封裝片、發(fā)光二極管裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及封裝片、發(fā)光二極管裝置及其制造方法，所述封裝片具備封裝樹脂層和形成在所述封裝樹脂層的厚度方向一側(cè)的阻隔薄膜層。
【專利說明】封裝片、發(fā)光二極管裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及封裝片、發(fā)光二極管裝置及其制造方法，詳細(xì)而言，涉及用于光學(xué)用途的發(fā)光二極管裝置、其制造方法、以及它們所使用的封裝片。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，作為能夠發(fā)出高能光的發(fā)光裝置，已知有白色發(fā)光裝置。
[0003]白色發(fā)光裝置例如通過如下過程發(fā)出白色光:從光半導(dǎo)體發(fā)出藍(lán)色光，通過含有熒光體的熒光體層將該發(fā)光的一部分轉(zhuǎn)換成黃色光，將這些藍(lán)色光和黃色光混合，由此發(fā)出白色光。
[0004]近年來，在這種白色發(fā)光裝置中，為了提高自光半導(dǎo)體的光提取效率、降低色調(diào)的角度依賴性，研究了將光半導(dǎo)體與熒光體層分離的結(jié)構(gòu)。
[0005]作為這種白色發(fā)光裝置，例如提出了如下的半導(dǎo)體發(fā)光裝置:其具備LED、將LED容納在內(nèi)部空間的熒光罩和填充LED與熒光罩之間的空間的樹脂封裝體(例如參照日本特開 2001-358368 號公報)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]然而，在日本特開2001-358368號公報所記載的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，伴隨著發(fā)光的LED和熒光罩的發(fā)熱會導(dǎo)致樹脂封裝體的溫度上升，有時會發(fā)生樹脂封裝體中的殘存單體(未反應(yīng)液狀樹脂)的滲出。由此，會產(chǎn)生損害半導(dǎo)體發(fā)光裝置的外觀這樣的缺陷。
[0007]本發(fā)明的目的在于，提供能夠抑制封裝樹脂層中的滲出的封裝片、通過其封裝發(fā)光二極管元件、實現(xiàn)了美觀性的提高的發(fā)光二極管裝置及其制造方法。
[0008]本發(fā)明的封裝片特征在于，其具備封裝樹脂層、和形成在前述封裝樹脂層的厚度方向一側(cè)的阻隔薄膜層。
[0009]另外，在本發(fā)明的封裝片中，適宜的是，前述阻隔薄膜層對波長450nm的光的前述厚度方向的總光線吸收率為8%以下。
[0010]另外，在本發(fā)明的封裝片中，適宜的是，前述阻隔薄膜層的厚度低于200 μ m。
[0011]另外，在本發(fā)明的封裝片中，適宜的是，其還具備以與前述阻隔薄膜層鄰接的方式形成的突光體層。
[0012]另外，在本發(fā)明的封裝片中，適宜的是，前述阻隔薄膜層相對于前述熒光體層形成在前述厚度方向一側(cè)。
[0013]另外，本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的特征在于，其具備如下工序:通過具備封裝樹脂層、和形成在前述封裝樹脂層的厚度方向一側(cè)的阻隔薄膜層的封裝片的前述封裝樹脂層來埋設(shè)安裝于基板的發(fā)光二極管元件，由此將前述發(fā)光二極管元件封裝。
[0014]另外，本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置特征在于，其是通過具備如下工序的發(fā)光二極管裝置的制造方法得到的:通過具備封裝樹脂層、和形成在前述封裝樹脂層的厚度方向一側(cè)的阻隔薄膜層的封裝片的前述封裝樹脂層來埋設(shè)安裝于基板的發(fā)光二極管元件，由此將前述發(fā)光二極管元件封裝。
[0015]在本發(fā)明的封裝片中，阻隔薄膜層形成在封裝樹脂層的厚度方向一側(cè)。
[0016]因此，根據(jù)本發(fā)明的封裝片，在封裝有發(fā)光二極管元件的發(fā)光二極管裝置中，即使發(fā)光二極管元件和封裝樹脂層隨著發(fā)光而發(fā)熱，也可以通過阻隔薄膜層抑制封裝樹脂層中的殘存單體(未反應(yīng)液狀樹脂)在厚度方向一側(cè)析出的滲出。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光二極管裝置的美觀性的提高。
[0017]本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置通過阻隔薄膜層進(jìn)行增強，因此能夠有效地防止變形。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為表示本發(fā)明的封裝片的一個實施方式的剖面圖。
[0019]圖2為制造圖1的封裝片的方法的工序圖，
[0020]圖2的(a)表示準(zhǔn)備阻隔薄膜層的工序、
[0021]圖2的(b)表示形成熒光體層的工序、
[0022]圖2的(C)表示形成封裝樹脂層的工序。
[0023]圖3為利用圖1的封裝片將發(fā)光二極管元件封裝而制造發(fā)光二極管裝置的、本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的一個實施方式的工序圖，
[0024]圖3的(a)表不準(zhǔn)備封裝片和基板的工序、
[0025]圖3的(b)表示使用平板壓制機(jī)將發(fā)光二極管元件封裝的工序。
[0026]圖4為利用圖1的封裝片將發(fā)光二極管元件封裝而制造發(fā)光二極管裝置的、本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的其他實施方式的工序圖，
[0027]圖4的(a)表示準(zhǔn)備封裝片、基板和金屬模具的工序、
[0028]圖4的(b)表示用金屬模具將封裝片加壓成型的工序。
[0029]圖5為表示本發(fā)明的封裝片的其他實施方式(封裝片由阻隔薄膜層和封裝樹脂層形成的方式)的剖面圖。
[0030]圖6為表示本發(fā)明的封裝片的其他實施方式(阻隔薄膜層夾在熒光體層和封裝樹脂層之間的方式)的剖面圖。
[0031]圖7為利用圖6的封裝片將發(fā)光二極管元件封裝而制造發(fā)光二極管裝置的方法的工序圖，
[0032]圖7的(a)表不準(zhǔn)備封裝片和基板的工序、
[0033]圖7的(b)表示使用平板壓制機(jī)將發(fā)光二極管元件封裝的工序
[0034]圖8為利用圖6的封裝片將發(fā)光二極管元件封裝而制造發(fā)光二極管裝置的方法的工序圖，
[0035]圖8的(a)表示準(zhǔn)備封裝片、基板和金屬模具的工序、
[0036]圖8的(b)表示用金屬模具將封裝片加壓成型的工序。
【具體實施方式】
[0037]圖1為表示本發(fā)明的封裝片的一個實施方式的剖面圖。圖2為制造圖1的封裝片的方法的工序圖，圖2的(a)表示準(zhǔn)備阻隔薄膜層的工序、圖2的(b)表示形成熒光體層的工序、圖2的(c)表示形成封裝樹脂層的工序。圖3為利用圖1的封裝片將發(fā)光二極管元件封裝而制造發(fā)光二極管裝置的、本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的一個實施方式的工序圖，圖3的(a)表示準(zhǔn)備封裝片和基板的工序、圖3的(b)表示使用平板壓制機(jī)將發(fā)光二極管元件封裝的工序。
[0038]在圖1中，該封裝片I形成在面方向(垂直于厚度方向的方向)上延伸的剖面大致矩形形狀，并具備封裝樹脂層2、和形成在封裝樹脂層2上(厚度方向一側(cè))的阻隔薄膜層3。另外，封裝片I具備夾在封裝樹脂層2和阻隔薄膜層3之間的熒光體層4。
[0039]封裝樹脂層2由封裝樹脂組合物形成為大致片狀。另外，封裝樹脂層2在封裝片I中設(shè)置在最下側(cè)。
[0040]封裝樹脂組合物包含用于封裝發(fā)光二極管元件7 (后述參照圖3的(b))的公知的透明性樹脂，作為透明性樹脂，可列舉出例如有機(jī)硅樹脂、環(huán)氧樹脂、氨基甲酸酯樹脂等熱固性樹脂，例如丙烯酸類樹脂、苯乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂等熱塑性樹脂等。[0041 ] 這種透明性樹脂可以單獨使用，或者也可以組合使用。
[0042]另外，在這種透明性樹脂中，可優(yōu)選列舉出熱固性樹脂，從耐久性、耐熱性和耐光性的觀點來看，可進(jìn)一步優(yōu)選列舉出有機(jī)硅樹脂。
[0043]在這種封裝樹脂組合物中，可優(yōu)選列舉出含有有機(jī)硅樹脂的樹脂組合物(以下稱為有機(jī)娃樹脂組合物。)。
[0044]作為有機(jī)硅樹脂組合物，可列舉出例如縮合?加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹脂組合物、含雜原子改性有機(jī)硅樹脂組合物、加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹脂組合物、含無機(jī)氧化物有機(jī)娃樹脂組合物等。
[0045]在這種有機(jī)硅樹脂 組合物中，從封裝樹脂層2固化前的柔軟性和固化后的強度的觀點來看，可優(yōu)選列舉出縮合.加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹脂組合物。
[0046]縮合.加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹脂組合物是能夠發(fā)生縮合反應(yīng)(具體而言為硅醇縮合反應(yīng))和加成反應(yīng)(具體而言為氫化硅烷化反應(yīng))的有機(jī)硅樹脂組合物，更具體而言，是如下所述的有機(jī)硅樹脂組合物:其能夠通過加熱而發(fā)生縮合反應(yīng)，成為半固化狀態(tài)(B階狀態(tài))，接著，能夠通過進(jìn)一步加熱而發(fā)生加成反應(yīng)，成為固化狀態(tài)(完全固化狀態(tài)、C階狀態(tài))。
[0047]作為縮合反應(yīng)，例如可列舉出硅醇縮合反應(yīng)，作為加成反應(yīng)，例如可列舉出環(huán)氧開環(huán)反應(yīng)和氫化硅烷化反應(yīng)。
[0048]縮合.加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹脂組合物含有例如硅烷醇基兩末端聚硅氧烷、含乙烯類不飽和烴基硅化合物(以下稱為乙烯類硅化合物。)、含環(huán)氧基硅化合物和有機(jī)氫硅氧烷。
[0049]其中，硅烷醇基兩末端聚硅氧烷、乙烯類硅化合物和含環(huán)氧基硅化合物為縮合原料(供于縮合反應(yīng)的原料)，乙烯類硅化合物和有機(jī)氫硅氧烷為加成原料(供于加成反應(yīng)的原料)。
[0050]硅烷醇基兩末端聚硅氧烷為在分子的兩末端含有硅烷醇基(SiOH基)的有機(jī)娃氧烷，具體而言，用下述通式(I)來表示。
[0051]通式(I):
[0052]
【權(quán)利要求】
1.一種封裝片，其特征在于，其具備封裝樹脂層、和 形成在所述封裝樹脂層的厚度方向一側(cè)的阻隔薄膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝片，其特征在于，所述阻隔薄膜層對波長450nm的光的所述厚度方向的總光線吸收率為8%以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝片，其特征在于，所述阻隔薄膜層的厚度低于200μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝片，其特征在于，其還具備以與所述阻隔薄膜層鄰接的方式形成的熒光體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝片，其特征在于，所述阻隔薄膜層相對于所述熒光體層形成在所述厚度方向一側(cè)。
6.一種發(fā)光二極管裝置的制造方法，其特征在于，其具備如下工序:通過具備封裝樹脂層、和形成在所述封裝樹脂層的厚度方向一側(cè)的阻隔薄膜層的封裝片的所述封裝樹脂層來埋設(shè)安裝于基板的發(fā)光二極管元件，由此將所述發(fā)光二極管元件封裝。
7.一種發(fā)光二極管裝置，其特征在于，其是通過具備如下工序的發(fā)光二極管裝置的制造方法得到的:通過具備封裝樹脂層、和形成在所述封裝樹脂層的厚度方向一側(cè)的阻隔薄膜層的封裝片的所述封裝樹脂層來埋設(shè)安裝于基板的發(fā)光二極管元件，由此將所述發(fā)光二極管元件封裝。
【文檔編號】H01L33/48GK103489988SQ201310231322
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年6月9日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月11日
【發(fā)明者】河野廣希, 近藤隆, 松田廣和 申請人:日東電工株式會社