半導(dǎo)體器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。該半導(dǎo)體器件包括：包括溝槽的襯底；第一電極，布置在溝槽之下；第二電極，布置在溝槽之上，第一絕緣層布置在第一電極與第二電極之間；第一觸點(diǎn)，布置在襯底的第一方向上并且連接到第一電極；以及第二觸點(diǎn)，布置在不同于第一方向的第二方向上，第二觸點(diǎn)連接到第二電極。
【專利說明】半導(dǎo)體器件及其制造方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2012年6月15日向韓國專利局提交的韓國專利申請(qǐng)第10-2012-0064548號(hào)在美國專利法典第35卷第119條第(a)款下的權(quán)益，其全部公開內(nèi)容通過引用合并于此以用于所有目的。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]以下描述涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，并且例如涉及用于多個(gè)電極的觸點(diǎn)在溝槽內(nèi)布置在不同方向上的半導(dǎo)體器件、以及制造這樣的半導(dǎo)體器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]諸如雙擴(kuò)散MOS晶體管的MOS晶體管經(jīng)常用作高電壓半導(dǎo)體器件。在這樣的MOS晶體管中，通常在襯底的表面的水平方向上形成溝道。然而，根據(jù)新近的用于構(gòu)造半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)規(guī)則的減少，出于其高度集成效率而越來越多地關(guān)注具有豎直溝道的溝槽MOS晶體管(諸如，高電壓MOS晶體管)。通常，溝槽MOS晶體管被構(gòu)造為具有布置在襯底的后表面上的漏極、布置在襯底的上表面上的源極、以及布置在形成襯底的表面的溝槽內(nèi)的柵極。電流通常沿溝槽的側(cè)壁在襯底的向上和向下方向上流動(dòng)。
[0005]圖1是半導(dǎo)體器件的有源區(qū)和邊緣區(qū)的平面圖，以及圖2是圖1的半導(dǎo)體器件沿線1-1的橫截面圖。
[0006]參照?qǐng)D1和圖2，半導(dǎo)體器件被劃分為有源區(qū)X和邊緣區(qū)Y。有源區(qū)X包括溝槽100、溝槽晶體管單元101-1以及有源區(qū)內(nèi)部觸點(diǎn)101，并且邊緣區(qū)Y包括將電壓施加于電極的接觸圖案。更具體地，第一絕緣層210形成在襯底200(其中源極結(jié)構(gòu)220形成在第一絕緣層210上)上，并且第二絕緣層230、柵極結(jié)構(gòu)240以及第三絕緣層250形成在第一絕緣層210之上。接觸孔231、251分別形成在第二絕緣層230和第三絕緣層250中。
[0007]由于在形成有接觸圖案的邊緣區(qū)Y上柵極結(jié)構(gòu)240和源極結(jié)構(gòu)220之間的寬重疊區(qū)域，半導(dǎo)體器件可能由于柵極與源極之間、或者柵極與漏極之間的電流泄露而隨時(shí)間退化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]在一個(gè)一般方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括:包括溝槽的襯底；第一電極，布置在溝槽之下；第二電極，布置在溝槽之上，第一絕緣層布置在第一電極與第二電極之間；第一觸點(diǎn)，布置在襯底的第一方向上并且連接到第一電極；以及第二觸點(diǎn)，布置在不同于第一方向的第二方向上，第二觸點(diǎn)連接到第二電極。
[0009]半導(dǎo)體器件的一般方面還可以包括設(shè)置在溝槽的下部和側(cè)壁上的第二絕緣層。
[0010]在半導(dǎo)體器件的一般方面，第一方向和第二方向可以彼此垂直。
[0011]在半導(dǎo)體器件的一般方面，溝槽可以通過溝槽的交叉而形成。
[0012]半導(dǎo)體器件的一般方面還可以包括:第三絕緣層，形成在第二電極上；第三電極，形成在第三絕緣層上；以及第四電極，形成在襯底之下。
[0013]在半導(dǎo)體器件的一般方面,第一電極可以是屏蔽電極(shield electrode),第二電極可以是柵電極，第三電極可以是源電極，以及第四電極可以是漏電極，并且屏蔽電極可以被配置成根據(jù)施加到第一觸點(diǎn)的電壓，改變半導(dǎo)體器件內(nèi)的電場圖案。
[0014]在半導(dǎo)體器件的一般方面，第一觸點(diǎn)和第二觸點(diǎn)可以是金屬圖案。
[0015]在半導(dǎo)體器件的一般方面，第一電極和第三電極可以彼此電連接。
[0016]在半導(dǎo)體器件的一般方面，位于第一觸點(diǎn)之下的第一電極可以形成在襯底上，其中第二絕緣層布置在襯底與第一電極之間，并且位于第二觸點(diǎn)之下的第二電極可以形成襯底上，其中第一絕緣層布置在襯底與第二電極之間。
[0017]在半導(dǎo)體器件的一般方面，位于第一觸點(diǎn)之下的第一電極可以不與第二電極重疊，并且位于第二觸點(diǎn)之下的第二電極可以不與第一電極重疊。
[0018]在半導(dǎo)體器件的一般方面，第一電極和第二電極可以包括多晶娃。
[0019]在另一個(gè)一般方面，提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括:提供包括溝槽的襯底；在溝槽之下形成第一電極；在第一電極上形成第一絕緣層；在溝槽之上形成第二電極；將布置在襯底的第一方向上的第一觸點(diǎn)連接到第一電極；以及將布置在不同于第一方向的第二方向上的第二觸點(diǎn)連接到第二電極。
[0020]該方法的一般方面還可以包括:在形成第一電極之前，在溝槽的下表面和側(cè)壁上以及在襯底上形成第二絕緣層。
[0021]在該方法的一般方面，第一方向和第二方向可以彼此垂直。
[0022]在該方法的一般方面，溝槽可以通過溝槽的交叉而形成。
[0023]該方法的一般方面還可以包括:在第二電極上形成第三絕緣層；在第三絕緣層上形成第三電極；以及在襯底的下部上形成第四電極。
[0024]在該方法的一般方面，第一電極可以是屏蔽電極，第二電極可以是柵電極，第三電極可以是源電極，以及第四電極可以是漏電極，并且屏蔽電極可以被配置成根據(jù)施加到第一觸點(diǎn)的電壓，改變半導(dǎo)體器件內(nèi)的電場圖案。
[0025]在該方法的一般方面，第一電極和第三電極可以彼此電連接。
[0026]在該方法的一般方面，第一觸點(diǎn)和第二觸點(diǎn)由相同材料制成。
[0027]在該方法的一般方面，位于第一觸點(diǎn)之下的第一電極可以形成在襯底上，其中第二絕緣層布置在襯底與第一電極之間，并且位于第二觸點(diǎn)之下的第二電極可以形成在襯底上，其中第一絕緣層布置在襯底與第二電極之間。
[0028]在該方法的一般方面，第一電極和第二電極可以包括多晶硅。
[0029]在該方法的一般方面，可以與將第二觸點(diǎn)連接到第二電極同時(shí)地將第一觸點(diǎn)連接到第一電極。
[0030]在一個(gè)一般方面，提供了一種MOS晶體管，其包括:溝槽，布置在襯底中；第一電極，布置在溝槽的下部中；第二電極，布置在溝槽的上部中，第一電極和第二電極被絕緣層分隔；第一觸點(diǎn)，在襯底的第一方向上延伸并且連接到第一電極；以及第二觸點(diǎn)，在不同于第一方向的第二方向上延伸并且連接到第二電極。
[0031]根據(jù)下面詳細(xì)的描述、附圖以及權(quán)利要求，其他特征和方面明顯可見?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0032]圖1是半導(dǎo)體器件的平面圖。
[0033]圖2是圖1的半導(dǎo)體器件沿線1-1的橫截面圖。
[0034]圖3是示出半導(dǎo)體器件的示例的一部分的平面圖。
[0035]圖4是圖3中所示的半導(dǎo)體器件沿線I1-1I的橫截面圖。
[0036]圖5是圖3中所示的半導(dǎo)體器件沿線II1-1II的橫截面圖。
[0037]圖6是圖3中所示的半導(dǎo)體器件沿線IV-1V的橫截面圖。
[0038]圖7是示出半導(dǎo)體器件的制造方法的示例的流程圖。
[0039]在附圖和詳細(xì)描述中，除非另外描述，否則相同的附圖標(biāo)記將被理解為是指相同元件、特征和結(jié)構(gòu)。為了清楚、圖示以及方便，這些元件的相對(duì)尺寸和圖示可被放大。
【具體實(shí)施方式】
[0040]提供以下詳細(xì)描述以幫助讀者獲得對(duì)這里描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的全面理解。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會(huì)想到這里描述的系統(tǒng)、設(shè)備和/或方法的各種改變、修改和等同方案。另外，為了增加清楚性和簡潔性，可省略公知的功能和構(gòu)造的描述。
[0041]以下描述了半導(dǎo)體器件及其制造方法的各種示例。半導(dǎo)體器件的這些示例可以以用于延伸至不同方向的溝槽內(nèi)形成的多個(gè)電極的觸點(diǎn)為特征。雖然這些半導(dǎo)體器件的各種示例改進(jìn)了傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的各種特性，但是本描述不限于此。
[0042]圖3是示出半導(dǎo)體器件的示例的一部分的平面圖。圖4是沿線I1-1I從圖3中所示的半導(dǎo)體器件得到的橫截面圖。圖5是圖3中所示的半導(dǎo)體器件沿線II1-1II的橫截面圖。圖6是圖3中所示的半導(dǎo)體器件的沿線IV-1V所得到的橫截面圖。參照?qǐng)D3至圖6，半導(dǎo)體器件的不例可以包括襯底300、第一絕緣層310、第一電極320、第二絕緣層330、第二電極340以及第三絕緣層350中的全部或一部分。半導(dǎo)體器件可以另外包括第三電極365和第四電極370中的全部或一部分。短語半導(dǎo)體器件可“包括…的全部或一部分”包含一個(gè)或多個(gè)構(gòu)成部分集成到其他構(gòu)成部分或被省略的示例。例如，除了第一電極320和第二電極340之外，半導(dǎo)體器件還可以包括第三電極365和第四電極370中的至少一個(gè)電極。以下將參照包括以上提到的構(gòu)成部分中的全部或一部分的半導(dǎo)體器件，說明半導(dǎo)體器件的各種示例。
[0043]襯底300可以是晶片或玻璃襯底。例如，襯底300可以形成在半導(dǎo)體器件的一側(cè)。如圖3所示，襯底300可以是留在半導(dǎo)體器件的后表面的結(jié)構(gòu)的殘留物。襯底300可以留在后表面上以在施加諸如磨光或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)處理的獨(dú)立處理之后具有預(yù)定厚度。在示例中，包括具有預(yù)定厚度的預(yù)定剩余部分的襯底300可以被稱為“緩沖層”。如圖3所示，襯底300可以被劃分為半導(dǎo)體器件以單元形式形成的有源區(qū)X和提供有將電壓施加到半導(dǎo)體器件的觸點(diǎn)的邊緣區(qū)Y。例如，可以在邊緣區(qū)Y中形成接觸圖案?？梢栽谝r底300的有源區(qū)X和邊緣區(qū)Y兩者中形成溝槽301。
[0044]溝槽301可以包括在襯底300的第一方向上延伸、或者當(dāng)參照?qǐng)D3觀看時(shí)在左側(cè)方向上延伸的溝槽301a。溝槽301b可以在垂直于第一方向的第二方向上、或者溝槽301a延伸的方向上延伸。溝槽 301整體上可以形成在第二方向上延伸的邊緣區(qū)Y中的矩陣或網(wǎng)狀網(wǎng)。[0045]第一絕緣層310可以形成在其中形成有溝槽301的襯底300的整個(gè)表面之上。第一絕緣層310可以形成在溝槽301的下表面和側(cè)壁兩者上、以及形成在襯底300的上表面上。
[0046]此外，第一電極320可以形成在覆蓋襯底300的第一絕緣層310上。參照?qǐng)D4和圖6，第一電極320可以布置在溝槽301下面，并且在有源區(qū)X處形成在第一方向上的溝槽301內(nèi)且還在邊緣區(qū)Y處形成在襯底300的表面上。在半導(dǎo)體器件是具有形成在溝槽301內(nèi)的兩個(gè)電極結(jié)構(gòu)的溝槽MOS晶體管的實(shí)例中，第一電極320可以被稱為屏蔽電極或場電極。屏蔽電極可以起如下作用:根據(jù)施加到第一觸點(diǎn)的電壓，改變半導(dǎo)體器件內(nèi)的電場圖案。
[0047]第二絕緣層330可形成在第一電極320上。參照?qǐng)D4，第二絕緣層330可包括在第一方向上將第一電極320暴露于邊緣區(qū)Y的外部的第一接觸孔331,由此將第一電極320電連接到第一接觸圖案361。第二絕緣層330可由與第一絕緣層310相同的材料制成。在圖3和圖4所示的示例中，第一接觸孔331可以被稱為“第一觸點(diǎn)”。第一觸點(diǎn)可以延伸至第一接觸圖案361并且形成第一接觸圖案361的一部分。參照?qǐng)D4，第二絕緣層330使得在溝槽內(nèi)第一電極320與第二電極340電絕緣。
[0048]第二絕緣層330可以形成在溝槽301的上部中，并且第二電極340可以形成在第二絕緣層330上。第二電極320可以在第二方向上從襯底300的有源區(qū)X延伸，以連接到邊緣區(qū)Y中的第二接觸圖案363。例如，參照?qǐng)D4和圖5，關(guān)于邊緣區(qū)Y的第一方向，溝槽301a內(nèi)的第二電極340可以朝向邊緣區(qū)Y在第一方向上延伸。因此，第二電極340可以僅形成在溝槽301a的內(nèi)部部分內(nèi)，并且不形成為突出超過襯底300的上表面。然而，關(guān)于邊緣區(qū)Y的第二方向，由于溝槽301b內(nèi)的第二電極340朝向邊緣區(qū)Y在第二方向上延伸，并且除了設(shè)置在溝槽301b的內(nèi)部內(nèi)之外還形成為突出超過襯底300的上表面，因此在襯底300的邊緣區(qū)Y中第一電極320與第二電極340之間的重疊面積減少。
[0049]此外，第三絕緣層350可以形成在第二電極340上。第三絕緣層350可以包括用以在第二方向上在邊緣區(qū)Y中將第二接觸圖案363連接至第二電極340的第二接觸孔351。第二接觸孔351可以與第二絕緣層330上的第一接觸孔331同時(shí)形成，其中第一接觸孔331在第一方向上暴露于邊緣區(qū)Y的外部?？商孢x地，可以在單獨(dú)的處理中形成第二接觸孔351。這里描述的示例不限于關(guān)于如何形成接觸孔331、351的具體方式。在其他示例中，可以以明線的形式設(shè)置接觸孔331、351以增加各個(gè)電極與接觸圖案之間的接觸面積，由此降低電阻。
[0050]此外，第一接觸圖案361和第二接觸圖案363可以形成在邊緣區(qū)Y的第二絕緣層330和第三絕緣層350上、并且還可以形成在有源區(qū)X的第三絕緣層350上，以通過第一接觸孔331和第二接觸孔351電連接到設(shè)置在下面的電極。在示例中，有源區(qū)X的第三電極365 (例如，源電極)可在形成第一接觸圖案361和第二接觸圖案363時(shí)同時(shí)形成。第一接觸圖案361和第二接觸圖案363以及第三電極365可以由導(dǎo)電金屬制成。此外，邊緣區(qū)Y的第一接觸圖案361和第二接觸圖案363可以用作向其施加電壓的電壓施加部分，并且第一接觸圖案361可以電連接到第三電極365。
[0051]同時(shí)，在另一示例中，制造半導(dǎo)體器件的過程可以包括在形成第三絕緣層350之前蝕刻設(shè)置在有源區(qū)X上的第一絕緣層310。考慮到還可以在蝕刻第一絕緣層310期間蝕刻第二絕緣層330和第二電極340，因此本說明書不限于使用形成第一絕緣層310的任何特定方式的半導(dǎo)體器件。此外，絕緣層(即，第一絕緣層310、第二絕緣層330以及第三絕緣層350)可以由例如氮化硅層或氧化硅層形成，但是形成絕緣層的材料不限于此。
[0052]參照?qǐng)D6，在另一示例中，在準(zhǔn)備在襯底300上形成半導(dǎo)體器件中，可以在單獨(dú)過程中形成摻雜層(諸如，高濃度η++層、低濃度η-層、P型層、或高濃度P+層)。在示例中，可以通過在襯底300上形成單獨(dú)的外延層、然后在該外延層上形成高濃度η++層、低濃度η-層和/或P型層，形成摻雜層。在該示例中，可以在摻雜處理之后形成溝槽301。此后，可以在形成第三絕緣層350之前，形成高濃度η++層和高濃度P+層以形成漂移區(qū)。然而，本說明書不限于形成摻雜層的任何特定方式。例如，可以通過可選的摻雜處理和對(duì)雜質(zhì)進(jìn)行擴(kuò)散來形成摻雜層。
[0053]此外，半導(dǎo)體器件可包括漏電極，該漏電極是在具有預(yù)定厚度的剩余部分的襯底300的下表面上形成的第四電極370。例如，剩余部分可以是在對(duì)晶片的下表面上進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)之后剩余的部分。第四電極370可以由與第三電極相同的材料形成。第四電極370可另外包括用作P型集電極的注入層，其中通過在第四電極370與襯底300之間進(jìn)行P型注入之后進(jìn)行烘焙而形成P型集電極。
[0054]由于以上說明的構(gòu)造，根據(jù)所描述示例的半導(dǎo)體器件可以最小化可實(shí)現(xiàn)為第一電極320的屏蔽聚合物(shield poly)與可實(shí)現(xiàn)為第二電極340的柵極聚合物(gate poly)之間的重疊面積。因此，可以防止或降低泄漏電流的出現(xiàn)。此外，由于屏蔽聚合物(即，第一電極320)的各個(gè)區(qū)域的電阻值降低，因此可以實(shí)現(xiàn)整體平衡，并且可以在有源區(qū)X中在第一電極320中獲得更穩(wěn)定的電勢。
[0055]此外，由于經(jīng)由具有柵格形式的溝槽結(jié)構(gòu)使得能夠橫向連接到柵極聚合物，因此，良好的信令可以提供到為柵極聚合物的第二電極340。結(jié)果，降低了柵電阻(Rg)。
[0056]圖7是說明半導(dǎo)體器件的制造方法的示例的流程圖。
[0057]除了圖3至圖6之外還參照?qǐng)D7，在S700中，可通過制備在其中包括溝槽301的襯底300而獲得根據(jù)該示例的半導(dǎo)體器件。在該示例中，溝槽可以形成在襯底300的表面上，在該表面上形成有單獨(dú)的η++外延層或η+層。然而，替選方法可以用來獲得具有溝槽301的襯底300。例如，如果沒有形成任何單獨(dú)的外延層或者如果形成外延層，則可以在相對(duì)于外延層形成高濃度η++層、低濃度η-層以及P型摻雜層之后形成溝槽?？梢酝ㄟ^應(yīng)用可選的摻雜處理和/或?qū)﹄s質(zhì)的擴(kuò)散來獲得摻雜層。
[0058]在S710中，在溝槽301的下表面和溝槽30的側(cè)壁上形成第一絕緣層310?？赏ㄟ^以下步驟來形成第一絕緣層310:首先在絕緣層(諸如，在其中包括溝槽301的襯底300之上的氮化硅層或氧化硅層)上形成第一電極320，然后通過光刻法來執(zhí)行蝕刻，由此留下第一絕緣層310和第一電極320。可替選地，可以在第一絕緣層310上按順序形成第一電極320和第二絕緣層330，然后對(duì)第一絕緣層310和第二絕緣層330同時(shí)執(zhí)行蝕刻，由此留下第一絕緣層310。然而，本說明書不限于形成第一絕緣層310的任何特定處理。
[0059]此外，在S720中，在溝槽301之下形成第一電極320，溝槽301具有形成在其上的第一絕緣層310。由于第一電極320由多晶娃制成，因此在一些不例中，第一電極320可以被稱為“屏蔽聚合物”?？梢栽谝r底300的表面上以及相對(duì)于有源區(qū)X在第一方向上在邊緣區(qū)Y中的溝槽301上形成屏蔽聚合物。在該示例中，屏蔽聚合物可以在垂直于第一方向的第二方向上僅形成在邊緣區(qū)Y中的溝槽301內(nèi)。
[0060]此后，在S730、S740中，在第一電極320上形成第二絕緣層330，并且在溝槽301之上形成第二電極340，溝槽301具有形成在其上的第二絕緣層330。第二電極340由多晶硅制成。因此，根據(jù)示例，第二電極340可以被稱為“柵極聚合物”。第二電極340可具有與第二電極320相對(duì)的結(jié)構(gòu)。
[0061]在S750、S760中，在襯底300的第一方向上，將第一電極320連接到第一觸點(diǎn)的第一接觸圖案361。在不同于第一方向的第二方向上，將第二電極340經(jīng)由第二觸點(diǎn)連接至第二接觸圖案363。第一觸點(diǎn)和第二觸點(diǎn)可以在邊緣區(qū)Y中彼此連接。根據(jù)示例，觸點(diǎn)可以被理解為在形成接觸孔之后分別經(jīng)由接觸孔與電極接觸的接觸圖案。然而，觸點(diǎn)也可以被理解為包括接觸孔的結(jié)構(gòu)。因此，連接至第一電極320的第一觸點(diǎn)可以被稱為“屏蔽圖案”。連接至第二電極340的第二觸點(diǎn)可以被稱為“柵極圖案”。在該示例中，屏蔽圖案和柵極圖案可以彼此電隔離。此外，同時(shí)，襯底300的有源區(qū)X中的源極觸點(diǎn)364可以形成第三電極365并且與柵極圖案電隔離。第三電極365可用作源電極。源極觸點(diǎn)364可電連接至屏蔽圖案。
[0062]例如，在根據(jù)圖6制備半導(dǎo)體器件中，可以在有源區(qū)X中的第二電極340上形成第三絕緣層350之前，形成高濃度η++層和高濃度ρ+層，其中高濃度η++層和高濃度ρ+層形成接近溝槽301的漂移區(qū)。此后，通過在第二絕緣層330和第三絕緣層350中形成第一接觸孔331和第二接觸孔351，第一電極320和第二電極340可分別連接至對(duì)應(yīng)的第一接觸圖案361和第二接觸圖案363。結(jié)果，經(jīng)由第一接觸圖案361和第二接觸圖案363施加的電壓可被傳送至有源區(qū)X的第一電極320和第二電極340。
[0063]在該示例中，在形成接觸圖案361、363之后，可以利用磨光處理或CMP來處理襯底300的后表面?？稍诰哂蓄A(yù)定剩余厚度的襯底300的后表面上形成第四電極370。在形成構(gòu)成漏電極的第四電極370之前，可以形成P型注入層。
[0064]根據(jù)上述處理方法的各個(gè)示例，可以獲得可實(shí)現(xiàn)為第一電極320的屏蔽聚合物與可實(shí)現(xiàn)為第二電極340的柵極聚合物之間的重疊面積最小化的半導(dǎo)體器件，以降低或防止泄漏電流的出現(xiàn)。此外，由于屏蔽聚合物(諸如，第一電極320)的各個(gè)區(qū)域的電阻值降低，因此可以實(shí)現(xiàn)整體平衡。因此，可以在有源區(qū)X中獲得第一電極320的穩(wěn)定電勢。
[0065]此外，由于經(jīng)由為柵格形式的溝槽結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)柵極聚合物的橫向連接，因此可以向?yàn)闁艠O聚合物的第二電極340提供良好的信令。結(jié)果，可以降低柵電阻(Rg)。
[0066]應(yīng)該理解，本公開內(nèi)容的特征可以以不同形式體現(xiàn)并且不應(yīng)解釋為限于這里闡述的示例。相反，提供這些示例以使得本公開內(nèi)容將是詳盡的和完整的，并且將本公開內(nèi)容的全部范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。附圖可以不一定是按比例繪制的，并且在一些實(shí)例中，可能擴(kuò)大了比例以便清楚地示出示例的特征。當(dāng)?shù)谝粚颖环Q為在第二層“上”或襯底“上”時(shí)，可不僅是指第一層直接形成在第二層或襯底上的情況，而是還可以是指第三層存在于第一層與第二層或襯底之間的情況。
[0067]以上描述了多個(gè)示例。然而，應(yīng)理解，可以進(jìn)行各種修改。例如，如果以不同的順序執(zhí)行所描述的技術(shù)和/或如果所描述的系統(tǒng)、架構(gòu)、器件或電路中的部件以不同方式組合和/或由其他部件或其等同物替代或補(bǔ)充，則可實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)慕Y(jié)果。因此，其他實(shí)現(xiàn)在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，其包括: 包括溝槽的襯底； 第一電極，布置在所述溝槽之下； 第二電極，布置在所述溝槽之上，第一絕緣層布置在所述第一電極與所述第二電極之間； 第一觸點(diǎn)，布置在所述襯底的第一方向上并且連接到所述第一電極；以及第二觸點(diǎn)，布置在不同于所述第一方向的第二方向上，所述第二觸點(diǎn)連接到所述第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括設(shè)置在所述溝槽的下表面和側(cè)壁上的第二絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述溝槽通過溝槽的交叉而形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 第三絕緣層，形成在所述第二電極上； 第三電極，形成在所述第三絕緣層上；以及 第四電極，形成在所述襯底之下。`
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一電極是屏蔽電極，所述第二電極是柵電極，所述第三電極是源電極，并且所述第四電極是漏電極，并且 所述屏蔽電極被配置成根據(jù)施加到所述第一觸點(diǎn)的電壓，改變所述半導(dǎo)體器件內(nèi)的電場圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一觸點(diǎn)和所述第二觸點(diǎn)是金屬圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一電極和所述第三電極彼此電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，位于所述第一觸點(diǎn)之下的所述第一電極形成在所述襯底上，其中所述第二絕緣層布置在所述襯底與所述第一電極之間，并且 位于所述第二觸點(diǎn)之下的所述第二電極形成在所述襯底上，其中所述第一絕緣層布置在所述襯底與所述第二電極之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，位于所述第一觸點(diǎn)之下的所述第一電極不與所述第二電極重疊，并且 位于所述第二觸點(diǎn)之下的所述第二電極不與所述第一電極重疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一電極和所述第二電極包括多晶硅。
12.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括: 提供包括溝槽的襯底； 在所述溝槽之下形成第一電極； 在所述第一電極上形成第一絕緣層； 在所述溝槽之上形成第二電極； 將布置在所述襯底的第一方向上的第一觸點(diǎn)連接到所述第一電極；以及將布置在不同于所述第一方向的第二方向上的第二觸點(diǎn)連接到所述第二電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括: 在形成所述第一電極之前，在所述溝槽的下表面和側(cè)壁上以及在所述襯底上形成第二絕緣層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述溝槽通過溝槽的交叉而形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括: 在所述第二電極上形成第三絕緣層； 在所述第三絕緣層上形成第三電極；以及 在所述襯底的下部上形成第四電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第一電極是屏蔽電極，所述第二電極是柵電極，所述第三電極是源電極，并且所述第四電極是漏電極，并且 所述屏蔽電極被配置成根據(jù)施加到所述第一觸點(diǎn)的電壓，改變所述半導(dǎo)體器件內(nèi)的電場圖案。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第一電極和所述第三電極彼此電連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一觸點(diǎn)和所述第二觸點(diǎn)由相同材料制`成。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，位于所述第一觸點(diǎn)之下的所述第一電極形成在所述襯底上，其中所述第二絕緣層布置在所述襯底與所述第一電極之間，并且 位于所述第二觸點(diǎn)之下的所述第二電極形成在所述襯底上，其中所述第一絕緣層布置在所述襯底與所述第二電極之間。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一電極和所述第二電極包括多晶硅。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，與將所述第二觸點(diǎn)連接到所述第二電極同時(shí)地將所述第一觸點(diǎn)連接到所述第一電極。
23.一種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其包括: 溝槽，布置在襯底中； 第一電極，布置在所述溝槽的下部中； 第二電極，布置在所述溝槽的上部中，所述第一電極和所述第二電極被絕緣層分隔； 第一觸點(diǎn)，在所述襯底的第一方向上延伸并且連接到所述第一電極；以及 第二觸點(diǎn)，在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并且連接到第二電極。
【文檔編號(hào)】H01L29/78GK103515424SQ201310195137
【公開日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年5月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月15日
【發(fā)明者】韓振宇 申請(qǐng)人:美格納半導(dǎo)體有限公司