一種晶圓監(jiān)控方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種晶圓監(jiān)控方法，包括：步驟a對晶圓進行檢測，在所述晶圓上形成探針標記；步驟b制定取樣計劃，在所述晶圓上選取探針標記樣本，計算每個探針標記樣本的面積和相應的探針的面積；步驟c對所述探針標記樣本的面積和所述探針的面積進行統(tǒng)計分析，得到盒形圖；步驟d將所述盒形圖輸入到監(jiān)控系統(tǒng)中，對所述晶圓進行監(jiān)控。在本發(fā)明所述方法實現(xiàn)對所述晶圓的監(jiān)控，以保證封裝晶圓片的質(zhì)量，同時能夠更早的檢測到測試探針卡或探針的偏移，及時解決，提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和良率。
【專利說明】一種晶圓監(jiān)控方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種晶圓監(jiān)控方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來半導體制程技術(shù)突飛猛進，目前產(chǎn)品講求輕薄短小，IC體積越來越小、功能越來越強、腳數(shù)越來越多，為了降低芯片封裝所占的面積與改善IC效能，現(xiàn)階段覆晶(FlipChip)方式封裝普遍被應用于繪圖芯片、芯片組、存儲器及CPU等。上述高階封裝方式單價高昂，如果能在封裝前進行芯片測試，發(fā)現(xiàn)有不良品存在晶圓當中，即進行標記，直到后段封裝制程前將這些標記的不良品舍棄，可省下不必要的封裝成本。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中針對晶圓測試的方法包括多種，其中最常用的方法為電路探測(circuit probe，CP)方法，所述CP方法是指在封裝前對晶圓進行測試，該方法針對整個晶圓進行測試，通過所述測試將壞的晶粒(DIE)挑揀出來，以減少封裝和測試成本。
[0004]此外現(xiàn)有技術(shù)還有一種常用的方法為晶圓可接受測試(wafer acceptance test,WAT)，所述WAT方法是針對專門測試圖形(test key)進行測試通過電參數(shù)來控制各步工藝是否正常和穩(wěn)定。
[0005]雖然所述CP和WAT方法側(cè)重不同，但是都能夠在封裝前對晶圓進行測試，以減少封裝后再進行測試的風險和弊端，在所述CP和WAT方法中都需要形成探針標記(Probemark)，所述探針標記的尺寸對于接下來的封裝過程非常關(guān)鍵。
[0006]目前在晶圓成品最終出貨檢查(Outgoing quality assurance, 0QA)中包含自動目視檢查(automated visual inspect1n, AVI),所述AVI具有通過圖像采集,在進行圖像采集后然后由人工(manual)進行挑揀，雖然目前AVI系統(tǒng)可以進行采集圖像，但是由于其中所述探針標記的尺寸不能定量，從而使所述AVI中圖像采集以及人工判斷應用受到限制，同時所述人工判斷同樣受到操作人員經(jīng)驗的限制，造成效率較低。
[0007]因此，需要對目前封裝前晶圓監(jiān)控方法進行改進，以消除現(xiàn)有技術(shù)中存在的各種問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實施方式】部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術(shù)方案的保護范圍。
[0009]本發(fā)明為了克服目前存在問題，提供了一種晶圓監(jiān)控方法，包括:
[0010]步驟a對晶圓進行檢測，在所述晶圓上形成探針標記；
[0011]步驟b制定取樣計劃，在所述晶圓上選取探針標記樣本，計算每個探針標記樣本的面積和相應的探針的面積；
[0012]步驟c對所述探針標記樣本的面積和所述探針的面積進行統(tǒng)計分析，得到盒形圖；
[0013]步驟d將所述盒形圖輸入到監(jiān)控系統(tǒng)中，對所述晶圓進行監(jiān)控。
[0014]作為優(yōu)選，所述步驟a中對晶圓進行檢測的方法為晶圓可接受測試或電路探測。
[0015]作為優(yōu)選，所述晶圓可接受測試方法中還包括在所述晶圓上形成包括焊盤的測試結(jié)構(gòu)。
[0016]作為優(yōu)選，所述步驟b選用自動視覺系統(tǒng)完成。
[0017]作為優(yōu)選，所述步驟b中取樣計劃包括以下步驟:
[0018]選取晶圓曝光次數(shù)；
[0019]選取每次曝光中晶粒的數(shù)目；
[0020]選取自動視覺系統(tǒng)的窗口中焊盤的數(shù)目。
[0021]作為優(yōu)選，所述晶圓曝光次數(shù)為5，9或13。
[0022]作為優(yōu)選，所述每次曝光中晶粒的數(shù)目為5個以上。
[0023]作為優(yōu)選，所述自動視覺系統(tǒng)的窗口中焊盤的數(shù)目為10個以上。
[0024]作為優(yōu)選，所述探針標記樣本的面積選用橢圓面積的計算公式，為:S=Ji XaXb/4，其中a、b分別為橢圓中的長軸和短軸的長度。
[0025]作為優(yōu)選，所述探針的面積的計算公式為Sz=U XaXb/4) / (HXW)，其中a、b分別為橢圓中的長軸和短軸的長度，H、W分別為輸出版圖的高度和寬度。
[0026]作為優(yōu)選，所述步驟c選用設(shè)備自動化系統(tǒng)完成。
[0027]作為優(yōu)選，所述監(jiān)控系統(tǒng)采用統(tǒng)計過程控制。
[0028]作為優(yōu)選，所述盒形圖中正常探測區(qū)域的百分比等于所述探測標記面積和所述焊盤區(qū)域面積的比值。
[0029]在本發(fā)明中結(jié)合電路探測(circuit probe, CP)方法或晶圓可接受測試(waferacceptance test, WAT)方法中探針標記的形狀,所述探針標記為橢圓形,通過橢圓面積的計算公式來計算所述探針標記的面積，在所述AVI系統(tǒng)中根據(jù)預先設(shè)定在一個晶圓上的取樣計劃進行拍攝圖像，并根據(jù)類似CDSEM的測量方法進行測量所述圖像中長軸和短軸的長度(a和b),然后設(shè)備自動化系統(tǒng)(equipment automat1n programming, ΕΑΡ)將根據(jù)所述采用數(shù)據(jù)得到盒形圖，將所述正?；副P面積(normalized pad area)和數(shù)據(jù)輸入到所述統(tǒng)計過程控制(Statistical Process Control, SPC)系統(tǒng)中,所述控制系統(tǒng)根據(jù)盒形圖，實現(xiàn)對所述晶圓的監(jiān)控，以保證封裝晶圓片的質(zhì)量，同時能夠更早的檢測到測試探針卡或探針的偏移，及時解決，提聞廣品的穩(wěn)定性和良率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0031]圖1為本發(fā)明一【具體實施方式】中探針標記形狀示意圖；
[0032]圖2為本發(fā)明一【具體實施方式】中版圖結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖3為本發(fā)明一【具體實施方式】得到的中盒形圖；
[0034]圖4為本發(fā)明一【具體實施方式】中晶圓的曝光單元個數(shù)為5，9，13的樣品示意圖；
[0035]圖5為本發(fā)明一【具體實施方式】中所述監(jiān)控探針標記大小的方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0036]在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進行描述。
[0037]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細的描述，以說明本發(fā)明所述監(jiān)控探針標記大小的方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限于半導體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習的特殊細節(jié)。本發(fā)明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0038]應予以注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述具體實施例，而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復數(shù)形式。此外，還應當理解的是，當在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0039]現(xiàn)在，將參照附圖更詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例。然而，這些示例性實施例可以多種不同的形式來實施，并且不應當被解釋為只限于這里所闡述的實施例。應當理解的是，提供這些實施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性實施例的構(gòu)思充分傳達給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。
[0040]下面對本發(fā)明的一【具體實施方式】中的處理方法做進一步的說明:
[0041]在晶圓制造出來進入后續(xù)切割封裝之前，需要對所述晶圓進行測試，通過揀選測試將最小的單元，即晶粒(DIE)分類，將有缺陷的進行標記，為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所述探針標記(probe mark)大小不能定量的問題，本發(fā)明提供了一種新的方法，包括以下步驟:
[0042]步驟a對晶圓進檢測，在所述晶圓上形成探針標記；
[0043]步驟b制定取樣計劃，在所述晶圓上選取探針標記樣本，計算每個探針標記樣本的面積和相應的探針的面積；
[0044]步驟c對所述探針標記樣本的面積和所述探針的面積進行統(tǒng)計分析，得到盒形圖；
[0045]步驟d將所述盒形圖輸入到監(jiān)控系統(tǒng)中，對所述晶圓進行監(jiān)控。
[0046]下面結(jié)合附圖1-4對本發(fā)明所述方法做詳細的說明:首先對所述晶圓進行檢測，并在所述晶圓上形成探針標記；
[0047]具體地，在本發(fā)明的一種實施方式中，可以選用晶圓可接受測試(waferacceptance test, WAT)方法或者電路探測(circuit probe, CP)方法對所述晶圓進行測試，可以選用上述方法中的任一種，但所述兩種方法各有側(cè)重。
[0048]其中所述晶圓可接受測試(wafer acceptance test, WAT)方法是在晶圓切割和封裝之前檢測的步驟，以避免出現(xiàn)由于晶圓前期生產(chǎn)中的差錯而使晶粒無法正常工作的情況，所述晶圓可接受測試(wafer acceptance test, WAT)方法中為了避免對晶粒造成的破壞，通常在制作晶粒時，在每個晶粒和晶粒的空隙上，也就是切割道上，制作測試結(jié)構(gòu)(testkey),晶圓可接受測試(wafer acceptance test,WAT)方法通過對所述測試結(jié)構(gòu)的測試,從而推斷晶粒是否完好，通常所述WAT參數(shù)保羅對元件進行電性能測量所得到的數(shù)據(jù)，例如連結(jié)性測試、閾值電壓、漏極飽和電流等。
[0049]在本發(fā)明中也可以選用電路探測(circuit probe，CP)方法進行測試，所述電路探測(circuit probe, CP)方法更加側(cè)重良率的測試,例如針對每個晶粒中某些特定的功能性測試，例如電路探測(circuit probe, CP)方法對于每個晶粒進行一連串的功能通過(pass)/失敗(fail)測試，例如開/短路測試、掃描測試等，其更加側(cè)重晶粒良率的測試。
[0050]作為優(yōu)選，在本發(fā)明中優(yōu)選晶圓可接受測試(wafer acceptance test, WAT)方法對所述晶圓進行測試，在測試過程中，每一個芯片的電性能力和電路機能都被檢測到。晶圓測試也就是芯片測試(die sort)或晶圓電測(wafer sort)。
[0051]作為優(yōu)選，在所述WAT中優(yōu)選探針卡對所述晶圓進行測試，所述晶圓卡中包括探針座、探針(probe)，當然還包含其他常規(guī)器件，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要和精度進行選擇，在此不再贅述。
[0052]在所述晶圓上還可以形成焊盤(Pad)，所述焊盤即為測試結(jié)構(gòu)，所述焊盤上還可以形成檢查標記，所述焊盤和所述檢查標記具有金屬層，例如Al金屬層，作為優(yōu)選，還可以對所述金屬鋁進行氧化，在所述金屬層上形成一絕緣層。
[0053]在測試時，晶圓被固定在真空吸力的卡盤上，并與很薄的探針電測器對準，刺穿所述絕緣層，同時探針與芯片的每一個焊盤(金屬層)相接觸。電測器在電源的驅(qū)動下測試電路并記錄下結(jié)果。測試的數(shù)量、順序和類型由計算機程序控制。測試機是自動化的，所以在探針電測器與第一片晶圓對準后的測試工作無須操作員的輔助，在該過程中可以選用人工對準。
[0054]隨著芯片的面積增大和密度提高使得晶圓測試的費用越來越大芯片需要更長的測試時間以及更加精密復雜的電源、機械裝置和計算機系統(tǒng)來執(zhí)行測試工作和監(jiān)控測試結(jié)果。因此，作為優(yōu)選，在本發(fā)明中優(yōu)選使用自動視覺系統(tǒng)(automated visual inspect1n,AVI),自動視覺系統(tǒng)(automated visual inspect1n, AVI)是隨著芯片尺寸擴大而更加精密，所述AVI具有更高的自動化程度，使得芯片測試流程更加簡化而有效，例如在芯片參數(shù)評估合格后使用簡化的測試程序，另外也可以隔行測試晶圓上的芯片，或者同時進行多個芯片的測試。
[0055]選用所述AVI可以把圓片安放在一個可移動的金屬板上。在水平和垂直方向上可以自動移動圓片，并通過探針卡實現(xiàn)這一部分的電子線路連接，習慣的做法是做一個與每個管心焊盤幾何形狀匹配的電路板，并把它連接到測試設(shè)備上，探針卡上有細小的金屬探針附著，通過降低探針高度使之和芯片上的焊盤接觸，可以把卡上的線路和芯片的結(jié)合焊盤連起來。運行檢測程序檢驗芯片合格與否，檢測完成后，探針抬起，通過測試在晶圓(晶粒)上留下探針標記(probe mark)。
[0056]所述AVI可以包含檢查系統(tǒng)，自動檢查裝置，目視檢查裝置，設(shè)置在工廠內(nèi)的LAN等的網(wǎng)絡(luò)，管理服務器等。自動檢查裝置是以CCD照相機等拍攝使測試圖案顯示的顯示面板，將其作為圖像數(shù)據(jù)，用計算機對該圖像數(shù)據(jù)進行圖像處理:所述目視檢查裝置是具有使測試圖案顯示在檢查對象面板上的單元的顯示面板的目視檢查裝置，該目視檢查裝置具有:測試圖案存儲單元；取得自動檢查裝置所生成的自動檢查結(jié)果信息的單元，自動檢查裝置目視檢查裝置以及管理服務器通過網(wǎng)絡(luò)以有線或者無線的方式常時或者隨時連接，能夠根據(jù)需要交換數(shù)據(jù)、命令，這些部分作為整體形成本發(fā)明的檢查系統(tǒng)。
[0057]自動檢查裝置具有使測試圖案顯示于檢查對象面板的單元、將顯示有測試圖案的檢查對象面板的顯示畫面作為圖像數(shù)據(jù)取得的圖像數(shù)據(jù)取得單元、對所取得的圖像數(shù)據(jù)進行解析的圖像處理單元、根據(jù)被解析的圖像數(shù)據(jù)生成自動檢查結(jié)果信息的單元、對所生成的自動檢查結(jié)果信息進行存儲的存儲單元。
[0058]自動檢查裝置與后述的目視檢查裝置同樣包括:裝載部，該裝載部取得檢查對象面板，將其放置在放置臺上并輸送至檢查部；校準攝像裝置，其對被輸送到檢查部的檢查面板進行位置對準；與檢查面板的電極接觸的探測單元；向探測單元供給信號，點亮檢查面板，并使測試圖案顯示的檢查部；以及存儲測試圖案的存儲裝置，由此，能夠使測試圖案顯示于檢查對象面板。另外，存儲測試圖案的存儲裝置也可以設(shè)置在管理服務器上。
[0059]其中，通過所述WAT或者CP方法中探針標記通常為橢圓形，如圖1所示，接近于圓形，其中所述探針標記的大小收到探針卡中各種設(shè)置和狀況的影響，在AVI中通過采集圖像、分析計算得到所述探針標記中長軸和短軸的長度分別為a、b，通常所述橢圓形的探針標記的面積計算公式為:S=3i XaXb/4,得到探針標記的面積S。
[0060]然后根據(jù)所述探針標記的面積,計算所述正常探針(Normalized Probe)的大小S '，所述S Z = ( 31 XaXb/4) / (HXW)，其中所述(π XaXb/4)中各種參數(shù)的意義及大小和所述探針標記的面積計算公式中的相同，其中所述H、W可以通過所述晶粒的輸出版圖(Layout)得出，如圖2所示，其中所述H、W分別為所述輸出版圖的高度和寬度，其中所述a、b可以通過AVI系統(tǒng)得到。
[0061]然后通過統(tǒng)計過程控制(Statistical Process Control, SPC)方法對探測區(qū)域(Probe area)大小進行監(jiān)控,在此之前首先需要得到關(guān)于正常探測區(qū)域(normalizedprobe area)的盒形圖。
[0062]為了使得到的正常探測區(qū)域(normalized probe area)的盒形圖更加準確，以提高監(jiān)控效果，AVI需要對所述探針標記(probe mark)制定取樣計劃(sampling plan),以使所述取樣具有代表性，能夠更加準確的監(jiān)控所述探測區(qū)域大小，考慮以下幾個方面:
[0063]首先需要是晶圓的曝光單元個數(shù)(由晶圓直徑和光罩尺寸決定，典型的12英寸包含晶圓60?80個單元)(Within wafer shot number),通常選用具有代表性的數(shù)值(typical number),例如5,9,13等,分別圖4a、4b和4c所示，以保證能夠覆蓋所述晶圓的中心和邊緣區(qū)域。
[0064]同時,還需要考慮每次曝光的晶粒的數(shù)目(Within shot die number),通常選用具有代表性的數(shù)值(typical number),通常選取5以上的數(shù)值，以保證能夠覆蓋所述晶圓的中心和邊緣區(qū)域。
[0065]此外，還需要考慮AVI中自動檢查裝置窗口中焊盤的數(shù)目，通常選用具有代表性的數(shù)值(typical number),通常選取10以上的數(shù)值。
[0066]然后，將所述數(shù)據(jù)整理集中后輸入到所述設(shè)備自動化系統(tǒng)(equipmentautomat1n programming, ΕΑΡ),所述ΕΑΡ)將根據(jù)所述采用數(shù)據(jù)得到盒形圖，如圖3所示，其中所述盒形圖中能夠得到正常探測區(qū)域(normalized probe area),其中所述正常探測區(qū)域的百分比等于所述探測標記面積(normalized probe area)和所述焊盤區(qū)域面積(pad area)的比值，設(shè)備自動化系統(tǒng)(equipment automat1n programming, ΕΑΡ)將所述盒形圖，包含焊盤面積(pad area)和數(shù)據(jù)輸入到所述統(tǒng)計過程控制(StatisticalProcess Control, SPC)系統(tǒng)中,對晶圓的檢測進行實時控制,在所述盒形圖中正常探測區(qū)域(normalized probe area)內(nèi)的數(shù)據(jù)為良率產(chǎn)品,在所述區(qū)域以外的為非良率產(chǎn)品。
[0067]在本發(fā)明中結(jié)合電路探測(circuit probe, CP)方法或晶圓可接受測試(waferacceptance test, WAT)方法中探針標記的形狀,所述探針標記為橢圓形,通過橢圓面積的計算公式來計算所述探針標記的面積，在所述AVI系統(tǒng)中根據(jù)預先設(shè)定在一個晶圓上的取樣計劃進行拍攝圖像，并根據(jù)類似CDSEM的測量方法進行測量所述圖像中長軸和短軸的長度(a和b),然后設(shè)備自動化系統(tǒng)(equipment automat1n programming, ΕΑΡ)將根據(jù)所述采用數(shù)據(jù)得到盒形圖，將所述正常化焊盤面積(normalized pad area)和數(shù)據(jù)輸入到所述統(tǒng)計過程控制(Statistical Process Control, SPC)系統(tǒng)中,所述控制系統(tǒng)根據(jù)盒形圖，實現(xiàn)對所述晶圓的監(jiān)控，以保證封裝晶圓片的質(zhì)量，同時能夠更早的檢測到測試探針卡或探針的偏移，及時解決，提聞廣品的穩(wěn)定性和良率。
[0068]圖5為本發(fā)明一【具體實施方式】中所述監(jiān)控探針標記大小的方法的流程圖，包括以下步驟:
[0069]步驟a對晶圓進行檢測，在所述晶圓上形成探針標記；
[0070]步驟b制定取樣計劃，在所述晶圓上選取探針標記樣本，計算每個探針標記樣本的面積和相應的探針的面積；
[0071]步驟c對所述探針標記樣本的面積和所述探針的面積進行統(tǒng)計分析，得到盒形圖；
[0072]步驟d將所述盒形圖輸入到監(jiān)控系統(tǒng)中，對所述晶圓進行監(jiān)控。
[0073]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進行了說明，但應當理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種晶圓監(jiān)控方法，包括: 步驟a對晶圓進行檢測，在所述晶圓上形成探針標記； 步驟b制定取樣計劃，在所述晶圓上從所述探針標記中選取探針標記樣本，計算每個探針標記樣本的面積和相應的探針的面積； 步驟c對所述探針標記樣本的面積和所述探針的面積進行統(tǒng)計分析，得到盒形圖； 步驟d將所述盒形圖輸入到監(jiān)控系統(tǒng)中，對所述晶圓進行監(jiān)控。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟a中對晶圓進行檢測的方法為晶圓可接受測試或電路探測。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述晶圓可接受測試方法中還包括在所述晶圓上形成包括焊盤的測試結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述步驟b選用自動視覺系統(tǒng)完成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟b中取樣計劃包括以下步驟: 選取晶圓曝光次數(shù)； 選取每次曝光中晶粒的數(shù)目； 選取自動視覺系統(tǒng)的窗口中焊盤的數(shù)目。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述晶圓曝光次數(shù)為5，9或13。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述每次曝光中晶粒的數(shù)目為5個以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述自動視覺系統(tǒng)的窗口中焊盤的數(shù)目為10個以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述探針標記樣本的面積選用橢圓面積的計算公式，為=S=Ji XaXb/4，其中a、b分別為橢圓中的長軸和短軸的長度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述探針的面積的計算公式為S'=(JI XaXb/4) / (HXW)，其中a、b分別為橢圓中的長軸和短軸的長度，H、W分別為輸出版圖的高度和寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟c選用設(shè)備自動化系統(tǒng)完成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述監(jiān)控系統(tǒng)采用統(tǒng)計過程控制。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述盒形圖中正常探測區(qū)域的百分比等于所述探測標記面積和所述焊盤區(qū)域面積的比值。
【文檔編號】H01L21/66GK104183512SQ201310190083
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年5月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月21日
【發(fā)明者】倪百兵 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司