制備多晶硅層的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種制備多晶硅層的方法，通過分批多次沉積非晶硅薄膜，并在每次沉積工藝后均進行準(zhǔn)分子鐳射工藝，不僅能夠?qū)⒎蔷Ч璞∧ね耆D(zhuǎn)化為多晶硅薄膜，并且能夠控制多晶硅薄膜的均勻性，若干多晶硅薄膜依次層疊形成一多晶硅層，從而獲得均勻性較好的多晶硅層，在提高產(chǎn)品性能的同時，還有效避免了顯示器件中色差問題的發(fā)生，進而大幅提高了產(chǎn)品的良率。
【專利說明】制備多晶硅層的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種制備多晶硅層的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)代生活的快速發(fā)展，視頻產(chǎn)品，特別是數(shù)字化的視頻或者影像裝置，這些高科技產(chǎn)品愈易常見的走進人們的生活。在這些數(shù)字化的視頻或者影像裝置中，顯示器是必不可少的部件，用以顯示相關(guān)信息。使用者可由顯示器讀取信息，或進而控制裝置的運作。
[0003]而薄膜晶體管可應(yīng)用于液晶顯示器的驅(qū)動組件，使得液晶顯示器成為桌上直式型平面顯示器的主流，于個人筆記本、游戲機、監(jiān)視器等市場成為未來的主導(dǎo)性產(chǎn)品。目前，因非晶硅薄膜可于200?300°C的低溫環(huán)境下生長，因此非晶硅薄膜晶體管被廣泛使用。但是非晶硅的電子遷移率低，使得非晶硅薄膜晶體管已跟不上目前高速組件的應(yīng)用需求，而多晶硅薄膜晶體管相較于非晶硅薄膜晶體管具有較高的遷移率和低溫敏感性，使其更適用于聞速組件。
[0004]圖1是傳統(tǒng)制備多晶硅薄膜的流程示意圖，如圖所示，首先在非晶硅薄膜上表面淀積一金屬材料層，金屬材料層部分覆蓋非晶硅薄膜；而后對金屬材料層進行準(zhǔn)分子鐳射工藝，以使金屬材料層中的金屬原子擴散至非晶硅薄膜中，同時金屬材料層傳遞準(zhǔn)分子鐳射能量至金屬材料層下方的非晶硅薄膜上，使金屬材料層下方的非晶硅薄膜轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜，從而形成具有高載流子遷移率的多晶硅，以提高多晶硅層的導(dǎo)電性；最后對未被金屬材料層覆蓋的非晶硅薄膜區(qū)域進行準(zhǔn)分子鐳射工藝，使未被金屬材料層覆蓋的非晶硅薄膜亦轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜。
[0005]然而，在進行第二次準(zhǔn)分子鐳射工藝過程中，將位于金屬材料層與非晶硅層接口處的非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅時，由于鄰近接口處的非晶硅薄膜中存在金屬原子，吸收激光能量較強，導(dǎo)致該位置處形成的多晶硅薄膜的均勻性難以控制，進而造成制備的多晶硅薄膜均勻性較差，影響產(chǎn)品的性能，尤其在均勻性需求較高的產(chǎn)品中，如制備AMOLED (有源矩陣有機發(fā)光二極體面板)，采用均勻性較差的多晶硅薄膜制備顯示器件時，其會與正常的顯示器之間在工作過程中形成嚴(yán)重的色差現(xiàn)象，從而降低了產(chǎn)品的良率，影響產(chǎn)品的性能。
[0006]中國專利(
【發(fā)明者】葉昱均, 許民慶 申請人:上海和輝光電有限公司