集成電路中具有開口的金屬焊盤的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種器件，包括金屬焊盤和鈍化層，其中該鈍化層包括與金屬焊盤的邊緣部分重疊的部分。后鈍化互連件(PPI)包括位于鈍化層上方的跡線部分以及連接至跡線部分的焊盤部分。聚合物層包括位于PPI上方的上部分，和延伸至PPI的焊盤部分中并且被PPI的焊盤部分環(huán)繞的插塞部分。本發(fā)明還公開了集成電路中具有開口的金屬焊盤。
【專利說明】集成電路中具有開口的金屬焊盤
[0001]相關(guān)申請的交叉參考
[0002]本申請要求于2012年8月30日提交的申請序列號為61/695，206、名稱為“MetalPads with Openings in Integrated Circuits”的美國臨時專利申請的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)
容結(jié)合于此作為參考。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地，涉及集成電路中具有開口的金屬焊盤。
【背景技術(shù)】
[0004]在集成電路的形成中，首先在晶圓中的半導(dǎo)體襯底的表面形成諸如晶體管的器件。然后在集成電路器件上方形成互連結(jié)構(gòu)。金屬焊盤形成在互連結(jié)構(gòu)上方并且電連接至互連結(jié)構(gòu)。在金屬焊盤上形成鈍化層和第一聚合物層，通過鈍化層和第一聚合物層中的開口暴露金屬焊盤。
[0005]然后形成后鈍化互連件(PPI)，之后在PPI上方形成第二聚合物層。形成延伸至第二聚合物層中的開口中的凸塊下金屬(UBM)，其中UBM電連接至PPI。然后將焊球放置在UBM上方并且對其進(jìn)行回流焊。
[0006]PPI可以包括UBM形成在其上方的PPI焊盤。而且，PPI可以包括將PPI焊盤與下面的金屬焊盤連接的PPI跡線。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種器件，包括:
[0008]金屬焊盤；
[0009]鈍化層，包括與所述金屬焊盤的邊緣部分重疊的部分；
[0010]后鈍化互連件(PPI)，包括:跡線部分，位于所述鈍化層上方；和焊盤部分，連接至所述跡線部分；以及
[0011]第一聚合物層，包括:位于所述PPI上方的上部；和插塞部分，延伸進(jìn)入所述PPI的焊盤部分中并且被所述PPI的焊盤部分所環(huán)繞。
[0012]在可選實施例中，所述第一聚合物層的插塞部分位于所述PPI的焊盤部分的過渡區(qū)中，并且所述過渡區(qū)靠近所述PPI的跡線部分。
[0013]在可選實施例中，所述器件進(jìn)一步包括:凸塊下金屬(UBM)，延伸進(jìn)入所述第一聚合物層中以接觸所述PPI的焊盤部分；以及，電連接件，位于所述UBM上方。
[0014]在可選實施例中，所述第一聚合物層的插塞部分不與所述UBM對準(zhǔn)。
[0015]在可選實施例中，所述器件進(jìn)一步包括:第二聚合物層，位于所述金屬焊盤上方并且位于所述PPI下方；以及，金屬通孔，位于所述第二聚合物層中。
[0016]在可選實施例中，所述第一聚合物層的插塞部分的底面與所述PPI的底面基本齊平。
[0017]在可選實施例中，所述金屬焊盤和所述鈍化層被包括在芯片中，其中所述器件進(jìn)一步包括環(huán)繞所述芯片的模制材料。
[0018]在可選實施例中，所述器件進(jìn)一步包括位于所述金屬焊盤上方的第二聚合物層，其中所述模制材料的頂面與所述第二聚合物層的頂面基本齊平。
[0019]在可選實施例中，所述PPI與所述模制材料重疊。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種器件，包括:
[0021]芯片，包括:
[0022]金屬焊盤；
[0023]鈍化層，包括與所述金屬焊盤的邊緣部分重疊的部分；和
[0024]第一聚合物層，位于所述金屬焊盤上方；
[0025]模制材料，環(huán)繞所述芯片，所述模制材料的頂面與所述第一聚合物層的頂面基本齊平；
[0026]后鈍化互連件(PPI)，電連接至所述金屬焊盤，所述PPI包括:
[0027]跡線部分，位于所述第一聚合物層上方；和
[0028]焊盤部分，位于所述第一聚合物層上方并且連接至所述跡線部分；
[0029]第二聚合物層，包括:
[0030]覆蓋部分，位于所述PPI上方；和
[0031]插塞部分，穿透所述PPI的焊盤部分以接觸所述第一聚合物層；以及
[0032]凸塊下金屬(UBM)，延伸進(jìn)入所述第二聚合物層中以接觸所述PPI的焊盤部分。
[0033]在可選實施例中，所述器件進(jìn)一步包括:第三聚合物層，與所述第一聚合物層和所述模制材料重疊，其中所述第三聚合物層位于所述第二聚合物層下方，所述PPI包括穿透所述第三聚合物層的通孔部分，并且所述通孔部分連接至所述跡線部分。
[0034]在可選實施例中，所述器件進(jìn)一步包括:金屬通孔，與所述金屬焊盤重疊并且位于所述第一聚合物層中，所述金屬通孔的頂面與所述第一聚合物層的頂面基本齊平，并且所述PPI的通孔部分接觸所述金屬通孔的頂面。
[0035]在可選實施例中，所述第二聚合物層的插塞部分位于所述PPI的焊盤部分的過渡部分中，并且所述過渡部分比所述PPI的焊盤部分的中心更靠近所述PPI的跡線部分。
[0036]在可選實施例中，所述第二聚合物層的插塞部分不與所述UBM對準(zhǔn)。
[0037]在可選實施例中，所述模制材料的底面與所述芯片的底面基本齊平。
[0038]根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，還提供了一種器件，包括:
[0039]金屬焊盤；
[0040]鈍化層，包括與所述金屬焊盤的邊緣部分重疊的部分；
[0041]第一聚合物層，位于所述金屬焊盤上方；
[0042]金屬通孔，位于所述第一聚合物層中，所述金屬通孔與所述金屬焊盤重疊并且接觸所述金屬焊盤；
[0043]第二聚合物層，位于所述第一聚合物層和所述金屬通孔上方；
[0044]后鈍化互連件(PPI),包括:
[0045]第一部分，位于所述第二聚合物層上方；和[0046]第二部分，延伸進(jìn)入所述第二聚合物層中以接觸所述金屬通孔；以及
[0047]第三聚合物層，包括:
[0048]插塞部分，延伸進(jìn)入所述PPI中并且被所述PPI環(huán)繞，所述插塞部分的底面與所述第二聚合物層的頂面接觸。
[0049]在可選實施例中，所述PPI的第二部分包括:跡線部分，具有基本一致的寬度；以及，焊盤部分，連接至所述跡線部分并且寬于所述跡線部分，其中所述第三聚合物層的插塞部分位于所述PPI的焊盤部分中。
[0050]在可選實施例中，所述金屬焊盤、所述鈍化層和所述第一聚合物層被包括在芯片中，所述器件進(jìn)一步包括環(huán)繞所述芯片的模制材料，并且所述第二聚合物層與所述模制材
料重疊。
[0051]在可選實施例中，所述器件進(jìn)一步包括:凸塊下金屬(UBM)，延伸進(jìn)入所述第三聚合物層中以電連接至所述PPI ；以及，電連接件，位于所述UBM上方。
[0052]在可選實施例中，所述插塞部分不與所述UBM對準(zhǔn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0053]為了更充分地理解本實施例及其優(yōu)點，現(xiàn)將結(jié)合附圖所作的以下描述作為參考，其中:
[0054]圖1至圖SB是根據(jù)一些示例性實施例的在制造封裝件的中間階段的截面圖；以及
[0055]圖9A至圖9E示出封裝件的部分的俯視圖，其中示出凸塊下金屬(UBM)和位于后鈍化互連件(PPI)結(jié)構(gòu)中的孔。
【具體實施方式】
[0056]以下詳細(xì)論述本發(fā)明的實施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，實施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實現(xiàn)的可應(yīng)用的發(fā)明構(gòu)思。所論述的具體實施例僅僅是示例性的，而不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0057]根據(jù)一些實施例，提供了一種包括后鈍化互連件(PPI)結(jié)構(gòu)的封裝件及其形成方法。以下示出了根據(jù)一些實施例的制造封裝件的中間階段。論述了實施例的變化。在各個附圖和不例性實施例中，相似的編號用于表不相似的兀件。
[0058]參考圖1，提供了芯片10，其包括半導(dǎo)體襯底20。半導(dǎo)體襯底20可以是塊狀硅襯底或絕緣體上硅襯底?？蛇x地，還可以使用包括III族、IV族和/或V族元素的其他半導(dǎo)體材料，這些半導(dǎo)體材料可以包括硅鍺、硅碳、II1-V族化合物半導(dǎo)體材料。在半導(dǎo)體襯底20中和/或上形成諸如晶體管(示意性地示為21)的集成電路器件。芯片10可以進(jìn)一步包括位于半導(dǎo)體襯底20上方的層間電介質(zhì)(ILD) 22，以及位于ILD22上方的互連結(jié)構(gòu)24?；ミB結(jié)構(gòu)24包括形成在介電層25中的金屬線26和通孔28。同一層的金屬線的組合在下文中被稱為金屬層。在一些實施例中，互連結(jié)構(gòu)24包括通過通孔28互連的多個金屬層。金屬線26和通孔28可以由銅或銅合金形成，然而它們也可以由其他金屬形成。在一些實施例中，介電層25由低k介電材料形成。例如，低k介電材料的介電常數(shù)(k值)可以是小于約3.0或小于約2.5。
[0059]在互連結(jié)構(gòu)24上方形成金屬焊盤30，并且金屬焊盤30可以通過金屬線26和通孔28電連接至集成電路器件21，其中所示出的線29表示電連接。金屬焊盤30可以是鋁焊盤或鋁-銅焊盤，但是也可以使用其他金屬材料。在互連結(jié)構(gòu)24上方形成鈍化層32。鈍化層32的一部分可以覆蓋金屬焊盤30的邊緣部分，并且通過鈍化層32中的開口來暴露金屬焊盤30的中心部分。鈍化層32可以是單層或復(fù)合層，并且可以由無孔的材料形成。在一些實施例中，鈍化層32是復(fù)合層，該復(fù)合層包括氧化硅層(未示出)和位于氧化硅層上方的氮化硅層(未示出)。鈍化層32還可以由其他無孔的介電材料形成，諸如無摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)、氮氧化硅和/或類似物。
[0060]在鈍化層32上方形成聚合物層36。聚合物層36可以包括諸如聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)等的聚合物。例如，形成方法可以包括旋涂。聚合物層36可以以液態(tài)分散，然后被固化。
[0061]圖案化聚合物層36,并且在聚合物層36中形成金屬通孔40。金屬通孔40可以覆蓋并且接觸金屬焊盤30的頂面。根據(jù)一些實施例，金屬通孔40還可以包括在鈍化層32上方延伸并且與部分鈍化層32接觸的部分。金屬通孔40的頂面可以與聚合物層36的頂面齊平。
[0062]接下來，參考圖2，例如通過粘合劑44將芯片10設(shè)置在載體42上。然后將模制材料46分散并使其固化以將芯片10模制在其中。在一些實施例中，模制材料46包括模塑料。在可選的實施例中，模制材料46包括模制底部填充物、樹脂等。接下來，參考圖3，實施平坦化以去除位于聚合物層36和金屬通孔40上方的模制材料46的多余部分從而露出金屬通孔40。結(jié)果,聚合物層36的頂面36A、模制材料46的頂面46A和金屬通孔40的頂面40A基本上相互齊平。
[0063]在圖4中，形成聚合物層48，其可以包括選自候選材料的組的聚合物，該候選材料的組與聚合物層36的候選材料的組相同。因而聚合物層48延伸為與聚合物層36、金屬通孔40和模制材料46重疊并且接觸。然后圖案化聚合物層48以形成開口 50，通過開口 50暴露金屬通孔40。在聚合物層48由感光材料形成的實施例中，通過將光刻掩模(未示出)暴露于光來圖案化聚合物層48。然后顯影所暴露的聚合物層48以形成開口 50。
[0064]圖5和圖6示出PPI52的形成，由于PPI52的形成在鈍化層32的形成之后，所以命名為PPI。在一些實施例中，如圖5所不,在聚合物層48上方沉積晶種層54,之后在晶種層54上方形成掩模56并且圖案化掩模56。例如，晶種層54可以是使用物理汽相沉積(PVD)沉積的銅層。掩模層56可以是干膜或者光刻膠。然后在晶種層54上方形成金屬層58 (如圖6所示)。金屬層58可以由純銅、基本純的銅或銅合金形成，并且可以使用電鍍形成金屬層58。在形成金屬層58之后，去除掩模層56 (圖5)。然后在蝕刻步驟中去除與掩模層56重疊的晶種層54的部分。圖6示出所得到的圖案。在下文中晶種層54的剩余部分和金屬層58 —起被稱為PPI52。
[0065]PPI52包括PPI焊盤52A和PPI跡線52B。PPI焊盤52A的橫向尺寸(諸如寬度或直徑)明顯大于PPI跡線52B的橫向尺寸。例如，圖9A示出示例性PPI52的俯視圖。在圖9A的實施例中，PPI跡線52B在X方向上為長度方向，其中PPI焊盤52A的尺寸W2大于PPI跡線52B的寬度Wl的三倍、五倍或十倍，其中在Y方向上測量寬度Wl和W2。在一些實施例中，PPI跡線52B的寬度Wl是基本上一致的。
[0066]返回參考圖6，PPI52進(jìn)一步包括延伸至聚合物層48的開口 50中以接觸金屬通孔40的通孔部分52C。在一些實施例中，可以延伸PPI52以覆蓋芯片10和模制材料46，如圖中虛線所示。因此，示出的結(jié)構(gòu)可以是扇出結(jié)構(gòu)。
[0067]仍然如圖6所示，PPI52可以包括位于PPI焊盤52A中的一個或多個開口 60，其中開口 60可以在PPI焊盤52A和PPI跡線52B的過渡區(qū)(transition region)中。通過開口 60暴露聚合物層48。在一些實施例中，在除過渡區(qū)之外的區(qū)域中沒有形成開口。例如，在靠近PPI焊盤52A的中心52A1的PPI焊盤52A的部分中，沒有形成開口。而且，在PPI焊盤52A的以中心52A1為中心的與PPI跡線52B相對的另一側(cè)上的部分上沒有形成任何開口。開口 60的寬度W3可以在PPI跡線52B的寬度Wl的約20%和約80%之間。然而，應(yīng)該理解，整個說明書中所列舉的尺寸僅僅是實例，并且可以更改為不同的值。
[0068]圖7示出聚合物層62的形成和圖案化。聚合物層62可以包括聚酰亞胺或者另一基于聚合物的材料，諸如PB0、BCB等。在一些實施例中，使用旋涂形成聚合物層62。聚合物層62包括填充在開口 60(圖6)中的部分，在整個說明書中聚合物62的該部分被稱為聚合物插塞62A。而且，聚合物層62進(jìn)一步包括與PPI52重疊的一部分和環(huán)繞PPI52的部分。
[0069]接下來，如圖8A所示，形成UBM層64。在一些實施例中，UBM層64包括阻擋層(未示出)和位于阻擋層上方的晶種層(未示出)。UBM層64延伸入聚合物層62的開口中，并且可以進(jìn)一步包括與聚合物層62重疊的部分。UBM層64可以電連接至PPI焊盤52A并且與PPI焊盤52A物理接觸。阻擋層可以是鈦層、氮化鈦層、鉭層、氮化鉭層或者由鈦合金或鉭合金形成的層。晶種層的材料可以包括銅或銅合金。在一些實施例中，使用PVD或者其他可用的方法形成UBM層64。
[0070]進(jìn)一步參考圖8A，形成連接件66。在一些實施例中，連接件66是金屬區(qū)域，其可以是置放在UBM層64上的金屬球(諸如焊球或銅球)或者通過電鍍形成在UBM層64上的金屬柱。在連接件66包括焊料的實施例中，焊料可以經(jīng)歷回流焊工藝，從而形成金屬球66。在可選的實施例中，連接件66包括金屬柱，該金屬柱可以是銅柱。還可以在金屬柱上形成諸如鎳層、焊帽、鈀層等的額外的層。然后可從載體42卸離芯片10和模制材料以用作集成封裝件。
[0071]圖SB示出根據(jù)可選實施例的封裝件的截面圖。除了 PPI焊盤52A位于相應(yīng)封裝件的扇出區(qū)中外，這些實施例與圖8A示出的實施例類似。因而PPI焊盤52A與模制材料46重疊。此外，聚合物插塞62A也可以位于扇出區(qū)中并且與模制材料46重疊(如圖8B所示)。在可選的實施例中，PPI焊盤52A與模制材料46重疊，同時聚合物插塞62A的一部分(并非全部)與模制材料46重疊，并且剩余的聚合物插塞62A與芯片10重疊。
[0072]圖9A至圖9E示出示例性的PPI跡線52B、UBM64和金屬連接件66的俯視圖。在圖9A至9E的每一幅圖中，在PPI焊盤52A中形成開口 60，并且在開口 60中填充聚合物插塞62A。開口 60/聚合物插塞62A形成在PPI焊盤52A的過渡區(qū)中，該過渡區(qū)靠近PPI跡線52B。例如，過渡區(qū)是寬度從PPI焊盤52A的寬度至相應(yīng)的連接PPI跡線52B的寬度逐漸減小的區(qū)域。在圖9A至9E的俯視圖中，PPI焊盤52A可以具有圓形，其中圓的直徑還示出為寬度W2，然而PPI焊盤52還可以具有諸如橢圓、六邊形、矩形等的其他形狀。具有不同數(shù)目、布局和尺寸的開口 60/聚合物插塞62A也被考慮在本發(fā)明的范圍內(nèi)。而且，圖9A至圖9E中的開口 60/聚合物插塞62A可結(jié)合，并且開口 60/聚合物插塞62A可以以任何的組合形成在相同的PPI52中。[0073]例如，圖9A示出具有菱形或矩形的開口 60/聚合物插塞62A。在一些實施例中，圖9A中的開口 60/聚合物插塞62A的寬度W3可以是介于PPI跡線52B的寬度Wl的約20%和約80%之間，并且可以是介于PPI焊盤52A的寬度W2的約20%和約80%之間。開口 60/聚合物插塞62A可以布置成多列，所述多列可以位于X方向或Y方向。每一列的開口 60/聚合物插塞62A可以與相鄰列中的開口 60/聚合物插塞62A的兩個之間的間距對準(zhǔn)。
[0074]圖9B示出具有寬度W3小于圖9A的寬度的更多開口 60/聚合物插塞62A。在一些實施例中，圖9B中的寬度W3可以是介于PPI跡線52B的寬度Wl的約20%和約80%之間，并且可以是介于PPI焊盤52A的寬度W2的約20%和約80%之間。此外，這些實施例中的開口 60/聚合物插塞62A可以具有菱形、矩形或多邊形。開口 60/聚合物插塞62A可以布局為多列，所述多列可以在X方向或Y方向延伸。每一列和每一行的開口 60/聚合物插塞62A可以分別與相鄰列和行中的開口 60/聚合物插塞62A對準(zhǔn)。
[0075]圖9C示出具有較大尺寸的單個開口 60/聚合物插塞62A。在一些實施例中，圖9C中的寬度W3可以是介于寬度Wl的約20%和約80%之間，并且可以是介于寬度W2的約20%和約80%之間。單個開口 60/聚合物插塞62A可以配置成與PPI跡線52B的中心線53對準(zhǔn)，然而開口 60/聚合物插塞62A也可以不與中心線53對準(zhǔn)。而且，單個開口 60/聚合物插塞62A的邊緣63可以基本上平行于PPI52的過渡區(qū)的邊緣65。
[0076]在圖9D中，開口 60/聚合物插塞62A具有圓形的俯視形狀。在一些實施例中，圖9D中的直徑Dl和/或D2可以是介于寬度Wl的約20%和約80%之間，并且可以是介于寬度W2的約20%和約80%之間。而且，開口 60/聚合物插塞62A可以具有相互不同的直徑Dl和D2。例如，根據(jù)一些示例性實施例，D2/D1的比值可以是介于約0.2和約0.4之間。
[0077]開口 60/聚合物插塞62A的俯視圖形狀可以是任何形狀，包括但不限于矩形或鏟形(圖9A至圖9C)和圓形(圖9D)。例如，圖9E示出不規(guī)則形狀的開口 60/聚合物插塞62A，其具有直邊63和曲邊67。而且，開口 60/聚合物插塞62A的邊緣63可以基本上平行于PPI52的過渡區(qū)的邊緣65。
[0078]在一些實施例中，開口 60/聚合物插塞62A與UBM64和/或連接件66不重疊。在可選的實施例中，開口 60/聚合物插塞62A可以與UBM64和/或連接件66重疊(因而直接位于其下方)。在示例性的實施例中，開口 60/聚合物插塞62A形成在扇出結(jié)構(gòu)中，其中PPI52可以延伸至芯片10的邊緣之外以與模制材料46重疊。在可選實施例中，開口 60/聚合物插塞62A可以形成在芯片10之內(nèi)。在這種情況下，可以不形成金屬通孔40和聚合物層36，并且圖8A和8B中的PPI52C延伸入聚合物層48和鈍化層32的開口中以接觸金屬焊盤30。在這些實施例中，沒有分發(fā)模制材料46。
[0079]在實施例中，通過在PPI焊盤的過渡區(qū)中形成開口(該過渡區(qū)靠近相應(yīng)的連接PPI跡線)，過渡區(qū)中的PPI的體積越小，過渡區(qū)就越柔韌和不那么剛硬。由于PPI焊盤越大并因此比PPI跡線更加剛硬，所以PPI跡線遭受應(yīng)力并且可能斷裂。通過使過渡區(qū)剛硬性變小，過渡區(qū)可以幫助吸收應(yīng)力，因此防止PPI跡線斷裂。
[0080]根據(jù)一些實施例，一種器件包括金屬焊盤和鈍化層，其中鈍化層包括覆蓋金屬焊盤的邊緣部分的部分。PPI包括位于鈍化層上方的跡線部分，和連接至跡線部分的焊盤部分。聚合物層包括位于PPI上方的上部，和延伸至PPI的焊盤部分中并且被PPI的焊盤部分環(huán)繞的插塞部分。[0081]根據(jù)其他實施例，一種芯片包括金屬焊盤；鈍化層，包括與金屬焊盤的邊緣部分重疊的部分；以及，位于金屬焊盤上方的第一聚合物層。模制材料環(huán)繞芯片。模制材料的頂面與第一聚合物層的頂面基本齊平。PPI電連接至金屬焊盤。PPI包括位于第一聚合物層上方的跡線部分和位于第一聚合物層上方并且連接至跡線部分的焊盤部分。第二聚合物層包括位于PPI上方的覆蓋部分，和穿透PPI的焊盤部分以接觸第一聚合物層的插塞部分。UBM延伸入第二聚合物層以接觸PPI的焊盤部分。
[0082]根據(jù)另外的實施例，一種器件包括金屬焊盤；鈍化層，包括與金屬焊盤的邊緣部分重疊的部分；位于金屬焊盤上方的第一聚合物層；以及，位于第一聚合物層中的金屬通孔。金屬通孔與金屬焊盤重疊并且接觸金屬焊盤。第二聚合物層設(shè)置在第一聚合物層和金屬通孔上方。PPI包括位于第二聚合物層上方的第一部分和延伸入第二聚合物層中以接觸金屬通孔的第二部分。第三聚合物層包括延伸入PPI中并且被PPI環(huán)繞的插塞部分，其中插塞部分包括與第二聚合物層的頂面接觸的底面。
[0083]盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了實施例及其優(yōu)勢，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的實施例的構(gòu)思和范圍的情況下，進(jìn)行各種改變、替換和更改。而且，本申請的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明應(yīng)很容易理解，根據(jù)本發(fā)明可以利用現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與本文所述相應(yīng)實施例基本上相同的功能或者獲得基本上相同的結(jié)果的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求預(yù)期在其范圍內(nèi)包括這樣的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟。此外，每條權(quán)利要求構(gòu)成單獨的實施例，并且多個權(quán)利要求和實施例的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種器件，包括: 金屬焊盤； 鈍化層，包括與所述金屬焊盤的邊緣部分重疊的部分； 后鈍化互連件(PPI),包括: 跡線部分，位于所述鈍化層上方；和 焊盤部分，連接至所述跡線部分；以及 第一聚合物層，包括: 位于所述PPI上方的上部；和 插塞部分，延伸進(jìn)入所述PPI的焊盤部分中并且被所述PPI的焊盤部分所環(huán)繞。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一聚合物層的插塞部分位于所述PPI的焊盤部分的過渡區(qū)中，并且所述過渡區(qū)靠近所述PPI的跡線部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括: 凸塊下金屬(UBM)，延伸進(jìn)入所述第一聚合物層中以接觸所述PPI的焊盤部分；以及 電連接件，位于所述UBM上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中，所述第一聚合物層的插塞部分不與所述UBM對準(zhǔn)。
5.一種器件，包 括: 芯片，包括: 金屬焊盤； 鈍化層，包括與所述金屬焊盤的邊緣部分重疊的部分；和 第一聚合物層，位于所述金屬焊盤上方； 模制材料，環(huán)繞所述芯片，所述模制材料的頂面與所述第一聚合物層的頂面基本齊平; 后鈍化互連件(PPI)，電連接至所述金屬焊盤，所述PPI包括: 跡線部分，位于所述第一聚合物層上方；和 焊盤部分，位于所述第一聚合物層上方并且連接至所述跡線部分； 第二聚合物層，包括: 覆蓋部分，位于所述PPI上方；和 插塞部分，穿透所述PPI的焊盤部分以接觸所述第一聚合物層；以及 凸塊下金屬(UBM)，延伸進(jìn)入所述第二聚合物層中以接觸所述PPI的焊盤部分。
6.一種器件，包括: 金屬焊盤； 鈍化層，包括與所述金屬焊盤的邊緣部分重疊的部分； 第一聚合物層，位于所述金屬焊盤上方； 金屬通孔，位于所述第一聚合物層中，所述金屬通孔與所述金屬焊盤重疊并且接觸所述金屬焊盤； 第二聚合物層，位于所述第一聚合物層和所述金屬通孔上方； 后鈍化互連件(PPI),包括: 第一部分，位于所述第二聚合物層上方；和第二部分，延伸進(jìn)入所述第二聚合物層中以接觸所述金屬通孔；以及 第三聚合物層，包括: 插塞部分，延伸進(jìn)入所述PPI中并且被所述PPI環(huán)繞，所述插塞部分的底面與所述第二聚合物層的頂面接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，所述PPI的第二部分包括: 跡線部分，具有基本一致的寬度；以及 焊盤部分，連接至所述跡線部分并且寬于所述跡線部分，其中所述第三聚合物層的插塞部分位于所述PPI的焊盤部分中。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，所述金屬焊盤、所述鈍化層和所述第一聚合物層被包括在芯片中，所述器件進(jìn)一步包括環(huán)繞所述芯片的模制材料，并且所述第二聚合物層與所述模制材料重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，進(jìn)一步包括: 凸塊下金屬(UBM)，延伸進(jìn)入所述第三聚合物層中以電連接至所述PPI ;以及 電連接件，位于所述UBM上方。
10.根據(jù)權(quán)利要 求9所述的器件，其中，所述插塞部分不與所述UBM對準(zhǔn)。
【文檔編號】H01L23/488GK103681563SQ201310263301
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月30日
【發(fā)明者】陳碩懋, 黃渝婷 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司