通過厚底部絕緣物中的感應(yīng)凈電荷區(qū)的性能優(yōu)良的mosfet的制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體功率器件包括一個(gè)厚底部絕緣物，形成在半導(dǎo)體外延區(qū)的溝槽底部。一個(gè)導(dǎo)電柵極電極形成在底部絕緣物上方的溝槽中。柵極電極通過底部絕緣物和柵極絕緣物，與外延區(qū)電絕緣。在底部絕緣物和外延半導(dǎo)體區(qū)之間的交界面附近，專門將電荷引入到厚底部絕緣物中。
【專利說明】通過厚底部絕緣物中的感應(yīng)凈電荷區(qū)的性能優(yōu)良的
MOSFET
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體功率場效應(yīng)晶體管器件，尤其是具有優(yōu)良的漏源導(dǎo)通電阻的厚底部氧化物(TBO) MOSFET器件。
【背景技術(shù)】
[0002]基于各種原因，配置和制備高壓半導(dǎo)體功率器件的傳統(tǒng)技術(shù)在進(jìn)一步提高器件性能方面，仍然遇到許多困難和局限。在垂直半導(dǎo)體功率器件中，在漏源電阻(即導(dǎo)通電阻，通常用RdsA (即RdsX單位面積)作為性能屬性)和功率器件可承受的擊穿電壓之間存在一個(gè)取舍。為了降低RdsA，外延層要具有較高的摻雜濃度。然而重?fù)诫s的外延層也會降低半導(dǎo)體功率器件可以承受的擊穿電壓。
[0003]為了解決上述性能取舍所帶來的困難與局限，已經(jīng)研發(fā)了多種器件結(jié)構(gòu)。圖1A表示P-通道溝槽金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 100類型的傳統(tǒng)的功率晶體管。MOSFET 100形成在P-型半導(dǎo)體襯底101中，作為MOSFET 100的漏極。P-型外延區(qū)102 (也稱為漂流區(qū))形成在襯底101的上部。N-型本體區(qū)106形成在漂流區(qū)102上面或之內(nèi)，構(gòu)成MOSFET 100的本體。溝槽107形成在本體區(qū)106中和漂流/外延區(qū)102中。絕緣柵結(jié)構(gòu)形成在溝槽107中，底部在漂流區(qū)中，相對的側(cè)壁在漂流區(qū)附近延伸，用于調(diào)制通道和漂流區(qū)的導(dǎo)電性，響應(yīng)開啟柵極偏壓的應(yīng)用。絕緣柵結(jié)構(gòu)含有一個(gè)導(dǎo)電柵極電極104，在溝槽107和電介質(zhì)材料109中，也稱為柵極氧化物(Gox)，內(nèi)襯通道和漂流區(qū)附近的溝槽側(cè)壁。柵極電極104與周圍區(qū)域絕緣，P+源極區(qū)108形成在本體區(qū)106的頂層中。然而，為了獲得高擊穿電壓，漂流區(qū)摻雜濃度必須足夠低，這會使得η-型本體層106和P-型襯底102之間的ρ-η結(jié)處的電阻很高，從而使形成的器件RdsA很高。
[0004]為了降低RdsA，并且提高擊穿電壓VBD，屏蔽柵溝槽(SGT)MOSFET因其具有許多優(yōu)良的性能，所以在一些應(yīng)用中，比傳統(tǒng)的溝槽MOSFET更加受歡迎。圖1B表示P-通道SGTMOSFET 150的剖面，該MOSFET 150含有p-型襯底101 (例如硅)，作為漏極，p_型外延或漂流區(qū)102以及η-型本體區(qū)106，它們與圖1A中相應(yīng)的特征具有類似的結(jié)構(gòu)。溝槽157形成在本體區(qū)106和漂流/外延區(qū)102中，并且延伸到外延區(qū)102底部。屏蔽電極152通常由多晶硅(也稱為多晶硅I)構(gòu)成，屏蔽電極152沉積在溝槽157中，通過電介質(zhì)材料160 (也稱為襯里氧化物(襯里OX))與周圍區(qū)域絕緣。柵極電極154 (由多晶硅制成時(shí)，通常稱為多晶硅2)沉積在溝槽157中，屏蔽電極152的上方。通過薄電介質(zhì)材料159 (也稱為柵極氧化物(Gox))，柵極電極154與周圍區(qū)域絕緣。P+源極區(qū)108形成在本體區(qū)106頂部。當(dāng)柵極電極154上加載正向電壓時(shí)，MOSFET器件150導(dǎo)通，導(dǎo)電通道沿溝槽157的側(cè)壁，垂直形成在源極108和漂流/外延區(qū)102之間的本體區(qū)106中。
[0005]屏蔽柵極溝槽MOSFET具有低導(dǎo)通電阻RdsA，高晶體管擊穿電壓。對于傳統(tǒng)的溝槽M0SFET，在一個(gè)通道中放置多個(gè)溝槽，不僅降低了導(dǎo)通電阻，也提高了整體的柵漏電容。引入屏蔽柵溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，使柵極和漂流區(qū)(漏極)中的導(dǎo)電區(qū)絕緣，修正了該問題。屏蔽柵溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)還使得漂流區(qū)中的摻雜濃度較高，有利于器件的擊穿電壓，從而在BV和RdsA之間做出了較好的取舍。
[0006]雖然SGT具有一定優(yōu)勢，但是SGT MOSFET器件的制備過程需要用到雙重多晶硅工藝，比較復(fù)雜，其中回刻屏蔽電極或多晶硅I的過程很難控制。此外，結(jié)合多晶硅I也需要用到一個(gè)額外的掩膜。而且SGT MOSFET結(jié)構(gòu)在屏蔽電極和柵極電極之間形成電絕緣方面還面臨著許多挑戰(zhàn)。
[0007]正是在這一前提下，提出了本發(fā)明所述的實(shí)施例。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明改良了一種作為厚底部氧化物(TBO)結(jié)構(gòu)的MOSFET結(jié)構(gòu)，不僅具有屏蔽柵晶體管(SGT)的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)還避免了制備這種器件時(shí)的各種困難。
[0009]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種半導(dǎo)體功率器件，包括:一個(gè)具有第一導(dǎo)電類型摻雜物的半導(dǎo)體襯底；
一個(gè)形成在襯底上用第一導(dǎo)電類型摻雜物摻雜的外延半導(dǎo)體區(qū)，外延半導(dǎo)體區(qū)的摻雜濃度低于襯底的摻雜濃度；
一個(gè)形成在外延半導(dǎo)體區(qū)中的溝槽；
一個(gè)形成在溝槽附近的外延半導(dǎo)體區(qū)中的本體區(qū)，其特征在于，所述本體區(qū)摻雜第二導(dǎo)電類型的摻雜物，第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相反；
一個(gè)第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)，其形成在溝槽附近，使本體區(qū)位于源極區(qū)和外延區(qū)之間，其中所述源極區(qū)的摻雜濃度高于外延半導(dǎo)體區(qū)的摻雜濃度；
一個(gè)形成在溝槽底部的厚底部絕緣物；
一個(gè)導(dǎo)電柵極電極，其形成在厚底部絕緣物上方的溝槽中，其中柵極電極通過厚底部絕緣物，與溝槽底部絕緣，并且通過柵極絕緣物，與溝槽側(cè)壁絕緣；以及
一個(gè)第一導(dǎo)電類型的感應(yīng)凈電荷區(qū)域，其在厚底部絕緣物和外延半導(dǎo)體區(qū)之間的交界面附近的厚底部絕緣物中。
[0010]所述外延半導(dǎo)體區(qū)的摻雜濃度是傳統(tǒng)的(非屏蔽的)MOSFET器件中外延半導(dǎo)體區(qū)摻雜濃度的2至3倍。
[0011]所述的第一導(dǎo)電類型為P-型。
[0012]所述的感應(yīng)凈電荷區(qū)域是由外延區(qū)的電子照射產(chǎn)生的。
[0013]所述的感應(yīng)凈電荷在厚底部絕緣物和外延半導(dǎo)體區(qū)之間的交界面處聚集濃度最大。
[0014]所述的柵極電極和溝槽底部之間的厚底部絕緣物的厚度約為2微米至5微米。
[0015]所述的感應(yīng)凈電荷區(qū)聚集在柵極電極和溝槽底部之間的外延半導(dǎo)體區(qū)中，溝槽底部在厚底部絕緣物和外延半導(dǎo)體區(qū)之間的交界面附近。
[0016]所述的厚底部絕緣物含有氧化物。
[0017]所述的柵極絕緣物含有氧化物。
[0018]一種用于制備半導(dǎo)體功率器件的方法，包括:
在襯底上制備一個(gè)外延半導(dǎo)體區(qū)，并用第一導(dǎo)電類型的摻雜物摻雜，
外延半導(dǎo)體區(qū)中第一類型摻雜物的摻雜濃度低于襯底； 在外延半導(dǎo)體區(qū)中制備一個(gè)溝槽；
在溝槽附近的外延半導(dǎo)體區(qū)中，制備一個(gè)本體區(qū)，
其特點(diǎn)是，所述的本體區(qū)摻雜第二導(dǎo)電類型的摻雜物，第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相反；
在溝槽附近，制備第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)，使本體區(qū)位于源極區(qū)和外延區(qū)之間，其中所述源極區(qū)的摻雜濃度大于外延半導(dǎo)體區(qū)的摻雜濃度；
在溝槽的底部制備厚底部絕緣物；
在厚底部絕緣物上方的溝槽中，制備一個(gè)導(dǎo)電柵極電極，其中所述的柵極電極通過厚底部絕緣物，與溝槽底部電絕緣，通過柵極絕緣物，與溝槽側(cè)壁電絕緣；并且
在厚底部絕緣物和外延半導(dǎo)體區(qū)之間的交界面附近，在厚底部絕緣物中，專門引入一個(gè)第一導(dǎo)電類型的凈電荷區(qū)域。
[0019]所述外延半導(dǎo)體區(qū)的摻雜濃度是傳統(tǒng)的(非屏蔽的)MOSFET器件中外延半導(dǎo)體區(qū)的摻雜濃度的2至3倍。
[0020]所述的第一導(dǎo)電類型為P-型。
[0021]專門引入的所述凈電荷區(qū)域包括，通過在外延半導(dǎo)體區(qū)中引入缺陷的方式，進(jìn)行外延區(qū)的電子照射。
[0022]還包括外延半導(dǎo)體區(qū)退火，以便部分恢復(fù)外延區(qū)中的電子照射感應(yīng)缺陷，但在厚底部絕緣物和外延層中的氧化物的交界面處沒有完全恢復(fù)，因此照射感應(yīng)正電荷仍然留在交界面處，將電荷吸引到交界處。
[0023]退火是在250°C至450°C之間進(jìn)行。
[0024]退火是在300°C至400°C之間進(jìn)行。
[0025]電子照射引起的缺陷主要聚集在厚底部絕緣物和外延半導(dǎo)體區(qū)之間的交界面。
[0026]電子照射引起的缺陷聚集在柵極電極和溝槽底部之間的外延半導(dǎo)體區(qū)中。
[0027]所述的柵極電極和溝槽底部之間的厚底部絕緣物的厚度約為2微米至5微米。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1A表示一種傳統(tǒng)的溝槽MOSFET的剖面示意圖。
[0029]圖1B表示一種傳統(tǒng)的屏蔽柵溝槽(SGT) MOSFET的剖面示意圖。
[0030]圖2A表示一種傳統(tǒng)的厚底部氧化物(TBO) MOSFET的剖面示意圖。
[0031]圖2B表示依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例，一種將電子輻射用于電荷平衡的厚底部氧化物(TBO) MOSFET的剖面示意圖。
[0032]圖3A-3C分別表示本發(fā)明所述的傳統(tǒng)的溝槽M0SFET、傳統(tǒng)的SGT MOSFET以及TBOMOSFET的擊穿電壓曲線。
【具體實(shí)施方式】
[0033]以下詳細(xì)說明并參照附圖，用于解釋說明本發(fā)明的典型實(shí)施例。在這種情況下，參照圖中所示的方向，使用方向術(shù)語，例如“頂部”、“底部”、“正面”、“背面”、“前面”、“后面”等。由于本發(fā)明的實(shí)施例可以置于不同的方向上，因此所述的方向術(shù)語用于解釋說明，并不作為局限。應(yīng)明確為也可以使用其他實(shí)施例，結(jié)構(gòu)或邏輯上的調(diào)整不能偏離本發(fā)明的范圍。因此，以下詳細(xì)說明并不作為局限，本發(fā)明的范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求書限定。
[0034]引言
在本發(fā)明的實(shí)施例中，改良了一種作為厚底部氧化物(TBO)結(jié)構(gòu)的MOSFET結(jié)構(gòu)，不僅具有屏蔽柵晶體管(SGT)的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)還避免了制備這種器件時(shí)的各種困難。
[0035]圖2A表示一種傳統(tǒng)的P-通道厚底部氧化物(TBO)溝槽MOSFET 200的剖面圖，該MOSFET 200在溝槽柵極中具有厚底部氧化物，改善了電場形狀，比如圖1A所示的傳統(tǒng)溝槽MOSFET具有更高的擊穿電壓。TBO溝槽MOSFET 200的結(jié)構(gòu)與溝槽MOSFET 100的結(jié)構(gòu)相類似，溝槽MOSFET 100含有一個(gè)P-型半導(dǎo)體襯底101，作為MOSFET 200的漏極，p-型外延/漂流區(qū)102形成在襯底101上，η-型本體區(qū)106形成在漂流區(qū)102中，P+源極區(qū)108形成在本體區(qū)106的頂部。
[0036]溝槽207形成在本體區(qū)106中，延伸到漂流/外延區(qū)102的底部。溝槽207的底部在漂流區(qū)中，相對的側(cè)壁在漂流區(qū)周圍延伸。絕緣柵結(jié)構(gòu)形成在溝槽207中。柵極結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電柵極204和厚絕緣材料區(qū)206 (例如厚底部氧化物)，在溝槽的底部，薄電介質(zhì)材料層209 (例如柵極氧化物Gox)，襯里通道和漂流區(qū)周圍的溝槽側(cè)壁。
[0037]通過薄電介質(zhì)材料209，柵極電極204與外延半導(dǎo)體區(qū)102的周圍部分絕緣。與傳統(tǒng)的MOSFET 100不同，柵極電極204下方的電介質(zhì)材料206 (有時(shí)稱為底部氧化物)較厚，例如約為0.05微米至1.0微米。與之相反，柵極氧化物厚度約為100-1000 L溝槽柵極中相對很厚的底部氧化物206減弱了柵漏耦合，從而減少了柵漏電荷Qgd。
實(shí)施例
[0038]依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在TBO MOSFET中的漂流/外延區(qū)102可以摻雜很高的摻雜濃度，以降低RdsA，同時(shí)通過RESURF (弱表面場)效應(yīng)保持很高的擊穿電壓。根據(jù)器件的耐壓級別，一般來說，其摻雜濃度大約是傳統(tǒng)(非屏蔽的)MOSFET的摻雜濃度的二至五倍。
[0039]SGT中的屏蔽電極，如圖1B所示，是通過復(fù)雜的雙重多晶硅工藝配置RESURF效應(yīng)的傳統(tǒng)方式。在本發(fā)明的實(shí)施例中，與之相反，新型工藝表示利用較簡便的單個(gè)多晶硅工藝，實(shí)現(xiàn)相同的RESURF效應(yīng)。通過如圖2B所示的這種技術(shù)，可以制備器件結(jié)構(gòu)250的一個(gè)示例。與傳統(tǒng)的TBO溝槽MOSFET 200不同，柵極電極204下方的電介質(zhì)材料206較厚，約為2微米至5微米。利用電子照射以及器件高溫退火，在電介質(zhì)-半導(dǎo)體交界面210(例如氧化物-硅交界面)附近的電介質(zhì)材料206中，感應(yīng)凈正電荷205的區(qū)域。該工藝可以用于晶圓制備，在所有其他工藝完成之后，或在晶圓制備中的背面研磨及金屬化之前。電子照射會在半導(dǎo)體-電介質(zhì)交界面產(chǎn)生空穴-電子對。電子從電介質(zhì)材料溢出，在電介質(zhì)-半導(dǎo)體交界面處留下空穴。選取電子照射的能量和劑量，在交界面210處產(chǎn)生合適的空穴(即正電荷)密度。作為示例，電子能量的范圍約為I兆電子伏至30兆電子伏左右，較適宜的范圍是在3兆電子伏至10兆電子伏之間。電子劑量取決于電介質(zhì)206的厚度，以及區(qū)域207的半導(dǎo)體摻雜濃度。一般來說，半導(dǎo)體(例如外延硅)的摻雜越重，所需的電子劑量越高?？倓┝康钠毡榉秶贗Mrad至IOMrad之間。
[0040]電子照射在交界面處產(chǎn)生的正電荷，耗盡了溝槽207附近的那部分外延區(qū)102中的摻雜，使重?fù)诫s外延區(qū)102承受了較高的擊穿電壓，同時(shí)保持很低的RdsA。[0041]要注意的是，電子照射通常用在半導(dǎo)體處理中，以抑制載流子壽命。然而，目前已知的電子照射已經(jīng)不用于以實(shí)現(xiàn)RESURF效應(yīng)的那種方式，在TBO MOSFET的半導(dǎo)體電介質(zhì)交界面處專門產(chǎn)生感應(yīng)電荷。
[0042]制備圖2B所示類型的P-型TBO溝槽MOSFET的工藝，除了增加如上所述的電子照射過程用于電荷平衡和閾值電壓調(diào)節(jié)之外，其他都與傳統(tǒng)的TBO溝槽MOSFET的制備工藝類似。電子照射之后，切割或封裝之前，在250°C至450°C (最好是在300°C至400°C)之間，對晶圓退火，以恢復(fù)外延區(qū)102中的電子照射感應(yīng)缺陷，但在TBO和外延層中的氧化物的交界面210處沒有完全恢復(fù)，因此照射感應(yīng)正電荷仍然留在交界面處。因此，可以實(shí)現(xiàn)器件RESURF效應(yīng)，同時(shí)避免引起器件性能失真(例如很高的IDSS泄露等)的缺陷。
[0043]模擬
將類似圖1A所示的60V傳統(tǒng)的溝槽MOSFET器件結(jié)構(gòu)，類似圖1B所示的60V SGTMOSFET,以及60V TBO溝槽M0SFET，與類似圖2A-2B的交界面處的電子照射感應(yīng)電荷作比較，進(jìn)行模擬。表1表不每種器件的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
[0044]表1
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體功率器件，包括:一個(gè)具有第一導(dǎo)電類型摻雜物的半導(dǎo)體襯底； 一個(gè)形成在襯底上用第一導(dǎo)電類型摻雜物摻雜的外延半導(dǎo)體區(qū)，外延半導(dǎo)體區(qū)的摻雜濃度低于襯底的摻雜濃度； 一個(gè)形成在外延半導(dǎo)體區(qū)中的溝槽； 一個(gè)形成在溝槽附近的外延半導(dǎo)體區(qū)中的本體區(qū)，其特征在于，所述本體區(qū)摻雜第二導(dǎo)電類型的摻雜物，第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相反； 一個(gè)第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)，其形成在溝槽附近，使本體區(qū)位于源極區(qū)和外延區(qū)之間，其中所述源極區(qū)的摻雜濃度高于外延半導(dǎo)體區(qū)的摻雜濃度； 一個(gè)形成在溝槽底部的厚底部絕緣物； 一個(gè)導(dǎo)電柵極電極，其形成在厚底部絕緣物上方的溝槽中，其中柵極電極通過厚底部絕緣物，與溝槽底部絕緣，并且通過柵極絕緣物，與溝槽側(cè)壁絕緣；以及 一個(gè)第一導(dǎo)電類型的感應(yīng)凈電荷區(qū)域，其在厚底部絕緣物和外延半導(dǎo)體區(qū)之間的交界面附近的厚底部絕緣物中。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述外延半導(dǎo)體區(qū)的摻雜濃度是傳統(tǒng)的(非屏蔽的)MOSFET器件中外延半導(dǎo)體區(qū)摻雜濃度的2至3倍。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述的第一導(dǎo)電類型為P-型。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述的感應(yīng)凈電荷區(qū)域是由外延區(qū)的電子照射產(chǎn)生的。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述的感應(yīng)凈電荷在厚底部絕緣物和外延半導(dǎo)體區(qū)之間的交界面處聚集濃度最大。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述的柵極電極和溝槽底部之間的厚底部絕緣物的厚度約為2微米至5微米。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述的感應(yīng)凈電荷區(qū)聚集在柵極電極和溝槽底部之間的外延半導(dǎo)體區(qū)中，溝槽底部在厚底部絕緣物和外延半導(dǎo)體區(qū)之間的交界面附近。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述的厚底部絕緣物含有氧化物。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述的柵極絕緣物含有氧化物。
10.一種用于制備半導(dǎo)體功率器件的方法，包括: 在襯底上制備一個(gè)外延半導(dǎo)體區(qū)，并用第一導(dǎo)電類型的摻雜物摻雜， 外延半導(dǎo)體區(qū)中第一類型摻雜物的摻雜濃度低于襯底； 在外延半導(dǎo)體區(qū)中制備一個(gè)溝槽； 在溝槽附近的外延半導(dǎo)體區(qū)中，制備一個(gè)本體區(qū)， 其特征在于，所述的本體區(qū)摻雜第二導(dǎo)電類型的摻雜物，第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相反； 在溝槽附近，制備第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)，使本體區(qū)位于源極區(qū)和外延區(qū)之間，其中所述源極區(qū)的摻雜濃度大于外延半導(dǎo)體區(qū)的摻雜濃度； 在溝槽的底部制備厚底部絕緣物； 在厚底部絕緣物上方的溝槽中，制備一個(gè)導(dǎo)電柵極電極，其中所述的柵極電極通過厚底部絕緣物，與溝槽底部電絕緣，通過柵極絕緣物，與溝槽側(cè)壁電絕緣；并且 在厚底部絕緣物和外延半導(dǎo)體區(qū)之間的交界面附近，在厚底部絕緣物中，專門引入一個(gè)第一導(dǎo)電類型的凈電荷區(qū)域。
11.如權(quán)利要求10所述的用于制備半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，所述外延半導(dǎo)體區(qū)的摻雜濃度是傳統(tǒng)的(非屏蔽的)MOSFET器件中外延半導(dǎo)體區(qū)的摻雜濃度的2至3倍。
12.如權(quán)利要求10所述的用于制備半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，所述的第一導(dǎo)電類型為P-型。
13.如權(quán)利要求12所述的用于制備半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，專門引入的所述凈電荷區(qū)域包括，通過在外延半導(dǎo)體區(qū)中引入缺陷的方式，進(jìn)行外延區(qū)的電子照射。
14.如權(quán)利要求13所述的用于制備半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，還包括外延半導(dǎo)體區(qū)退火，以便部分恢復(fù)外延區(qū)中的電子照射感應(yīng)缺陷，但在厚底部絕緣物和外延層中的氧化物的交界面處沒有完全恢復(fù)，因此照射感應(yīng)正電荷仍然留在交界面處，將電荷吸引到交界處。
15.如權(quán)利要求14所述的用于制備半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，退火是在250°C至450°C之間進(jìn)行。
16.如權(quán)利要求15所述的用于制備半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，退火是在300°C至400°C之間進(jìn)行。
17.如權(quán)利要求13所述的用于制備半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，電子照射引起的缺陷主要聚集在厚底部絕緣物和外延半導(dǎo)體區(qū)之間的交界面。
18.如權(quán)利要求13所述的用于制備半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，電子照射引起的缺陷聚集在柵極電極和溝槽底部之間的外延半導(dǎo)體區(qū)中。
19.如權(quán)利要求10所述的用于制備半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，所述的柵極電極和溝槽底部之間的厚底部絕緣物的厚度約為2微米至5微米。
【文檔編號】H01L29/78GK103474463SQ201310221807
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月6日
【發(fā)明者】王曉彬, 安荷.叭剌, 伍時(shí)謙 申請人:萬國半導(dǎo)體股份有限公司