發(fā)光器件封裝件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光器件封裝件，該發(fā)光器件封裝件包括：包括芯片安裝區(qū)域的反射基板；設(shè)置在反射基板上的電路基板，所述電路基板包括限定芯片安裝區(qū)域的內(nèi)側(cè)邊緣和設(shè)置在與內(nèi)側(cè)邊緣間隔開(kāi)的位置處的至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔；以及設(shè)置在芯片安裝區(qū)域中的至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片，所述至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片通過(guò)導(dǎo)線連接至電路基板。
【專利說(shuō)明】發(fā)光器件封裝件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明的實(shí)施方案涉及發(fā)光器件封裝件。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光器件可以是發(fā)光二極管(LED)芯片。發(fā)光二極管是將電能轉(zhuǎn)換為光的半導(dǎo)體器件。相比于傳統(tǒng)光源如白熾燈或突光燈，發(fā)光二極管具有如低功耗、半永久性壽命、快速響應(yīng)速度、安全性和生態(tài)環(huán)境友好的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)用發(fā)光二極管來(lái)替代傳統(tǒng)光源已經(jīng)做了大量的研究。使用發(fā)光二極管作為發(fā)光裝置(如各種燈、液晶裝置、電子記分板和街燈)的光源正在逐漸增加。
[0003]同時(shí)，發(fā)光器件封裝件包括安裝在印刷電路板(PCB)上的發(fā)光二極管芯片。當(dāng)多個(gè)發(fā)光二極管芯片安裝在傳統(tǒng)發(fā)光器件封裝件中的一個(gè)PCB上時(shí)，發(fā)光二極管芯片需要與導(dǎo)線的位置精確對(duì)準(zhǔn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]實(shí)施方案提供了將發(fā)光二極管芯片和導(dǎo)線兩者精確對(duì)準(zhǔn)的發(fā)光器件封裝件。
[0005]在一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光器件封裝件包括:包括芯片安裝區(qū)域的反射基板；設(shè)置在反射基板上的電路基板，所述電路基板包括限定芯片安裝區(qū)域的內(nèi)側(cè)邊緣和設(shè)置在與內(nèi)側(cè)邊緣間隔開(kāi)的位置處的至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔；以及設(shè)置在芯片安裝區(qū)域中的至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片，所述至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片通過(guò)導(dǎo)線連接至電路基板。
[0006]例如，電路基板的內(nèi)側(cè)邊緣可以具有圓形形狀。
[0007]電路基板包括彼此面對(duì)的第一電路基板和第二電路基板，所述芯片安裝區(qū)域介于所述第一電路基板與所述第二電路基板之間，所述第一電路基板具有限定芯片安裝區(qū)域的一部分的第一內(nèi)側(cè)邊緣，所述第二電路基板具有限定芯片安裝區(qū)域的另一部分的第二內(nèi)側(cè)邊緣，并且所述第一電路基板和所述第二電路基板中的每一個(gè)均具有至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔。
[0008]例如，對(duì)準(zhǔn)孔的直徑或一側(cè)的長(zhǎng)度可以為0.4mm。
[0009]電路基板可以包括:布線層；設(shè)置在布線層和反射基板之間的第一絕緣層；以及具有設(shè)置在布線層上的連接部的金屬層，所述連接部將連接至發(fā)光二極管芯片的導(dǎo)線電連接至布線層。
[0010]發(fā)光器件封裝件還可以包括設(shè)置在發(fā)光二極管芯片和反射基板之間的第二絕緣層。
[0011]例如，金屬層可以包括選自金(Au)、鎳(Ni)、銀(Ag)、銅(Cu)和鈀(Pd)中的至少一種金屬、或者它們的合金。
[0012]電路基板還可以包括設(shè)置在金屬層上的阻焊層，使得阻焊層不與連接部交疊。
[0013]所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔可以穿過(guò)阻焊層并露出金屬層。在這種情況下，金屬層的反射率可以與反射基板的反射率相同或不同。
[0014]可替代地，所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔可以穿過(guò)電路基板并露出反射基板。[0015]可替代地，所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔可以穿過(guò)金屬層和布線層并露出第一絕緣層。[0016]所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔可以設(shè)置在連接部中，或者可以設(shè)置在與連接部間隔開(kāi)的位置處。另外，所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔可以包括設(shè)置在連接部中的第一對(duì)準(zhǔn)孔和設(shè)置在與連接部間隔開(kāi)的位置處的第二對(duì)準(zhǔn)孔。[0017]例如，從第一對(duì)準(zhǔn)孔到內(nèi)側(cè)邊緣的距離可以是0.45mm，從第二對(duì)準(zhǔn)孔到內(nèi)側(cè)邊緣的距離可以是1.176mm。從第二對(duì)準(zhǔn)孔到阻焊層的端部的距離可以是1.28mm。[0018]對(duì)準(zhǔn)孔可以具有圓形平面形狀或多邊形平面形狀。[0019]發(fā)光器件封裝件還可以包括設(shè)置在電路基板上的阻擋層，使得阻擋層包埋所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔。[0020]阻擋層可以設(shè)置在阻焊層上，可以設(shè)置在連接部上或者從阻焊層延伸至連接部。[0021]例如，阻擋層可以包括聚硅氧烷樹(shù)脂或者白色環(huán)氧樹(shù)脂。[0022]發(fā)光器件封裝件還可以包括對(duì)在芯片安裝區(qū)域上的所述至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片和導(dǎo)線進(jìn)行密封的模制部。模制部可以包括磷光體。【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0023]可以參照下面的附圖詳細(xì)描述布置和實(shí)施方案，其中相同的附圖標(biāo)記指代相同的要素，在附圖中:[0024]圖1是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的俯視圖；[0025]圖2A至圖2C是示出沿圖1示出的I1-1I'線的發(fā)光器件封裝件的實(shí)施方案的截面圖；[0026]圖3是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的俯視圖；[0027]圖4A和圖4B是示出沿圖3示出的IV-1V'線的發(fā)光器件封裝件的實(shí)施方案的截面圖；[0028]圖5是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的截面圖；[0029]圖6A至圖6D是示出用于制造圖2A示出的發(fā)光器件封裝件的方法的視圖；[0030]圖7A至圖7D是示出用于制造圖4A示出的發(fā)光器件封裝件的方法的視圖；[0031]圖8是示出使用根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的前燈。 【具體實(shí)施方式】[0032]現(xiàn)在將詳細(xì)地參照實(shí)施方案，為了更好地理解，在附圖中描述其實(shí)例。然而，本公開(kāi)內(nèi)容可以體現(xiàn)為許多不同的形式，并且不應(yīng)該被解釋為限于文中所闡述的實(shí)施方案。相反，提供這些實(shí)施方案的目的是使得本公開(kāi)內(nèi)容將是透徹和完整的，并且將本公開(kāi)內(nèi)容的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。[0033]圖1是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件100A的俯視圖。[0034]圖2A至圖2C是沿圖1示出的ΙΙ-ΙI‘線的發(fā)光器件封裝件100Α的實(shí)施方案的截面圖。[0035]圖1至圖2C示出的發(fā)光器件封裝件100Α包括反射基板110、電路基板120Α和 120Β以及發(fā)光二極管芯片170。[0036]反射基板110用于支承發(fā)光器件封裝件100Α的電路基板120Α和120Β，并且包括對(duì)應(yīng)于反射基板110的由電路基板120A和120B限定和露出的部分的芯片安裝區(qū)域。例如， 芯片安裝區(qū)域是指其上安裝有發(fā)光二極管芯片170的反射基板110的上表面110A。[0037]反射基板110包括具有光反射特性和光輻射特性兩者的材料。例如，反射基板110 具有95%的反射率并且由選自鋁(Al)、銀(Ag)、鉬(Pt)、銠(Rh)、鐳(Rd)以及鈀(Pd)的金 屬、或者它們的合金形成，但是本實(shí)施方案不限于此。[0038]在這種情況下，當(dāng)只用反射基板110不能獲得所期望的反射率水平時(shí)，還可以在 反射基板110的上部中設(shè)置提高反射基板110的反射率的反射涂層(未示出)。反射涂層 可以由與構(gòu)成反射基板110的材料相同或不同的材料形成。[0039]另外，當(dāng)不在反射基板110的上部中設(shè)置反射涂層時(shí)，還可以在反射基板110的上 部中設(shè)置防止反射基板110腐蝕的抗腐蝕層(未示出)。[0040]另外，當(dāng)在反射基板110的上部中設(shè)置反射涂層時(shí)，可以在反射涂層的上部中設(shè) 置防止反射涂層腐蝕的抗腐蝕層(未示出)。[0041]抗腐蝕層可以包括透光性樹(shù)脂。[0042]電路基板120A和120B設(shè)置在反射基板110上并且包括第一和第二內(nèi)側(cè)邊緣152A 和152B以及至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔102A、102B和102C。第一和第二內(nèi)側(cè)邊緣152A和152B限定 芯片安裝區(qū)域110A，并且對(duì)準(zhǔn)孔102A、102B和102C與第一和第二內(nèi)側(cè)邊緣152A和152B間隔開(kāi)。[0043]在此處，當(dāng)從垂直于圖1所示的X和Y軸的頂部觀察時(shí)，電路基板120A和120B的 第一和第二內(nèi)側(cè)邊緣152A和152B可以具有圓形形狀。例如,第一和第二內(nèi)側(cè)邊緣152A和 152B可以具有圓形邊緣的圓環(huán)形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀，如圖1所示?？商娲?， 當(dāng)從垂直于圖1示出的X和Y軸的頂部觀察時(shí)，第一和第二內(nèi)側(cè)邊緣152A和152B可以具 有多邊形形狀。[0044]電路基板可以包括彼此面對(duì)的第一和第二電路基板120A和120B，芯片安裝區(qū)域 IlOA介于第一和第二電路基板120A和120B之間。第一電路基板120A具有限定芯片安裝 區(qū)域IlOA的一部分的第一內(nèi)側(cè)邊緣152A，第二電路基板120B具有限定芯片安裝區(qū)域IlOA 的另一部分的第二內(nèi)側(cè)邊緣152B。第一和第二電路基板120A和120B中的每一個(gè)均可以具 有至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔102A、102B和102C。[0045]參照?qǐng)D2A至圖2C，電路基板120A和120B可以包括第一絕緣層122、布線層124 以及金屬層125A和125B。[0046]布線層124具有電路圖案并且用銅(Cu)等來(lái)實(shí)現(xiàn)。[0047]第一絕緣層122設(shè)置在布線層124與反射基板110之間以使布線層124與反射基 板Iio絕緣。例如，第一絕緣層122可以包括環(huán)氧樹(shù)脂或聚酰胺樹(shù)脂、或氧化物或氮化物。[0048]金屬層125A和125B具有連接部Tl I，該連接部Tll設(shè)置在布線層124上以將連接 至發(fā)光二極管芯片170的導(dǎo)線150A和150B電連接至布線層125A和125B。[0049]例如，金屬層125A和125B包括彼此電隔離的第一和第二電極層125A和125B。第 一和第二電極層125A和125B可以彼此對(duì)稱，如圖1所示的，但可以具有各種形狀，而不限 于此。第一電極層125A連接至第一電極焊墊180，第二電極層125B連接至第二電極焊墊 182。因此，電流可以經(jīng)由第一和第二電極層125A和125B以及導(dǎo)線150A和150B從第一和 第二電極焊墊180和182提供至發(fā)光二極管芯片170。即，第一和第二電極焊墊180和182分別連接至第一和第二電極層125A和125B，并且第一和第二電極層125A和125B分別經(jīng)由 導(dǎo)線150A和150B連接至相應(yīng)的發(fā)光二極管芯片170。[0050]金屬層125A和125B可以由例如選自金(Au)、鎳(Ni)、銀(Ag)、銅(Cu)以及鈀 (Pd)的金屬、或它們的合金形成，但是本實(shí)施方案不限于此。[0051]同時(shí)，電路基板120A和120B還可以包括第一和第二粘合層121和123。第一粘 合層121用于將第一絕緣層122粘附至反射基板110，第二粘合層123用于將第一絕緣層 122粘附至布線層124。第一和第二粘合層121和123可以具有導(dǎo)電粘附性或絕緣透明粘 附性。具有導(dǎo)電粘附性的第一和第二粘合層121和123可以由例如選自鉛(Pb)、金(Au)、 錫(Sn)、銦(In)、銀(Ag)、鎳(Ni)、銀(Nb)、銅(Cu)的金屬、或它們的合金形成。另外，具 有絕緣透明粘附性的第一和第二粘合層121和123可以由選自聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯 (BCB)、PFCB (全氟環(huán)丁烷)的材料、或它們的合金形成。[0052]電路基板120A和120B還可以包括阻焊層126，該阻焊層126設(shè)置在金屬層125A和 125B上使得它不與連接部Tll交疊。阻焊層126限定金屬層125A和125B的連接部T11。 在這種情況下，還可以在金屬層125A和125B的露出的邊緣處設(shè)置阻焊層126A，或者可以省 略阻焊層126A，本實(shí)施方案不限于此。在下文中，雖然在連接部Tll中示出了阻焊層126A， 但是連接部Tll是作為考慮省略阻焊層126A的情況而示出的。[0053]另外，發(fā)光器件封裝件100A還可以包括阻擋層140A。阻擋層140A可以通過(guò)對(duì)準(zhǔn) 孔102A、102B以及102C引導(dǎo)而包埋對(duì)準(zhǔn)孔102A、102B以及102C中，覆蓋金屬層125A和 125B的至少一部分，并且作為填充和限制稍后描述的模制部160的壩狀物(dam)。[0054]圖3是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件100B的俯視圖。[0055]圖4A和圖4B是沿圖3示出的IV-1V'線的發(fā)光器件封裝件100B的實(shí)施方案的截 面圖。[0056]圖5是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件100C的截面圖。[0057]圖1、圖2A至圖2C以及圖5示出的發(fā)光器件封裝件100A和100C的阻擋層140A 和140C可以只覆蓋金屬層125A和125B的一部分。S卩，圖1、圖2A至圖2C示出的發(fā)光器件 封裝件100A的阻擋層140A經(jīng)由阻焊層126只覆蓋金屬層125A和125B的一部分。如圖1 和圖2A至圖2C所示，阻擋層140A可以設(shè)置在阻焊層126的上部并且可以不設(shè)置在連接部 Tll的上部中。[0058]可替代地，如圖5所示，在發(fā)光器件封裝件100C中的阻擋層140C可以被設(shè)置為從 阻焊層126延伸至連接部Tl I。[0059]可替代地，如圖3、圖4A和圖4B所示，發(fā)光器件封裝件100B的阻擋層140B可以覆 蓋金屬層125A和125B以使得不露出金屬層125A和125B的連接部Tll。[0060]在下文中，圖1至圖5示出的發(fā)光器件封裝件100A、100B以及100C中的相同的部 件由相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示，并且不重復(fù)說(shuō)明。[0061]如上所述，在圖1、圖2A至圖2C以及圖5示出的發(fā)光器件封裝件100A和100C中， 由于金屬層125A和125B的上表面部分地露出，沒(méi)有被阻擋層140A和140C覆蓋，所以從發(fā) 光二極管芯片170發(fā)出的光被金屬層125A和125B的露出的上表面散射，因而可能使光速 降低。然而，不同于圖1、圖2A至圖2C以及圖5示出的發(fā)光器件封裝件100A和100C，由于 圖3、圖4A和圖4B示出的發(fā)光器件封裝件100B中的金屬層125A和125B的上表面被阻擋層140B完全覆蓋而不被露出，所以從發(fā)光二極管芯片170發(fā)出的光的散射被最小化，因而獲得優(yōu)異的光提取效率。[0062]同時(shí)，限定電路基板120A和120B中的芯片安裝區(qū)域IlOA的第一和第二內(nèi)側(cè)邊緣 152A和152B之間的寬度Wl與由阻擋層140A、140B以及140C限定的第三和第四內(nèi)側(cè)邊緣 154A和154B之間的寬度W2可以相同，如圖4A和圖4B所示，并且可以不同，如圖2A至圖 2C以及圖5圖所示。例如，如圖2A至圖2C或圖5所示，寬度W2可以大于寬度W1。第一和第二內(nèi)側(cè)邊緣152A和152B之間的寬度Wl對(duì)應(yīng)于芯片安裝區(qū)域IlOA的寬度。[0063]阻擋層140A和140B可以具有環(huán)形形狀，如圖1和圖3所示，但是本實(shí)施方案不限于此。另外，圖1至圖5示出的阻擋層140A、140B以及140C可以包括聚硅氧烷樹(shù)脂或白色環(huán)氧樹(shù)脂，但是本實(shí)施方案不限于此。[0064]同時(shí)，參照?qǐng)D2A至圖2C，發(fā)光器件封裝件100A還可以包括第二絕緣層190。第二絕緣層190設(shè)置在發(fā)光二極管芯片170與反射基板110的芯片安裝區(qū)域IlOA之間以將發(fā)光二極管芯片170與反射基板110隔離。當(dāng)設(shè)置第二絕緣層190時(shí)，發(fā)光二極管芯片170 的散熱性可能被劣化。為此，第二絕緣層190包括散熱材料以確保散熱性能?？商娲?，如圖4A、圖4B以及圖5所示，可以在發(fā)光器件封裝件100B和100C中省略第二絕緣層190。[0065] 在這種情況下，第二絕緣層190也可以用作上述抗腐蝕層(未示出)以防止對(duì)反射基板110的腐蝕。[0066]第二絕緣層190可以包括與第一絕緣層122的材料相同或不同的材料。例如，第二絕緣層190可以包括具有高熱導(dǎo)率的環(huán)氧樹(shù)脂或聚酰胺樹(shù)脂、或氧化物或氮化物。[0067]圖1至圖5示出的至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片170設(shè)置在反射基板110的芯片安裝區(qū)域IlOA上，并且分別通過(guò)導(dǎo)線150A和150B連接至電路基板120A和120B的金屬層125A 和125B的連接部T11。如圖1至圖5所示，可以設(shè)置多個(gè)發(fā)光二極管芯片170，但是本實(shí)施方案不限于此。即，可以只設(shè)置一個(gè)發(fā)光二極管芯片170。[0068]當(dāng)發(fā)光二極管芯片170包括兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光二極管芯片170時(shí)，發(fā)光二極管芯片170中的一些可以通過(guò)并聯(lián)和串聯(lián)方法中的至少一種而彼此連接，其余的發(fā)光二極管芯片170可以通過(guò)引線接合連接至金屬層125A和125B。[0069]根據(jù)電極位置，上述發(fā)光二極管芯片170可以分為水平型或垂直型發(fā)光二極管芯片。發(fā)光二極管芯片170的發(fā)光二極管可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu),該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括:順序?qū)盈B的η 型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層；以及分別將電子和空穴提供給η型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層的η型電極和P型電極。η型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層可以由半導(dǎo)體化合物形成，例如包括具有式InxAlyGanyN(O≤χ≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半導(dǎo)體材料。[0070]關(guān)于圖1和圖3示出的發(fā)光器件封裝件100A和100B，12個(gè)發(fā)光二極管芯片170 串聯(lián)地連接在連接至第一電極層125A的第一導(dǎo)線150A與連接至第二電極層125B的第二導(dǎo)線150B之間，但可以并聯(lián)或串聯(lián)連接不同數(shù)目的發(fā)光二極管芯片，但是本實(shí)施方案不限于此。[0071]連接至金屬層125A和125B的導(dǎo)線150A和150B被完全地露出而沒(méi)有被包埋在阻擋層140A中，如圖2A至圖2C所示，或完全地包埋在阻擋層140B中，如圖4A和圖4B所示， 或部分地包埋在阻擋層140C中，如圖5所示。[0072]同時(shí)，如圖2A、圖4A以及圖5所示，對(duì)準(zhǔn)孔102A和102D可以穿過(guò)電路基板120A和120B而露出反射基板110。例如，對(duì)準(zhǔn)孔102A可以與連接部Tll間隔開(kāi)，如圖2A所示， 或者對(duì)準(zhǔn)孔102D可以設(shè)置在連接部Tll中，如圖4A所示?？商娲?，如圖5所示，第一和 第二對(duì)準(zhǔn)孔102A和102D可以以多個(gè)的形式設(shè)置在第一和第二電路基板120A和120B中的 每個(gè)中。S卩，如圖5所示，第一對(duì)準(zhǔn)孔102D設(shè)置在連接部Tll中，第二對(duì)準(zhǔn)孔102A與連接 部Tll間隔開(kāi)。[0073]可替代地，如圖2B所示，對(duì)準(zhǔn)孔102B可以穿過(guò)阻焊層126并且只露出金屬層125A 和125B。金屬層125A和125B的反射率可以與反射基板110的反射率相同或不同。另外， 如圖2B所示，未示出只露出金屬層125A和125B的對(duì)準(zhǔn)孔102B，但該對(duì)準(zhǔn)孔102B還設(shè)置在 連接部Tll中或只設(shè)置在連接部Tll中。[0074]可替代地，如圖2C和圖4B所示，對(duì)準(zhǔn)孔102C和102E可以穿過(guò)電路基板120A和 120B的金屬層125A和125B、布線層124以及第二粘合層123并且露出第一絕緣層122。露 出第一絕緣層122的對(duì)準(zhǔn)孔102C和102E與連接部Tll間隔開(kāi)，如圖2C所示，或者設(shè)置在連 接部Tll中，如圖4B所示，或者它們中的一個(gè)設(shè)置在連接部Tll中，而另一個(gè)與連接部Tll 間隔開(kāi)(但是未示出)。[0075]關(guān)于圖2A至圖2C、圖4A和圖4B以及圖5中示出的發(fā)光器件封裝件的橫截面形 狀，對(duì)準(zhǔn)孔102A至102E的各種形狀中的至少一個(gè)可以被設(shè)置在連接部Tll中提供的位置 和與連接部Tll間隔開(kāi)的位置中的至少一個(gè)位置中。然而，具有各種形狀的對(duì)準(zhǔn)孔102A至 102C中的至少一個(gè)可以設(shè)置在連接部Tll中提供的位置和與連接部Tll間隔開(kāi)的位置中的 至少一個(gè)位置中。[0076]常規(guī)地，基于如圖2A至圖2C所示露出的連接部Tll而不是基于對(duì)準(zhǔn)孔102A至 102E來(lái)識(shí)別相機(jī)圖像的亮與暗，基于識(shí)別結(jié)果來(lái)布置安裝發(fā)光二極管芯片170的位置以及 導(dǎo)線150A和150B接合的位置。在這種情況下，由于反射基板110的鏡面反射率過(guò)高，不能 清楚地區(qū)分露出的連接部Tll和阻焊層126的亮與暗，所以不能進(jìn)行預(yù)期的布置。[0077]然而，在本實(shí)施方案中，如上所述，在電路基板120A和120B中設(shè)置一個(gè)或更多個(gè) 對(duì)準(zhǔn)孔102A至102E。因此，雖然在管芯接合或引線接合期間反射基板110的鏡面反射率 較高，但是可以基于對(duì)準(zhǔn)孔102A至102E來(lái)識(shí)別相機(jī)圖像的亮與暗并且使用識(shí)別結(jié)果來(lái)進(jìn) 行亮與暗之間的清楚識(shí)別。例如，如圖2A、圖2B、圖4A以及圖5所示，當(dāng)設(shè)置對(duì)準(zhǔn)孔102A、 102B以及102D時(shí)，對(duì)準(zhǔn)孔102AU02B以及102D的底表面的反射率高于其相鄰部分的反射 率，因而更清楚地識(shí)別相機(jī)圖像的亮與暗?？商娲兀鐖D2C和圖4B所示，當(dāng)設(shè)置對(duì)準(zhǔn)孔 102C和102E時(shí)，對(duì)準(zhǔn)孔102C和102E的底表面的反射率低于其相鄰部分的反射率，因而更 清楚地識(shí)別相機(jī)圖像的亮與暗。因此，當(dāng)使用上述對(duì)準(zhǔn)孔102A至102E時(shí)，精確地識(shí)別或布 置安裝發(fā)光二極管芯片170的安裝區(qū)域IlOA的位置以及導(dǎo)線150A和150B接合至金屬層 125A和125B的位置。[0078]此外，如上所述，對(duì)準(zhǔn)孔102A至102E也用于引導(dǎo)被包埋的阻擋層140A、140B以及 140C的位置。[0079]此外，對(duì)準(zhǔn)孔102A至102E提高阻擋層140A、140B以及140C和反射基板110之間的氣密性。[0080]同時(shí)，發(fā)光器件封裝件100A、100B以及100C可以具有多邊形或圓形形狀。例如， 如圖1和圖3所示，發(fā)光器件封裝件100A和100B可以具有矩形平面形狀。[0081]相比于如圖1、圖2A至圖2C以及圖5所示阻擋層140A和140C部分地露出金屬層 125A和125B的上表面的情況，當(dāng)阻擋層140B完全地覆蓋金屬層125A和125B的上表面而不露出金屬層125A和125B的上表面時(shí)，如圖3、圖4A以及4B所示，可以進(jìn)一步增加芯片安裝區(qū)域IlOA的寬度W1。這樣，當(dāng)芯片安裝區(qū)域IlOA的寬度Wl增加時(shí)，更多個(gè)發(fā)光二極管芯片170安裝在具有恒定尺寸的發(fā)光器件封裝件中的芯片安裝區(qū)域IlOA上，從而提高了發(fā)光效能。[0082]例如，當(dāng)發(fā)光器件封裝件100A和100B具有矩形平面形狀時(shí)，如圖1和圖3所示，可以通過(guò)第一方向X的長(zhǎng)度LI和第二方向y的長(zhǎng)度L2來(lái)確定發(fā)光器件封裝件100A和100B 的平面尺寸。[0083]在這種情況下，通過(guò)長(zhǎng)度LI和L2中較短的長(zhǎng)度、金屬層125A和125B中連接部的寬度Tl 1、阻擋層140A和140B的寬度T12以及從阻擋層140A和140B的外周到發(fā)光器件封裝件100A和100B的側(cè)端101的距離T13中的至少一個(gè)，來(lái)確定圖1和圖3示出的芯片安裝區(qū)域IlOA的面積。即，通過(guò)從發(fā)光器件封裝件100A和100B的側(cè)端101到芯片安裝區(qū)域 IlOA的距離Tl來(lái)確定其中設(shè)置發(fā)光二極管芯片170的芯片安裝區(qū)域IlOA的面積。[0084]為了更好地理解，假設(shè)芯片安裝區(qū)域IlOA的平面具有圓環(huán)形形狀(circular shape)，并且LI是LI和L2中較短的，則圖1和圖3所示的發(fā)光器件封裝件100A和100B 中的芯片安裝區(qū)域IlOA的面積(LEDA)可以通過(guò)下面的等式I來(lái)確定。[0085]等式I
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光器件封裝件，包括: 包括芯片安裝區(qū)域的反射基板； 設(shè)置在所述反射基板上的電路基板，所述電路基板包括限定所述芯片安裝區(qū)域的內(nèi)側(cè)邊緣和設(shè)置在與所述內(nèi)側(cè)邊緣間隔開(kāi)的位置處的至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔；和 設(shè)置在所述芯片安裝區(qū)域中的至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片，所述至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片通過(guò)導(dǎo)線連接至所述電路基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述電路基板包括彼此面對(duì)的第一電路基板和第二電路基板，所述芯片安裝區(qū)域介于所述第一電路基板與所述第二電路基板之間， 所述第一電路基板具有限定所述芯片安裝區(qū)域的一部分的第一內(nèi)側(cè)邊緣， 所述第二電路基板具有限定所述芯片安裝區(qū)域的另一部分的第二內(nèi)側(cè)邊緣，以及 所述第一電路基板和所述第二電路基板中的每一個(gè)均具有所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述電路基板包括: 布線層； 設(shè)置在所述布線層與所述反射基板之間的第一絕緣層；以及 設(shè)置在所述布線層上的具有連接部的金屬層，所述連接部將連接至所述發(fā)光二極管芯片的所述導(dǎo)線電連接至所述布線層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，還包括設(shè)置在所述發(fā)光二極管芯片與所述反射基板之間的第二絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述電路基板還包括設(shè)置在所述金屬層上的阻焊層，使得所述阻焊層不與所述連接部交疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔穿過(guò)所述阻焊層并露出所述金屬層，或者穿過(guò)所述電路基板并露出所述反射基板，或者穿過(guò)所述金屬層和所述布線層并露出所述第一絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔設(shè)置在所述連接部中，或者設(shè)置在與所述連接部間隔開(kāi)的位置處。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔包括: 設(shè)置在所述連接部中的第一對(duì)準(zhǔn)孔；和 設(shè)置在與所述連接部間隔開(kāi)的位置處的第二對(duì)準(zhǔn)孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件封裝件，還包括設(shè)置在所述電路基板上的阻擋層，使得所述阻擋層包埋所述至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述阻擋層設(shè)置在所述連接部上或者從所述阻焊層延伸至所述連接部。
【文檔編號(hào)】H01L25/075GK103531584SQ201310216888
【公開(kāi)日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年6月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月6日
【發(fā)明者】趙賢碩 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司