半導(dǎo)體分立器件封裝用高密度引線框架的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體分立器件封裝用高密度引線框架，其包括若干個(gè)封裝單元，每個(gè)封裝單元包括外引線、內(nèi)引線、基島連接筋和基島，內(nèi)引線的一端、基島連接筋的一端都與外引線連接，內(nèi)引線的另一端、基島連接筋的另一端都與基島連接。本發(fā)明提高引線框架、鍵合材料和塑封材料之間的結(jié)合強(qiáng)度，從而提高產(chǎn)品的使用可靠性和使用質(zhì)量。
【專利說明】半導(dǎo)體分立器件封裝用高密度弓I線框架
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種框架，特別是涉及一種半導(dǎo)體分立器件封裝用高密度引線框架?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用。在現(xiàn)有集成電路引線框架封裝技術(shù)中，由于引線框架、鍵合材料、電鍍層、塑封材料分別由不同的材料制作，各材料的熱膨脹系數(shù)也不相同，在實(shí)際的運(yùn)用中，他們之間結(jié)合力很不理想，特別是引線框架和電鍍層收到污染及氧化變色時(shí)，鍵合及封裝不牢，嚴(yán)重影響框架的使用質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種半導(dǎo)體分立器件封裝用高密度引線框架，其提高引線框架、鍵合材料和塑封材料之間的結(jié)合強(qiáng)度，從而提高產(chǎn)品的使用可靠性和使
用質(zhì)量。
[0004]本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的:一種半導(dǎo)體分立器件封裝用高密度引線框架，其包括若干個(gè)封裝單元，每個(gè)封裝單元包括外引線、內(nèi)引線、基島連接筋和基島，內(nèi)引線的一端、基島連接筋的一端都與外引線連接，內(nèi)引線的另一端、基島連接筋的另一端都與基島連接。
[0005]優(yōu)選地，所述內(nèi)引線上設(shè)有單V型槽。
[0006]優(yōu)選地，所述內(nèi)引線上設(shè)有雙V型槽。
[0007]優(yōu)選地，所述內(nèi)引線的端部設(shè)有樹脂孔。
[0008]優(yōu)選地，所述基島上設(shè)有第一壓臺、第二壓臺、錨孔、燕尾型槽。
[0009]本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于:本發(fā)明提高引線框架、鍵合材料和塑封材料之間的結(jié)合強(qiáng)度，從而提高產(chǎn)品的使用可靠性和使用質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明半導(dǎo)體分立器件封裝用高密度引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為本發(fā)明半導(dǎo)體分立器件封裝用高密度引線框架中封裝單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖3為沿圖2的H-H方向的剖視圖。
[0013]圖4為沿圖2的1-1方向的剖視圖。
[0014]圖5為沿圖2的E-E方向的剖視圖。
[0015]圖6為沿圖2的B-B方向的剖視圖。
[0016]圖7為沿圖2的F-F方向的剖視圖。
[0017]圖8為沿圖2的G-G方向的剖視圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明較佳實(shí)施例，以詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0019]如圖1和圖2所示，本發(fā)明半導(dǎo)體分立器件封裝用高密度引線框架包括個(gè)封裝單元10，每個(gè)封裝單元包括外引線1、內(nèi)引線2、基島連接筋3和基島4，內(nèi)引線2的一端、基島連接筋3的一端都與外引線I連接，內(nèi)引線2的另一端、基島連接筋3的另一端都與基島4連接。內(nèi)引線2上設(shè)有單V型槽(如圖4所示)或雙V型槽(如圖3所示)。內(nèi)引線2的端部設(shè)有樹脂孔11。
[0020]鍵合區(qū)域即在內(nèi)引線2上的單V型槽或雙V型槽處；基島焊接芯片區(qū)域即基島4的中心部位，基島4上設(shè)有第一壓臺(圖5)、第二壓臺(圖6)、錨孔(圖7)、燕尾型槽(圖8)；通常在封裝時(shí)，芯片焊接在基島4的中間部位，用鍵合材料把芯片和內(nèi)引線連接上，再用塑封材料把芯片、基島4、基島連接筋3和內(nèi)引線2封裝成半導(dǎo)體元件。鍵合時(shí)將鍵合材料壓入內(nèi)引線的V型槽中，大大提高結(jié)合的抗拉強(qiáng)度；塑封時(shí)，塑封材料貫通樹脂孔、壓臺、錨孔和燕尾型槽框架內(nèi)部，固化后大大提高封裝體與引線框架之間的結(jié)合力。
[0021]V型槽結(jié)構(gòu)有效緩解封裝廠在引線打彎、切斷過程中沖擊力，提高鍵合材料與框架的抗拉強(qiáng)度。封裝時(shí)，塑料將引線框架兩側(cè)的封裝體連成一體，這樣就大大增加了封裝體和引線框架之間的結(jié)合力。為了進(jìn)一步增加封裝體與引線框架的結(jié)合力，基島背面四周采用壓臺，并在散熱片處做錨孔及燕尾型的凹槽。封裝時(shí)，塑封料可以流入到壓臺、錨孔和凹槽中，固化后塑封體將附著、貫通、嵌入至引線框架中，使得兩者結(jié)合更緊密。本發(fā)明提高引線框架、鍵合材料和塑封材料之間的結(jié)合強(qiáng)度，從而提高產(chǎn)品的使用可靠性和使用質(zhì)量。
[0022]本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改型和改變。因此，本發(fā)明覆蓋了落入所附的權(quán)利要求書及其等同物的范圍內(nèi)的各種改型和改變。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體分立器件封裝用高密度引線框架，其特征在于，其包括若干個(gè)封裝單元，每個(gè)封裝單元包括外引線、內(nèi)引線、基島連接筋和基島，內(nèi)引線的一端、基島連接筋的一端都與外引線連接，內(nèi)引線的另一端、基島連接筋的另一端都與基島連接。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體分立器件封裝用高密度引線框架，其特征在于，所述內(nèi)引線上設(shè)有單V型槽。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體分立器件封裝用高密度引線框架，其特征在于，所述內(nèi)引線上設(shè)有雙V型槽。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體分立器件封裝用高密度引線框架，其特征在于，所述內(nèi)引線的端部設(shè)有樹脂孔。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體分立器件封裝用高密度引線框架，其特征在于，所述基島上設(shè)有第一壓臺、第二壓臺、錨孔、燕尾型槽。
【文檔編號】H01L23/495GK103700640SQ201310239444
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年6月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月17日
【發(fā)明者】熊志 申請人:泰興市永志電子器件有限公司