半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，包括：第一導(dǎo)電層，設(shè)置于一第一介電層的一部?jī)?nèi)，具有第一表面積；第二介電層，設(shè)置于該第一介電層與該第一導(dǎo)電層上；第一導(dǎo)電介層物，設(shè)置于該第二介電層的一部?jī)?nèi)，具有第二表面積；第三介電層，設(shè)置于該第二介電層與該第一導(dǎo)電介層物上；第二導(dǎo)電層，設(shè)置于該第三介電層的一部?jī)?nèi)，具有第三表面積；保護(hù)層，設(shè)置于該第二導(dǎo)電層與該第三介電層上；以及開口，設(shè)置于該保護(hù)層內(nèi)，部分露出該第二導(dǎo)電層，且該第一表面積、該第二表面積與該第三表面積之間具有介于0.29:0.28:1～0.43:0.42:1的比例。本發(fā)明具有較佳的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，于半導(dǎo)體裝置的尺寸更為微縮時(shí)不會(huì)因測(cè)試與封裝等制程因素而造成毀損，可確保包括接墊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的壽命與可靠度。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明關(guān)于半導(dǎo)體裝置，且特別是關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]一般而言，半導(dǎo)體裝置的制作是于一晶圓上通過(guò)依序地沉積與圖案化多個(gè)絕緣、導(dǎo)電及半導(dǎo)體的材料膜層而形成。通常，形成于半導(dǎo)體裝置的最上方的眾多材料膜層構(gòu)成了用于電性連結(jié)位于晶圓內(nèi)的下方主動(dòng)區(qū)域與元件的一接墊結(jié)構(gòu)(bonding structure),而于后續(xù)制程之中則可針對(duì)此接墊結(jié)構(gòu)進(jìn)行如探針測(cè)試(probe testing)的測(cè)試相關(guān)制程或打線接合(wire bonding)的封裝相關(guān)制程。
[0003]然而，隨著半導(dǎo)體制程的微縮，便需要針對(duì)接墊結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良，以使其在進(jìn)行探針測(cè)試(probing test)或打線接合(wire bonding)等測(cè)試封裝相關(guān)制程施行時(shí)仍具有一定的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，以確保半導(dǎo)體裝置的使用壽命與可靠度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其具有較佳的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，可于半導(dǎo)體裝置的尺寸更為微縮時(shí)仍不會(huì)因測(cè)試與封裝等制程因素而造成毀損，進(jìn)而可確保包括接墊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的壽命與可靠度。
[0005]依據(jù)一實(shí)施例，本發(fā)明的一種半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，包括:一第一導(dǎo)電層，設(shè)置于一第一介電層的一部?jī)?nèi)，其中，該第一導(dǎo)電層具有一第一表面積；一第二介電層，設(shè)置于該第一介電層與該第一導(dǎo)電層上；一第一導(dǎo)電介層物，設(shè)置于該第二介電層的一部?jī)?nèi)，并位于該第一導(dǎo)電層上，其中，該第一導(dǎo)電介層物具有一第二表面積；一第三介電層，設(shè)置于該第二介電層與該第一導(dǎo)電介層物上；一第二導(dǎo)電層，設(shè)置于該第三介電層的一部?jī)?nèi)，并位于該第一導(dǎo)電介層物上，其中:該第二導(dǎo)電層具有一第三表面積；一保護(hù)層，設(shè)置于該第二導(dǎo)電層與該第三介電層上；以及一開口，設(shè)置于該保護(hù)層內(nèi)，以部分露出該第二導(dǎo)電層，其中該第一導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電介層物大體對(duì)準(zhǔn)該第二導(dǎo)電層的中心處而設(shè)置，且該第一表面積、該第二表面積與該第三表面積之間具有介于0.29:0.28:1?0.43:0.42:1的比例。
[0006]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，該第二導(dǎo)電層為四邊形的一平板狀外形，該第一導(dǎo)電介層物與該第一導(dǎo)電層均為八邊形的一平板狀外形。
[0007]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，該第一介電層、該第二介電層與該第三介電層的材料包括氧化硅、氮化硅或低介電常數(shù)介電材料。
[0008]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，該保護(hù)層的材料包括聚亞酰胺或氮化硅。
[0009]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，該第一導(dǎo)電層、該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電介層物的材料包括鶴、招或銅。
[0010]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，還包括:
[0011]一對(duì)第三導(dǎo)電層，分別設(shè)置于該第一介電層的另一部?jī)?nèi)且位于該第一導(dǎo)電層的相對(duì)側(cè)；以及
[0012]多個(gè)第二導(dǎo)電介層物，分別設(shè)置于該第二介電層的另一部?jī)?nèi)且位于該第一導(dǎo)電介層物的相對(duì)側(cè)并位于該些第三導(dǎo)電層上，該多個(gè)第二導(dǎo)電介層物電性連結(jié)該第三導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層，該些第三導(dǎo)電層為長(zhǎng)條狀外形并分別具有一第四表面積，該些第二導(dǎo)電介層物形成經(jīng)規(guī)則排列的一對(duì)陣列物，該些陣列物具有一總表面積，該第四表面積與該第三表面積之間具有介于0.06:1?0.28:1的比例,該總表面積與該第三表面積之間具有介于0.001:1 ?0.002:1 的比例。
[0013]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，該些第三導(dǎo)電層與該些第二導(dǎo)電介層物的材料包括鎢、鋁或銅。
[0014]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，還包括:
[0015]一第四介電層，位于該第一介電層之下；
[0016]多個(gè)第二導(dǎo)電介層物，設(shè)置于該第四介電層內(nèi)并實(shí)體接觸該第一導(dǎo)電層。
[0017]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，該第四介電層的厚度大于該第一介電層、第二介電層與該第三介電層的厚度。
[0018]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，該第四介電層的材料包括氧化硅、氮化硅或低介電常數(shù)介電材料，該些第二導(dǎo)電介層物的材料包括鎢、鋁或銅。
[0019]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)是:該半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)具有較佳的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，可于半導(dǎo)體裝置的尺寸更為微縮時(shí)仍不會(huì)因測(cè)試與封裝等制程因素而造成毀損，進(jìn)而可確保包括接墊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的壽命與可靠度。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1繪示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一接墊結(jié)構(gòu)的剖面圖。
[0021]圖2為依據(jù)圖1繪示的一接墊結(jié)構(gòu)一部的上視圖。
[0022]圖3為依據(jù)圖1繪示的一接墊結(jié)構(gòu)另一部的上視圖。
[0023]圖4繪示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的接墊結(jié)構(gòu)的剖面圖。
[0024]圖5為依據(jù)圖4繪示本發(fā)明一實(shí)施例的接墊結(jié)構(gòu)一部的上視圖。
[0025]圖6為依據(jù)圖4繪示本發(fā)明一實(shí)施例的接墊結(jié)構(gòu)另一部的上視圖。
[0026]圖7繪示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的接墊結(jié)構(gòu)的剖面圖。
[0027]元件符號(hào)說(shuō)明
[0028]100......半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 102......介電層
[0029]104a、104b、104c......導(dǎo)電層106a、106b......導(dǎo)電介層物
[0030]110......保護(hù)層112......開口
[0031]120……裂痕200……接墊結(jié)構(gòu)
[0032]400......半導(dǎo)體裝置 500......半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
[0033]502......介電層504a、504b、504c、504d......導(dǎo)電層
[0034]506a、506b、506c......導(dǎo)電介層物 510......保護(hù)層
[0035]512......開口600、600’......接墊結(jié)構(gòu)
[0036]800......半導(dǎo)體裝置

【具體實(shí)施方式】
[0037]為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附的附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。
[0038]圖1繪示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一半導(dǎo)體裝置400的一接墊結(jié)構(gòu)的剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，半導(dǎo)體裝置400主要包括一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100、依序形成于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100上的多個(gè)介電層102、分別位于此些介電層102內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)電層(conductive layers) 104a、導(dǎo)電層104b、導(dǎo)電層104c與多個(gè)導(dǎo)電介層物(conductive vias) 106a、導(dǎo)電介層物106b、以及設(shè)置于最上方介電層102上的一保護(hù)層(passivat1n layer) IlO0其中，于一實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100包括如硅材質(zhì)的一半導(dǎo)體基板(未顯示)，而于此半導(dǎo)體基板之上及/或之內(nèi)形成有如電晶體、二極體的多個(gè)主動(dòng)元件(active elements),以及如電阻、電容、電感等多個(gè)被動(dòng)元件(passive elements)、以及如導(dǎo)線、導(dǎo)電接觸物、導(dǎo)電介層物等多個(gè)導(dǎo)電元件(conductive elements),進(jìn)而構(gòu)成了具有特定功能的一積體電路(integrated circuits,未顯示)。然而，基于簡(jiǎn)化圖示的目的，在此半導(dǎo)體基板以及形成于其上/其內(nèi)的前述元件于圖1內(nèi)僅采用一具平整表面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100所繪示，而并未詳細(xì)繪示半導(dǎo)體基板以及相關(guān)元件的詳細(xì)設(shè)置情形。
[0039]另外，形成于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100上的此些介電層102以及設(shè)置于其內(nèi)的此些導(dǎo)電層104a、導(dǎo)電層104b、導(dǎo)電層104c與導(dǎo)電介層物106a、導(dǎo)電介層物106b則構(gòu)成了半導(dǎo)體裝置400內(nèi)的一接墊結(jié)構(gòu)200，此接墊結(jié)構(gòu)200可電性連結(jié)于半導(dǎo)體裝置400內(nèi)的積體電路(未顯示)。另外，于保護(hù)層I1內(nèi)形成有一開口 112，而此開口 112部分露出了設(shè)置于最上方的介電層102內(nèi)的一導(dǎo)電層104c的一部，而開口 112所露出的導(dǎo)電層104c的部分則做為后續(xù)測(cè)試或封裝等相關(guān)制程中所應(yīng)用的一接墊(bonding pad)。
[0040]再者，分別形成于導(dǎo)電層104c下方的多個(gè)介電層102內(nèi)導(dǎo)電層104b與導(dǎo)電層104a也可做為支撐元件與導(dǎo)電元件之用，以結(jié)構(gòu)性地支撐其上方的導(dǎo)電層104c以及電性連結(jié)導(dǎo)電層104c與半導(dǎo)體裝置400內(nèi)的積體電路。而分別設(shè)置于此些導(dǎo)電層104a、導(dǎo)電層104b與導(dǎo)電層104c之間的多個(gè)介電層102內(nèi)的導(dǎo)電介層物106a與導(dǎo)電介層物106b則做內(nèi)連元件之用，以實(shí)體且電性地連結(jié)此些導(dǎo)電層104a、導(dǎo)電層104b與導(dǎo)電層104c。
[0041]于一實(shí)施例中，保護(hù)層110可包括如聚亞酰胺、氮化硅等具防水氣性質(zhì)的絕緣材料，而介電層102可包括如二氧化硅、旋涂玻璃(SOG)、氮化硅、低介電常數(shù)(介電常數(shù)小于3)介電材料等介電材質(zhì)，而導(dǎo)電層104a、導(dǎo)電層104b、導(dǎo)電層104c與導(dǎo)電介層物106a、導(dǎo)電介層物106b則可包括如鎢、鋁、銅等導(dǎo)電材料。
[0042]圖2為依據(jù)圖1繪示半導(dǎo)體裝置的一接墊結(jié)構(gòu)一部的上視圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖2,導(dǎo)電層104b具有如四邊形的一平板狀外形以及一表面積Al (未顯不),而此時(shí)圖1內(nèi)所不的導(dǎo)電層104c從上視觀之(未顯不)也具有與導(dǎo)電層104b相同的一平板狀外形與表面積。另外，從上視觀之(未顯示)，如圖1內(nèi)所示的多個(gè)導(dǎo)電層104a則具有為介電層102所分隔的長(zhǎng)條狀外形，且具有一總表面積(未顯示)。導(dǎo)電層104a的總表面積小于導(dǎo)電層104b與104c的表面積Al。
[0043]圖3為依據(jù)圖1繪示半導(dǎo)體裝置的一接墊結(jié)構(gòu)另一部的上視圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖3，導(dǎo)電層104c與導(dǎo)電層104b間的多個(gè)導(dǎo)電介層物106b為大體按照如六角形的一多邊形形態(tài)而設(shè)置于介電層102內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)電柱狀物，而且此些導(dǎo)電介層物106b共具有一總表面積A2(未顯不),其少于導(dǎo)電層104b與導(dǎo)電層104c的表面積Al。此些表面積A2與Al之間具有介于約0.002:1?0.003:1的比例關(guān)系(A2:A1)。
[0044]于圖1-圖3所示的半導(dǎo)體裝置400形成之后，可于半導(dǎo)體裝置400內(nèi)的接墊結(jié)構(gòu)200內(nèi)的導(dǎo)電層104c處施行如探針測(cè)試(probing test)或打線接合(wire bonding)的后續(xù)測(cè)試與封裝等相關(guān)制程(皆未顯示)。然而，于上述后續(xù)測(cè)試與封裝等相關(guān)制程施行之后，常于如電子顯微鏡的光學(xué)裝置檢查中于導(dǎo)電層104c與導(dǎo)電層104b之間的介電層102內(nèi)發(fā)現(xiàn)有裂痕(cracks) 120的生成。上述裂痕120的產(chǎn)生起因于如探針測(cè)試或打線接合等后續(xù)測(cè)試與封裝等相關(guān)制程中所施加于導(dǎo)電層104c的應(yīng)力的轉(zhuǎn)移情形所造成，而如此的裂痕120也可能由于應(yīng)力的轉(zhuǎn)移而進(jìn)一步地生成于位于較下層的導(dǎo)電層104b與導(dǎo)電層104a之間的介電層102內(nèi)。倘若此些裂痕120的范圍與數(shù)量過(guò)大，恐將毀損其鄰近的導(dǎo)電介層物106b與導(dǎo)電介層物106a，并影響包括接墊結(jié)構(gòu)200的半導(dǎo)體裝置400的操作壽命與可靠度。有鑒于此，便需要針對(duì)半導(dǎo)體裝置內(nèi)的接墊結(jié)構(gòu)進(jìn)行改善，以期解決上述發(fā)生于半導(dǎo)體裝置400的接墊結(jié)構(gòu)200內(nèi)的裂痕問(wèn)題。
[0045]圖4繪示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的接墊結(jié)構(gòu)的剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4，顯示了包括一接墊結(jié)構(gòu)600的一半導(dǎo)體裝置800。在此，半導(dǎo)體裝置800主要包括一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500、依序形成于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500上的多個(gè)介電層502、分別位于此些介電層502內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)電層504a、導(dǎo)電層504b、導(dǎo)電層504c、導(dǎo)電層504d與導(dǎo)電介層物506a、導(dǎo)電介層物506b、導(dǎo)電介層物506c、以及設(shè)置于最上方的介電層502上的一保護(hù)層510。
[0046]于一實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500相同于圖1所不的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100,故在此不再描述其組成情形。另外，形成于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500上的此些介電層502及設(shè)置于其內(nèi)的此些導(dǎo)電層504a、導(dǎo)電層504b、導(dǎo)電層504c、導(dǎo)電層504d與導(dǎo)電介層物506a、導(dǎo)電介層物506b、導(dǎo)電介層物506c則構(gòu)成了半導(dǎo)體裝置800內(nèi)的一接墊結(jié)構(gòu)600，此接墊結(jié)構(gòu)600可電性連結(jié)于半導(dǎo)體裝置800內(nèi)的積體電路(未顯示)。另外，于保護(hù)層510內(nèi)形成有一開口 512，而此開口 512部分露出了設(shè)置于最上方的介電層502內(nèi)的一導(dǎo)電層504d的一部,而為開口 512所露出的導(dǎo)電層504d的部分則做為后續(xù)測(cè)試或封裝等相關(guān)制程中所應(yīng)用的一接墊(bonding pad)。
[0047]再者，分別形成于導(dǎo)電層504d下方的多個(gè)介電層502內(nèi)導(dǎo)電層504c、導(dǎo)電層504b與導(dǎo)電層504a也可做為支撐元件與導(dǎo)電元件之用，以結(jié)構(gòu)性地支撐其上方的導(dǎo)電層504d以及電性連結(jié)導(dǎo)電層504d與半導(dǎo)體裝置800內(nèi)的積體電路(未繪示)。而分別設(shè)置于此些導(dǎo)電層504a、導(dǎo)電層504b、導(dǎo)電層504c與導(dǎo)電層504d之間的多個(gè)介電層502內(nèi)的導(dǎo)電介層物506a、導(dǎo)電介層物506b與導(dǎo)電介層物506c則做為如導(dǎo)電介層物的內(nèi)連元件，以實(shí)體地且電性地連結(jié)此些導(dǎo)電層504a、導(dǎo)電層504b、導(dǎo)電層504c與導(dǎo)電層504d。
[0048]于一實(shí)施例中，保護(hù)層510、介電層502、導(dǎo)電層504a、導(dǎo)電層504b、導(dǎo)電層504c、導(dǎo)電層504d、以及導(dǎo)電介層物506a、導(dǎo)電介層物506b、導(dǎo)電介層物506c的形成材料則相同于如圖1-圖3所示的半導(dǎo)體裝置400內(nèi)的保護(hù)層110、介電層102、導(dǎo)電層104a、導(dǎo)電層104b、導(dǎo)電層104c、以及導(dǎo)電介層物106a、導(dǎo)電介層物106b的材料，在此不再贅述。
[0049]圖5為依據(jù)圖4繪示本發(fā)明的一接墊結(jié)構(gòu)一部的上視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，導(dǎo)電層504b與導(dǎo)電層504c的設(shè)置情形則不同于圖1-圖2的半導(dǎo)體裝置400內(nèi)的導(dǎo)電層104b。導(dǎo)電層504c具有包括四個(gè)斜角的大體八邊形的一平板狀外形，且具有一表面積A3 (未顯示)，而于導(dǎo)電層504c的兩相對(duì)側(cè)邊上則分別設(shè)置有一導(dǎo)電層504b。導(dǎo)電層504b具有如長(zhǎng)方形的一長(zhǎng)條狀外形，且具有一表面積A4。而形成于導(dǎo)電層504b與導(dǎo)電層504c上方的導(dǎo)電層504d(以虛線表示)則仍相同于如圖1-圖3所示的導(dǎo)電層104c，其具有大體四邊形的一平板狀外形，因而具有較導(dǎo)電層504c與導(dǎo)電層504b為大的一表面積Al (未繪不),其中導(dǎo)電層504c大體對(duì)準(zhǔn)于導(dǎo)電層504d的中心處而設(shè)置，而導(dǎo)電層504b則大體分別對(duì)準(zhǔn)于導(dǎo)電層504d的兩相對(duì)側(cè)邊而設(shè)置。于一實(shí)施例中，此些表面積Al、A3、A4之間具有介于
0.29:0.06:1?0.43:0.28:1的一比例(A3:A4:A1)。另外，從上視觀之(未繪示)，此些導(dǎo)電層504a則具有為介電層502所分隔的長(zhǎng)條狀外形，且具有一總表面積(未顯示)。此些導(dǎo)電層504a的總表面積小于導(dǎo)電層504d的表面積Al。
[0050]圖6為依據(jù)圖4繪示本發(fā)明的接墊結(jié)構(gòu)另一部的上視圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4及圖6，在此，不同于先前圖1-圖3所示的介于導(dǎo)電層104c與導(dǎo)電層104b間的導(dǎo)電介層物106b的實(shí)施情形，于本實(shí)施例中，于導(dǎo)電層504d與導(dǎo)電層504b、導(dǎo)電層504c之間的介電層502之內(nèi)則設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電介層物506b與導(dǎo)電介層物506c。在此,導(dǎo)電層504d相同于前述的導(dǎo)電層104c且具有表面積Al,導(dǎo)電介層物506b相同于前述的導(dǎo)電介層物106b仍為一導(dǎo)電柱狀物，且其為大體按照一 mxn的一陣列物(array)形態(tài)而安排并設(shè)置于介電層502內(nèi)，而此導(dǎo)電介層物506b所形成的一陣列物則大體位于其上方的導(dǎo)電層504d的兩對(duì)稱側(cè)邊的下方且大體位于其下方的導(dǎo)電層504b之一的上方，進(jìn)而電性地連結(jié)了導(dǎo)電層504d與導(dǎo)電層504b。此些導(dǎo)電介層物506b所形成的一陣列物具有一總表面積A5，其小于導(dǎo)電層504d的表面積Al，且其間具有介于約0.001:1?0.002:1的比例(A5:A1)。
[0051]另外，從上視觀之，導(dǎo)電介層物506c具有包括四個(gè)斜角的大體八邊形的一平板狀外形，且具有一表面積A6,其大體對(duì)準(zhǔn)于其上方的導(dǎo)電層504d而設(shè)置,且其表面積A6小于其上方的導(dǎo)電層504d的表面積Al且小于其下方的導(dǎo)電層504c的表面積A3,且此些表面積A3、A6與Al之間具有介于約0.29:0.28:1?0.43:0.42:1的比例關(guān)系(A3:A6:A1)。相似于導(dǎo)電層504c的設(shè)置情形，導(dǎo)電介層物506c也大體對(duì)準(zhǔn)于導(dǎo)電層504d與導(dǎo)電層504c的中心處而設(shè)置。
[0052]于圖4-圖6所示的半導(dǎo)體裝置800形成之后，可于其內(nèi)接墊結(jié)構(gòu)600處施行如探針測(cè)試或打線接合的后續(xù)測(cè)試與封裝等相關(guān)制程(皆未繪示)。由于本實(shí)施例中的導(dǎo)電介層物506b與導(dǎo)電介層物506c的表面積A5與表面積A6的總和已較如圖1-圖3所不實(shí)施例中的導(dǎo)電介層物106b的總表面積A2高出約94-21倍，且導(dǎo)電介層物506c的設(shè)置位置位于大部分測(cè)試與封裝等相關(guān)制程中的外力所施加于導(dǎo)電層504d的一中心部分的正下方,而導(dǎo)電介層物506b與導(dǎo)電層504c所包括四個(gè)斜角部分更有助于施加于導(dǎo)電層504d處的外加應(yīng)力的水平與垂直方向上的逸散。因此通過(guò)如圖4-圖6所示的接墊結(jié)構(gòu)600的使用，于后續(xù)測(cè)試與封裝等相關(guān)制程施行之后，并不會(huì)于導(dǎo)電層504d與導(dǎo)電層504c及導(dǎo)電層504b之間以及導(dǎo)電層504c與導(dǎo)電層504b及導(dǎo)電層504a之間的介電層502內(nèi)造成如圖1所示的裂痕120的生成，如此便可抵擋起因于后續(xù)測(cè)試與封裝等相關(guān)制程中施加于其上方的導(dǎo)電層504d的不良應(yīng)力轉(zhuǎn)移情形，進(jìn)而確保包括此接墊結(jié)構(gòu)600的半導(dǎo)體裝置800的操作壽命與可靠度。
[0053]圖7繪示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的接墊結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖7所示的半導(dǎo)體裝置800是由修改如圖4-圖6所示的半導(dǎo)體裝置800所得到的。在此，于圖7中以相同標(biāo)號(hào)代表相同構(gòu)件，且基于簡(jiǎn)化的目的，于下文中僅描述兩實(shí)施例間的差異處。
[0054]請(qǐng)參照?qǐng)D7，接墊結(jié)構(gòu)600’大體相似于如圖4-圖6所示的接墊結(jié)構(gòu)600，除了于本實(shí)施例中增大了導(dǎo)電介層物506a及其鄰近的介電層502的厚度。于本實(shí)施例中的導(dǎo)電介層物506a及其鄰近的介電層502的厚度可較如圖4-圖6所示的導(dǎo)電介層物506a及其鄰近的介電層502的厚度更為增厚。如此的導(dǎo)電介層物506a與鄰近的介電層502的增厚情形也有助于抵擋起因于后續(xù)測(cè)試與封裝等相關(guān)制程中施加于其上方的導(dǎo)電層504d的應(yīng)力進(jìn)一步地向下的垂直轉(zhuǎn)移情形。如此，便可確保包括此接墊結(jié)構(gòu)600’的半導(dǎo)體裝置800的操作壽命與可靠度。
[0055]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一第一導(dǎo)電層，設(shè)置于一第一介電層的一部?jī)?nèi)，其中，該第一導(dǎo)電層具有一第一表面積； 一第二介電層，設(shè)置于該第一介電層與該第一導(dǎo)電層上； 一第一導(dǎo)電介層物，設(shè)置于該第二介電層的一部?jī)?nèi)，并位于該第一導(dǎo)電層上，其中，該第一導(dǎo)電介層物具有一第二表面積； 一第三介電層,設(shè)置于該第二介電層與該第一導(dǎo)電介層物上； 一第二導(dǎo)電層，設(shè)置于該第三介電層的一部?jī)?nèi)，并位于該第一導(dǎo)電介層物上，其中，該第二導(dǎo)電層具有一第三表面積； 一保護(hù)層，設(shè)置于該第二導(dǎo)電層與該第三介電層上；以及 一開口，設(shè)置于該保護(hù)層內(nèi)，部分露出該第二導(dǎo)電層，其中該第一導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電介層物對(duì)準(zhǔn)該第二導(dǎo)電層的中心處而設(shè)置，該第一表面積、該第二表面積與該第三表面積之間具有介于0.29:0.28:1 ~ 0.43:0.42:1的比例。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二導(dǎo)電層為四邊形的一平板狀外形，該第一導(dǎo)電介層物與該第一導(dǎo)電層均為八邊形的一平板狀外形。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一介電層、該第二介電層與該第三介電層的材料包括氧化硅、氮化硅或低介電常數(shù)介電材料。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該保護(hù)層的材料包括聚亞酰胺或氮化硅。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一導(dǎo)電層、該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電介層物的材料包括鶴、招或銅。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 一對(duì)第三導(dǎo)電層，分別設(shè)置于該第一介電層的另一部?jī)?nèi)且位于該第一導(dǎo)電層的相對(duì)側(cè)；以及 多個(gè)第二導(dǎo)電介層物，分別設(shè)置于該第二介電層的另一部?jī)?nèi)且位于該第一導(dǎo)電介層物的相對(duì)側(cè)并位于該些第三導(dǎo)電層上，該多個(gè)第二導(dǎo)電介層物電性連結(jié)該第三導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層，該些第三導(dǎo)電層為長(zhǎng)條狀外形并分別具有一第四表面積，該些第二導(dǎo)電介層物形成經(jīng)規(guī)則排列的一對(duì)陣列物，該些陣列物具有一總表面積，該第四表面積與該第三表面積之間具有介于0.06:1?0.28:1的比例，該總表面積與該第三表面積之間具有介于0.001:1 ?0.002:1 的比例。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些第三導(dǎo)電層與該些第二導(dǎo)電介層物的材料包括鎢、鋁或銅。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 一第四介電層，位于該第一介電層之下； 多個(gè)第二導(dǎo)電介層物，設(shè)置于該第四介電層內(nèi)并實(shí)體接觸該第一導(dǎo)電層。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第四介電層的厚度大于該第一介電層、第二介電層與該第三介電層的厚度。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第四介電層的材料包括氧化硅、氮化硅或低介電常數(shù)介電材料，該些第二導(dǎo)電介層物的材料包括鎢、鋁或銅。
【文檔編號(hào)】H01L23/485GK104183563SQ201310200384
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年5月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月27日
【發(fā)明者】廖修漢, 莊哲輔, 蔡耀庭, 陳鶴庭 申請(qǐng)人:華邦電子股份有限公司