有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陽(yáng)極、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極，所述第一電子傳輸層的材料包括1,4,5,8-萘四甲酸酐及摻雜在所述1,4,5,8-萘四甲酸酐的摻雜劑，所述摻雜劑選自乙二硫撐四硫代富瓦烯或派洛寧B中的至少一種，所述第二電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬的化合物。上述有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光效率較高。此外，還涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。然而，目前有機(jī)電致發(fā)光器件中，電子的傳輸速率低，導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0004]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陽(yáng)極、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極，所述第一電子傳輸層的材料包括1，4，5，8-萘四甲酸酐及摻雜在所述1，4，5，8-萘四甲酸酐的摻雜劑，所述摻雜劑選自乙二硫撐四硫代富瓦烯或派洛寧B中的至少一種，所述第二電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬的化合物，所述電子傳輸材料選自2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑，(8-羥基喹啉)_鋁、4，7- 二苯基-鄰菲咯啉，
1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲，
I,2，4-三唑衍生物或雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, I’ -聯(lián)苯-4-羥基)鋁中至少一種，所述堿金屬的化合物選自碳酸鋰，疊氮化鋰，氟化鋰，疊氮化銫，碳酸銫，氟化銫，硼氫化鉀，碳酸銣或氮化鋰的至少一種。
[0005]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述摻雜劑與所述1，4，5，8_萘四甲酸酐的質(zhì)量比為1:20?1:5，所述堿金屬的化合物與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為1:10?1:2。
[0006]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一電子傳輸層的厚度為1nm?40nm,所述第二電子傳輸層的厚度為1nm?lOOnm。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材料為客體材料摻雜在主體材料中形成的混合物或熒光材料；所述客體材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥，二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、三(1-苯基-異喹啉)合銥及三(2-苯基吡啶)合銥中的至少一種，所述主體材料選自4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯及N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:10?1:100 ;所述熒光材料選自4，4’-二(2，2-二苯乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯、4，4’-雙[4-( 二對(duì)甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯、5，6，11，12-四苯基萘并萘及二甲基喹吖啶酮中的至少一種。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴傳輸層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料，所述主體材料選自N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，Γ-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺，(4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺，N，N’ - 二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-1，Γ-聯(lián)苯-4，4’- 二胺，N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯，2，7-雙(N，N- 二(4-甲氧基苯基)氨基)-9，9-螺二芴，4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺，I，1-二(4-(N, N' -二(p-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己燒中的至少一種,所述客體材料選自2，3，5,6-四氟_7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷，1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌，2，2’ -(2, 5- 二氰基_3，6- 二氟環(huán)己燒-2, 5- 二烯-1，4- 二亞基)二丙二腈或2，3,6, 7，10，11-六氰基-1，4，5,8,9, 12-六氮雜三亞苯中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:50?1:10，所述空穴傳輸層的厚度為20nm?60nm。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陰極的材料為銀，鋁，鎂鋁合金或鎂銀合金中的至少一種，所述陰極的厚度為70nm?200nm。
[0010]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0011]在基底表面依次制備陽(yáng)極、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層及第一電子傳輸層；
[0012]在所述發(fā)光層的表面蒸鍍制備第一電子傳輸層，所述第一電子傳輸層的材料包括1，4，5，8-萘四甲酸酐及摻雜在所述1，4，5，8-萘四甲酸酐的摻雜劑，所述摻雜劑選自乙二硫撐四硫代富瓦烯或派洛寧B中的至少一種；
[0013]在所述第一電子傳輸層表面蒸鍍制備第二電子傳輸層，所述第二電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬的化合物，所述電子傳輸材料選自2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑，(8-羥基喹啉)_鋁、4，7- 二苯基-鄰菲咯啉，1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲，1，2，4-三唑衍生物或雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, I’-聯(lián)苯-4-羥基)鋁中至少一種，所述堿金屬的化合物選自碳酸鋰，疊氮化鋰，氟化鋰，疊氮化銫，碳酸銫，氟化銫，硼氫化鉀，碳酸銣或氮化鋰的至少一種；及
[0014]在所述第二電子傳輸層的表面制備陰極。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述發(fā)光層的表面蒸鍍制備第一電子傳輸層包括以下步驟:將所述摻雜劑和1，4，5，8-萘四甲酸酐按照質(zhì)量比為1:20?1:5分別放在兩個(gè)方舟中進(jìn)行蒸鍍，真空濺射和真空蒸鍍的工作壓強(qiáng)為I X KT5Pa?I X KT3Pa之間，有機(jī)材料的蒸鍍速度在0.lnm/s?2nm/s之間，金屬的蒸鍍速度為0.2nm/s?2nm/s之間，金屬化合物的蒸鍍速度為0.lnm/s?0.5nm/s之間，半導(dǎo)體氧化物薄膜的派射速度為0.2nm/s?lnm/s之間。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述第一電子傳輸層表面蒸鍍制備第二電子傳輸層包括以下步驟:將所述堿金屬的化合物和所述電子傳輸材料按照質(zhì)量比為1:10?1:2分別放在兩個(gè)方舟中進(jìn)行蒸鍍，真空濺射和真空蒸鍍的工作壓強(qiáng)為I X 1-5Pa?I X 10_3Pa之間，有機(jī)材料的蒸鍍速度在0.lnm/S?2nm/s之間,金屬的蒸鍍速度為0.2nm/s?2nm/s之間,金屬化合物的蒸鍍速度為0.lnm/s?0.5nm/s之間,半導(dǎo)體氧化物薄膜的派射速度為0.2nm/s?lnm/s之間。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一電子傳輸層的厚度為1nm?40nm,所述第二電子傳輸層的厚度為1nm?10nm。
[0018]上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，采用摻雜的兩層電子傳輸層，能夠使器件在獲得聞使用壽命的同時(shí)，還能獲得聞的發(fā)光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]下面主要結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0022]如圖1所示，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100，包括依次層疊的基底10、陽(yáng)極20、空穴傳輸層30、電子阻擋層40、發(fā)光層50、第一電子傳輸層60、第二電子傳輸層70及陰極80。
[0023]基底10為玻璃。
[0024]陽(yáng)極20形成于基底10的表面。陽(yáng)極20的材料為氧化銦錫(ITO)或者鋁摻雜氧化鋅(AZO)。陽(yáng)極20的厚度為70nm?200nm。
[0025]空穴傳輸層30形成于陽(yáng)極20的表面?？昭▊鬏攲?0的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料?？腕w材料選自2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌(F6_TNAP)、2，2'-(2, 5_ 二氰基-3，6- 二氟環(huán)己燒-2, 5- 二烯-1，4- 二亞基)二丙二臆(F2-HCNQ)及 2，3, 6, 7, 10, 11-六氰基-1,4，5，8，9，12-六氮雜三亞苯(HAT-CN)中的至少一種。主體材料選自N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)，(4，4，，4，，_三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，N, N’- 二苯基-N, N’- 二(3-甲基苯基)-1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(TPD)，N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)，2，7-雙(N, N-二(4-甲氧基苯基)氨基)-9，9-螺二芴(MeO-Spr1-TPD)，4, 4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，1，1-二(4-(N，f -二(P-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷(TAPC)中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1: (20?100)，所述空穴傳輸層的厚度為20nm ?60nmo
[0026]電子阻擋層40形成于空穴傳輸層30的表面。電子阻擋層40的材料選自N，N’ - 二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)，(4，4，，4，，_三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，N, N’- 二苯基-N, N’- 二(3-甲基苯基)-1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(TPD)，N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)，2，7-雙(N, N-二(4-甲氧基苯基)氨基)-9，9-螺二芴(MeO-Spr1-TPD)，4, 4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，1，1-二(4-(N，N' -二(P-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷(TAPC)中的至少一種。電子阻擋層40的厚度為5nm?10nm。
[0027]發(fā)光層50形成于電子阻擋層40的表面。發(fā)光層50的材料為客體材料摻雜在主體材料中形成的混合物或熒光材料?？腕w材料選自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)，二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2 (acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq) 3)及三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)中的至少一種。主體材料選自4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(08?)、8-羥基喹啉鋁(八1%)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)及N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺(NPB)中的至少一種?？腕w材料與主體材料的質(zhì)量比為1:10?1:100。熒光材料選自4，4’ - 二(2，2-二苯乙烯基)-1，I，-聯(lián)苯(DPVBi)、4，4’_雙[4-( 二對(duì)甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)、5，6，11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)及二甲基喹吖啶酮(DMQA)中的至少一種。發(fā)光層50的厚度為1nm?20nmo
[0028]第一電子傳輸層60形成于發(fā)光層50的表面。第一電子傳輸層60的材料選自1，4，5，8-萘四甲酸酐及摻雜在所述1，4，5，8-萘四甲酸酐(NTCDA)的摻雜劑，所述摻雜劑選自乙二硫撐四硫代富瓦烯(BEDT-TTF)或派洛寧B (Pyronin B)中的至少一種，所述摻雜劑與所述1，4，5，8-萘四甲酸酐的質(zhì)量比為1:20?1:5。第一電子傳輸層60的厚度為1nm?40nmo
[0029]第二電子傳輸層70形成于第一電子傳輸層60的表面。第二電子傳輸層70的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬的化合物，所述電子傳輸材料選自2- (4-聯(lián)苯基)-5_ (4-叔丁基)苯基-1,3，4-噁二唑(PBD)，(8_羥基喹啉)-鋁(Alq3)、4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)，1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)，1，2，4-三唑衍生物(TAZ)或雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(I, I’ -聯(lián)苯-4-羥基)鋁(BAlq)中至少一種，所述堿金屬的化合物選自碳酸鋰(Li2CO3),疊氮化鋰(LiN3),氟化鋰(LiF)，疊氮化銫(CsN3),碳酸銫(Cs2CO3),氟化銫(CsF)，硼氫化鉀(KBH4),碳酸銣(Rb2CO3)或氮化鋰(Li3N)的至少一種，所述堿金屬的化合物與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為1:10?1:2。第二電子傳輸層70的厚度為1nm?lOOnm。
[0030]陰極80形成于第二電子傳輸層70的表面。陰極80的材料為鎂鋁合金(Mg-Al)、鎂銀合金(Mg-Ag)、銀(Ag)或鋁(Al)。陰極80的厚度為70nm?200nm。
[0031]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100，采用摻雜的兩層電子傳輸層，能夠使器件在獲得高使用壽命的同時(shí)，還能獲得高的發(fā)光效率。
[0032]需要說明的是，有機(jī)電致發(fā)光器件中，也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0033]如圖2所示，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0034]步驟S110、在基底10表面制備陽(yáng)極20。
[0035]基底10為玻璃。
[0036]基底10在使用前先進(jìn)行前處理，前處理包括:將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0037]陽(yáng)極20形成于基底10的表面。陽(yáng)極20的材料為氧化銦錫(ITO)或者鋁摻雜氧化鋅(AZO)。陽(yáng)極20的厚度為70nm?200nm。
[0038]本實(shí)施方式中，陽(yáng)極20通過真空濺射制備。濺射時(shí)，本底真空度lX10_5Pa?I X 10 3Pa,灘射速率為 0.2nm/s ?lnm/s。
[0039]步驟S120、在陽(yáng)極20的表面依次制備空穴傳輸層30、電子阻擋層40、發(fā)光層50及第一電子傳輸層60。
[0040]第一電子傳輸層60形成于發(fā)光層50的表面。第一電子傳輸層60的材料選自1，4，5，8-萘四甲酸酐及摻雜在所述1，4，5，8-萘四甲酸酐(NTCDA)的摻雜劑，所述摻雜劑選自乙二硫撐四硫代富瓦烯(BEDT-TTF)或派洛寧B (Pyronin B)中的至少一種，所述摻雜劑與所述1，4，5，8-萘四甲酸酐的質(zhì)量比為1:20?1:5。第一電子傳輸層60的厚度為1nm?40nmo
[0041]蒸鍍制備第一電子傳輸層60的工藝條件包括以下步驟:將所述摻雜劑和1,4, 5，8-萘四甲酸酐按照質(zhì)量比為1:20?1:5分別放在兩個(gè)方舟中進(jìn)行蒸鍍，真空濺射和真空蒸鍍的工作壓強(qiáng)為I X 10_5Pa?I X 10_3Pa之間，有機(jī)材料的蒸鍍速度在0.lnm/s?2nm/s之間，金屬的蒸鍍速度為0.2nm/s?2nm/s之間，金屬化合物的蒸鍍速度為0.1nm/s?0.5nm/s之間，半導(dǎo)體氧化物薄膜的派射速度為0.2nm/s?lnm/s之間
[0042]步驟S130、在第一電子傳輸層60的表面蒸鍍制備第二電子傳輸層70，第二電子傳輸層70的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬的化合物,所述電子傳輸材料選自2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1,3，4-噁二唑(PBD)，(8-羥基喹啉)_鋁(Alq3)、4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)，I, 3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)S(TPBi), 2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1, 10-鄰二氮雜菲(BCP), I, 2，4-三唑衍生物(TAZ)或雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1，I’-聯(lián)苯-4-羥基)鋁(BAlq)中至少一種，所述堿金屬的化合物選自碳酸鋰(Li2CO3),疊氮化鋰(LiN3),氟化鋰(LiF)，疊氮化銫(CsN3)，碳酸銫(Cs2CO3)，氟化銫(CsF)，硼氫化鉀(KBH4)，碳酸銣(Rb2CO3)或氮化鋰(Li3N)的至少一種，所述堿金屬的化合物與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為1:10?1:2。第二電子傳輸層70的厚度為1nm?lOOnm。
[0043]蒸鍍制備第二電子傳輸層60的工藝條件具體包括以下步驟:將所述堿金屬的化合物和所述電子傳輸材料按照質(zhì)量比為1:10?1:2分別放在兩個(gè)方舟中進(jìn)行蒸鍍，真空濺射和真空蒸鍍的工作壓強(qiáng)為I X 10_5Pa?I X 10_3Pa之間，有機(jī)材料的蒸鍍速度在0.1nm/s?2nm/s之間，金屬的蒸鍍速度為0.2nm/s?2nm/s之間，金屬化合物的蒸鍍速度為
0.lnm/s?0.5nm/s之間，半導(dǎo)體氧化物薄膜的派射速度為0.2nm/s?lnm/s之間。
[0044]步驟S140、在第二電子傳輸層60的表面蒸鍍制備陰極80。
[0045]陰極80的材料為鎂鋁合金(Mg-Al)、鎂銀合金(Mg-Ag)、銀(Ag)或鋁(Al)。陰極80的厚度70nm?200nm。
[0046]優(yōu)選的，真空蒸鍍形成陰極80的真空度為IX KT5Pa?lX10_3Pa，蒸發(fā)速度為
0.2nm/s ?2nm/s。
[0047]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法簡(jiǎn)單，容易操作。
[0048]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0049]本發(fā)明實(shí)施例及對(duì)比例所用到的制備與測(cè)試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司)、美國(guó)海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜、美國(guó)吉時(shí)利公司的Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能、日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測(cè)試亮度和色度。
[0050]實(shí)施例1
[0051 ] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/ITO (10nm) /F4-TCNQ:MeO-TPD (40nm)/TAPC (1nm)/Ir (ppy)3:CBP(1nm) /BEDT-TTF:NTCDA (30nm) /CsN3:TPBi (60nm)/Ag(10nm)。其中，“/”表示層疊結(jié)構(gòu)，“:”表示摻雜或混合，以下實(shí)施例相同。
[0052]該制備工藝中，真空濺射和真空蒸鍍的工作壓強(qiáng)為I X 10?,有機(jī)材料的蒸鍍速度在0.lnm/s，金屬的蒸鍍速度為0.2nm/s，金屬化合物的蒸鍍速度為0.lnm/s，半導(dǎo)體氧化物薄膜的濺射速度為0.2nm/s。
[0053]該實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0054]步驟一、提供基底，將玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈桑?br> [0055]步驟二、在真空度為lX10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射的方法，在所述基底上制備陽(yáng)極，材料為ΙΤ0，厚度為70nm ；
[0056]步驟三、在真空度為lX10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，利用真空熱蒸鍍的方法在陽(yáng)極表面依次蒸鍍空穴傳輸層、電子阻擋層及發(fā)光層；空穴傳輸層材料為用F4-TCNQ摻雜的MeO-TPD, F4-TCNQ與MeO-TTO質(zhì)量比為1:50，空穴傳輸層的厚度為40nm，電子阻擋層的材質(zhì)為TAPC，電子阻擋層厚度是5nm，發(fā)光層材質(zhì)為Ir (ppy) 3摻雜的CBP，Ir(ppy)3與CBP的質(zhì)量比為1:20，發(fā)光層厚度為10nm。
[0057]步驟四、在真空度為IXlO-5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸鍍的方法，在制備好的發(fā)光層表面制備第一電子傳輸層，第一電子傳輸層的材料為BEDT-TTF以及摻雜在BEDT-TTF的NTCDA,BEDT-TTF與NTCDA的質(zhì)量比為1:20，第一電子傳輸層厚度為30nm，然后在第一電子傳輸層表面制備第二電子傳輸層，第二電子傳輸層材料為CsN3以及摻雜在CsN3的TPBi,CsN3與TPBi的質(zhì)量比為1:10，第二電子傳輸層厚度為60nm，最后在第二電子傳輸層表面制備陰極,陰極的材料為Ag,厚度為lOOnm。
[0058]在陰極表面還覆蓋有玻璃封裝蓋板。
[0059]對(duì)比例I
[0060]對(duì)比例I制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為玻璃基板/ITO(10nm)/F4-TCNQ:MeO-TPD(40nm)/TAPC(1nm)/Ir(ppy)3:CBP(1nm)/BAlq(1nm)/CsN3:TPBi(60nm)/Ag(10nm)。對(duì)比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備過程與實(shí)施例1大致相同，其不同在于對(duì)比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件中只設(shè)置了第一電子傳輸層，并在第一電子傳輸層與發(fā)光層之間設(shè)置了阻擋層，阻擋層材料為Balq，厚度為10nm。
[0061]實(shí)施例2
[0062]該有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0(200nm)/F4_TCNQ:MeO-TPD(60nm)/TAPC(1nm)/Ir(ppy)3:CBP(20nm) /PyroninB:NTCDA(40nm)/Li2CO3:Alq3 (1nm) /Ag (200nm)。
[0063]該制備工藝中，真空濺射和真空蒸鍍的工作壓強(qiáng)為I X 10?,有機(jī)材料的蒸鍍速度在2nm/s，金屬的蒸鍍速度為2nm/s，金屬化合物的蒸鍍速度為0.5nm/s，半導(dǎo)體氧化物薄膜的濺射速度為0.2nm/s0
[0064]一種有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟:
[0065]步驟一、提供基板；將玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈桑?br> [0066]步驟二、在真空度為lX10_3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射的方法，在所述基板上制備陽(yáng)極，材質(zhì)為ΙΤ0，厚度為200nm ；
[0067]步驟三、在真空度為IX 10_3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，利用真空熱蒸鍍的方法，在陽(yáng)極上制備空穴傳輸層，材料為MeO-TPD以及摻雜在MeO-TH)中的F4-TCNQ，F(xiàn)4-TCNQ與MeO-TPD的質(zhì)量比為10:100，空穴傳輸層的厚度為60nm，然后是電子阻擋層，材質(zhì)為TAPC，厚度是10nm，然后發(fā)光層，材質(zhì)為4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)以及摻雜在CBP中的三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)，Ir (ppy) 3與CBP的質(zhì)量比為1:10，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0068]步驟四、在真空度為IX 10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸鍍的方法，在制備好的發(fā)光層表面制備第一電子傳輸層，材質(zhì)為NTCDA以及摻雜在NTCDA中的Pyixmin B，Pyronin B與NTCDA的質(zhì)量比為1: 5，第一電子傳輸層的厚度為40nm，然后在第一電子傳輸層表面制備第二電子傳輸層，材質(zhì)為Alq3以及摻雜在Alq3中的Li2CO3, Li2CO3與Alq3的質(zhì)量比為1:2,第二電子傳輸層的厚度為1nm,最后是金屬Ag作為陰極,厚度為200nm ;在器件制備完畢后，在陰極表面還覆蓋有玻璃封裝蓋板。
[0069]實(shí)施例3
[0070]該有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/ITO (10nm)/F4-TCNQ:MeO-TPD(40nm)/TAPC(8nm)/Ir (ppy)3:CBP (15nm)/Pyronin B:NTCDA (20nm)/Rb2CO3: BPhen (10nm) /Ag (10nm)。
[0071]該制備工藝中，真空濺射和真空蒸鍍的工作壓強(qiáng)為I X KT4Pa之間，有機(jī)材料的蒸鍍速度在0.5nm/s,金屬的蒸鍍速度為0.5nm/s,金屬化合物的蒸鍍速度為0.2nm/s,半導(dǎo)體氧化物薄膜的濺射速度為0.5nm/s之間。
[0072]—種有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟:
[0073]步驟一、提供基板；將玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈桑?br> [0074]步驟二、在真空度為lX10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射的方法，在所述基板上制備陽(yáng)極，材質(zhì)為ΙΤ0，厚度為10nm ；
[0075]步驟三、在真空度為IX 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，利用真空熱蒸鍍的方法，在陽(yáng)極上制備空穴傳輸層，材料為MeO-TPD以及摻雜在MeO-TH)中的F4-TCNQ，F(xiàn)4-TCNQ與MeO-TPD的質(zhì)量比為1:20，空穴傳輸層的厚度為40nm，然后是電子阻擋層，材質(zhì)為TAPC，厚度是8nm，然后發(fā)光層，材質(zhì)為4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)以及摻雜在CBP中的三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)，Ir(ppy)3與CBP的質(zhì)量比為15:100，發(fā)光層的厚度為15nm。
[0076]步驟四、在真空度為IX 10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸鍍的方法，在制備好的發(fā)光層表面制備第一電子傳輸層，材質(zhì)為NTCDA以及摻雜在NTCDA中的Pyixmin B，Pyronin B與NTCDA的質(zhì)量比為1:10，第一電子傳輸層的厚度為20nm，然后在第一電子傳輸層表面制備第二電子傳輸層,材質(zhì)為BPhen以及摻雜在BPhen中的Rb2CO3, Rb2CO3與BPhen的質(zhì)量比為3:10,第二電子傳輸層的厚度為10nm,最后是金屬Ag作為陰極,厚度為lOOnm。
[0077]在器件制備完畢后，在陰極表面還覆蓋有玻璃封裝蓋板。
[0078]實(shí)施例4
[0079]該有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/ITO (10nm)/F4-TCNQ:MeO-TPD(40nm)/TAPC (1nm)/Ir (ppy)3:CBP(1nm)/BEDT-TTF:NTCDA (30nm) /KBH4: PBD (50nm) /Ag(10nm)。
[0080]該制備工藝中，真空濺射和真空蒸鍍的工作壓強(qiáng)為I X 10_4Pa之間，有機(jī)材料的蒸鍍速度在0.5nm/s,金屬的蒸鍍速度為0.5nm/s,金屬化合物的蒸鍍速度為0.2nm/s,半導(dǎo)體氧化物薄膜的濺射速度為0.5nm/s之間。
[0081]一種有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟:
[0082]步驟一、提供基板；將玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈桑?br> [0083]步驟二、在真空度為lX10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射的方法，在所述基板上制備陽(yáng)極，材質(zhì)為ΙΤ0，厚度為10nm ；
[0084]步驟三、在真空度為IX 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，利用真空熱蒸鍍的方法，在陽(yáng)極上制備空穴傳輸層，材料為MeO-TPD以及摻雜在MeO-TH)中的F4-TCNQ，F(xiàn)4-TCNQ與MeO-TPD的質(zhì)量比為4:100，空穴傳輸層的厚度為40nm，然后是電子阻擋層，材質(zhì)為TAPC，厚度是10nm，然后發(fā)光層，材質(zhì)為4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)以及摻雜在CBP中的三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)，Ir(ppy)3與CBP的質(zhì)量比為1:10，發(fā)光層的厚度為1nm0
[0085]步驟四、在真空度為IX 10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸鍍的方法，在制備好的發(fā)光層表面制備第一電子傳輸層，材質(zhì)為NTCDA以及摻雜在NTCDA中的BEDT-TTF，BEDT-TTF與NTCDA的質(zhì)量比為1:25，第一電子傳輸層的厚度為30nm，然后在第一電子傳輸層表面制備第二電子傳輸層，材質(zhì)為PBD以及摻雜在BPhen中的KBH4, KBH4與PBD的質(zhì)量比為1:5,第二電子傳輸層的厚度為50nm,最后是金屬Ag作為陰極,厚度為lOOnm。
[0086]在器件制備完畢后，在陰極表面還覆蓋有玻璃封裝蓋板。
[0087]表1是實(shí)施例1，實(shí)施例2，實(shí)施例3和實(shí)施例4與對(duì)比例I所制作的器件的發(fā)光性能數(shù)據(jù)。

【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的基底、陽(yáng)極、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極，所述第一電子傳輸層的材料包括1，4，5，8-萘四甲酸酐及摻雜在所述1，4，5，8-萘四甲酸酐的摻雜劑，所述摻雜劑選自乙二硫撐四硫代富瓦烯或派洛寧B中的至少一種，所述第二電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬的化合物，所述電子傳輸材料選自2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑，(8-羥基喹啉)_鋁、4，7- 二苯基-鄰菲咯啉，1.3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲，I,2，4-三唑衍生物或雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, I’ -聯(lián)苯-4-羥基)鋁中至少一種，所述堿金屬的化合物選自碳酸鋰，疊氮化鋰，氟化鋰，疊氮化銫，碳酸銫，氟化銫，硼氫化鉀，碳酸銣或氮化鋰的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述摻雜劑與所述1.4,5，8-萘四甲酸酐的質(zhì)量比為1:20?1:5，所述堿金屬的化合物與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為1:10?1:2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電子傳輸層的厚度為1nm?40nm,所述第二電子傳輸層的厚度為1nm?lOOnm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為客體材料摻雜在主體材料中形成的混合物或熒光材料；所述客體材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥，二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、三(1-苯基-異喹啉)合銥及三(2-苯基吡啶)合銥中的至少一種，所述主體材料選自4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯及N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:1o?1:100 ;所述熒光材料選自4，4’-二(2，2-二苯乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯、4，4’-雙[4_( 二對(duì)甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯、5，6，11，12-四苯基萘并萘及二甲基喹吖啶酮中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料，所述主體材料選自N，N’ - 二苯基-N，N，-二 (1-萘基)_1，Γ-聯(lián)苯-4，4’-二胺，(4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺，N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-1，Γ-聯(lián)苯-4，4’-二胺，N，N，N，，N，-四甲氧基苯基)_對(duì)二氛基聯(lián)苯，2，7_雙(N, N-二(4_甲氧基苯基)氛基)-9, 9-螺二荷，4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺，1，1-二(4-(N，N' - 二(p-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷中的至少一種，所述客體材料選自2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷，I,3, 4, 5, 7, 8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌，2, 2’ - (2, 5- 二氰基_3，6- 二氟環(huán)己燒-2, 5- 二烯-1，4-二亞基)二丙二腈或2，3,6, 7，10，11-六氰基-1，4，5,8,9, 12-六氮雜三亞苯中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:50?1:10，所述空穴傳輸層的厚度為 20nm ?60nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的材料為銀，鋁，鎂招合金或鎂銀合金中的至少一種,所述陰極的厚度為70nm?200nm。
7.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 在基底表面依次制備陽(yáng)極、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層及第一電子傳輸層； 在所述發(fā)光層的表面蒸鍍制備第一電子傳輸層，所述第一電子傳輸層的材料包括1，4，5，8-萘四甲酸酐及摻雜在所述1，4，5，8-萘四甲酸酐的摻雜劑，所述摻雜劑選自乙二硫撐四硫代富瓦烯或派洛寧B中的至少一種； 在所述第一電子傳輸層表面蒸鍍制備第二電子傳輸層，所述第二電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬的化合物，所述電子傳輸材料選自2-(4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑，(8-羥基喹啉)_鋁、4，7- 二苯基-鄰菲咯啉，1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲，1，2，4-三唑衍生物或雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1，I’-聯(lián)苯_4_羥基)鋁中至少一種，所述堿金屬的化合物選自碳酸鋰，疊氮化鋰，氟化鋰，疊氮化銫，碳酸銫，氟化銫，硼氫化鉀，碳酸銣或氮化鋰的至少一種；及在所述第二電子傳輸層的表面制備陰極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在所述發(fā)光層的表面蒸鍍制備第一電子傳輸層包括以下步驟:將所述摻雜劑和1，4，5，8-萘四甲酸酐按照質(zhì)量比為1:20?1:5分別放在兩個(gè)方舟中進(jìn)行蒸鍍，真空濺射和真空蒸鍍的工作壓強(qiáng)為I X 10_5Pa?I X 10_3Pa之間,有機(jī)材料的蒸鍍速度在0.lnm/s?2nm/s之間,金屬的蒸鍍速度為0.2nm/s?2nm/s之間，金屬化合物的蒸鍍速度為0.lnm/s?0.5nm/s之間，半導(dǎo)體氧化物薄膜的派射速度為0.2nm/s?lnm/s之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在所述第一電子傳輸層表面蒸鍍制備第二電子傳輸層包括以下步驟:將所述堿金屬的化合物和所述電子傳輸材料按照質(zhì)量比為1:10?1:2分別放在兩個(gè)方舟中進(jìn)行蒸鍍，真空濺射和真空蒸鍍的工作壓強(qiáng)為I X KT5Pa?I X KT3Pa之間,有機(jī)材料的蒸鍍速度在0.lnm/s?2nm/s之間，金屬的蒸鍍速度為0.2nm/s?2nm/s之間，金屬化合物的蒸鍍速度為0.lnm/s?0.5nm/s之間，半導(dǎo)體氧化物薄膜的濺射速度為0.2nm/s?lnm/s之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一電子傳輸層的厚度為1nm?40nm,所述第二電子傳輸層的厚度為1nm?lOOnm。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104183792SQ201310196840
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年5月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月23日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 張娟娟, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司