發(fā)光二極管元件的制造方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管元件的制造方法，包括步驟：提供一基板，在基板上表面凸伸形成凸出部；設(shè)置發(fā)光二極管芯片在所述凸出部上；提供模具覆蓋所述基板，所述模具的底面與凸出部上表面邊緣區(qū)域、凸出部側(cè)面、及基板上表面之間形成澆道，所述模具的底面與凸出部的上表面中部區(qū)域之間形成與澆道連通的腔體；沿澆道向所述腔體內(nèi)注塑透明流體材料并固化該透明流體材料以形成透鏡結(jié)構(gòu)，殘留澆道內(nèi)的流體材料固化形成透鏡結(jié)構(gòu)的密封部，所述密封部覆蓋該凸出部上表面邊緣區(qū)域并自該凸出部上表面邊緣彎折延伸至基板上表面；以及移除模具，形成所述發(fā)光二極管元件。
【專利說明】發(fā)光二極管元件的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光二極管元件的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管（Light Emitting Diode, LED)是一種可將電流轉(zhuǎn)換成特定波長范圍 的光的半導(dǎo)體元件。憑借其發(fā)光效率高、體積小、重量輕、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛地應(yīng)用到當(dāng) 前的各個(gè)領(lǐng)域當(dāng)中。
[0003] 傳統(tǒng)的具有透鏡的發(fā)光二極管元件通常包括LED封裝結(jié)構(gòu)以及固定于LED封裝結(jié) 構(gòu)上的透鏡。對(duì)于通過注塑成型的透鏡而言，業(yè)界通常先通過與模具腔體貫通的澆道向模 具腔體內(nèi)注射透明材料，待透明材料固化后移除模具并去除澆道處的殘留透明材料形成該 透鏡，該種透鏡經(jīng)由螺絲或卡榫連接固定在LED封裝結(jié)構(gòu)的基板上。然而，由于透鏡與基板 之間容易存在間隙，使得發(fā)光二極管元件的密封性難以得到保證，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)光二極管元 件的使用壽命受到影響。故，需進(jìn)一步改進(jìn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，有必要提供一種密封性好的發(fā)光二極管元件的制造方法。
[0005] -種發(fā)光二極管元件的制造方法，包括步驟：提供一基板，在基板上表面凸伸形成 凸出部；設(shè)置發(fā)光二極管芯片在所述凸出部上；提供模具覆蓋所述基板，所述模具的底面 與凸出部上表面邊緣區(qū)域、凸出部側(cè)面、及基板上表面之間形成澆道，所述模具的底面與凸 出部的上表面中部區(qū)域之間形成與澆道連通的腔體；沿澆道向所述腔體內(nèi)注塑透明流體材 料并固化該透明流體材料以形成透鏡結(jié)構(gòu)，殘留澆道內(nèi)的流體材料固化形成透鏡結(jié)構(gòu)的密 封部，所述密封部覆蓋該凸出部上表面邊緣區(qū)域并自該凸出部上表面邊緣彎折延伸至基板 上表面；以及移除模具，形成所述發(fā)光二極管元件。
[0006] 與先前技術(shù)相比，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管元件的制造方法，先自基板的上表面 形成一凸出部并形成高度差，在利用模具注塑形成透鏡結(jié)構(gòu)時(shí)保留固化于澆道的流體材 料，使得該透鏡結(jié)構(gòu)的密封部覆蓋凸出部周緣區(qū)域并自凸出部周緣彎折延伸至該基板上表 面，從而基板與透鏡結(jié)構(gòu)之間的貼合路徑較長且曲折延伸，從而外界水汽不易沿基板與透 鏡結(jié)構(gòu)的交接面進(jìn)入至該發(fā)光二極管芯片，增強(qiáng)該發(fā)光二極管元件的氣密性，進(jìn)而保證發(fā) 光二極管兀件的使用壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 圖1至圖4是本發(fā)明發(fā)光二極管元件的制造方法的中各步驟的示意圖。
[0008] 主要元件符號(hào)說明

【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管元件的制造方法，包括步驟： 提供一基板，在基板上表面凸伸形成凸出部； 設(shè)置發(fā)光二極管芯片在所述凸出部上； 提供模具覆蓋所述基板，所述模具的底面與凸出部上表面邊緣區(qū)域、凸出部側(cè)面、及基 板上表面之間形成澆道，所述模具的底面與凸出部的上表面中部區(qū)域之間形成與澆道連通 的腔體； 沿澆道向所述腔體內(nèi)注塑透明流體材料并固化該透明流體材料以形成透鏡結(jié)構(gòu)，殘留 澆道內(nèi)的流體材料固化形成透鏡結(jié)構(gòu)的密封部，所述密封部覆蓋該凸出部上表面邊緣區(qū)域 并自該凸出部上表面邊緣彎折延伸至基板上表面；以及 移除模具，形成所述發(fā)光二極管元件。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件的制造方法，其特征在于：所述透鏡結(jié)構(gòu)包括 光學(xué)部，所述光學(xué)部貼設(shè)于凸出部上表面中部區(qū)域并覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，所述密封 部自光學(xué)部靠近基板的底端沿水平方向向外凸伸形成。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件的制造方法，其特征在于：所述光學(xué)部靠近基 板側(cè)的底面面積小于凸出部的表面面積。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件的制造方法，其特征在于：所述模具包括形成 于底面的第一凹部和第二凹部，第一凹部與對(duì)應(yīng)的凸出部上表面邊緣區(qū)域、凸出部的側(cè)面 以及基板的上表面相對(duì)間隔設(shè)置并形成所述澆道，所述第二凹部與對(duì)應(yīng)凸出部上表面中部 區(qū)域間隔設(shè)置形成所述腔體。
5. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管元件的制造方法，其特征在于：所述第一凹部自模 具底面沿遠(yuǎn)離基板的方向凹陷形成，所述第一凹部的內(nèi)徑大于凸出部的外徑。
6. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管元件的制造方法，其特征在于：所述第二凹部自第 一凹部的底面沿遠(yuǎn)離基板的方向進(jìn)一步凹陷形成，所述第二凹部的內(nèi)表面為凹曲面，所述 第二凹部的最大外徑小于所述凸出部的外徑。
7. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管元件的制造方法，其特征在于：所述光學(xué)部包括一 入光面及與該入光面相對(duì)的出光面，所述出光面的形狀與第二凹部表面的形狀相同。
8. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件的制造方法，其特征在于：所述凸出部通過蝕 刻基板形成。
9. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件的制造方法，其特征在于：所述透鏡結(jié)構(gòu)中包 含有熒光粉。
【文檔編號(hào)】H01L25/13GK104253188SQ201310262045
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2013年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月27日
【發(fā)明者】張超雄, 陳濱全, 陳隆欣, 曾文良 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司