10%，或者第二銅粉的面積低于5%，在多層陶瓷電容器中可能出現(xiàn)電鍍缺陷或者外部電極的層之間可能發(fā)生分層。
[0094]同時，在第一銅粉中，球形粉末顆粒I在外部電極占據的面積可以等于或大于片型粉末顆粒2在外部電極占據的面積，但并不限于于此。
[0095]因此，根據本發(fā)明的另一個實施方式，等效串聯(lián)電阻(ESR)增加的缺陷，可以通過包含具有如上所述的不同平均粒徑的不同種類的銅粉的預定含量來解決。
[0096]即，與一般的用于外部電極的導電漿料不同，銅粉含有含量為10重量％以上且粒徑(Dl)為2μπι或更大的第一銅粉和含量為5重量％以上且粒徑(D2)為0.7 μ m或更小的第二銅粉，這樣可以實現(xiàn)具有提高的等效串聯(lián)電阻(ESR)特性和高度可靠性的多層陶瓷電容器。
[0097]在下文中，將參照本發(fā)明的實施例詳細描述本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于此。
[0098]將本發(fā)明的實施方式在多層陶瓷電容器上實施，以檢查依賴于包含在外部電極的導電樹脂層中的第一銅粉和第二銅粉的含量和粒徑的焊接測試結果和分層測試結果。
[0099]根據本發(fā)明實施例的每個多層陶瓷電容器的制備如下所述。
[0100]首先，將含有粉末如鈦酸鋇(BaTiO3)等的漿料應用到各個載體膜并在其上干燥，從而制備多個借以形成介電層的陶瓷生片(ceramic green sheets)。
[0101]然后，制備用于具有鎳的平均粒徑為0.05-0.2μπι的內部電極的導電漿料。
[0102]將用于內部電極的導電漿料通過絲網印刷法涂敷在陶瓷生片上，從而形成內部電極，然后將得到的陶瓷生片層壓50層，從而制得層壓體。
[0103]在此之后，進行壓縮和切割以生產0603標準尺寸的芯片，并且在0.1 %或更少的H2還原氣氛中，在1050-1200°C的溫度下燒結每個芯片。
[0104]然后，通過使用含有導電金屬和玻璃粉的導電漿料形成金屬層并分別在金屬層上形成導電樹脂層來制備外部電極。這里，在形成導電樹脂層的同時具有不同粒徑的第一和第二銅粉的含量改變，但是，需要滿足本發(fā)明的數值范圍。
[0105]然后，在外部電極上進行電鍍等過程，從而形成多層陶瓷電容器。
[0106]另一方面，除了第一和第二粉末的含量與粒徑脫離本發(fā)明的數值范圍之外，對比例的制造方法與實施例的制造方法是相同的。
[0107]下面的表1比較了依賴于包含在多層陶瓷電容器的外部電極的導電樹脂層中的第一銅粉和第二 銅粉的含量和粒徑的焊接測試結果和分層測試結果。
[0108]通過將多層陶瓷電容器垂直浸潰到填充有焊料和鉛(Pb)的焊料浴中，然后檢查表面是否覆蓋了鉛，來進行焊接測試。當電鍍做的好沒有斷開時，電鍍被確定為好(〇)，否則被確定為壞(X)。
[0109]接著，通過將多層陶瓷電容器浸潰在300°C的鉛浴中10s，然后進行內部分析，從而檢查在外部電極的層之間是否發(fā)生分層來進行分層測試。
[0110]當不分層時被確定為好(〇)，否則被確定為壞(X)。
[0111]表1
[0112]
【權利要求】
1.一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括: 含有介電層的陶瓷主體； 堆疊于所述陶瓷主體中的多個內部電極；和 形成在所述陶瓷主體的外表面并與所述內部電極電連接的外部電極， 其中，所述外部電極包括金屬層和形成在所述金屬層上的導電樹脂層，所述導電樹脂層含有銅粉和環(huán)氧樹脂，所述銅粉含有含量為10重量％以上且粒徑為2 μ m或更大的第一銅粉和含量為5重量％以上且粒徑為0.7 μ m或更小的第二銅粉，所述第一銅粉為球形粉末顆粒與片型粉末顆粒的混合物。
2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，在所述第一銅粉中，所述球形粉末顆粒的含量等于或大于所述片型粉末顆粒的含量。
3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述球形粉末顆粒具有1.45或更小的長軸與短軸的長度比。
4.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述片型粉末顆粒具有1.95或更大的長軸與短軸的長度比。
5.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述多層陶瓷電子元件的等效串聯(lián)電阻ESR滿足0.1m Ω≤ESR≤30m Ω。
6.一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括: 含有介電層的陶瓷主體； 堆疊于所述陶瓷主體中的多個內部電極；和 形成在所述陶瓷主體的外表面并與所述內部電極電連接的外部電極， 其中，所述外部電極包括金屬層和形成在所述金屬層上的導電樹脂層，所述導電樹脂層含有銅粉和環(huán)氧樹脂，所述銅粉含有粒徑為2μπι或更大的第一銅粉和粒徑為0.7μπι或更小的第二銅粉，所述第一銅粉為球形粉末顆粒與片型粉末顆粒的混合物，所述第一銅粉在所述導電樹脂層中占據10%以上的面積，以及所述第二銅粉在所述導電樹脂層中占據5%以上的面積。
7.根據權利要求6所述的多層陶瓷電子元件，其中，在所述第一銅粉中，所述球形粉末顆粒在所述外部電極中占據的面積等于或大于所述片型粉末顆粒在所述外部電極中占據的面積。
8.根據權利要求6所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述球形粉末顆粒具有1.45或更小的長軸與短軸的長度比。
9.根據權利要求6所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述片型粉末顆粒具有1.95或更大的長軸與短軸的長度比。
10.根據權利要求6所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述多層陶瓷電子元件的等效串聯(lián)電阻ESR滿足0.1m Ω≤ESR≤30m Ω。
【文檔編號】H01G4/008GK103996535SQ201310169379
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2013年5月9日 優(yōu)先權日:2013年2月20日
【發(fā)明者】洪京杓, 全炳俊, 全炳珍, 韓在煥 申請人:三星電機株式會社