芯片封裝、芯片布置、電路板以及用于制造芯片封裝的方法
【專(zhuān)利摘要】提供了一種芯片封裝，該芯片封裝包括：芯片載體；芯片，設(shè)置在芯片載體頂側(cè)上并被電連接到芯片載體頂側(cè)；電絕緣材料、設(shè)置在芯片上并至少部分地圍繞芯片；一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)，在電絕緣材料上形成并與芯片電連接；另一電絕緣材料，設(shè)置在芯片載體底側(cè)上；其中，所述芯片載體底側(cè)上的導(dǎo)電接觸區(qū)從所述另一電絕緣材料釋放。
【專(zhuān)利說(shuō)明】芯片封裝、芯片布置、電路板以及用于制造芯片封裝的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]各種實(shí)施例一般地涉及芯片封裝、芯片布置、電路板以及用于制造芯片封裝的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]到目前為止，嵌入式功率半導(dǎo)體僅僅作為表面安裝器件外殼封裝而存在。這些封裝具有相對(duì)高的空間需求，例如當(dāng)放置在諸如印刷電路板的電路板上時(shí)。此外，具有垂直電流的半導(dǎo)體(例如在器件的背面與正面之間傳導(dǎo)電流的功率半導(dǎo)體)可以要求外殼內(nèi)的芯片的背面電位從背面改向至正面，即至半導(dǎo)體和/或半導(dǎo)體封裝的相對(duì)側(cè)。例如，可以使器件的背面電接點(diǎn)改向至器件的正面，其中，可以與另一正面接點(diǎn)相鄰和/或臨近地放置改向的正面接點(diǎn)。在高壓部件的情況下，例如功率半導(dǎo)體，可能在接點(diǎn)之間要求更多空間以保持接點(diǎn)之間的爬電距離。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]各種實(shí)施例提供了一種芯片封裝，包括:芯片載體；芯片，設(shè)置在芯片載體頂側(cè)上并被電連接到芯片載體頂側(cè)；電絕緣材料，設(shè)置在芯片上并至少部分地圍繞芯片；一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)，在電絕緣材料上形成并與芯片進(jìn)行電連接；另一電絕緣材料，設(shè)置在芯片載體底側(cè)上；其中，芯片載體底側(cè)上的導(dǎo)電接觸區(qū)從所述另一電絕緣材料釋放。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0004]在附圖中，參考標(biāo)號(hào)一般遍及不同的視圖指示相同的部分。附圖不一定按比例，而是一般地著重于圖示本發(fā)明的原理。在以下描述中，參考以下各圖來(lái)描述發(fā)明的各種實(shí)施例，在所述附圖中:
圖1A至IE示出了根據(jù)實(shí)施例的用于制造芯片封裝的方法；
圖1E示出了根據(jù)實(shí)施例的芯片封裝；
圖2示出了根據(jù)實(shí)施例的芯片封裝；
圖3A示出了根據(jù)實(shí)施例的芯片布置；
圖3B示出了根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置；
圖4示出了芯片封裝的側(cè)視圖和頂視圖；
圖5示出了根據(jù)實(shí)施例的用于制造芯片封裝的方法；
圖6示出了根據(jù)實(shí)施例的用于制造芯片封裝的方法。
【具體實(shí)施方式】
[0005]以下詳細(xì)描述參考以圖示的方式示出特定細(xì)節(jié)和其中可以實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例的附圖。
[0006]詞語(yǔ)“示例性”在本文中用來(lái)意指“充當(dāng)示例、實(shí)例或圖示”。不一定要將在本文中被描述為“示例性”的任何實(shí)施例或設(shè)計(jì)理解為相對(duì)于其他實(shí)施例或設(shè)計(jì)是優(yōu)選的或有利的。
[0007]相對(duì)于在側(cè)面或表面“之上”形成的沉積材料所使用的詞語(yǔ)“之上”在本文中可以用來(lái)意指可以直接在暗指的側(cè)面或表面上形成沉積材料，例如與之直接接觸。相對(duì)于在側(cè)面或表面“之上”形成的沉積材料所使用的詞語(yǔ)“之上”可以用來(lái)意指可以間接地在暗指的側(cè)面或表面上形成沉積材料，在暗指的側(cè)面或表面與沉積材料之間布置有一個(gè)或多個(gè)附加層。
[0008]各種實(shí)施例提供了可以根據(jù)通孔布置來(lái)布置的嵌入式功率半導(dǎo)體器件外殼，其中，可以至少部分地和/或完全地通過(guò)電路板來(lái)堆疊芯片封裝外殼。
[0009]圖1A至IE示出了根據(jù)實(shí)施例的用于制造芯片封裝的方法100。方法100可以包括:
在芯片載體頂側(cè)106上設(shè)置芯片104并將芯片104電連接到芯片載體頂側(cè)106(在110
中)；
在芯片104上設(shè)置電絕緣材料108，其中，電絕緣材料108至少部分地圍繞芯片104(在120 中)；
在電絕緣材料108上形成一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)112，其中，一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)112與芯片104相連(在130中)；
在芯片載體底側(cè)116上設(shè)置另一電絕緣材料114 (在140中)；以及將芯片載體底側(cè)116上的導(dǎo)電接觸區(qū)118從另一電絕緣材料114釋放(在150中)。
[0010]芯片104可以包括半導(dǎo)體芯片，例如半導(dǎo)體管芯。半導(dǎo)體芯片可以包括在晶片襯底中形成的一個(gè)或多個(gè)電子部件，例如電子電路。晶片襯底可以包括各種材料，例如半導(dǎo)體材料。晶片襯底可以包括來(lái)自以下組材料的至少一個(gè)，該組材料由以下各項(xiàng)組成:硅、鍺、III至V族材料、聚合物。根據(jù)實(shí)施例，晶片襯底可以包括摻雜或未摻雜硅。根據(jù)另一實(shí)施例，晶片襯底可以包括絕緣體上硅SOI晶片。根據(jù)實(shí)施例，晶片襯底可以包括半導(dǎo)體化合物材料，例如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)。根據(jù)實(shí)施例，晶片襯底可以包括四元半導(dǎo)體化合物材料，例如砷化銦鎵(InGaAs )。
[0011]可以將芯片104配置為功率半導(dǎo)體芯片。芯片104可以包括功率半導(dǎo)體器件，其中，該功率半導(dǎo)體器件可以能夠載送從約5V至約1200V、例如約200V至約800V、例如約400V至約600V范圍內(nèi)的電壓。根據(jù)實(shí)施例，可以將芯片104配置成載送從約5V至約1200V范圍內(nèi)的電壓。
[0012]芯片104可以包括功率半導(dǎo)體芯片，其中，功率半導(dǎo)體芯片可以包括來(lái)自由以下各項(xiàng)組成的組的至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件:功率晶體管、功率MOS晶體管、功率雙極晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、功率絕緣柵雙極晶體管、閘流晶體管、MOS受控閘流晶體管、硅控整流器、功率肖特基二極管、氮化硅二極管、氮化鎵器件、多芯片器件。
[0013]如110中所示，芯片104可以包括芯片頂側(cè)122和芯片底側(cè)124，其中，芯片頂側(cè)122可以面對(duì)與芯片底側(cè)124面對(duì)的方向相反的方向。
[0014]芯片104可以包括功率晶體管。頂側(cè)還可以稱(chēng)為芯片的“第一側(cè)”、“前側(cè)”或“上側(cè)”。在下文中可以可互換地使用術(shù)語(yǔ)“頂側(cè)”、“第一側(cè)”、“正面”、或“上側(cè)”。底側(cè)也可以稱(chēng)為芯片的“第二側(cè)”或“背面”。在下文中可以可互換地使用術(shù)語(yǔ)“第二側(cè)”、“背面”或“底側(cè)”。如在本文中相對(duì)于半導(dǎo)體功率器件所使用的，可以將術(shù)語(yǔ)“頂側(cè)”、“正面”或“上偵彳”理解為指的是芯片的側(cè)面，其中可以形成柵極區(qū)和至少一個(gè)第一源極/漏極區(qū)?？梢詫⑿g(shù)語(yǔ)“第二側(cè)”、“背面”或“底側(cè)”理解為指的是芯片的側(cè)面，其中可以形成第二源極/漏極區(qū)。因此，半導(dǎo)體功率晶體管可以支持在頂側(cè)122上的第一源極/漏極區(qū)128與底側(cè)124上的第二源極/漏極區(qū)132之間通過(guò)芯片的垂直電流流動(dòng)。
[0015]為了將芯片104封裝在外殼中，可以執(zhí)行以下過(guò)程。
[0016]可以將芯片104導(dǎo)電地結(jié)合到金屬芯片載體102上。由于芯片104可以包括功率器件，所以可能需要到芯片背面124的導(dǎo)電連接。
[0017]可以將芯片104電連接到芯片載體102。例如，可以將芯片背面124電結(jié)合、例如借助于粘合劑介質(zhì)134電粘附于導(dǎo)電芯片載體102。
[0018]芯片載體102可以包括引線框架載體。芯片載體102可以具有從約50 μ m至約1500 μ m、例如約100 μ m至約500 μ m、例如約150 μ m至約300 μ m范圍內(nèi)的厚度tlt)引線框架可以具有從約Imm至50mm、例如約2mm至約20mm范圍內(nèi)的長(zhǎng)度L1和從約Imm至50mm、例如約2mm至約200mm的寬度。
[0019]芯片載體102可以包括導(dǎo)電材料。芯片載體102可以包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組材料由以下各項(xiàng)組成:銅、鎳、鐵、銀、金、鈀、磷、銅合金、鎳合金、鐵合金、銀合金、金合金、鈀合金、磷合金。芯片載體102可以包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組材料由以下各項(xiàng)組成:NiPdAu、NiAu, NiPd, NiAuAg, NiPdAuAg, NiNiPPdAu, NiNiPAu, NiNiPPd,NiNiPAuAg, NiNiPPdAuAgo
[0020]芯片104可以包括柵極區(qū)接點(diǎn)126和在頂側(cè)122之上(例如直接地或間接地在其上面)形成的至少一個(gè)第一源極/漏極區(qū)接點(diǎn)128以及在底側(cè)124之上形成的至少一個(gè)第二源極/漏極區(qū)接點(diǎn)132。每個(gè)接點(diǎn)可以包括導(dǎo)電接觸焊盤(pán)。每個(gè)接點(diǎn)可以在芯片104的頂側(cè)122上相互電隔離。例如，可以通過(guò)在頂側(cè)122上形成的例如二氧化硅的電絕緣材料使柵極區(qū)接點(diǎn)126與至少一個(gè)第一元件/漏極區(qū)接點(diǎn)128電隔離。還可以使用密封材料、例如下文描述的電絕緣材料108來(lái)使柵極區(qū)接點(diǎn)126與至少一個(gè)第一源極/漏極區(qū)接點(diǎn)128電隔離。
[0021]可以經(jīng)由至少一個(gè)接觸焊盤(pán)、例如在芯片底側(cè)124上形成的第二源極/漏極區(qū)132將芯片104電連接到芯片載體102。
[0022]可以經(jīng)由導(dǎo)電介質(zhì)134將芯片104電連接到芯片載體102，該導(dǎo)電介質(zhì)包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊料、軟焊料、擴(kuò)散焊料、導(dǎo)電膏、納米膏、粘合齊U、導(dǎo)電粘合劑。
[0023]在120中，在心片104到心片載體102的粘附之后，可以在心片104上沉積電絕緣材料108?？梢猿练e電絕緣材料108，其中，其覆蓋芯片頂側(cè)122和/或芯片104的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁，其中，所述一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁可以是在芯片頂側(cè)122與芯片底側(cè)124之間延伸的芯片104的壁。電絕緣材料108還可以覆蓋芯片載體頂側(cè)106。
[0024]還可以將電絕緣材料108稱(chēng)為“模具材料”和/或“密封材料”。
[0025]電絕緣材料108可以包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:填充或未填充環(huán)氧樹(shù)脂、預(yù)先浸潰復(fù)合材料纖維、加強(qiáng)纖維、層壓件、模具材料、熱固材料、熱塑性材料、填料顆粒、纖維加強(qiáng)層壓件、纖維加強(qiáng)聚合物層壓件、具有填料顆粒的纖維加強(qiáng)聚合物層壓件。電絕緣材料108可以具有從約I μ--至約1000 μπκ例如從5至IOOym范圍
內(nèi)的厚度％。
[0026]在130中，可以通過(guò)電絕緣材料108形成一個(gè)或多個(gè)電互連136，并且可以提供到一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)126、128的導(dǎo)電接觸路徑，即在芯片頂側(cè)122上形成的一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤(pán)。可以在電絕緣材料108中形成一個(gè)或多個(gè)通孔，例如通孔過(guò)孔，其將一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)126、128從電絕緣材料108釋放。
[0027]例如，可以在電絕緣材料108中形成第一通孔過(guò)孔，其將柵極接觸區(qū)126從電絕緣材料108釋放?？梢栽陔娊^緣材料108中形成另一通孔過(guò)孔，其將第一源極/漏極區(qū)128從電絕緣材料108釋放。可以基本上垂直于芯片頂側(cè)122形成通孔。
[0028]可以用導(dǎo)電材料來(lái)填充通孔，該導(dǎo)電材料形成一個(gè)或多個(gè)電互連136?？梢曰旧显谛酒?04的接觸區(qū)之上形成每個(gè)通孔，一個(gè)或多個(gè)電互連136可以被電連接到所述接觸區(qū)。
[0029]可以將通過(guò)電絕緣材料108形成的一個(gè)或多個(gè)電互連136配置成將在芯片頂側(cè)122上形成的一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤(pán)126、128電連接到一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)112。一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)可以包括區(qū)域138、142，其可以包括在一個(gè)或多個(gè)電互連136的沉積期間沉積的導(dǎo)電材料?？梢栽陔娊^緣材料108上形成一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)138、142?？梢詫⒁粋€(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)138、142稱(chēng)為重新分配層，并且可以在后續(xù)過(guò)程中連接到焊料材料，例如焊料凸塊。
[0030]在140中，可以在芯片載體底側(cè)116上設(shè)置另一電絕緣材料114?？梢赃x擇性地在芯片載體底側(cè)116上沉積和/或選擇性地從芯片載體底側(cè)116去除另一電絕緣材料114，使得芯片載體底側(cè)116的至少一部分可以不被另一電絕緣材料114覆蓋。例如，可以將芯片載體底側(cè)116上的導(dǎo)電接觸區(qū)118從另一電絕緣材料114釋放。導(dǎo)電接觸區(qū)118因此可以提供到芯片底側(cè)124、例如到第二源極/漏極區(qū)接點(diǎn)132的導(dǎo)電路徑。
`[0031]另一電絕緣材料114可以包括電絕緣材料，其包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:填充或未填充環(huán)氧樹(shù)脂、預(yù)先浸潰復(fù)合材料纖維、加強(qiáng)纖維、層壓件、模具材料、熱固材料、熱塑性材料、填料顆粒、纖維加強(qiáng)層壓件、纖維加強(qiáng)聚合物層壓件、具有填料顆粒的纖維加強(qiáng)聚合物層壓件。另一電絕緣材料114可以具有從約I μ m至約1000 μ m、例如從5至100 μ m范圍內(nèi)的厚度tf。
[0032]可以在芯片頂側(cè)122上以及在一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)112上沉積層143。層143可以包括電絕緣材料，其包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:填充或未填充環(huán)氧樹(shù)脂、預(yù)先浸潰復(fù)合材料纖維、加強(qiáng)纖維、層壓件、模具材料、熱固材料、熱塑性材料、填料顆粒、纖維加強(qiáng)層壓件、纖維加強(qiáng)聚合物層壓件、具有填料顆粒的纖維加強(qiáng)聚合物層壓件?？梢赃x擇性地將層143的一部分從一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)112、例如區(qū)域138、142釋放。換言之，層143可以覆蓋芯片封裝頂層152，除可以被暴露的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)112之外。
[0033]在150中，可以沉積一個(gè)或多個(gè)接合結(jié)構(gòu)144、146和另一接合結(jié)構(gòu)148以電連接到導(dǎo)電接觸區(qū)112。一個(gè)或多個(gè)接合結(jié)構(gòu)144、146可以包括來(lái)自下組結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊珠、焊料凸塊。另一接合結(jié)構(gòu)148可以包括來(lái)自下組結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊珠、焊料凸塊。[0034]一個(gè)或多個(gè)接合結(jié)構(gòu)144、146可以包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊料、軟焊料、擴(kuò)散焊料、導(dǎo)電膏、納米膏。另一接合結(jié)構(gòu)148可以包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊料、軟焊料、擴(kuò)散焊料、導(dǎo)電膏、納米膏。
[0035]可以將一個(gè)或多個(gè)接合結(jié)構(gòu)144、146電連接到在芯片封裝頂側(cè)152上形成的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)138、142?？梢栽谛酒d體底側(cè)116上的限定導(dǎo)電接觸區(qū)118上形成另一接合結(jié)構(gòu)148，其中，芯片載體102的限定導(dǎo)電接觸區(qū)118可以不被另一電絕緣材料114覆蓋(在芯片底側(cè)154上)。
[0036]可以將另一接合結(jié)構(gòu)148電連接到至少一個(gè)點(diǎn)接觸焊盤(pán)132，例如在芯片底側(cè)124上形成的第二源極/漏極區(qū)132。
[0037]可以根據(jù)方法100所述的方法來(lái)制造如圖1E中所示的諸如芯片封裝160的芯片封裝。
[0038]圖2示出了根據(jù)實(shí)施例的芯片封裝210。芯片封裝210可以包括:芯片載體102 ;芯片104，設(shè)置在芯片載體頂側(cè)106上并被電連接到芯片載體頂側(cè)106 ;電絕緣材料108，設(shè)置在芯片104上并至少部分地圍繞芯片104 個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)112，在電絕緣材料108上形成并與芯片104進(jìn)行電連接；另一電絕緣材料114，設(shè)置在芯片載體底側(cè)116上；其中，可以將芯片載體底側(cè)116上的導(dǎo)電接觸區(qū)118從另一電絕緣材料114釋放。
[0039]根據(jù)各種實(shí)施例，芯片封裝210還可以包括已相對(duì)于方法100中的芯片封裝160的形成所描述的芯片封裝160的特征中的一個(gè)或多個(gè)或全部。
[0040]可以理解的是與其中可能要求底側(cè)至頂側(cè)電互連456的芯片封裝410 (如圖4中所示)相比，根據(jù)實(shí)施例的芯片封裝、例如芯片封裝160、例如芯片封裝210可以減小芯片封裝的尺寸，其中，可以在芯片載體底側(cè)116上形成導(dǎo)電接觸區(qū)118并將其從另一電絕緣材料114釋放。后一個(gè)芯片封裝410還可以要求在芯片載體的正面106上形成的附加接觸區(qū)458，其被電連接到芯片底側(cè)124，從而增加芯片封裝的尺寸，如圖4中的芯片封裝410的側(cè)視圖和頂視圖中所示。此外，由于功率半導(dǎo)體的高壓，必須在足夠遠(yuǎn)離相鄰接點(diǎn)、例如柵極接點(diǎn)和/或源極接點(diǎn)的充分爬電距離處最小地布置附加接觸區(qū)458?？梢詫⒃撆离娋嚯x定義為兩個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)之間、例如附加接觸區(qū)458與相鄰接點(diǎn)之間的絕緣材料的表面上的最短距離。由于保持最小爬電距離的需要，后一個(gè)芯片封裝410可以具有與芯片封裝160、210的長(zhǎng)度L1相比增加的長(zhǎng)度L2。例如，用于600V器件的典型爬電長(zhǎng)度可以為約3mm，包括接觸焊盤(pán)尺寸。因此，常規(guī)封裝(例如封裝410)的長(zhǎng)度L2可以為約4mm以滿足3mm爬電長(zhǎng)度要求。在芯片封裝160、210的情況下，爬電長(zhǎng)度可以是“封裝的厚度”，其可以例如為約0.5mm。封裝的厚度0.5mm可以保持相同，即使對(duì)于較高電壓器件而言，例如1200V器件，其可以具有約8mm的要求爬電距離。例如封裝410的常規(guī)封裝將必須被相應(yīng)地?cái)U(kuò)展，即L2將必須增加至例如超過(guò)8mm，以保證可以滿足例如8mm的爬電距離要求。
[0041]如從后一個(gè)芯片封裝410的頂視圖所示，例如柵極接點(diǎn)、源極接點(diǎn)和柵極接點(diǎn)的所有接點(diǎn)可以在芯片封裝的同一側(cè)上形成，并且因此可以產(chǎn)生表面安裝封裝。
[0042]除減小芯片封裝的尺寸之外，其還可以在不會(huì)由于在芯片載體102的與第一源極/漏極接點(diǎn)128和/或柵極接點(diǎn)126相對(duì)的一側(cè)116上布置第二源極/漏極接點(diǎn)118而增加芯片封裝160、210的尺寸的情況下克服在相鄰接點(diǎn)之間保持充分最小爬電距離的挑戰(zhàn)。
[0043]作為將芯片封裝、例如芯片封裝180、例如芯片封裝210連接到常規(guī)電路板的替代，使用標(biāo)準(zhǔn)表面安裝技術(shù)，根據(jù)各種實(shí)施例，可以部分地和/或完全地通過(guò)電路板來(lái)堆疊芯片封裝160、210。兩個(gè)接點(diǎn)、例如第一源極/漏極接點(diǎn)128和第二源極/漏極接點(diǎn)118之間的距離可以至少像芯片封裝的厚度tep—樣大，并且因此可以滿足最小爬電距離，而不擴(kuò)展芯片封裝的長(zhǎng)度。
[0044]可以理解的是芯片封裝、例如芯片封裝160、例如根據(jù)實(shí)施例的芯片封裝210可以包括:芯片載體102 ;芯片104，設(shè)置在芯片載體第一側(cè)106并電連接到芯片載體第一側(cè)106 ;電絕緣材料108，設(shè)置在芯片第一側(cè)106上并至少部分地圍繞芯片104 ;—個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸部分112，在電絕緣材料108中形成并與在芯片第一側(cè)106上形成的一個(gè)或多個(gè)芯片焊盤(pán)126、128電連接；另一電絕緣材料114，設(shè)置在芯片載體第二側(cè)116上，其中，芯片載體第二側(cè)116面對(duì)與芯片載體第一側(cè)106面對(duì)的方向相反的方向；以及其中，芯片載體第二側(cè)116上的導(dǎo)電接觸區(qū)118從另一電絕緣材料114釋放。
[0045]圖3A示出了根據(jù)實(shí)施例的芯片布置310。芯片布置310可以包括:電路板362和芯片封裝，例如芯片封裝160、210。如310和330中所示，電路板362可以包括:在電路板362中形成的通孔364 ；以及接近于通孔364布置的一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)366s、366e、366d?？梢岳缡褂缅兎?、例如電鍍、例如濺射、例如蒸發(fā)來(lái)沉積一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)366s、366e。芯片布置310可以包括布置在通孔364內(nèi)的芯片封裝，例如芯片封裝160，例如芯片封裝210。如320中所示，可以將芯片封裝、例如芯片封裝160、例如芯片封裝210完全地和/或部分地插入電路板362中。可以將至少一個(gè)電路板接觸區(qū)、例如366s、366e電連接、例如焊接到在芯片封裝、例如芯片封裝160、例如芯片封裝210的頂側(cè)152上形成并與芯片頂側(cè)122電連接的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)144、146 ;以及其中，可以將至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)366d電連接、例如焊接到在芯片封裝、例如芯片封裝160、例如芯片封裝210的底側(cè)154上形成并與芯片底側(cè)124電連接的導(dǎo)電接觸區(qū)148。
[0046]芯片封裝160、210還可以包括:芯片104，設(shè)置在芯片載體頂側(cè)106上并被電連接到芯片載體頂側(cè)106 ;電絕緣材料108，設(shè)置在芯片104上并至少部分地圍繞芯片104，其中，可以通過(guò)電絕緣材料108來(lái)形成一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)112;以及另一電絕緣材料114，設(shè)置在芯片載體底側(cè)116上，其中，可以將芯片載體底側(cè)116上的導(dǎo)電接觸區(qū)118從另一電絕緣材料114釋放。
[0047]可以在通孔364的邊緣處布置一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)366s、366e、366D?？梢栽谕?64內(nèi)布置芯片封裝160、210，使得芯片頂側(cè)122和芯片底側(cè)124均可以面對(duì)通孔364的相對(duì)邊緣。
[0048]根據(jù)各種實(shí)施例，電路板362可以包括:通孔364，在電路板362中形成以便容納芯片封裝160、210 ;以及一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)366s、366e、366D，接近于通孔364布置；其中，可以將至少一個(gè)電路板接觸區(qū)、例如366s、366e電連接到在芯片封裝160、210的頂側(cè)152上形成并與芯片頂側(cè)122電連接的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)144、146 ;以及其中，可以將至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)366d電連接到在芯片封裝160、210的底側(cè)154上形成并與芯片底側(cè)124電連接的導(dǎo)電接觸區(qū)148。
[0049]可以在通孔364的基本上相對(duì)邊緣處布置至少一個(gè)電路板接觸區(qū)366s、366e和至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)366D ;以及可以將至少一個(gè)電路板接觸區(qū)366s、366e配置成面對(duì)芯片封裝頂側(cè)152 ;以及可以將所述至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)366d配置成面對(duì)芯片封裝底側(cè)154。
[0050]電路板362可以包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:環(huán)氧化物、熱固材料、玻璃加強(qiáng)環(huán)氧化物、層壓件、環(huán)氧樹(shù)脂。電路板362可以包括例如FR4材料。
[0051]可以使一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)366s、366e、366d中的每一個(gè)通過(guò)電路板362材料、即電絕緣材料相互分離，例如相互電絕緣。根據(jù)各種實(shí)施例，可以使用部分地和/或完全地鉆通電路板362來(lái)產(chǎn)生區(qū)域368，其使一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)366s、366e、366d區(qū)域相互電隔離。
[0052]可以理解的是雖然僅描述了三個(gè)接觸區(qū)，例如柵極、第一源極/漏極區(qū)和第二源極/漏極區(qū)，但實(shí)施例可以不限于僅具有三個(gè)接觸區(qū)，并且可以包括任何數(shù)目的接觸區(qū)，即引腳，通過(guò)平板印刷法使其成為可能，例如3、4、5、6、7或更多個(gè)接觸區(qū)。此外，可以不再要求不同類(lèi)型的引腳。
[0053]各種實(shí)施例還可以提供如圖3B中所示的芯片布置340。芯片布置340可以包括:電路板362，包括:在電路板362中形成的腔體；以及接近于腔體364布置的一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)366s、366e、366D。芯片布置340可以包括布置在腔體364內(nèi)的芯片封裝，例如芯片封裝160，例如芯片封裝210，其中，可以將至少一個(gè)電路板接觸區(qū)、例如366s、366e電連接到在芯片封裝160、210的頂側(cè)152上形成并與芯片頂側(cè)122電連接的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)144、146 ;并且其中，可以將至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)366d電連接到在芯片封裝160、210的底側(cè)154上形成并與芯片底側(cè)124電連接的導(dǎo)電接觸區(qū)148。
[0054]如從芯片布置340可以看到的，可能的是腔體364可以不包括通過(guò)電路板362完全形成的通孔。替代地，腔體364可以包括電路板362內(nèi)的凹坑，其中，芯片封裝160、210的至少一部分可以布置有凹坑，即在腔體364內(nèi)。
[0055]可以在腔體364的基本上相對(duì)邊緣處布置至少一個(gè)電路板接觸區(qū)366s、366e和至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)366D ;以及可以將至少一個(gè)電路板接觸區(qū)366s、366e配置成面對(duì)芯片封裝頂側(cè)152 ;以及可以將所述`至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)366d配置成面對(duì)芯片封裝底側(cè)154。
[0056]可以理解的是，如圖320中所示，可以將芯片封裝、例如芯片封裝160、例如芯片封裝210完全地和/或部分地插入電路板362中。因此可以根據(jù)各種實(shí)施例來(lái)配置芯片封裝160,210o根據(jù)如在350中所示的實(shí)施例，芯片封裝160、210可以包括基本上矩形的三維芯片封裝，包括長(zhǎng)度U、寬度k以及厚度^ (沿著進(jìn)入紙張的方向)。由長(zhǎng)度IctX寬度Kp限定的面積可以限定芯片封裝160、210的頂側(cè)152的表面面積。
[0057]芯片封裝長(zhǎng)度Iep可以在從約1_至約30_范圍內(nèi)。
[0058]芯片封裝寬度bep可以在從約Imm至約50mm范圍內(nèi)。
[0059]芯片封裝厚度tep可以在從約100 μ m至約3000 μ m范圍內(nèi)。
[0060]根據(jù)如360和370中所示的實(shí)施例，芯片封裝160、210可以包括加寬部分372和縮窄部分374。
[0061]例如，加寬部分372可以具有寬度，例如芯片封裝的寬度，并且縮窄部分374可以具有可以小于寬度bep的寬度bn。流入，縮窄部分374可以具有在從約Imm至約50mm范圍內(nèi)的寬度bn。
[0062]加寬部分372和縮窄部分374均可以包括電絕緣材料108和/或另一電絕緣材料114和/或?qū)?43和/或芯片104和/或芯片載體102的至少一部分。加寬部分372和縮窄部分374均可以是芯片封裝的電絕緣部分。
[0063]加寬部分372和縮窄部分374可以相對(duì)于電路板362使芯片封裝160、210穩(wěn)定。例如，可以將縮窄部分374部分地或完全插入通孔364或腔體364中。加寬部分372可以是仍在通孔364或腔體364外面的芯片封裝的一部分。加寬部分372可以被電路板362支撐，其中，加寬部分372可以設(shè)置在電路板362上，其中，加寬部分372使芯片封裝160、210在電路板362上穩(wěn)定。
[0064]如360和370中所不,縮窄部分374還可以具有不同的長(zhǎng)度。例如，如果縮窄部分374將被完全插入通孔364中，則縮窄部分可以具有從約200 μ m至約3000 μ m范圍內(nèi)的長(zhǎng)度Inl。如果縮窄部分374將僅被部分地插入腔體364中，則縮窄部分可以具有從約20 μ m至約500 μ m范圍內(nèi)的長(zhǎng)度In2,其中In2可以小于lnl。
[0065]圖5示出了根據(jù)實(shí)施例的用于制造芯片封裝的方法500。方法500可以包括:在芯片載體頂側(cè)上設(shè)置芯片并將芯片電連接到芯片載體頂側(cè)(在510中)；
將電絕緣材料設(shè)置在芯片上，其中，該電絕緣材料至少部分地圍繞芯片(在520中)；
在電絕緣材料上形成一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)與芯
片電連接(在530中)；
在芯片載體底側(cè)上設(shè)置另一電絕緣材料(在540中)；以及將芯片載體底側(cè)上的導(dǎo)電接觸區(qū)從另一電絕緣材料釋放(在550中)。
[0066]圖6示出了根據(jù)實(shí)施例的用于制造芯片封裝的方法600。方法600可以包括:在芯片載體第一側(cè)上設(shè)置芯片并將該芯片電連接到芯片載體第一側(cè)(在610中)；
在芯片第一側(cè)上設(shè)置電絕緣材料，其中，電絕緣材料至少部分地圍繞芯片(在620中)；在電絕緣材料上形成一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)被電
連接到在芯片第一側(cè)上形成的一個(gè)或多個(gè)芯片焊盤(pán)(在630中)；以及
在芯片載體第二側(cè)上設(shè)置另一電絕緣材料，其中，所述芯片載體第二側(cè)面對(duì)與芯片載體第一側(cè)面對(duì)的方向相反的方向(在640中)；
以及將芯片載體第二側(cè)上的導(dǎo)電接觸區(qū)從另一電絕緣材料釋放(在650中)。
[0067]各種實(shí)施例提供了一種用于修改嵌入式部件的布局的方法，其使得同通孔技術(shù)THT安裝裝配(montage)成為可能。
[0068]各種實(shí)施例提供了一種通過(guò)分層布局設(shè)計(jì)的方法，其中，可以在通孔布置中制造基于芯片嵌入技術(shù)的電子部件。
[0069]各種實(shí)施例提供了一種芯片封裝布置，其對(duì)電路板、例如PCB施加較少的空間需求。
[0070]各種實(shí)施例提供了一種芯片封裝布置，其中，通過(guò)垂直插入的電子板材料的隔離距離明顯地減少了高壓部件中的空間需求。
[0071]各種實(shí)施例提供了一種芯片封裝布置，其中，具有垂直電流流動(dòng)的電子部件要求較低的封裝消耗。
[0072]各種實(shí)施例提供了一種芯片封裝，包括:芯片載體；芯片，設(shè)置在芯片載體頂側(cè)上并被電連接到芯片載體頂側(cè)；電絕緣材料，設(shè)置在芯片上并至少部分地圍繞芯片；一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)，在電絕緣材料上形成并與芯片進(jìn)行電連接；另一電絕緣材料，設(shè)置在芯片載體底側(cè)上；其中，芯片載體底側(cè)上的導(dǎo)電接觸區(qū)從所述另一電絕緣材料釋放。
[0073]根據(jù)實(shí)施例，芯片載體包括引線框架載體。
[0074]根據(jù)實(shí)施例，所述芯片載體包括導(dǎo)電材料，該導(dǎo)電材料包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組材料由以下各項(xiàng)組成:銅、鎳、鐵、銀、金、鈀、磷、銅合金、鎳合金、鐵合金、銀合金、金合金、IE合金、磷的合金。
[0075]根據(jù)實(shí)施例，可以將芯片104配置成載送從約5V至約1200V范圍內(nèi)的電壓。
[0076]根據(jù)實(shí)施例，所述芯片包括來(lái)自下組器件的至少一個(gè)器件，該組由以下各項(xiàng)組成:晶體管、功率晶體管、功率MOS晶體管、功率雙極晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、功率絕緣柵雙極晶體管、閘流晶體管、MOS控制閘流晶體管、硅控整流器、功率肖特基二極管、氮化硅二極管、氮化鎵器件、多芯片器件。
[0077]根據(jù)實(shí)施例，所述芯片經(jīng)由在芯片底側(cè)上形成的至少一個(gè)接觸焊盤(pán)被電連接到芯片載體。
[0078]根據(jù)實(shí)施例，該芯片經(jīng)由導(dǎo)電介質(zhì)被電連接到芯片載體，該導(dǎo)電介質(zhì)包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊料、軟焊料、擴(kuò)散焊料、導(dǎo)電膏、納米膏、粘合劑、導(dǎo)電粘合劑。
[0079]根據(jù)實(shí)施例，電絕緣材料包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:填充或未填充環(huán)氧樹(shù)脂、預(yù)先浸潰復(fù)合材料纖維、加強(qiáng)纖維、層壓件、模具材料、熱固材料、熱塑性材料、填料顆粒、纖維加強(qiáng)層壓件、纖維加強(qiáng)聚合物層壓件、具有填料顆粒的纖維加強(qiáng)聚合物層壓件。
[0080]根據(jù)實(shí)施例，所述芯片封裝還包括通過(guò)電絕緣材料形成的一個(gè)或多個(gè)電互連；其中，所述一個(gè)或多個(gè)電互連被配置成將在芯片頂側(cè)上形成的一個(gè)或多個(gè)電接點(diǎn)電連接到所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)。
[0081]根據(jù)實(shí)施例，所述芯片封裝還包括被電連接到所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)的一個(gè)或多個(gè)接合結(jié)構(gòu)。
[0082]根據(jù)實(shí)施例，所述一個(gè)或多個(gè)接合結(jié)構(gòu)包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊料、軟焊料、擴(kuò)散焊料、導(dǎo)電膏、納米膏。
[0083]根據(jù)實(shí)施例，所述一個(gè)或多個(gè)接合結(jié)構(gòu)包括來(lái)自下組結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊珠、焊料凸塊、柱、銅柱。
[0084]根據(jù)實(shí)施例，所述芯片封裝還包括在芯片載體底側(cè)上的限定導(dǎo)電接觸區(qū)上形成的另一接合結(jié)構(gòu)；其中，所述芯片載體的限定導(dǎo)電接觸區(qū)未被另一電絕緣材料覆蓋。
[0085]根據(jù)實(shí)施例，所述芯片封裝還包括在芯片載體底側(cè)上的限定導(dǎo)電接觸區(qū)上形成的另一接合結(jié)構(gòu)；其中，所述另一接合結(jié)構(gòu)被電連接到在芯片底側(cè)上形成的至少一個(gè)接觸焊盤(pán)。
[0086]根據(jù)實(shí)施例，所述另一接合結(jié)構(gòu)包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊料、軟焊料、擴(kuò)散焊料、導(dǎo)電膏、納米膏。
[0087]根據(jù)實(shí)施例，所述另一接合結(jié)構(gòu)包括來(lái)自下組結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊珠、焊料凸塊、柱、銅柱。
[0088]各種實(shí)施例提供了一種芯片布置，包括:電路板，包括:在電路板中形成的通孔；以及接近于通孔布置的一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)；布置在通孔內(nèi)的芯片封裝，其中，至少一個(gè)電路板接觸區(qū)被電連接到在芯片封裝的頂側(cè)上形成并與芯片頂側(cè)電連接的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)；以及其中，至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)被電連接到在芯片封裝的底側(cè)上形成并與芯片底側(cè)電連接的導(dǎo)電接觸區(qū)。
[0089]根據(jù)實(shí)施例，所述芯片封裝還包括:芯片，設(shè)置在芯片載體頂側(cè)上并被電連接到芯片載體頂側(cè)；電絕緣材料，設(shè)置在芯片上并至少部分地圍繞芯片，其中，所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)是通過(guò)電絕緣材料形成的；以及另一電絕緣材料，設(shè)置在芯片載體底側(cè)上，其中，所述芯片載體底側(cè)上的導(dǎo)電接觸區(qū)從所述另一電絕緣材料釋放。
[0090]根據(jù)實(shí)施例，所述一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)被布置在通孔的邊緣處；以及所述芯片封裝被布置在通孔內(nèi)，使得芯片頂側(cè)和芯片底側(cè)均面對(duì)通孔的相對(duì)邊緣。
[0091]各種實(shí)施例提供了一種電路板，包括:通孔，在電路板中形成以便容納芯片封裝；以及一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)，接近于通孔布置；其中，至少一個(gè)電路板接觸區(qū)被配置成與在芯片封裝頂側(cè)上形成并與芯片頂側(cè)電連接的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)電連接；以及其中，至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)被配置成與在芯片封裝底側(cè)上形成并與芯片底側(cè)電連接的導(dǎo)電接觸區(qū)電連接。
[0092]根據(jù)實(shí)施例，所述至少一個(gè)電路板接觸區(qū)和所述至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)被布置在通孔的基本上相對(duì)的邊緣；以及所述至少一個(gè)電路板接觸區(qū)被配置成面對(duì)芯片封裝頂側(cè)；以及所述至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)被配置成面對(duì)芯片封裝底側(cè)。
[0093]各種實(shí)施例提供了一種芯片封裝，包括:芯片載體；芯片，設(shè)置在芯片載體第一側(cè)上并被電連接到芯片載體第一側(cè)；電絕緣材料，設(shè)置在芯片第一側(cè)上并至少部分地圍繞芯片；一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸部分，在電絕緣材料上形成并與在芯片第一側(cè)上形成的一個(gè)或多個(gè)芯片焊盤(pán)電連接；另一電絕緣材料，設(shè)置在芯片載體第二側(cè)上，其中，所述芯片載體第二側(cè)面對(duì)與芯片載體第一側(cè)面對(duì)的方向相反的方向；并且其中，芯片載體第二側(cè)上的導(dǎo)電接觸區(qū)從所述另一電絕緣材料釋放。
[0094]各種實(shí)施例提供了一種用于制造芯片封裝的方法，該方法包括:在芯片載體頂側(cè)上設(shè)置芯片并將該芯片電連接到芯片載體頂側(cè)；在芯片上設(shè)置電絕緣材料，其中，所述電絕緣材料至少部分地圍繞芯片；在電絕緣材料上形成一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)被與芯片電連接；在芯片載體底側(cè)上設(shè)置另一電絕緣材料；以及將芯片載體底側(cè)上的導(dǎo)電接觸區(qū)從所述另一電絕緣材料釋放。
[0095]各種實(shí)施例提供了一種用于制造芯片封裝的方法，該方法包括:在芯片載體第一側(cè)上設(shè)置芯片并將該芯片電連接到芯片載體第一側(cè)；在芯片第一側(cè)上設(shè)置電絕緣材料，其中，所述電絕緣材料至少部分地圍繞芯片；在電絕緣材料上形成一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)被電連接到在芯片第一側(cè)上形成的一個(gè)或多個(gè)芯片焊盤(pán)；在芯片載體第二側(cè)上設(shè)置另一電絕緣材料，其中，芯片載體第二側(cè)面對(duì)與芯片載體第一側(cè)面對(duì)的方向相反的方向；以及將芯片載體第二側(cè)上的導(dǎo)電接觸區(qū)從所述另一電絕緣材料釋放。
[0096]各種實(shí)施例提供了一種芯片布置，包括:電路板，包括:在電路板中形成的腔體；以及接近于腔體布置的一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)；布置在腔體內(nèi)的芯片封裝，其中，至少一個(gè)電路板接觸區(qū)被電連接到在芯片封裝的頂側(cè)上形成并與芯片頂側(cè)電連接的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)；以及其中，至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)被電連接到在芯片封裝的底側(cè)上形成并與芯片底側(cè)電連接的導(dǎo)電接觸區(qū)。
[0097]雖然已經(jīng)參考特定實(shí)施例特別地示出并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解的是在不脫離由所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以對(duì)其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)方面的各種修改。因此由所附權(quán)利要求來(lái)指示本發(fā)明的范圍，并且因此意圖涵蓋在權(quán)利要求的等價(jià)意義和范圍內(nèi)的所有改變。
【權(quán)利要求】
1.一種芯片封裝，包括:芯片載體；芯片，設(shè)置在芯片載體頂側(cè)上并被電連接到芯片載體頂側(cè)；電絕緣材料，設(shè)置在芯片上并至少部分地圍繞該芯片；一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)，在電絕緣材料中形成并與芯片電連接；另一電絕緣材料，設(shè)置在芯片載體底側(cè)上；其中，芯片載體底側(cè)上的導(dǎo)電接觸區(qū)從所述另一電絕緣材料釋放。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝，其中，所述芯片載體包括引線框架載體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝，其中，所述芯片載體包括導(dǎo)電材料，該導(dǎo)電材料包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組材料由以下各項(xiàng)組成:銅、鎳、鐵、銀、金、鈕、磷、銅合金、鎳合金、鐵合金、銀合金、金合金、IE合金、磷的合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝，其中，所述芯片被配置成載送從約5V至約1200V范圍內(nèi)的電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯`片封裝，其中，所述芯片包括來(lái)自下組器件的至少一個(gè)器件，該組由以下各項(xiàng)組成:晶體管、功率晶體管、功率MOS晶體管、功率雙極晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、功率絕緣柵雙極晶體管、閘流晶體管、MOS控制閘流晶體管、硅控整流器、功率肖特基二極管、氮化硅二極管、氮化鎵器件、多芯片器件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝，其中，所述芯片經(jīng)由在芯片底側(cè)上形成的至少一個(gè)接觸焊盤(pán)被電連接到芯片載體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝，其中，所述芯片經(jīng)由導(dǎo)電介質(zhì)被電連接到芯片載體，該導(dǎo)電介質(zhì)包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊料、軟焊料、擴(kuò)散焊料、導(dǎo)電膏、納米膏、粘合劑、導(dǎo)電粘合劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝，其中，所述電絕緣材料包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:填充或未填充環(huán)氧樹(shù)脂、預(yù)先浸潰復(fù)合材料纖維、加強(qiáng)纖維、層壓件、模具材料、熱固材料、熱塑性材料、填料顆粒、纖維加強(qiáng)層壓件、纖維加強(qiáng)聚合物層壓件、具有填料顆粒的纖維加強(qiáng)聚合物層壓件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝，還包括通過(guò)電絕緣材料形成的一個(gè)或多個(gè)電互連；其中，所述一個(gè)或多個(gè)電互連被配置成將在芯片頂側(cè)上形成的一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤(pán)電連接到所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝，還包括一個(gè)或多個(gè)接合結(jié)構(gòu)，被電連接到所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝，其中，所述一個(gè)或多個(gè)接合結(jié)構(gòu)包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊料、軟焊料、擴(kuò)散焊料、導(dǎo)電膏、納米膏。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝，其中，所述一個(gè)或多個(gè)接合結(jié)構(gòu)包括來(lái)自下組結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊珠、焊料凸塊、柱、銅柱。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝，還包括另一接合結(jié)構(gòu)，在芯片載體底側(cè)上的限定導(dǎo)電接觸區(qū)上形成；其中，芯片載體的限定導(dǎo)電接觸區(qū)未被所述另一電絕緣材料覆蓋。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝，還包括另一接合結(jié)構(gòu)，在芯片載體底側(cè)上的限定導(dǎo)電接觸區(qū)上形成；其中，所述另一接合結(jié)構(gòu)被電連接到在芯片底側(cè)上形成的至少一個(gè)接觸焊盤(pán)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的芯片封裝，其中，所述另一接合結(jié)構(gòu)包括來(lái)自下組材料的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊料、軟焊料、擴(kuò)散焊料、導(dǎo)電膏、納米膏。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的芯片封裝，其中，所述另一接合結(jié)構(gòu)包括來(lái)自下組結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)，該組由以下各項(xiàng)組成:焊珠、焊料凸塊、柱、銅柱。
17.—種芯片布置,包括電路板，包括:通孔，在電路板中形成；以及一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)，接近于通孔布置；芯片封裝，布置在通孔內(nèi)，其中，至少一個(gè)電路板接觸區(qū)被電連接到在芯片封裝的頂側(cè)上形成并與芯片頂側(cè)電連接的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)；以及其中，至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)被電連接到在芯片封裝的底側(cè)上形成并與芯片底側(cè)電連接的導(dǎo)電接觸區(qū)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的芯片布置，其中，所述芯片封裝還包括:芯片，設(shè)置在芯片載體頂側(cè)上并被電連接到芯片載體頂側(cè)；電絕緣材料，設(shè)置在芯片上并至少部分地圍繞芯片，其中，所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)是通過(guò)電絕緣材料形成的；以及另一電絕緣材料，設(shè)置在芯片載體底側(cè)上，其中，所述芯片載體底側(cè)上的導(dǎo)電接觸區(qū)從所述另一電絕緣材料釋放。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的芯片布置，其中，所述一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)被布置在通孔的邊緣處；以及其中，所述芯片封裝被布置在通孔內(nèi)，使得芯片頂側(cè)和芯片底側(cè)均面對(duì)通孔的相對(duì)邊緣。
20.—種電路板,包括:通孔，在電路板中形成以便容納芯片封裝；以及一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)，接近于通孔布置；其中，至少一個(gè)電路板接觸區(qū)被配置成與在芯片封裝頂側(cè)上形成并與芯片頂側(cè)電連接的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)；以及其中，至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)被配置成與在芯片封裝底側(cè)上形成并與芯片底側(cè)電連接的導(dǎo)電接觸區(qū)電連接。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電路板，其中，所述至少一個(gè)電路板接觸區(qū)和所述至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)被布置在通孔的基本上相對(duì)邊緣處；以及其中，所述至少一個(gè)電路板接觸區(qū)被配置成面對(duì)芯片封裝頂側(cè)；以及其中，所述至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)被配置成面對(duì)芯片封裝底側(cè)。
22.—種芯片封裝，包括:芯片載體；芯片，設(shè)置在芯片載體第一側(cè)上并被電連接到芯片載體第一側(cè)；電絕緣材料，設(shè)置在芯片第一側(cè)且至少部分地圍繞芯片；一個(gè)或多個(gè)電絕緣接觸部分，在電絕緣材料上形成并與在芯片第一側(cè)上形成的一個(gè)或多個(gè)芯片焊盤(pán)進(jìn)行電連接；另一電絕緣材料，設(shè)置在芯片載體第二側(cè)上，其中，芯片載體第二側(cè)面對(duì)與芯片載體第一側(cè)面對(duì)的方向相反的方向；以及其中，芯片載體第二側(cè)上的導(dǎo)電接觸區(qū)從所述另一電絕緣材料釋放。
23.一種用于制造芯片封裝的方法，該方法包括:在芯片載體頂側(cè)上設(shè)置芯片并將`芯片電連接到芯片載體頂側(cè)；在芯片上設(shè)置電絕緣材料，其中，所述電絕緣材料至少部分地圍繞芯片；在電絕緣材料上形成一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)與芯片電連接；在芯片載體底側(cè)上設(shè)置另一電絕緣材料；以及將芯片載體底側(cè)上的導(dǎo)電接觸區(qū)從所述另一電絕緣材料釋放。
24.一種用于制造芯片封裝的方法，該方法包括:在芯片載體第一側(cè)上設(shè)置芯片并將該芯片電連接至芯片載體第一側(cè)；在芯片第一側(cè)上設(shè)置電絕緣材料，其中，所述電絕緣材料至少部分地圍繞芯片；在電絕緣材料上形成一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)被電連接到在芯片第一側(cè)上形成的一個(gè)或多個(gè)芯片焊盤(pán)；以及在芯片載體第二側(cè)上設(shè)置另一電絕緣材料，其中，所述芯片載體第二側(cè)面對(duì)與芯片載體第一側(cè)面對(duì)的方向相反的方向；以及將芯片載體第二側(cè)上的導(dǎo)電接觸區(qū)從所述另一電絕緣材料釋放。
25.—種芯片布置,包括電路板，包括:腔體，在電路板中形成；以及一個(gè)或多個(gè)電路板接觸區(qū)，接近于所述腔體布置；芯片封裝，布置在腔體內(nèi)，其中，至少一個(gè)電路板接觸區(qū)被電連接到在芯片封裝的頂側(cè)上形成并與芯片頂側(cè)電連接的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸區(qū)；以及其中，至少一個(gè)另一電路板接觸區(qū)被電連接到在芯片封裝的底側(cè)上形成并與芯片底側(cè)電連接 的導(dǎo)電接觸區(qū)。
【文檔編號(hào)】H01L23/31GK103515336SQ201310261907
【公開(kāi)日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月27日
【發(fā)明者】M.鮑爾, A.海默爾, A.克斯勒, W.肖貝爾 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司