薄膜晶體管基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種薄膜晶體管基板，包括透明基板、第一絕緣層、第二絕緣層以及多個(gè)薄膜晶體管。其中，每一薄膜晶體管包括柵極、源極、汲極、通道層以及通道保護(hù)層。所述柵極形成在所述透明基板上，所述第一絕緣層覆蓋所述柵極，所述通道層形成在所述第一絕緣層上正對所述柵極的位置，所述通道保護(hù)層直接形成在所述通道層上，所述源極和汲極形成在所述第一絕緣層上且分別與通道層的相對兩側(cè)連接，所述第二絕緣層形成在所述第一絕緣層上并覆蓋所述源極、汲極、通道層和通道保護(hù)層。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明薄膜晶體管基板中的開關(guān)元件在受到按壓時(shí)能夠有效得到緩沖，不容易被壓壞，使用壽命更長。
【專利說明】薄膜晶體管基板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管基板。

【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示面板通常包括一薄膜晶體管基板、一彩色濾光片基板和夾在該兩個(gè)基板 之間的液晶層，其是通過施加電壓以控制其間液晶分子扭轉(zhuǎn)而實(shí)現(xiàn)光的通過或不通過，從 而達(dá)到顯示的目的。其中，所述薄膜晶體管基板上設(shè)置有多個(gè)陣列排布的薄膜晶體管作為 傳輸顯示信號的開關(guān)元件。然而，所述薄膜晶體管的通道層容易在受到按壓時(shí)損壞，尤其在 高解析度的液晶顯示面板中，薄膜晶體管基板中的開關(guān)元件極易被彩色濾光片一側(cè)的間隔 物壓壞，從而致使畫面顯示異常。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 鑒于此，有必要提供一種薄膜晶體管基板，包括透明基板、第一絕緣層、第二絕緣 層以及多個(gè)薄膜晶體管。其中，每一薄膜晶體管包括柵極、源極、汲極、通道層以及通道保護(hù) 層。所述柵極形成在所述透明基板上，所述第一絕緣層覆蓋所述柵極，所述通道層形成在所 述第一絕緣層上正對所述柵極的位置，所述通道保護(hù)層直接形成在所述通道層上，所述源 極和汲極形成在所述第一絕緣層上且分別與通道層的相對兩側(cè)連接，所述第二絕緣層形成 在所述第一絕緣層上并覆蓋所述源極、汲極、通道層和通道保護(hù)層。
[0004] 相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明薄膜晶體管基板中的開關(guān)元件在受到按壓時(shí)能夠有效得 到緩沖，不容易被壓壞，使用壽命更長。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0005] 圖1是本發(fā)明薄膜晶體管基板的局部平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0006] 圖2是圖1所示薄膜晶體管基板的沿V-V線的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0007] 圖3是圖1中薄膜晶體管的局部放大示意圖。
[0008] 主要元件符號說明

【權(quán)利要求】
1. 一種薄膜晶體管基板，包括： 透明基板、第一絕緣層、第二絕緣層以及多個(gè)薄膜晶體管，其中，每一薄膜晶體管包括 柵極、源極、汲極、通道層以及通道保護(hù)層，所述柵極形成在所述透明基板上，所述第一絕緣 層覆蓋所述柵極，所述通道層形成在所述第一絕緣層上正對所述柵極的位置，所述通道保 護(hù)層直接形成在所述通道層上，所述源極和汲極形成在所述第一絕緣層上且分別與通道層 的相對兩側(cè)連接，所述第二絕緣層形成在所述第一絕緣層上并覆蓋所述源極、汲極、通道層 和通道保護(hù)層。
2. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述通道保護(hù)層的材質(zhì)是氧化 銦錫。
3. 如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述通道保護(hù)層位于源極與汲 極之間，且所述通道保護(hù)層的相對兩端與所述源極與汲極之間存在有空隙。
4. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述通道保護(hù)層的材質(zhì)是絕緣 材料。
5. 如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述通道保護(hù)層位于源極與汲 極之間，且所述通道保護(hù)層貼附于所述源極與汲極。
6. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述第一絕緣層為柵極絕緣層， 所述第二絕緣層為鈍化層。
7. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述薄膜晶體管基板還包括相 互平行的掃描線及數(shù)據(jù)線，所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線絕緣相交。
8. 如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述源極為由數(shù)據(jù)線一側(cè)在平 面上延伸出的C字型結(jié)構(gòu)，該C字型源極遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)線的末端大致平行所連接的數(shù)據(jù)線，所述 汲極為一 L字型結(jié)構(gòu)，該L字型汲極的一端大致平行其鄰近的部分?jǐn)?shù)據(jù)線，且伸入所述C字 型源極所收容的空間內(nèi)同時(shí)與所述源極各面都不接觸，而所述汲極的另一端大致垂直其鄰 近的部分?jǐn)?shù)據(jù)線并遠(yuǎn)離其鄰近的數(shù)據(jù)線，所述通道層為一 D字型結(jié)構(gòu)，所述C字型源極基本 位于所述通道層且沿D字型通道層的曲線邊緣設(shè)置，所述汲極伸入所述C字型源極的一端 基本位于所述通道層，而所述汲極的另一端位于該通道層之外，所述通道保護(hù)層從平面方 向看呈一開口方向大致平行數(shù)據(jù)線的U字型結(jié)構(gòu)，該通道保護(hù)層間隔設(shè)置于所述源極與汲 極之間，并完全位于通道層。
9. 如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述薄膜晶體管基板 還包括第一電極層、第二電極層、多條相互平行的公共電極線及通孔，所述第一電極層夾設(shè) 于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間，且與所述汲極電連接，所述第二電極形成在所 述第二絕緣層上，并通過所述通孔與公共電極線相連接。
10. 如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述第一電極層為像素電極， 所述第二電極層為公共電極。
11. 如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述第一電極層及所述第二電 極層的材質(zhì)為氧化銦錫。
【文檔編號】H01L29/786GK104124253SQ201310194497
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年5月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月23日
【發(fā)明者】王曉倩, 柳智忠, 王明宗, 鄭亦秀 申請人:深超光電（深圳）有限公司