發(fā)光二極管芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管芯片，其包括：N型半導(dǎo)體層；活性層，其設(shè)置在該N型半導(dǎo)體層上；P型半導(dǎo)體層，其設(shè)置在該活性層上；透明導(dǎo)電層，其設(shè)置在該P(yáng)型半導(dǎo)體層的遠(yuǎn)離該活性層的表面上，該透明導(dǎo)電層為銦錫氧化物薄膜；N型電極，其連接該N型半導(dǎo)體層；P型電極，其設(shè)置在該透明導(dǎo)電層上；以及保護(hù)層，其覆蓋透明導(dǎo)電層，該保護(hù)層包括氮化硅材料。
【專利說(shuō)明】發(fā)光二極管芯片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光二極管芯片。

【背景技術(shù)】
[0002]一般的發(fā)光二極管芯片，包括依次成長(zhǎng)在基板上的第一型半導(dǎo)體層，活性層、第二型半導(dǎo)體層、透明導(dǎo)電層、保護(hù)層以及電極。通常，保護(hù)層為二氧化硅層，其折射系數(shù)為
1.44"!.55。而透明導(dǎo)電層為銦錫氧化物薄膜(indium tin oxide, ITO),其折射系數(shù)為
1.8^2.1。由于透明導(dǎo)電層的折射系數(shù)與保護(hù)層的折射系數(shù)相差較大，從而導(dǎo)致光線經(jīng)過(guò)該透明導(dǎo)電層后到達(dá)該保護(hù)層時(shí)，容易造成全反射，從而導(dǎo)致該半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)的出光效率低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要提供一種具有較高出光效率的發(fā)光二極管芯片。
[0004]一種發(fā)光二極管芯片，其包括:Ν型半導(dǎo)體層；活性層，其設(shè)置在該N型半導(dǎo)體層上；ρ型半導(dǎo)體層，其設(shè)置在該活性層上；透明導(dǎo)電層，其設(shè)置在該P(yáng)型半導(dǎo)體層的遠(yuǎn)離該活性層的表面上，該透明導(dǎo)電層為銦錫氧化物薄膜；Ν型電極，其連接該N型半導(dǎo)體層；Ρ型電極，其設(shè)置在該透明導(dǎo)電層上；以及保護(hù)層，其覆蓋透明導(dǎo)電層，該保護(hù)層包括氮化硅材料。
[0005]該發(fā)光二極管芯片的透明導(dǎo)電層為銦錫氧化物薄膜，保護(hù)層為氮化硅，二者的折射系數(shù)比較接近，因此，光線經(jīng)過(guò)透明導(dǎo)電層后到達(dá)該保護(hù)層時(shí)，不容易造成全反射，從而提高該發(fā)光二極管芯片的出光效率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管芯片的剖面示意圖。
[0007]圖2是本發(fā)明第二實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管芯片的剖面示意圖。
[0008]主要元件符號(hào)說(shuō)明

【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管芯片，其包括: N型半導(dǎo)體層； 活性層，其設(shè)置在該N型半導(dǎo)體層上； P型半導(dǎo)體層，其設(shè)置在該活性層上； 透明導(dǎo)電層，其設(shè)置在該P(yáng)型半導(dǎo)體層的遠(yuǎn)離該活性層的表面上，該透明導(dǎo)電層為銦錫氧化物薄膜； N型電極，連接該N型半導(dǎo)體層； P型電極，其設(shè)置在該透明導(dǎo)電層上；以及 保護(hù)層，覆蓋透明導(dǎo)電層，該保護(hù)層包括氮化硅材料。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該保護(hù)層具有一個(gè)遠(yuǎn)離該N型半導(dǎo)體層的表面，該表面的表面粗糙度大于等于0.1微米且小于等于I微米。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該保護(hù)層具有一個(gè)遠(yuǎn)離該透明導(dǎo)電層的第一表面，該第一表面上形成有多個(gè)納米級(jí)孔洞結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該多個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)均勻間隔排布。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，每個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的截面呈矩形狀。
6.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該多個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的深度相同。
7.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，每個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)延伸至該透明導(dǎo)電層。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，N型半導(dǎo)體層上形成有平臺(tái)結(jié)構(gòu)，N型電極設(shè)于該平臺(tái)結(jié)構(gòu)上。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，保護(hù)層還延伸至該平臺(tái)結(jié)構(gòu)上。
【文檔編號(hào)】H01L33/44GK104183681SQ201310191843
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年5月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月22日
【發(fā)明者】洪梓健, 沈佳輝, 彭建忠 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司