一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊設置的陽極基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝層，封裝層是由封裝層單元重復設置形成的復合結構，封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層，所述第一有機阻擋層和第二有機阻擋層的材質均為第一有機材料與第二有機材料混合形成的混合材料，所述第一無機阻擋層的材質為二元金屬氧化物與碳化物混合形成的混合材料，所述第二無機阻擋層的材質為碳化物與金屬硫化物混合形成的混合材料。本發(fā)明還提供了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。該方法可有效減少水、氧對器件的侵蝕，提高器件壽命。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術】
[0002]有機電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機材料的一種電流型半導體發(fā)光器件。其典型結構是在透明陽極和金屬陰極之間夾有多層有機材料薄膜(空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子輸送層和電子注入層)，當電極間施加一定的電壓后，發(fā)光層就會發(fā)光。近年來，有機電致發(fā)光器件由于本身制作成本低、響應時間短、發(fā)光亮度高、寬視角、低驅動電壓以及節(jié)能環(huán)保等特點已經在全色顯示、背光源和照明等領域受到了廣泛關注，并被認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據霸主地位的新一代器件。
[0003]目前，有機電致發(fā)光器件存在壽命較短的問題，這主要是因為有機材料薄膜很疏松，易被空氣中的水汽和氧氣等成分滲入后迅速發(fā)生老化。因此，有機電致發(fā)光器件進入實際使用之前必須進行封裝，封裝的好壞直接關系到有機電致發(fā)光器件的壽命。
[0004]傳統(tǒng)技術中采用玻璃蓋或金屬蓋進行封裝，其邊沿用紫外聚合樹脂密封，但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大，增加了器件的重量，并且該方法不能應用于柔性有機電致放光器件的封裝。
【發(fā)明內容】
[0005]為克服上述現有技術的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。該制備方法可有效地減少水、氧等活性物質對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著地提高有機電致發(fā)光器件的壽命。本發(fā)明方法適用于以導電玻璃基板制備的有機電致發(fā)光器件，也適用于以塑料或金屬為基底制備的柔性有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發(fā)光器件。
[0006]一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊設置的陽極基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝層，所述封裝層是由封裝層單元重復設置形成的復合結構，所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層，
[0007]所述第一有機阻擋層和第二有機阻擋層的材質均為第一有機材料與第二有機材料混合形成的混合材料，所述第一有機材料與第二有機材料的摩爾比為0.4?0.6:1 ;所述第一有機材料為N，N’- 二苯基-N，N’- 二(3-甲基苯基)-4，4’_聯苯二胺(TPD)、N，N' -二(0-萘基)_隊& - 二苯基-4，4' -二胺(NPB)、1，1-二((4-N，N, -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10-二 (咪唑-2-基)蒽(MADN)、4, 4’，4’’-三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)或1，3- 二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP);所述第二有機材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉(Bphen)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基_8_喹啉)-(4_苯基苯酚)鋁(Balq)或3-(4-聯苯基)_4苯基_5_叔丁基苯-1, 2，4_三唑(TAZ)；
[0008]所述第一無機阻擋層的材質為二元金屬氧化物與碳化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第一無機阻擋層總質量的10?30% ;所述第二無機阻擋層的材質為碳化物與金屬硫化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第二無機阻擋層總質量的10?30%;所述二元金屬氧化物為氧化鎂鋁(MgAl204)、氧化鈦鉍(Bi2Ti40n)、氧化鎳鉻(CrNi04)、氧化鉻鈷(CoCr2O4)、氧化镥鐵(III) (Fe2LuO4)或氧化鋁釔(Y3Al5O12);所述碳化物為碳化硅(SiC)、碳化鎢(WC)、碳化鉭(TaC)、碳化硼(BC)、碳化鈦(TiC)或碳化鉿(HfC);所述金屬硫化物為硫化鎘(CdS)、硫化鉛(PbS)、二硫化鐵(FeS2)、硫化銅(CuS)、硫化鋅(ZnS)或硫化鎳(NiS)0
[0009]優(yōu)選地，所述第一有機阻擋層的厚度為200?300nm，所述第二有機阻擋層的厚度為 200 ?300nm。
[0010]優(yōu)選地，所述第一無機阻擋層的厚度為100?200nm，所述第二無機阻擋層的厚度為 100 ?200nm。
[0011]優(yōu)選地，所述封裝層單元重復設置2?4次。
[0012]優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0013]優(yōu)選地，陽極基板為導電玻璃基板或導電有機聚對苯二甲酸乙二醇酯基板。
[0014]本發(fā)明中，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層的材質不作具體限定，本領域現有材料均適用于本發(fā)明。
[0015]陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極(介質層夾雜金屬層形成的介質層/金屬層/介質層結構等)。
[0016]封裝層單元依次包括第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層。
[0017]其中，有機阻擋層中,第一有機材料為空穴傳輸型材料，第二有機材料為電子傳輸型材料，一種吸電子物質，一種得電子物質，采用上述兩種有機材料混合制備的有機阻擋層，膜層平整度有一定的提高。第一無機阻擋層采用二元金屬氧化物與碳化物混合形成的混合材料制備，二元金屬氧化物的存在主要起阻擋作用，因其密度大而阻隔性高，碳化物的存在能使金屬晶格更緊密堅實，不變形；第二無機阻擋層采用碳化物與金屬硫化物混合形成的混合材料制備，硫化物應力較小，可降低膜層應力，碳化物的存在能使阻擋層的膜層致密度提高。由混合材料所制得的無機阻擋膜層熱穩(wěn)定性高，致密性高，平整度好。本發(fā)明采用有機阻擋層與無機阻擋層交替重疊設置形成的封裝層，最終能有效阻擋外界水、氧等活性物質對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，延長器件使用壽命。
[0018]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0019]在陽極基板上依次制備發(fā)光功能層和陰極；
[0020]在所述陰極表面制備封裝層，得到有機電致發(fā)光器件，所述封裝層是由封裝層單元重復設置形成的復合結構，所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層；
[0021]所述第一有機阻擋層和第二有機阻擋層的材質均為第一有機材料與第二有機材料混合形成的混合材料，所述第一有機材料與第二有機材料的摩爾比為0.4?0.6:1 ;所述第一有機材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-聯苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4,4' - 二胺、1，1-二((4-N，N, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10- 二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺或1，3- 二(9H-咔唑-9-基)苯；所述第二有機材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或3- (4-聯苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑；所述第一有機阻擋層和第二有機阻擋層均采用真空蒸鍍的方式制備，所述真空蒸鍍過程中的真空度為I X KT5Pa?I X 10?,蒸發(fā)速度為0.5A ~ 5A/S；
[0022]所述第一無機阻擋層的材質為二元金屬氧化物與碳化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第一無機阻擋層總質量的10?30% ;所述第二無機阻擋層的材質為碳化物與金屬硫化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第二無機阻擋層總質量的10?30% ;所述二元金屬氧化物為氧化鎂鋁、氧化鈦鉍、氧化鎳鉻、氧化鉻鈷、氧化镥鐵(III)或氧化鋁釔；所述碳化物為碳化硅、碳化鎢、碳化鉭、碳化硼、碳化鈦或碳化鉿；所述金屬硫化物為硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅或硫化鎳；所述第一無機阻擋層和第二無機阻擋層均采用磁控濺射的方式制備，所述磁控濺射過程中，本底真空度1X10_5?lX10_3Pa。
[0023]優(yōu)選地，所述第一有機阻擋層的厚度為200?300nm，所述第二有機阻擋層的厚度為 200 ?300nm。
[0024]優(yōu)選地，所述第一無機阻擋層的厚度為100?200nm，所述第二無機阻擋層的厚度為 100 ?200nm。
[0025]優(yōu)選地，所述封裝層單元重復設置2?4次。
[0026]優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0027]優(yōu)選地，陽極基板為導電玻璃基板或導電有機聚對苯二甲酸乙二醇酯基板。
[0028]優(yōu)選地，將陽極基板進行如下清潔處理:依次進行丙酮清洗、乙醇清洗、純水清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機進行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，然后再用烘箱烘干待用，再對洗凈后的陽極基板進行表面活化處理。
[0029]優(yōu)選地，發(fā)光功能層通過真空蒸鍍的方法或溶液涂敷的方法設置。本發(fā)明中，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層的材質不作具體限定，本領域現有材料均適用于本發(fā)明。
[0030]陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極(介質層夾雜金屬層形成的介質層/金屬層/介質層結構等)。陰極采用真空蒸鍍的方式制備。
[0031]封裝層單元依次包括第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層。
[0032]具體地，封裝層單元的制備過程包括:先在陰極表面采用真空蒸鍍的方式制備第一有機阻擋層，然后在所述第一有機阻擋層上采用采用磁控濺射的方式制備第一無機阻擋層，再在第一無機阻擋層采用真空蒸鍍的方式制備第二有機阻擋層，接著在第二有機阻擋層上采用采用磁控濺射的方式制備第二無機阻擋層。依此重復多次制備封裝層單元，形成具有復合結構的封裝層。優(yōu)選地，所述封裝層單元重復設置2?4次。
[0033]其中，有機阻擋層中,第一有機材料為空穴傳輸型材料，第二有機材料為電子傳輸型材料，一種吸電子物質，一種得電子物質，采用上述兩種有機材料混合制備的有機阻擋層，膜層平整度有一定的提高。第一無機阻擋層采用二元金屬氧化物與碳化物混合形成的混合材料制備，二元金屬氧化物的存在主要起阻擋作用，因其密度大而阻隔性高，碳化物的存在能使金屬晶格更緊密堅實，不變形；第二無機阻擋層采用碳化物與金屬硫化物混合形成的混合材料制備，硫化物應力較小，可降低膜層應力，碳化物的存在能使阻擋層的膜層致密度提高。由混合材料所制得的無機阻擋膜層熱穩(wěn)定性高，致密性高，平整度好。本發(fā)明采用有機阻擋層與無機阻擋層交替重疊設置形成的封裝層，最終能有效阻擋外界水、氧等活性物質對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，延長器件使用壽命。
[0034]本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果:
[0035](I)本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的封裝層具有復合結構，由有機阻擋層和無機阻擋層交替重疊設置形成，該封裝層密封性好，可有效地減少水、氧等活性物質對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，同時可有效保護功能層和陰極在后續(xù)操作過程中免遭破壞，從而顯著提高有機電致發(fā)光器件的壽命；
[0036](2)本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR)達到10 —4g/m2.day，器件壽命(T70il000cd/m2)達 6000 小時以上；
[0037](3)本發(fā)明方法適用于封裝以導電玻璃為陽極基板制備的有機電致發(fā)光器件，也適用于封裝以塑料或金屬為陽極基底制備的柔性有機電致發(fā)光器件，本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發(fā)光器件；
[0038](4)本發(fā)明有機電致發(fā)光器件材料廉價，封裝方法工藝簡單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模使用。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0039]圖1是本發(fā)明實施例1制得的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0040]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0041]實施例1
[0042]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0043](I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0044]a.導電玻璃基板的前處理
[0045]取ITO玻璃基板，依次進行丙酮清洗、乙醇清洗、純水清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機進行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，烘干后，對洗凈后的ITO玻璃基板進行表面活化處理；ΙΤ0厚度10nm;
[0046]b.發(fā)光功能層和陰極的制備
[0047]采用真空蒸鍍的方法在ITO玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；
[0048]空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入N，N’-二苯基-N，N’-二 (1-萘基聯苯-4，4’-二胺(NPB)中作為空穴注入層材料，摻雜質量濃度為30%，厚度為10nm，真空度3父10-午&，蒸發(fā)速度0.1人/5;
[0049]空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度3X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S，蒸發(fā)厚度30nm ；
[0050]發(fā)光層的制備:主體材料采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)，客體材料摻雜質量濃度為5%，將主體材料與客體材料混合摻雜后共蒸，真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0051]電子傳輸層的制備:釆用4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸材料，真空度3 X 10?,蒸發(fā)速度0.1 Α/s，蒸發(fā)厚度1nm ；
[0052]電子注入層的制備:將CsN3摻入4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)中作為電子注入層材料，摻雜質量濃度30%，真空度3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S,蒸發(fā)厚度20nm ；
[0053]陰極的制備:陰極采用金屬Al,厚度10nm,真空度為3X l(T5Pa,蒸發(fā)速度為5 A/s 0
[0054](2)在陰極上重復制備2次封裝層單元，形成具有復合結構的封裝層，得到有機電致發(fā)光器件；
[0055]所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層；
[0056]a.通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為250nm的第一有機阻擋層，第一有機阻擋層的材質為mCP與TAZ按摩爾比0.4:1混合形成的混合材料，真空度I X 10?,
蒸發(fā)速度2A/S;
[0057]b.采用磁控濺射的方式在第一有機阻擋層上制備一層厚度為150nm的第一無機阻擋層；第一無機阻擋層的材質為Y3Al5O12與HfC形成的混合材料，HfC所占質量分數為20%,磁控濺射過程中的本底真空度為I X 10_3Pa ；
[0058]c.采用真空蒸鍍的方式在第一無機阻擋層上制備一層厚度為250nm的第二有機阻擋層，材質為mCP與TAZ按摩爾比0.4:1混合形成的混合材料,真空度IX 10_3Pa,蒸發(fā)速度2 A /s;
[0059]d.采用磁控濺射的方式在第二有機阻擋層上制備一層厚度為10nm的第二無機阻擋層，第二無機阻擋層的材質為HfC與NiS形成的混合材料，HfC所占質量分數為15%，磁控濺射過程中的本底真空度為I X 10_3Pa ；
[0060]e、重復I次步驟a、b、c、d，形成具有2個封裝層單元的復合封裝層，得到有機電致發(fā)光器件。
[0061]本實施例復合封裝后的有機電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR, cc/m2.day)為
5.3Χ10Λ 壽命(T70il000cd/m2)為 6003 小時。
[0062]圖1是本發(fā)明實施例1制得的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖。如圖1所示，本實施例有機電致發(fā)光器件，依次包括ITO玻璃基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6、陰極7和封裝層8。所述封裝層8包括兩個封裝層單元，即包括2層厚度為250nm的第一有機阻擋層81和85，2層厚度為150nm的第一無機阻擋層82和86，2層厚度為250nm的第二有機阻擋層83和87，2層厚度為10nm的第二無機阻擋層84 和 88。
[0063]實施例2
[0064]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0065](I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0066]與實施例1同。
[0067](2)在陰極上重復制備3次封裝層單元，形成具有復合結構的封裝層，得到有機電致發(fā)光器件；
[0068]所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層；
[0069]a.通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為250nm的第一有機阻擋層，第一有機阻擋層的材質為NPB與BCP按摩爾比0.5:1混合形成的混合材料，真空度5 X W5Pa,
蒸發(fā)速度.2A /S；
[0070]b.采用磁控濺射的方式在第一有機阻擋層上制備一層厚度為200nm的第一無機阻擋層；第一無機阻擋層的材質為Bi2Ti4O11與呢形成的混合材料，WC所占質量分數為30%，磁控濺射過程中的本底真空度為I X KT5Pa ；
[0071]c.采用真空蒸鍍的方式在第一無機阻擋層上制備一層厚度為250nm的第二有機阻擋層，材質為NPB與BCP按摩爾比0.5:1混合形成的混合材料，真空度5 X W5Pa,蒸發(fā)速度—2A/S;
[0072]d.采用磁控濺射的方式在第二有機阻擋層上制備一層厚度為150nm的第二無機阻擋層，第二無機阻擋層的材質為WC與PbS形成的混合材料，WC所占質量分數為20%，磁控濺射過程中的本底真空度為I X 10_4Pa ；
[0073]e、重復2次步驟a、b、c、d，形成具有3個封裝層單元的復合封裝層，得到有機電致發(fā)光器件。
[0074]本實施例復合封裝后的有機電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)為3.9Χ10Λ 壽命(T70il000cd/m2)為 6086 小時。
[0075]實施例3
[0076]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0077](I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0078]與實施例1同。
[0079](2)在陰極上重復制備3次封裝層單元，形成具有復合結構的封裝層，得到有機電致發(fā)光器件；
[0080]所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層；
[0081]a.通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為200nm的第一有機阻擋層，第一有機阻擋層的材質為TAPC與TPBi按摩爾比0.5:1混合形成的混合材料，真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S;
[0082]b.采用磁控濺射的方式在第一有機阻擋層上制備一層厚度為10nm的第一無機阻擋層；第一無機阻擋層的材質為0附04與了&(:形成的混合材料，TaC所占質量分數為10%，磁控濺射過程中的本底真空度為I X KT5Pa ；
[0083]c.采用真空蒸鍍的方式在第一無機阻擋層上制備一層厚度為200nm的第二有機阻擋層，材質為TAPC與TPBi按摩爾比0.5:1混合形成的混合材料，真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度.0_5A /s;
[0084]d.采用磁控濺射的方式在第二有機阻擋層上制備一層厚度為150nm的第二無機阻擋層，第二無機阻擋層的材質為TaC與FeS2形成的混合材料，TaC所占質量分數為25%，磁控濺射過程中的本底真空度為I X KT4Pa ；
[0085]e、重復2次步驟a、b、c、d，形成具有3個封裝層單元的復合封裝層，得到有機電致發(fā)光器件。
[0086]本實施例復合封裝后的有機電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR, cc/m2.day)為
4.1Χ10Λ 壽命(T70il000cd/m2)為 6065 小時。
[0087]實施例4
[0088]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0089](I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0090]與實施例1同。
[0091](2)在陰極上重復制備3次封裝層單元，形成具有復合結構的封裝層，得到有機電致發(fā)光器件；
[0092]所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層；
[0093]a.通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為250nm的第一有機阻擋層，第一有機阻擋層的材質為MADN與Alq3按摩爾比0.6:1混合形成的混合材料，真空度5父10-^，蒸發(fā)速度21/8;
[0094]b.采用磁控濺射的方式在第一有機阻擋層上制備一層厚度為170nm的第一無機阻擋層；第一無機阻擋層的材質為CoCr2O4與BC形成的混合材料，BC所占質量分數為20%，磁控濺射過程中的本底真空度為5 X KT5Pa ；
[0095]c.采用真空蒸鍍的方式在第一無機阻擋層上制備一層厚度為250nm的第二有機阻擋層，材質為MADN與Alq3按摩爾比0.6:1混合形成的混合材料,真空度5X 10_5Pa,蒸發(fā)速度_2人/s;
[0096]d.采用磁控濺射的方式在第二有機阻擋層上制備一層厚度為10nm的第二無機阻擋層，第二無機阻擋層的材質為BC與CuS形成的混合材料，BC所占質量分數為10%，磁控濺射過程中的本底真空度為I X 10_4Pa ；
[0097]e、重復2次步驟a、b、c、d，形成具有3個封裝層單元的復合封裝層，得到有機電致發(fā)光器件。
[0098]本實施例復合封裝后的有機電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)為
4.3Χ10Λ 壽命(T70il000/m2)為 6043 小時。
[0099]實施例5
[0100]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0101]( I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0102]與實施例1同。
[0103](2)在陰極上重復制備3次封裝層單元，形成具有復合結構的封裝層，得到有機電致發(fā)光器件；
[0104]所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層；
[0105]a.通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為250nm的第一有機阻擋層，第一有機阻擋層的材質為TCTA與Balq按摩爾比0.5:1混合形成的混合材料，真空度
5父10-%，蒸發(fā)速度.1人/8;
[0106]b.采用磁控濺射的方式在第一有機阻擋層上制備一層厚度為160nm的第一無機阻擋層；第一無機阻擋層的材質為Fe2LuO4與TiC形成的混合材料，TiC所占質量分數為20%，磁控濺射過程中的本底真空度為5X 10_5Pa ；
[0107]c.采用真空蒸鍍的方式在第一無機阻擋層上制備一層厚度為250nm的第二有機阻擋層，材質為TCTA與Balq按摩爾比0.5:1混合形成的混合材料,真空度5X l(T5Pa,蒸發(fā)速度lA /S；
[0108]d.采用磁控濺射的方式在第二有機阻擋層上制備一層厚度為120nm的第二無機阻擋層，第二無機阻擋層的材質為TiC與ZnS形成的混合材料，TiC所占質量分數為15%，磁控濺射過程中的本底真空度為I X 10_4Pa ；
[0109]e、重復2次步驟a、b、c、d，形成具有3個封裝層單元的復合封裝層，得到有機電致發(fā)光器件。
[0110]本實施例復合封裝后的有機電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)為
4.4Χ10Λ 壽命(T70il000cd/m2)為 6030 小時。
[0111]實施例6
[0112]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0113]( I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0114]與實施例1同。
[0115](2)在陰極上重復制備4次封裝層單元，形成具有復合結構的封裝層，得到有機電致發(fā)光器件；
[0116]所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層；
[0117]a.通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為300nm的第一有機阻擋層，第一有機阻擋層的材質為TH)與Bphen按摩爾比0.55:1混合形成的混合材料，真空度
I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度_5 A /S；
[0118]b.采用磁控濺射的方式在第一有機阻擋層上制備一層厚度為170nm的第一無機阻擋層；第一無機阻擋層的材質為MgAl2O4與SiC形成的混合材料，SiC所占質量分數為20%,磁控濺射過程中的本底真空度為I X 10_5Pa ；
[0119]c.采用真空蒸鍍的方式在第一無機阻擋層上制備一層厚度為300nm的第二有機阻擋層，材質為TH)與Bphen按摩爾比0.55:1混合形成的混合材料,真空度I X l(T5Pa,蒸發(fā)速度.5 A /s;
[0120]d.采用磁控濺射的方式在第二有機阻擋層上制備一層厚度為200nm的第二無機阻擋層，第二無機阻擋層的材質為SiC與CdS形成的混合材料，SiC所占質量分數為30%，磁控濺射過程中的本底真空度為I X 10_5Pa ；
[0121]e、重復3次步驟a、b、c、d，形成具有4個封裝層單元的復合封裝層，得到有機電致發(fā)光器件。
[0122]本實施例復合封裝后的有機電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)為3.1Χ10Λ 壽命(T70il000cd/m2)為 6125 小時。
[0123]綜上，本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法可有效地減少水汽和氧對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著地提高有機電致發(fā)光器件的壽命，并且能夠保護發(fā)光功能層和陰極免遭破壞。
[0124]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊設置的陽極基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝層，其特征在于，所述封裝層是由封裝層單元重復設置形成的復合結構，所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層， 所述第一有機阻擋層和第二有機阻擋層的材質均為第一有機材料與第二有機材料混合形成的混合材料，所述第一有機材料與第二有機材料的摩爾比為0.4?0.6:1 ;所述第一有機材料為N，N’- 二苯基-N，N’- 二(3-甲基苯基)-4，4’-聯苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-Ν，Ν' - 二苯基-4,4' - 二胺、1，1-二((4-Ν，Ν, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺或1，3-二(9Η-咔唑-9-基)苯；所述第二有機材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或3-(4-聯苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑； 所述第一無機阻擋層的材質為二元金屬氧化物與碳化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第一無機阻擋層總質量的10?30% ;所述第二無機阻擋層的材質為碳化物與金屬硫化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第二無機阻擋層總質量的10?30% ;所述二元金屬氧化物為氧化鎂鋁、氧化鈦鉍、氧化鎳鉻、氧化鉻鈷、氧化镥鐵(III)或氧化鋁釔；所述碳化物為碳化硅、碳化鎢、碳化鉭、碳化硼、碳化鈦或碳化鉿；所述金屬硫化物為硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅或硫化鎳。
2.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機阻擋層的厚度為200?300nm，所述第二有機阻擋層的厚度為200?300nm。
3.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無機阻擋層的厚度為100?200nm,所述第二無機阻擋層的厚度為100?200nm。
4.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝層單元重復設置2?4次。
5.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在陽極基板上依次制備發(fā)光功能層和陰極； 在所述陰極表面制備封裝層，得到有機電致發(fā)光器件，所述封裝層是由封裝層單元重復設置形成的復合結構，所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層； 所述第一有機阻擋層和第二有機阻擋層的材質均為第一有機材料與第二有機材料混合形成的混合材料，所述第一有機材料與第二有機材料的摩爾比為0.4?0.6:1 ;所述第一有機材料為N，N’- 二苯基-N，N’- 二(3-甲基苯基)-4，4’-聯苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-Ν，Ν' - 二苯基-4,4' - 二胺、1，1-二((4-Ν，Ν, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺或1，3-二(9Η-咔唑-9-基)苯；所述第二有機材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或3- (4-聯苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑；所述第一有機阻擋層和第二有機阻擋層均采用真空蒸鍍的方式制備，所述真空蒸鍍過程中的真空度為I X 1-5Pa?I X 10?,蒸發(fā)速度為0.5A ~ 5A/S; 所述第一無機阻擋層的材質為二元金屬氧化物與碳化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第一無機阻擋層總質量的10?30% ;所述第二無機阻擋層的材質為碳化物與金屬硫化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第二無機阻擋層總質量的10?30% ;所述二元金屬氧化物為氧化鎂鋁、氧化鈦鉍、氧化鎳鉻、氧化鉻鈷、氧化镥鐵(III)或氧化鋁釔；所述碳化物為碳化硅、碳化鎢、碳化鉭、碳化硼、碳化鈦或碳化鉿；所述金屬硫化物為硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅或硫化鎳；所述第一無機阻擋層和第二無機阻擋層均采用磁控濺射的方式制備，所述磁控濺射過程中，本底真空度1X10_5?lX10_3Pa。
7.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一有機阻擋層的厚度為200?300nm，所述第二有機阻擋層的厚度為200?300nm。
8.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一無機阻擋層的厚度為100?200nm,所述第二無機阻擋層的厚度為100?200nm。
9.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述封裝層單元重復設置2?4次。
10.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
【文檔編號】H01L51/54GK104167507SQ201310187386
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2013年5月20日 優(yōu)先權日:2013年5月20日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 張娟娟, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司