一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括第一發(fā)光單元組和第二發(fā)光單元組，以及設(shè)置在兩者之間的透明隔離層，第一發(fā)光單元組包括第一基板和設(shè)置在第一基板上的第一發(fā)光單元，第一基板通過(guò)粘結(jié)劑與透明隔離層形成第一封閉空間，第一發(fā)光單元容置在第一封閉空間內(nèi)，第二發(fā)光單元組包括第二基板和并排且由隔離柱隔開(kāi)設(shè)置在第二基板上的第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元，第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元容置在由第二基板通過(guò)粘結(jié)劑與透明隔離層形成的第二封閉空間內(nèi)。該有機(jī)電致發(fā)光器件包括兩個(gè)有機(jī)電致發(fā)光單元組，由三個(gè)獨(dú)立的分別發(fā)射綠光、藍(lán)光、紅光的發(fā)光單元組成，最終可得到穩(wěn)定的白光發(fā)射。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光(Organic Light Emiss1n D1de,以下簡(jiǎn)稱OLED),具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速度快等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā)展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國(guó)內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)的OLED大部分只能將光從陽(yáng)極或者陰極的一側(cè)取出，制得底發(fā)射或頂發(fā)射OLED裝置。一些研究者發(fā)明的雙面發(fā)光顯示的OLED裝置，同時(shí)采用兩個(gè)OLED發(fā)光單元，通過(guò)粘合劑背靠背貼合在一起，這樣的結(jié)構(gòu)變得比較復(fù)雜，整套裝置的制程也比較多，同時(shí)使OLED裝置的重量變重。此外，對(duì)于實(shí)現(xiàn)白光發(fā)射的OLED發(fā)光裝置而言，這種雙面發(fā)光的OLED意味著需要同時(shí)將多色發(fā)光層，如紅，藍(lán)，綠等發(fā)光材料進(jìn)行合理配置，容易存在各個(gè)發(fā)光層之間能量轉(zhuǎn)移，使發(fā)光顏色不穩(wěn)定，難以控制均一度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。該有機(jī)電致發(fā)光器件包括兩個(gè)獨(dú)立的有機(jī)電致發(fā)光單元，一個(gè)發(fā)射紅光和橙光的混合光，一個(gè)發(fā)射綠光和藍(lán)光的混合光；兩個(gè)發(fā)光單元可分別通過(guò)各自的驅(qū)動(dòng)裝置控制發(fā)光光色，兩個(gè)發(fā)光單元通過(guò)透明隔離層分隔，在未通電使用時(shí)，能呈現(xiàn)較高的透過(guò)率，在通電使用時(shí)能發(fā)射白光，且白光光色穩(wěn)定，發(fā)光效率高。
[0005]第一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括第一發(fā)光單元組和第二發(fā)光單元組，以及設(shè)置在所述第一發(fā)光單元組和第二發(fā)光單元組之間的透明隔離層，所述第一發(fā)光單元組包括第一基板和設(shè)置在所述第一基板上的第一發(fā)光單元，所述第一基板通過(guò)粘結(jié)劑與所述透明隔離層形成第一封閉空間，所述第一發(fā)光單元容置在所述第一封閉空間內(nèi)，所述第一發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置在所述第一基板表面的第一陽(yáng)極、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、綠光發(fā)光層、第一電子傳輸層、第一電子注入層和第一陰極；
[0006]所述第二發(fā)光單元組包括第二基板和并排設(shè)置在所述第二基板上的第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元，所述第二發(fā)光單元與所述第三發(fā)光單元通過(guò)設(shè)置在所述第二基板表面的隔離柱隔開(kāi)設(shè)置，所述第二基板通過(guò)粘結(jié)劑與所述透明隔離層形成第二封閉空間，所述隔離柱將所述第二封閉空間分隔成第一收容空間和第二收容空間，所述第二發(fā)光單元容置在所述第一收容空間內(nèi)，所述第三發(fā)光單元容置在所述第二收容空間內(nèi)，所述第二發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置在所述第二基板表面的第二陽(yáng)極、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第二電子傳輸層、第二電子注入層和第二陰極；所述第三發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置在所述第二基板表面的第三陽(yáng)極、第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第三電子傳輸層、第三電子注入層和第三陰極。
[0007]優(yōu)選地，所述綠光發(fā)光層的材質(zhì)為熒光發(fā)光材料或綠光主體材料摻雜磷光材料形成的混合材料，所述熒光發(fā)光材料為2，3，6，7-四氫_1，1，7，7-四甲基-1Η，5Η，11Η-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9, 9A, 1GH]香豆素(C545T)，(8-羥基喹啉)-鋁(Alq3)和二甲基喹吖啶酮(DMQA)中的一種，所述綠光主體材料為4，4’，4’三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，所述磷光材料為乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy) 2 (acac))，三(2_苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)或三[2-(對(duì)甲苯基)卩比唳]合銥(III) (Ir (mppy) 3),所述磷光材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5?20%。
[0008]優(yōu)選地,所述藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為藍(lán)光主體材料摻雜磷光材料形成的混合材料，所述藍(lán)光主體材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP);所述磷光材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)或雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)，所述磷光材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2?20%ο
[0009]優(yōu)選地，所述紅光發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H_吡喃(DCJTB)摻雜在8-羥基喹啉鋁(Alq3)中形成的混合材料，(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2 (acac))摻雜在N，N’-二苯基-N，N’-二 (1_萘基)_1，I，_聯(lián)苯-4，4’-二胺(NPB)中形成的混合材料，三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq)3)摻雜在N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-=K(NPB)中形成的混合材料，或雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)卩比啶)(乙酰丙酮)(Ir (btp) 2 (acac))合銥摻雜在4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)中形成的混合材料，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為I?20%。
[0010]優(yōu)選地，所述綠光發(fā)光層的厚度為10?30nm;所述紅光發(fā)光層的厚度為I?20nm ;所述藍(lán)光發(fā)光層的厚度為5?20nm。
[0011]所述隔離柱的材質(zhì)為無(wú)機(jī)氧化物或氮化物。
[0012]優(yōu)選地，所述隔離柱的材質(zhì)為二氧化硅、二氧化鈦或氮化硅。
[0013]優(yōu)選地，隔離柱的高度等于或低于第二發(fā)光單元與第三發(fā)光單元的厚度。
[0014]優(yōu)選地，所述第二發(fā)光單元與第三發(fā)光單元的面積之比為0.2?5:1。更優(yōu)選地，所述第二發(fā)光單元與第三發(fā)光單元的面積之比為1:1。
[0015]所述第二發(fā)光單元與第三發(fā)光單元的面積總和略小于第一發(fā)光單元的面積。
[0016]優(yōu)選地，所述透明隔離層為普通透明玻璃，柔性透明材料層或透明絕緣涂層。透明隔離層的在可見(jiàn)光的透過(guò)率>80%。隔離層的作用主要是兩個(gè)OLED結(jié)構(gòu)進(jìn)行隔離，以便于獨(dú)立控制。
[0017]優(yōu)選地，所述柔性透明材料層為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。
[0018]優(yōu)選地，所述透明絕緣涂層為光固化透明UV膠涂層。
[0019]優(yōu)選地，所述透明隔離層的厚度為0.05?2mm。
[0020]優(yōu)選地，所述第一基板和第二基板均為普通透明玻璃基板，厚度為0.2?2_。
[0021]優(yōu)選地，所述第一陽(yáng)極、第二陽(yáng)極和第三陽(yáng)極的材質(zhì)為透明導(dǎo)電氧化物薄膜。
[0022]優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜為銦錫氧化物薄膜(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0),鋁鋅氧化物(AZO)或鎵鋅氧化物(GZ0)。優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜的厚度為70?200nmo
[0023]優(yōu)選地，所述第一空穴注入層、第二空穴注入層和第三空穴注入層的材質(zhì)均選自酞菁銅(CuPc),酞菁鋅(ZnPc),酞菁氧I凡(VOPc)，酞菁氧鈦(T1Pc)和酞菁鉬(PtPc)中的一種。優(yōu)選地，所述第一空穴注入層、第二空穴注入層和第三空穴注入層的厚度均為10?30nm。更優(yōu)選地，第一空穴注入層、第二空穴注入層和第三空穴注入層的材質(zhì)均選自酞菁銅(CuPc )，厚度為 20nm。
[0024]優(yōu)選地，所述第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層和第三空穴傳輸層的材質(zhì)均選自4，4’，4’ ’ -三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯_4，4’-二胺(咿8)、(4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (3-甲基苯基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(TPD)和4，4’，4’’_三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)中的一種。優(yōu)選地，所述第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層和第三空穴傳輸層的厚度均為10?60nm。
[0025]更優(yōu)選地，所述第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層和第三空穴傳輸層的材質(zhì)均選自 N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，厚度為 30nm。
[0026]優(yōu)選地,所述第一電子傳輸層、第二電子傳輸層和第三電子傳輸層的材質(zhì)均選自2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、
I,3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)和1，2，4-三唑衍生物(TAZ)中的一種。優(yōu)選地，所述第一電子傳輸層、第二電子傳輸層和第三電子傳輸層的厚度均為20?60nm。
[0027]更優(yōu)選地，所述第一電子傳輸層、第二電子傳輸層和第三電子傳輸層的材質(zhì)均選自1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，厚度為30nm。
[0028]優(yōu)選地，所述第一電子注入層、第二電子注入層和第三電子注入層的材質(zhì)均選自氟化鋰(LiF)和氟化銫(CsF)中的一種。優(yōu)選地，所述第一電子注入層、第二電子注入層和第三電子注入層的厚度為0.5?lnm。更優(yōu)選地，第一電子注入層、第二電子注入層和第三電子注入層的材質(zhì)均選自氟化鋰(LiF),厚度為lnm。
[0029]優(yōu)選地，所述第一陰極、第二陰極和第三陰極的材質(zhì)均選自金屬銀(Ag)、鋁(Al)、釤(Sm)和金(Au)中的一種。優(yōu)選地，所述第一陰極、第二陰極和第三陰極的厚度均為18?30nm。更優(yōu)選地，所述第一陰極、第二陰極和第三陰極的材質(zhì)均選自金屬銀(Ag)，厚度為20nmo
[0030]本發(fā)明第一方面提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，由兩個(gè)發(fā)光單元組組合而成，共包括三個(gè)獨(dú)立的有機(jī)發(fā)電致發(fā)光單元，分別發(fā)射綠光、藍(lán)光和紅光，兩個(gè)有機(jī)電致發(fā)光單元組的發(fā)射光均通過(guò)透明隔離層，與相對(duì)的一個(gè)發(fā)光單元組的發(fā)射光譜進(jìn)行混合，從而最終形成了白光發(fā)射。由于在白光中，綠光成分的比重比較大，因此本發(fā)明將綠光發(fā)光單元設(shè)置在獨(dú)立的一個(gè)基板上，使其發(fā)光面積較大，因而可以使發(fā)光光譜中綠光的成分多一點(diǎn)，能夠使器件獲得更高的發(fā)光效率；將紅，藍(lán)光發(fā)光單元設(shè)置在同一個(gè)公共基板上，通過(guò)隔離柱分隔，并通過(guò)獨(dú)立的控制單元控制，這樣三個(gè)發(fā)光單元均可通過(guò)各自獨(dú)立的控制單元進(jìn)行控制，可以通過(guò)調(diào)節(jié)不同的電流或者電壓參數(shù)來(lái)獲得白光發(fā)射。并且，三個(gè)發(fā)光單元中，紅，藍(lán)發(fā)光單元的面積大小還可以進(jìn)行自由調(diào)節(jié)可控制，以及獲得不同的白光發(fā)射，使器件的可調(diào)節(jié)性提高。與傳統(tǒng)的三個(gè)發(fā)光單元進(jìn)行層疊設(shè)置并獨(dú)立控制相比，這種結(jié)構(gòu)減少了層疊的厚度，并且兩個(gè)基板上的發(fā)光單元可以分開(kāi)制備，提高了制作效率。
[0031]在本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)中，采用了透明的隔離層以隔離兩個(gè)發(fā)光單元組，并采用透明的陰極材料，使兩個(gè)發(fā)光單元組的光色能夠得到穿透，并且在靜態(tài)，即不點(diǎn)亮的時(shí)候，該器件外觀呈現(xiàn)透明狀，還可以允許自然光的穿過(guò)，因此，可以作為透明件來(lái)使用，極大地拓寬了該器件的使用領(lǐng)域。
[0032]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0033]提供潔凈的第一基板和第二基板，在真空鍍膜系統(tǒng)中，在所述第一基板上制備第一發(fā)光單元，得到第一發(fā)光單元組，在所述第二基板上制備隔離柱，再在所述隔離柱兩側(cè)的第二基板上并排制備第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元，得到第二發(fā)光單元組；
[0034]在所述第一發(fā)光單元組和第二發(fā)光單元組之間設(shè)置透明隔離層，然后采用粘結(jié)劑將第一基板和第二基板粘結(jié)，形成密封結(jié)構(gòu)，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0035]所述第一基板通過(guò)粘結(jié)劑與所述透明隔離層形成第一封閉空間，所述第一發(fā)光單元容置在所述第一封閉空間內(nèi)，所述第一發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置在所述第一基板表面的第一陽(yáng)極、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、綠光發(fā)光層、第一電子傳輸層、第一電子注入層和第一陰極；
[0036]所述第二基板通過(guò)粘結(jié)劑與所述透明隔離層形成第二封閉空間，所述隔離柱將所述第二封閉空間分隔成第一收容空間和第二收容空間，所述第二發(fā)光單元容置在所述第一收容空間內(nèi)，所述第三發(fā)光單元容置在所述第二收容空間內(nèi)，所述第二發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置在所述第二基板表面的第二陽(yáng)極、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第二電子傳輸層、第二電子注入層和第二陰極；所述第三發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置在所述第二基板表面的第三陽(yáng)極、第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第三電子傳輸層、第三電子注入層和第三陰極；
[0037]其中，所述真空鍍膜系統(tǒng)的真空度為1X10_5?lX10_3Pa，所述第一陽(yáng)極、第二陽(yáng)極、第三陽(yáng)極和隔離柱采用磁控濺射的方式制備，所述第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、綠光發(fā)光層、第一電子傳輸層、第一電子注入層和第一陰極米用真空蒸鍍的方式制備；所述第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第二電子傳輸層、第二電子注入層和第二陰極采用真空蒸鍍的方式制備；所述第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第三電子傳輸層、第三電子注入層和第三陰極采用真空蒸鍍的方式制備。
[0038]優(yōu)選地，所述綠光發(fā)光層的材質(zhì)為熒光發(fā)光材料或綠光主體材料摻雜磷光材料形成的混合材料，所述熒光發(fā)光材料為2，3，6，7-四氫_1，1，7，7-四甲基-1Η，5Η，11Η-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9, 9A, 1GH]香豆素(C545T)，(8-羥基喹啉)-鋁(Alq3)和二甲基喹吖啶酮(DMQA)中的一種，所述綠光主體材料為4，4’，4’三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，所述磷光材料為乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy) 2 (acac))，三(2_苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)或三[2-(對(duì)甲苯基)卩比唳]合銥(III) (Ir (mppy) 3),所述磷光材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5?20%。優(yōu)選地，綠光發(fā)光層的材料蒸鍍速率為0.01?lnm/s。
[0039]優(yōu)選地,所述藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為藍(lán)光主體材料摻雜磷光材料形成的混合材料，所述藍(lán)光主體材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP);所述磷光材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)或雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)，所述磷光材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2?20%。優(yōu)選地，藍(lán)光發(fā)光層的材料蒸鍍速率為0.01?lnm/s。
[0040]優(yōu)選地，所述紅光發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H_吡喃(DCJTB)摻雜在8-羥基喹啉鋁(Alq3)中形成的混合材料，(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2 (acac))摻雜在N，N’-二苯基-N，N’-二 (1_萘基)_1，I，_聯(lián)苯-4，4’-二胺(NPB)中形成的混合材料，三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq)3)摻雜在N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-=K(NPB)中形成的混合材料，或雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)卩比啶)(乙酰丙酮)(Ir (btp) 2 (acac))合銥摻雜在4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)中形成的混合材料，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為I?20%。優(yōu)選地，紅光發(fā)光層的材料蒸鍍速率為0.01?lnm/s。
[0041]優(yōu)選地，所述綠光發(fā)光層的厚度為10?30nm ;所述藍(lán)光發(fā)光層的厚度為5?20nm ;所述紅光發(fā)光層的厚度為I?20nm。
[0042]所述隔離柱的材質(zhì)為無(wú)機(jī)氧化物或氮化物。
[0043]優(yōu)選地，所述隔離柱的材質(zhì)為二氧化硅(Si02)、二氧化鈦(T12)或氮化硅(Si3N4)15
[0044]優(yōu)選地，隔離柱的高度等于或低于第二發(fā)光單元與第三發(fā)光單元的厚度。
[0045]隔離柱采用磁控濺射的方式制備，濺射速率優(yōu)選為0.2?2nm/s。
[0046]優(yōu)選地，所述第二發(fā)光單元與第三發(fā)光單元的面積之比為0.2?5:1。更優(yōu)選地，所述第二發(fā)光單元與第三發(fā)光單元的面積之比為1:1。
[0047]所述第二發(fā)光單元與第三發(fā)光單元的面積總和略小于第一發(fā)光單元的面積。
[0048]優(yōu)選地，所述透明隔離層為普通透明玻璃，柔性透明材料層或透明絕緣涂層。
[0049]優(yōu)選地，所述柔性透明材料層為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。
[0050]優(yōu)選地，所述透明絕緣涂層為光固化透明UV膠涂層。
[0051]優(yōu)選地，所述透明隔離層的厚度為0.05?2mm。
[0052]優(yōu)選地，所述第一基板和第二基板均為普通透明玻璃基板，厚度為0.2?2_。
[0053]普通透明玻璃基板可采用下述方式進(jìn)行清洗:置于含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0054]優(yōu)選地，所述第一陽(yáng)極、第二陽(yáng)極和第三陽(yáng)極的材質(zhì)為透明導(dǎo)電氧化物薄膜。
[0055]優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜為銦錫氧化物薄膜(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0),鋁鋅氧化物(AZO)或鎵鋅氧化物(GZ0)。優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜的厚度為70?200nm。第一陽(yáng)極、第二陽(yáng)極和第三陽(yáng)極采用磁控濺射的方式制備，濺射速率為0.2?2nm/
So
[0056]優(yōu)選地，所述第一空穴注入層、第二空穴注入層和第三空穴注入層的材質(zhì)均選自酞菁銅(CuPc),酞菁鋅(ZnPc),酞菁氧I凡(VOPc)，酞菁氧鈦(T1Pc)和酞菁鉬(PtPc)中的一種。優(yōu)選地，所述第一空穴注入層、第二空穴注入層和第三空穴注入層的厚度均為10?30nm。更優(yōu)選地，第一空穴注入層、第二空穴注入層和第三空穴注入層的材質(zhì)均選自酞菁銅(CuPc )，厚度為 20nm。
[0057]優(yōu)選地，第一空穴注入層、第二空穴注入層和第三空穴注入層的蒸鍍速率為0.1 ?lnm/s。
[0058]優(yōu)選地，所述第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層和第三空穴傳輸層的材質(zhì)均選自4，4’，4’ ’ -三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(NPB)、(4，4’，4’’-三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (3-甲基苯基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(TPD)和4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)中的一種。優(yōu)選地，所述第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層和第三空穴傳輸層的厚度均為10?60nm。
[0059]更優(yōu)選地，所述第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層和第三空穴傳輸層的材質(zhì)均選自 N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，厚度為 30nm。
[0060]優(yōu)選地，第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層和第三空穴傳輸層的蒸鍍速率為
0.1 ?lnm/s。
[0061]優(yōu)選地,所述第一電子傳輸層、第二電子傳輸層和第三電子傳輸層的材質(zhì)均選自2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、
1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)和1，2，4-三唑衍生物(TAZ)中的一種。優(yōu)選地，所述第一電子傳輸層、第二電子傳輸層和第三電子傳輸層的厚度均為20?60nm。
[0062]更優(yōu)選地,所述第一電子傳輸層、第二電子傳輸層和第三電子傳輸層的材質(zhì)均選自1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，厚度為30nm。
[0063]優(yōu)選地，第一電子傳輸層、第二電子傳輸層和第三電子傳輸層的蒸鍍速率為0.1 ?lnm/s。
[0064]優(yōu)選地，所述第一電子注入層、第二電子注入層和第三電子注入層的材質(zhì)均選自氟化鋰(LiF)和氟化銫(CsF)中的一種。優(yōu)選地，所述第一電子注入層、第二電子注入層和第三電子注入層的厚度為0.5?lnm。更優(yōu)選地，第一電子注入層、第二電子注入層和第三電子注入層的材質(zhì)均選自氟化鋰(LiF),厚度為lnm。
[0065]優(yōu)選地，第一電子注入層、第二電子注入層和第三電子注入層的蒸鍍速率為
0.1 ?lnm/s。
[0066]優(yōu)選地，所述第一陰極、第二陰極和第三陰極的材質(zhì)均選自金屬銀(Ag)、鋁(Al)、釤(Sm)和金(Au)中的一種。優(yōu)選地，所述第一陰極、第二陰極和第三陰極的厚度均為18?30nm。更優(yōu)選地，所述第一陰極、第二陰極和第三陰極的材質(zhì)均選自金屬銀(Ag)，厚度為20nmo
[0067]優(yōu)選地，第一陰極、第二陰極和第三陰極的蒸鍍速率為0.2?2nm/s。
[0068]本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果:
[0069](I)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件由兩個(gè)發(fā)光單元組組合而成，共包括三個(gè)獨(dú)立的有機(jī)發(fā)電致發(fā)光單元，分別發(fā)射綠光、藍(lán)光和紅光，兩個(gè)發(fā)光單元組的發(fā)射光譜進(jìn)行合理混合，即可得到白光發(fā)射，且該白光光色穩(wěn)定，發(fā)光效率高；
[0070]( 2 )本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的三個(gè)發(fā)光單元均可單獨(dú)控制發(fā)光，可以通過(guò)調(diào)節(jié)不同的電流或者電壓參數(shù)來(lái)獲得白光發(fā)射，器件的可調(diào)節(jié)性高；器件未通電使用時(shí)，能呈現(xiàn)較高的透過(guò)率，可以作為透明件來(lái)使用，極大地拓寬了該器件的使用領(lǐng)域；
[0071](3)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，兩個(gè)基板上的發(fā)光單元可以分開(kāi)制備，提高了制作效率，工藝簡(jiǎn)單，有利于規(guī)模化生產(chǎn)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0072]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0073]圖2是本發(fā)明實(shí)施例2制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0074]圖3是本發(fā)明實(shí)施例3制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0075]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0076]實(shí)施例1
[0077]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0078](I)提供厚度為0.2mm的第一玻璃基板和第二玻璃基板，置于含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，再依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈桑?br> [0079](2)將清潔后的第一玻璃基板置于真空度為IX 10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，制備第一發(fā)光單元，得到第一發(fā)光單元組:先采用磁控濺射的方式在第一玻璃基板上制備第一陽(yáng)極，材料為ΙΤ0，厚度為lOOnm，然后在ITO表面依次蒸鍍制備第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、綠光發(fā)光層、第一電子傳輸層、第一電子注入層和第一陰極；
[0080]其中，綠光發(fā)光層的材質(zhì)為TPBi摻雜Ir (ppy) 3形成的混合材料，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%，厚度為30nm,蒸鍍速率為0.0lnm/s ；
[0081]第一空穴注入層的材質(zhì)為CuPc，厚度為20nm，蒸鍍速率為0.lnm/s ;第一空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為30nm，蒸鍍速率為0.lnm/s ;第一電子傳輸層的材質(zhì)為TPBi，厚度為30nm，蒸鍍速率為0.lnm/s ;第一電子注入層的材質(zhì)為L(zhǎng)iF，厚度為lnm，蒸鍍速率為0.1nm/s ;第一陰極的材質(zhì)為金屬Ag,厚度為20nm。
[0082]第一發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)為:第一玻璃基板/ITO(10nm)/CuPc (20nm)/NPB(30nm)/TPBi:Ir (ppy) 3 (5%, 30nm) /TPBi (30nm) /LiF (lnm) /Ag (20nm)。
[0083](3)將清潔后的第二玻璃基板置于真空度為IX 10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在第二玻璃基板上制備隔離柱，并在隔離柱兩側(cè)并排制備所占面積之比為1:1的第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元，得到第二發(fā)光單元組:先采用磁控濺射的方式在第二玻璃基板的正中部制備隔離柱，材質(zhì)為S12，厚度為lOOnm，濺射速率為0.2nm/s ;再在隔離柱的一側(cè)制備第二陽(yáng)極，材料為ΙΤ0，厚度為lOOnm，然后在ITO表面依次蒸鍍制備第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第二電子傳輸層、第二電子注入層和第二陰極；在隔離柱的另一側(cè)制備第三陽(yáng)極，材料為ΙΤ0，厚度為lOOnm，然后在ITO表面依次蒸鍍制備第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第三電子傳輸層、第三電子注入層和第三陰極；
[0084]其中，藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為CBP摻雜FIrpic形成的混合材料，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，厚度為10nm，蒸鍍速率為0.0 lnm/s ；
[0085]第二空穴注入層的材質(zhì)為CuPc，厚度為20nm，蒸鍍速率為0.lnm/s ;第二空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為30nm，蒸鍍速率為0.lnm/s ;第二電子傳輸層的材質(zhì)為TPBi，厚度為30nm，蒸鍍速率為0.lnm/s ;第二電子注入層的材質(zhì)為L(zhǎng)iF，厚度為lnm，蒸鍍速率為0.1nm/s ;第二陰極的材質(zhì)為金屬Ag,厚度為20nm。
[0086]第二發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)為:第二玻璃基板/ITO(10nm)/CuPc (20nm)/NPB(30nm)/CBP =FIrpic(20%, 1nm)/TPBi(30nm)/LiF(Inm)/Ag(20nm)。
[0087]紅光發(fā)光層的材質(zhì)為Ir (btp) 2 (acac)摻雜在CBP中形成的混合材料,摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，厚度為10nm，蒸鍍速率為0.0 lnm/s ；
[0088]第三空穴注入層的材質(zhì)為CuPc，厚度為20nm，蒸鍍速率為0.lnm/s ;第三空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為30nm，蒸鍍速率為0.lnm/s ;第三電子傳輸層的材質(zhì)為TPBi，厚度為30nm，蒸鍍速率為0.lnm/s ;第三電子注入層的材質(zhì)為L(zhǎng)iF，厚度為lnm，蒸鍍速率為0.1nm/s ;第三陰極的材質(zhì)為金屬Ag,厚度為20nm。
[0089]第三發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)為:第二玻璃基板/ITO(10nm)/CuPc (20nm)/NPB (30nm) /CBP:Ir (btp) 2(acac)(20%, 1nm)/TPBi(30nm)/LiF(lnm)/Ag(20nm)。
[0090](4)以厚度為0.1mm的透明玻璃作為透明隔離層，置于第一玻璃基板和第二玻璃基板之間，采用粘合劑將第一玻璃基板和第二玻璃基板粘結(jié)在一起，形成密封結(jié)構(gòu)，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，第一玻璃基板通過(guò)粘結(jié)劑與透明隔離層形成第一封閉空間，第一發(fā)光單元容置在第一封閉空間內(nèi)，第二玻璃基板通過(guò)粘結(jié)劑與透明隔離層形成第二封閉空間，隔離柱將第二封閉空間分隔成第一收容空間和第二收容空間，所述第二發(fā)光單元容置在所述第一收容空間內(nèi)，所述第三發(fā)光單元容置在所述第二收容空間內(nèi)。
[0091]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，包括第一發(fā)光單元組10和第二發(fā)光單元組20、以及設(shè)置在第一發(fā)光單元組10和第二發(fā)光單元組20之間的透明隔離層30，其中，第一發(fā)光單元組10包括第一玻璃基板11和設(shè)置在第一玻璃基板11上的第一發(fā)光單兀12,第一發(fā)光單兀12為綠光發(fā)光單元，第一玻璃基板11通過(guò)粘結(jié)劑與透明隔離層30形成第一封閉空間，第一發(fā)光單元12容置在第一封閉空間內(nèi)；第二發(fā)光單元組20包括第二玻璃基板21和設(shè)置在第二玻璃基板21上的第二發(fā)光單元22和第三發(fā)光單元23，第二發(fā)光單元22為藍(lán)光發(fā)光單元，第三發(fā)光單元23為紅光發(fā)光單元，第二發(fā)光單元22和第三發(fā)光單元23在第二玻璃基板21上所占的面積之比為1:1，第二玻璃基板21通過(guò)粘結(jié)劑與透明隔離層30形成第二封閉空間，隔離柱24將第二封閉空間分隔成第一收容空間和第二收容空間，第二發(fā)光單元22容置在第一收容空間內(nèi)，第三發(fā)光單元23容置在第二收容空間內(nèi)。
[0092]實(shí)施例2
[0093]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0094](I)提供厚度為2_的第一玻璃基板和第二玻璃基板，置于含有洗漆劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，再依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈桑?br> [0095](2)將清潔后的第一玻璃基板置于真空度為IX 10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，制備第一發(fā)光單元，得到第一發(fā)光單元組:先采用磁控濺射的方式在第一玻璃基板上制備第一陽(yáng)極，材料為ΙΤ0，厚度為lOOnm，然后在ITO表面依次蒸鍍制備第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、綠光發(fā)光層、第一電子傳輸層、第一電子注入層和第一陰極；
[0096]其中，綠光發(fā)光層的材質(zhì)為TPBi摻雜Ir (ppy)2 (acac)形成的混合材料,摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，厚度為30nm，蒸鍍速率為0.2nm/s ；
[0097]第一空穴注入層的材質(zhì)為ZnPc，厚度為20nm，蒸鍍速率為lnm/s ;第一空穴傳輸層的材質(zhì)為TPD，厚度為30nm，蒸鍍速率為lnm/s ;第一電子傳輸層的材質(zhì)為TPBi，厚度為30nm,蒸鍍速率為lnm/s ;第一電子注入層的材質(zhì)為CsF,厚度為lnm,蒸鍍速率為lnm/s ;第一陰極的材質(zhì)為金屬Ag,厚度為20nm。
[0098]第一發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)為:第一玻璃基板/ITO(10nm)/CuPc (20nm)/NPB(30nm)/TPBi: Ir (ppy) 3(20%, 30nm)/TPBi(30nm)/CsF(Inm)/Ag(20nm)。
[0099](3)將清潔后的第二玻璃基板置于真空度為IX 10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在第二玻璃基板上制備隔離柱，并在隔離柱兩側(cè)并排制備所占面積之比為0.2:1的第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元，得到第二發(fā)光單元組:先采用磁控濺射的方式在第二玻璃基板的正中部制備隔離柱，材質(zhì)為T12，厚度為lOOnm，濺射速率為2nm/s ;再在隔離柱的一側(cè)制備第二陽(yáng)極，材料為ΙΤ0，厚度為lOOnm，然后在ITO表面依次蒸鍍制備第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第二電子傳輸層、第二電子注入層和第二陰極；在隔離柱的另一側(cè)制備第三陽(yáng)極，材料為ΙΤ0，厚度為lOOnm，然后在ITO表面依次蒸鍍制備第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第三電子傳輸層、第三電子注入層和第三陰極；
[0100]其中，藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為CBP摻雜FIr6形成的混合材料，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，厚度為20nm，蒸鍍速率為0.lnm/s ；
[0101]第二空穴注入層的材質(zhì)為CuPc，厚度為20nm，蒸鍍速率為lnm/s ;第二空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB,厚度為30nm,蒸鍍速率為lnm/s ;第二電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen,厚度為30nm，蒸鍍速率為lnm/s ;第二電子注入層的材質(zhì)為L(zhǎng)iF，厚度為lnm，蒸鍍速率為lnm/s ;第二陰極的材質(zhì)為金屬Ag,厚度為20nm。
[0102]第二發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)為:第二玻璃基板/ITO(10nm)/CuPc (20nm)/NPB(30nm)/CBP:FIr6(10%, 20nm)/Bphen(30nm)/LiF(lnm)/Ag(20nm)。
[0103]紅光發(fā)光層的材質(zhì)為Ir (piq)3摻雜在CBP中形成的混合材料,摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為8%，厚度為20nm,蒸鍍速率為0.5nm/s ；
[0104]第三空穴注入層的材質(zhì)為CuPc，厚度為20nm，蒸鍍速率為lnm/s ;第三空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為30nm，蒸鍍速率為lnm/s ;第三電子傳輸層的材質(zhì)為TPBi，厚度為30nm，蒸鍍速率為lnm/s ;第三電子注入層的材質(zhì)為L(zhǎng)iF，厚度為lnm，蒸鍍速率為0.2nm/s ；第三陰極的材質(zhì)為金屬Ag,厚度為20nm。
[0105]第三發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)為:第二玻璃基板/ITO(10nm)/CuPc (20nm)/NPB(30nm)/CBP:1r (piq) 3 (8%, 20nm) /TPBi (30nm) /LiF(Inm) /Ag (20nm)。
[0106](4)以厚度為0.1mm的透明PET薄膜為透明隔離層，置于第一玻璃基板和第二玻璃基板之間，采用粘合劑將第一玻璃基板和第二玻璃基板粘結(jié)在一起，形成密封結(jié)構(gòu)，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，第一玻璃基板通過(guò)粘結(jié)劑與透明隔離層形成第一封閉空間，第一發(fā)光單元容置在第一封閉空間內(nèi)，第二玻璃基板通過(guò)粘結(jié)劑與透明隔離層形成第二封閉空間，隔離柱將第二封閉空間分隔成第一收容空間和第二收容空間，所述第二發(fā)光單元容置在所述第一收容空間內(nèi)，所述第三發(fā)光單元容置在所述第二收容空間內(nèi)。
[0107]圖2是本發(fā)明實(shí)施例2制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，包括第一發(fā)光單元組10’和第二發(fā)光單元組20’、以及設(shè)置在第一發(fā)光單元組10’和第二發(fā)光單元組20’之間的透明隔離層30’，其中，第一發(fā)光單元組10’包括第一玻璃基板11’和設(shè)置在第一玻璃基板11’上的第一發(fā)光單兀12’，第一發(fā)光單兀12’為綠光發(fā)光單元，第一玻璃基板11’通過(guò)粘結(jié)劑與透明隔離層30’形成第一封閉空間，第一發(fā)光單元12’容置在第一封閉空間內(nèi)；第二發(fā)光單元組20’包括第二玻璃基板21’和設(shè)置在第二玻璃基板21’上的第二發(fā)光單元22’和第三發(fā)光單元23’，第二發(fā)光單元22’為藍(lán)光發(fā)光單元，第三發(fā)光單元23’為紅光發(fā)光單元，第二發(fā)光單元22’和第三發(fā)光單元23’在第二玻璃基板21’上所占的面積之比為0.2:1，第二玻璃基板21’通過(guò)粘結(jié)劑與透明隔離層30’形成第二封閉空間，隔離柱24’將第二封閉空間分隔成第一收容空間和第二收容空間，第二發(fā)光單元22’容置在第一收容空間內(nèi)，第三發(fā)光單元23’容置在第二收容空間內(nèi)。
[0108]實(shí)施例3
[0109]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0110](I)提供厚度為Imm的第一玻璃基板和第二玻璃基板，置于含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，再依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈桑?br> [0111](2)將清潔后的第一玻璃基板置于真空度為lX10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，制備第一發(fā)光單元，得到第一發(fā)光單元組:先采用磁控濺射的方式在第一玻璃基板上制備第一陽(yáng)極，材料為ΙΤ0，厚度為lOOnm，然后在ITO表面依次蒸鍍制備第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、綠光發(fā)光層、第一電子傳輸層、第一電子注入層和第一陰極；
[0112]其中，綠光發(fā)光層的材質(zhì)為Alq3摻雜C545T形成的混合材料，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%,厚度為1nm,蒸鍍速率為0.lnm/s ；
[0113]第一空穴注入層的材質(zhì)為ZnPc，厚度為20nm，蒸鍍速率為0.2nm/s ;第一空穴傳輸層的材質(zhì)為TPD，厚度為30nm，蒸鍍速率為0.2nm/s ;第一電子傳輸層的材質(zhì)為TPBi，厚度為30nm，蒸鍍速率為0.2nm/s ;第一電子注入層的材質(zhì)為L(zhǎng)iF，厚度為lnm，蒸鍍速率為0.2nm/s ;第一陰極的材質(zhì)為金屬Ag,厚度為20nm。
[0114]第一發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)為:第一玻璃基板/ITO(10nm)/CuPc (20nm)/NPB(30nm)/Alq3:C545T(10%, 1nm)/TPBi(30nm)/LiF(Inm)/Ag(20nm)。
[0115](3)將清潔后的第二玻璃基板置于真空度為lX10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在第二玻璃基板上制備隔離柱，并在隔離柱兩側(cè)并排制備所占面積之比為5:1的第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元，得到第二發(fā)光單元組:先采用磁控濺射的方式在第二玻璃基板的正中部制備隔離柱，材質(zhì)為Si3N4，厚度為10nm濺射速率為lnm/s ;再在隔離柱的一側(cè)制備第二陽(yáng)極，材料為ΙΤ0，厚度為lOOnm，然后在ITO表面依次蒸鍍制備第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第二電子傳輸層、第二電子注入層和第二陰極；在隔離柱的另一側(cè)制備第三陽(yáng)極，材料為ΙΤ0，厚度為lOOnm，然后在ITO表面依次蒸鍍制備第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第三電子傳輸層、第三電子注入層和第三陰極；
[0116]其中，藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為CBP摻雜FIrpic形成的混合材料，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%，厚度為20nm，蒸鍍速率為0.lnm/s ；
[0117]第二空穴注入層的材質(zhì)為CuPc，厚度為20nm，蒸鍍速率為0.2nm/s ;第二空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為30nm，蒸鍍速率為0.2nm/s ;第二電子傳輸層的材質(zhì)為TPBi，厚度為30nm，蒸鍍速率為0.2nm/s ;第二電子注入層的材質(zhì)為L(zhǎng)iF，厚度為lnm，蒸鍍速率為0.2nm/s ;第二陰極的材質(zhì)為金屬Ag,厚度為20nm。
[0118]第二發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)為:第二玻璃基板/ITO(10nm)/CuPc (20nm)/NPB(30nm)/CBP =FIrpic(2%, 20nm)/TPBi(30nm)/LiF(Inm)/Ag(20nm)。
[0119]紅光發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB摻雜在Alq3中形成的混合材料，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%，厚度為5nm，蒸鍍速率為0.2nm/s ；
[0120]第三空穴注入層的材質(zhì)為CuPc，厚度為20nm，蒸鍍速率為0.2nm/s ;第三空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB,厚度為30nm,蒸鍍速率為0.2nm/s ;第三電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen,厚度為30nm，蒸鍍速率為0.2nm/s ;第三電子注入層的材質(zhì)為L(zhǎng)iF，厚度為lnm，蒸鍍速率為
0.2nm/s ;第三陰極的材質(zhì)為金屬Ag,厚度為20nm。
[0121]第三發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)為:第二玻璃基板/ITO(10nm)/CuPc (20nm)/NPB(30nm)/Alq3:DCJTB(1%, 5nm)/Bphen(30nm)/LiF(lnm)/Ag(20nm)。
[0122](4)以厚度為2_的透明玻璃作為透明隔離層，置于第一玻璃基板和第二玻璃基板之間，采用粘合劑將第一玻璃基板和第二玻璃基板粘結(jié)在一起，形成密封結(jié)構(gòu)，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，第一玻璃基板通過(guò)粘結(jié)劑與透明隔離層形成第一封閉空間，第一發(fā)光單元容置在第一封閉空間內(nèi)，第二玻璃基板通過(guò)粘結(jié)劑與透明隔離層形成第二封閉空間，隔離柱將第二封閉空間分隔成第一收容空間和第二收容空間，所述第二發(fā)光單元容置在所述第一收容空間內(nèi)，所述第三發(fā)光單元容置在所述第二收容空間內(nèi)。
[0123]圖3是本發(fā)明實(shí)施例3制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，包括第一發(fā)光單元組10”和第二發(fā)光單元組20”、以及設(shè)置在第一發(fā)光單元組10”和第二發(fā)光單元組20”之間的透明隔離層30”，其中，第一發(fā)光單元組10”包括第一玻璃基板11”和設(shè)置在第一玻璃基板11”上的第一發(fā)光單兀12”,第一發(fā)光單兀12”為綠光發(fā)光單元，第一玻璃基板11”通過(guò)粘結(jié)劑與透明隔離層30”形成第一封閉空間，第一發(fā)光單元12”容置在第一封閉空間內(nèi)；第二發(fā)光單元組20”包括第二玻璃基板21”和設(shè)置在第二玻璃基板21”上的第二發(fā)光單元22”和第三發(fā)光單元23”，第二發(fā)光單元22”為藍(lán)光發(fā)光單元，第三發(fā)光單元23”為紅光發(fā)光單元，第二發(fā)光單元22”和第三發(fā)光單元23”在第二玻璃基板21”上所占的面積之比為5:1，第二玻璃基板21”通過(guò)粘結(jié)劑與透明隔離層30”形成第二封閉空間，隔離柱24”將第二封閉空間分隔成第一收容空間和第二收容空間，第二發(fā)光單元22”容置在第一收容空間內(nèi)，第三發(fā)光單元23”容置在第二收容空間內(nèi)。
[0124]效果實(shí)施例
[0125]為體現(xiàn)本發(fā)明的創(chuàng)造性，分別對(duì)實(shí)施例1?3制備的有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行發(fā)光性能測(cè)試:
[0126]將本發(fā)明實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行發(fā)光性能測(cè)試，測(cè)試數(shù)據(jù)如表I所示。當(dāng)采用表I中的驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，可以使該實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件獲得白光發(fā)射，其CIE1931色坐標(biāo)的數(shù)據(jù)為(0.42,0.41)，且該器件的透過(guò)率可以達(dá)到75%。
[0127]表I
[0128]

【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括第一發(fā)光單元組和第二發(fā)光單元組，以及設(shè)置在所述第一發(fā)光單元組和第二發(fā)光單元組之間的透明隔離層，所述第一發(fā)光單元組包括第一基板和設(shè)置在所述第一基板上的第一發(fā)光單元，所述第一基板通過(guò)粘結(jié)劑與所述透明隔離層形成第一封閉空間，所述第一發(fā)光單元容置在所述第一封閉空間內(nèi)，所述第一發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置在所述第一基板表面的第一陽(yáng)極、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、綠光發(fā)光層、第一電子傳輸層、第一電子注入層和第一陰極； 所述第二發(fā)光單元組包括第二基板和并排設(shè)置在所述第二基板上的第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元，所述第二發(fā)光單元與所述第三發(fā)光單元通過(guò)設(shè)置在所述第二基板表面的隔離柱隔開(kāi)設(shè)置，所述第二基板通過(guò)粘結(jié)劑與所述透明隔離層形成第二封閉空間，所述隔離柱將所述第二封閉空間分隔成第一收容空間和第二收容空間，所述第二發(fā)光單元容置在所述第一收容空間內(nèi)，所述第三發(fā)光單元容置在所述第二收容空間內(nèi)，所述第二發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置在所述第二基板表面的第二陽(yáng)極、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第二電子傳輸層、第二電子注入層和第二陰極；所述第三發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置在所述第二基板表面的第三陽(yáng)極、第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第三電子傳輸層、第三電子注入層和第三陰極。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述綠光發(fā)光層的材質(zhì)為熒光發(fā)光材料或綠光主體材料摻雜磷光材料形成的混合材料，所述熒光發(fā)光材料為2，3,6, 7-四氫-1，1,7, 7-四甲基-1H，5H, 11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9, 9A, IGH]香豆素，(8-羥基喹啉)_鋁和二甲基喹吖啶酮中的一種，所述綠光主體材料為4，4’，4’’ -三(咔唑-9-基)-三苯胺或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述磷光材料為乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥，三(2-苯基吡啶)合銥或三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III)，所述磷光材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5?20%。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為藍(lán)光主體材料摻雜磷光材料形成的混合材料,所述藍(lán)光主體材料為1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯；所述磷光材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥或雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥，所述磷光材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2?20%。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4!1-吡喃摻雜在8-羥基喹啉鋁中形成的混合材料，(乙酰丙酮)合銥摻雜在N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺中形成的混合材料，三(1-苯基-異喹啉)合銥摻雜在N，N’ - 二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺中形成的混合材料，或雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)吡啶)(乙酰丙酮)合銥摻雜在4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯中形成的混合材料，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為I?20%。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述隔離柱的材質(zhì)為二氧化硅、二氧化鈦或氮化硅。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述綠光發(fā)光層的厚度為10?30nm ;所述藍(lán)光發(fā)光層的厚度為5?20nm ;所述紅光發(fā)光層的厚度為I?20nm。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二發(fā)光單元與第三發(fā)光單元的面積之比為0.2?5:1。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二發(fā)光單元與第三發(fā)光單元的面積總和略小于第一發(fā)光單元的面積。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述透明隔離層為普通透明玻璃，柔性透明材料層或透明絕緣涂層。
10.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供潔凈的第一基板和第二基板，在真空鍍膜系統(tǒng)中，在所述第一基板上制備第一發(fā)光單元，得到第一發(fā)光單元組，在所述第二基板上制備隔離柱，再在所述隔離柱兩側(cè)的第二基板上并排制備第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元，得到第二發(fā)光單元組； 在所述第一發(fā)光單元組和第二發(fā)光單元組之間設(shè)置透明隔離層，然后采用粘結(jié)劑將第一基板和第二基板粘結(jié)，形成密封結(jié)構(gòu)，得到有機(jī)電致發(fā)光器件； 所述第一基板通過(guò)粘結(jié)劑與所述透明隔離層形成第一封閉空間，所述第一發(fā)光單元容置在所述第一封閉空間內(nèi)，所述第一發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置在所述第一基板表面的第一陽(yáng)極、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、綠光發(fā)光層、第一電子傳輸層、第一電子注入層和第一陰極； 所述第二基板通過(guò)粘結(jié)劑與所述透明隔離層形成第二封閉空間，所述隔離柱將所述第二封閉空間分隔成第一收容空間和第二收容空間，所述第二發(fā)光單元容置在所述第一收容空間內(nèi)，所述第三發(fā)光單元容置在所述第二收容空間內(nèi)，所述第二發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置在所述第二基板表面的第二陽(yáng)極、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第二電子傳輸層、第二電子注入層和第二陰極；所述第三發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置在所述第二基板表面的第三陽(yáng)極、第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第三電子傳輸層、第三電子注入層和第三陰極； 其中，所述真空鍍膜系統(tǒng)的真空度為I X 10_5?I X 10_3Pa，所述第一陽(yáng)極、第二陽(yáng)極、第三陽(yáng)極和隔離柱采用磁控濺射的方式制備，所述第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、綠光發(fā)光層、第一電子傳輸層、第一電子注入層和第一陰極采用真空蒸鍍的方式制備；所述第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第二電子傳輸層、第二電子注入層和第二陰極米用真空蒸鍍的方式制備；所述第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第三電子傳輸層、第三電子注入層和第三陰極采用真空蒸鍍的方式制備。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK104183706SQ201310189877
【公開(kāi)日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年5月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月21日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 陳吉星, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司