用于處理基板的方法和裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種基板處理裝置和一種基板處理方法。基板處理裝置包括：基板支撐件，在其上布置基板；以及可移動(dòng)噴射件，其將流體供給到布置在基板支撐件上的基板?？梢苿?dòng)噴射件包括旋轉(zhuǎn)以噴射至少一種流體的第一噴嘴臂以及布置在第一噴嘴臂上以噴射至少一種流體的第二噴嘴臂。
【專利說明】用于處理基板的方法和裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]這里公開的本發(fā)明涉及一種用于處理基板的系統(tǒng)，并且更具體，涉及一種將化學(xué)溶液噴射在基板上以清洗基板的表面的基板處理裝置以及一種基板處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體器件的高密度、高集成與高性能的趨勢，電路圖案的微粉化進(jìn)展迅速。因此，保留在基板的表面上的諸如顆粒、有機(jī)污染物、金屬污染物等的污染物對器件特性與產(chǎn)品的收益率有很大影響。因此，用于移除附接到基板的表面的多種污染物的清洗處理成為主要問題。在用于制造半導(dǎo)體的每次單元處理之前與之后都執(zhí)行基板清洗處理。
[0003]通常，利用多種化學(xué)溶液來移除光致抗蝕劑。這里，每種不同化學(xué)溶液都可以通過各個(gè)獨(dú)立噴嘴單元中提供到基板上。因此，由于化學(xué)溶液的種類增加，因此噴嘴單元數(shù)量的增加可能使設(shè)備面積增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供了一種能夠減小設(shè)備面積的基板處理裝置以及一種基板處理方法。
[0005]本發(fā)明提供了一種能夠減小處理時(shí)間的基板處理裝置以及一種基板處理方法。
[0006]本發(fā)明的特征不限于上述，而且本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將會(huì)從下面的描述中清楚地理解這里未描述的其它特征。
[0007]本發(fā)明的實(shí)施方式提供了基板處理裝置，其包括:基板支撐件，在其上布置有基板；以及可移動(dòng)噴射件，其將流體供給到布置在所述基板支撐件上的所述基板上，其中可移動(dòng)噴射件包括:旋轉(zhuǎn)以噴射至少一種流體的第一噴嘴臂；以及布置在第一噴嘴臂上以噴射至少一種流體的第二噴嘴臂。
[0008]在一些實(shí)施方式中，第二噴嘴臂可以通過單獨(dú)的旋轉(zhuǎn)軸與驅(qū)動(dòng)源在第一噴嘴臂上旋轉(zhuǎn)。
[0009]在其它實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)谝粐娮毂坌D(zhuǎn)的同時(shí)，第二噴嘴臂可以與第一噴嘴臂一起旋轉(zhuǎn)。
[0010]在此外其它實(shí)施方式中，第一噴嘴臂與第二噴嘴臂可以包括噴射彼此不同的處理流體的噴嘴。
[0011]在此外其它實(shí)施方式中，可移動(dòng)噴射件可以包括:使第一噴嘴臂旋轉(zhuǎn)的第一驅(qū)動(dòng)單元；以及使所述第二噴嘴臂旋轉(zhuǎn)的第二驅(qū)動(dòng)單元。
[0012]在此外其它實(shí)施方式中，第二驅(qū)動(dòng)單元可以布置在第一噴嘴臂上。
[0013]在其它實(shí)施方式中，可移動(dòng)噴射件還可以包括控制第一驅(qū)動(dòng)單元與第二驅(qū)動(dòng)單元的控制單元。
[0014]在此外的其它實(shí)施方式中，在可移動(dòng)噴射件中，可在第一噴嘴臂上設(shè)置多個(gè)第二噴嘴臂。
[0015]在此外的其它實(shí)施方式中，可移動(dòng)噴射件還可以包括第三噴嘴臂，其通過單獨(dú)的旋轉(zhuǎn)軸與驅(qū)動(dòng)源在第二噴嘴臂上旋轉(zhuǎn)以噴射至少一種流體。
[0016]在本發(fā)明的其它實(shí)施方式中，通過利用包括第一噴嘴的第一噴嘴臂與相對于所述第一噴嘴臂獨(dú)立地操作并且包括第二噴嘴的第二噴嘴臂來處理基板表面的基板處理方法，包括:將所述第一噴嘴臂與所述第二噴嘴臂從起始點(diǎn)旋轉(zhuǎn)到基板上方的一個(gè)點(diǎn)；當(dāng)?shù)诙娮毂蹚幕迳戏降囊粋€(gè)點(diǎn)朝向基板的邊緣旋轉(zhuǎn)時(shí)，通過第二噴嘴將處理流體噴射在基板上；以及當(dāng)完成處理流體通過第二噴嘴的噴射時(shí)，在第一噴嘴臂從基板上方的一個(gè)點(diǎn)朝向基板的邊緣旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，通過第一噴嘴將處理流體噴射在基板上。
[0017]在一些實(shí)施方式中，在通過第一噴嘴噴射處理流體的過程中，第二噴嘴臂可以沿著與第一噴嘴臂的旋轉(zhuǎn)方向相反的方向旋轉(zhuǎn)以防止第二噴嘴臂的位置改變。
[0018]在其它實(shí)施方式中，在通過第一噴嘴噴射處理流體的過程中，第一噴嘴臂與第二噴嘴臂可以具有相同的旋轉(zhuǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]所包括的附圖提供對本發(fā)明的進(jìn)一步地理解，并且納入并且構(gòu)成本說明書的一部分。此附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，其連同【專利附圖】

【附圖說明】一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0020]圖1是基板處理系統(tǒng)的不意性平面圖；
[0021]圖2是根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的平面圖:
[0022]圖3是根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的側(cè)面橫截面視圖:
[0023]圖4是示出圖3的第一可移動(dòng)噴射件的主要部分的放大圖；
[0024]圖5是示出第一噴嘴臂與第二噴嘴臂的控制序列的視圖；以及
[0025]圖6-圖9是示出第一可移動(dòng)噴射件的操作的視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面將參照附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。盡管這里將晶片設(shè)置為基板的實(shí)例，但是本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思與范圍不限于此。
[0027]參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)1000包括分度單元10、緩沖單元20、以及處
理單元50。分度單元10、緩沖單元20、以及處理單元50可以布置在一條直管線上。在下文中，其中分度單元10、緩沖單元20、與處理單元50布置的方向稱作第一方向。此外，當(dāng)從上側(cè)觀察時(shí)，垂直于第一方向的方向稱作第二方向，并且垂直于包括第一方向與第二方向的平面的方向稱作第三方向。
[0028]分度單元10沿著第一方向布置在基板處理系統(tǒng)1000的前側(cè)上。分度單元10包括四個(gè)加載端口 12以及一個(gè)分度機(jī)械手13。
[0029]四個(gè)加載端口 12沿著第一方向布置在分度單元10的前側(cè)上。設(shè)有多個(gè)加載端口
12。多個(gè)加載端口 12沿著第二方向布置。加載端口 12的數(shù)量可以根據(jù)基板處理系統(tǒng)1000的處理效率和表面區(qū)域(foot print)狀況增加或減小。其中容納待處理的基板W與經(jīng)處理的基板W的載體(例如，暗盒或前開式晶圓盒)定位在每個(gè)加載端口 12上。在基板平行于地面布置的狀態(tài)中用于容納基板的多個(gè)狹槽被限定在載體16中。
[0030]分度機(jī)械手13沿著第一方向布置在加載端口 12附近。分度機(jī)械手13布置在加載端口 12與緩沖單元20之間。分度機(jī)械手13將等待在緩沖單元20的上基底(upper floor)上的基板W轉(zhuǎn)移到載體16中，或者將等待在載體16中的基板W轉(zhuǎn)移到緩沖單元20的下基底中。
[0031]緩沖單元20布置在分度單元10與處理單元50之間。緩沖單元20提供一個(gè)位置，待通過分度機(jī)械手13轉(zhuǎn)移的基板W或者待通過主轉(zhuǎn)移機(jī)械手30轉(zhuǎn)移的將處理的基板W臨時(shí)地容納在此位置中或在此位置等待。
[0032]主轉(zhuǎn)移機(jī)械手30布置在移動(dòng)路徑40上以在每個(gè)基板處理裝置I與緩沖單元20之間轉(zhuǎn)移基板W。主轉(zhuǎn)移機(jī)械手30將待處理的等待在緩沖單元20中的基板W，轉(zhuǎn)移到每個(gè)基板處理裝置I中，或者將在每個(gè)基板處理裝置I中處理的基板W轉(zhuǎn)移到緩沖單元20中。
[0033]移動(dòng)路徑40沿著第一方向布置有處理單元50以提供主轉(zhuǎn)移機(jī)械手30通過其移動(dòng)的路徑。基板處理裝置I沿著第一方向布置在移動(dòng)路徑40的兩側(cè)上以面向彼此。移動(dòng)軌道布置在移動(dòng)路徑40上，主轉(zhuǎn)移機(jī)械手30通過移動(dòng)軌道沿著第一方向移動(dòng)并且可提升到每個(gè)基板處理裝置I的上基底與下基底以及緩沖單元20的上基底與下基底。
[0034]基板處理裝置I布置在移動(dòng)路徑40的兩側(cè)上，主轉(zhuǎn)移機(jī)械手30布置在移動(dòng)路徑40上以面向彼此。基板處理系統(tǒng)1000包括多個(gè)上基板處理裝置和下基板處理裝置I。然而，基板處理裝置I的數(shù)量可以根據(jù)基板處理系統(tǒng)1000處理效率和表面區(qū)域狀況增加或減小。每個(gè)基板處理裝置I都可以設(shè)置為獨(dú)立的殼體。因此，可以在每個(gè)基板處理裝置內(nèi)執(zhí)行用于單獨(dú)處理基板的處理。
[0035]在下面的實(shí)施方式中，可以作為實(shí)例描述用于通過使用諸如高溫硫酸、堿性化學(xué)溶液(包括臭氧水)、酸性化學(xué)溶液、沖洗溶液、干燥氣體(包含IPA的氣體)的處理流體來清洗基板的裝置。然而，本發(fā)明的技術(shù)特征不限于此。例如，本發(fā)明的技術(shù)特征可以應(yīng)用到在使基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)執(zhí)行諸如蝕刻處理的處理的多種裝置。
[0036]圖2是根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的平面圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的側(cè)面橫截面視圖。在圖3中，為了方便繪圖，省略了固定噴嘴件。
[0037]盡管在現(xiàn)有的實(shí)施方式中示例了作為通過使用單一式基板處理裝置I處理的基板的半導(dǎo)體基板，但是本發(fā)明不限于此。例如，本發(fā)明還可以應(yīng)用于諸如玻璃基板的多種基板。
[0038]參照圖2和圖3，根據(jù)本發(fā)明的單一式基板處理裝置I可以是通過使用多種處理流體來移除保留在基板的表面上的異物與薄膜的裝置。單一式基板處理裝置I包括室800、處理容器100、基板支撐件200、可移動(dòng)噴嘴件200、可移動(dòng)噴嘴件300、固定噴嘴500、以及排放件 400。
[0039]室800提供了密封的內(nèi)部空間、以及布置在室800的上部上的風(fēng)扇過濾器單元810。風(fēng)扇過濾器單元810在室800內(nèi)產(chǎn)生豎直空氣流。
[0040]過濾器與空氣供給風(fēng)扇模塊化為一個(gè)單元以構(gòu)成風(fēng)扇過濾器單元810。風(fēng)扇過濾器單元810可以是用于過濾清潔空氣以將清潔空氣供給到室800中的單元。清潔空氣可以穿過風(fēng)扇過濾器單元810并且供給到室800中以產(chǎn)生豎直空氣流。豎直空氣流可以在基板上提供均勻空氣流。因此，通過處理容器100的抽吸管將在通過處理流體處理基板的表面時(shí)產(chǎn)生的污染物(煙)與空氣一起排放到排放件400中并且由此將污染物移除以保持處理容器100中的高純度。[0041]如圖2中所示，可以通過水平分隔壁將室800分隔成處理區(qū)域816與修復(fù)區(qū)域818。盡管在附圖中僅示出了區(qū)域的一部分，但是修復(fù)區(qū)域818提供了空間，在此空間中布置有回收管線141、143和145以及連接到處理容器100的子排放管線410、提升單元的驅(qū)動(dòng)單元、連接到可移動(dòng)噴嘴件300的可移動(dòng)噴嘴310的驅(qū)動(dòng)單元、以及供給管線，并且修復(fù)區(qū)域與在其中處理基板的處理區(qū)域分離。
[0042]處理容器100具有包含打開的上部的圓柱形形狀，以提供在其中處理基板W的處理空間。處理容器100的打開的上部用作用于加載或卸載基板W的路徑?；逯渭?00布置在處理空間中。當(dāng)執(zhí)行處理時(shí)，基板支撐件200支撐基板W并且使基板W旋轉(zhuǎn)。
[0043]處理容器100提供了其中布置有旋轉(zhuǎn)頭210的上部空間132a以及通過旋轉(zhuǎn)頭210與上部空間132a分離的下部空間132b。這里，排放管190可以連接到處理容器100的下端以強(qiáng)制地使室800的內(nèi)部排氣。各自都具有環(huán)形形狀以引入與抽吸化學(xué)溶液以及從旋轉(zhuǎn)物質(zhì)分散的氣體的第一抽吸管110、第二抽吸管120和第三抽吸管130，以多級布置在處理容器100的上部空間132a中。
[0044]各自都具有環(huán)形形狀的第一抽吸管110、第二抽吸管120和第三抽吸管130，具有與一個(gè)共用環(huán)形空間聯(lián)通的排放孔H (與容器的下部空間相應(yīng))。連接到排放件400的排放管190布置在下部空間132b中。
[0045]具體地說，第一抽吸管至第三抽吸管110、120、130中的每個(gè)都包括具有環(huán)形形狀的底面以及從底面延伸出并且具有圓柱形形狀的側(cè)壁。第二抽吸管120圍繞第一抽吸管110并且與第一抽吸管110隔開。第三抽吸管130圍繞第二抽吸管120并且與第二抽吸管120隔開。
[0046]第一抽吸管到第三抽吸管110、120和130提供第一回收空間到第三回收空間RS1、RS2和RS3，通過回收空間RS1、RS2和RS3相應(yīng)地引入從基板W分散的處理溶液和包含煙的空氣流。第一回收空間RSl由第一抽吸管110限定，并且第二回收空間RS2通過在第一抽吸管110與第二抽吸管120之間間隔的空間限定。第三回收空間RS3通過在第二抽吸管120與第三抽吸管130之間間隔的空間限定。
[0047]第一抽吸管到第三抽吸管110、120和130的每個(gè)的頂面都包括開口的中間部分與從連接的側(cè)壁朝向其開口逐漸遠(yuǎn)離相應(yīng)的底面的傾斜表面。因此，從基板W分散的處理溶液可以相應(yīng)地沿著第一抽吸管到第三抽吸管110、120與130的頂面流入到回收空間RS1、RS2 和 RS3。
[0048]引入到第一回收空間RSl的第一處理溶液通過第一回收管線141排放到外部。弓I入到第二回收空間RS2的第二處理溶液通過第二回收管線143排放到外部。引入到第三回收空間RS3的第三處理溶液通過第三回收管線145排放到外部。
[0049]處理容器100接合到提升單元600以便改變處理容器100的豎直位置。提升單元600沿著豎直方向使處理容器100直線地移動(dòng)。由于處理容器100豎直地移動(dòng)，因此處理容器100相對于旋轉(zhuǎn)頭210的相對高度可以改變。
[0050]提升單元600包括支架612、移動(dòng)軸614、以及驅(qū)動(dòng)器616。支架612固定到處理容器100的外壁。通過驅(qū)動(dòng)器616豎直移動(dòng)的移動(dòng)軸614牢固地連接到支架612。當(dāng)基板W加載在旋轉(zhuǎn)頭210中或者從旋轉(zhuǎn)頭210卸載時(shí)，處理容器100下降以使旋轉(zhuǎn)頭從處理容器100向上伸出。此外，當(dāng)執(zhí)行此處理時(shí)，可以調(diào)節(jié)處理容器100的高度，從而根據(jù)供給到基板W上的處理溶液的種類將處理溶液相應(yīng)地引入到抽吸管110、120和130中。因此，可以改變處理容器100與基板W之間的相對豎直位置。因此，在處理容器100中，可以相應(yīng)地將不同的處理溶液和氣體回收到回收空間RS1、RS2和RS3中。
[0051]在當(dāng)前的實(shí)施方式中，基板處理裝置I使處理容器100豎直地移動(dòng)以改變處理容器100與基板支撐件200之間的相對豎直位置。另選地，基板處理裝置I可以使基板支撐件200豎直地移動(dòng)以改變處理容器100與基板支撐件200之間的相對豎直位置。
[0052]基板支撐件200布置在處理容器100內(nèi)部。當(dāng)執(zhí)行處理時(shí)基板支撐件200支撐基板W。此外，在執(zhí)行處理的同時(shí)基板支撐件200可以通過下文將要描述的驅(qū)動(dòng)器240旋轉(zhuǎn)?；逯渭?00包括具有圓形頂面的旋轉(zhuǎn)頭210。支撐基板W的支撐銷212與卡盤銷214布置在旋轉(zhuǎn)頭210的頂面上。支撐銷212彼此間隔地布置在旋轉(zhuǎn)頭210的頂面的邊緣上。此外，支撐銷212從旋轉(zhuǎn)頭210向上伸出。支撐銷212支撐基板W的底面以使基板W與旋轉(zhuǎn)頭210向上地隔開?？ūP銷214相應(yīng)地布置在支撐銷212的外部。此外，卡盤銷214向上伸出?？ūP銷214與基板W對直以使由多個(gè)支撐銷212支撐的基板W布置在旋轉(zhuǎn)頭210上的適當(dāng)位置中。當(dāng)執(zhí)行此處理時(shí)，卡盤銷214接觸基板W的側(cè)面部分以防止基板W脫離適當(dāng)位置。
[0053]支撐旋轉(zhuǎn)頭210的支撐軸220連接到旋轉(zhuǎn)頭210的下部。此外，支撐軸220通過連接到其下端的驅(qū)動(dòng)單元230旋轉(zhuǎn)。驅(qū)動(dòng)單元230可以包括電機(jī)。當(dāng)支撐軸220旋轉(zhuǎn)時(shí)，旋轉(zhuǎn)頭210與基板W旋轉(zhuǎn)。
[0054]排放件400為抽吸管提供排放壓力(抽吸壓力)，其回收第一抽吸管到第三抽吸管的處理溶液。排放件400包括連接到排放管190的子排放管線410以及節(jié)氣閥420。子排放管線410接收來自排放泵(未示出)的排放壓力并且連接到埋在半導(dǎo)體生產(chǎn)線(工廠)的底部空間中的主排放管線。
[0055]固定噴嘴500布置在處理容器100的上端。固定噴嘴500中的每個(gè)都將處理流體噴射到布置在旋轉(zhuǎn)頭210上的基板W上?？梢愿鶕?jù)待處理的基板的位置調(diào)節(jié)固定噴嘴500的噴射角度。
[0056]圖4是示出圖3的第一可移動(dòng)噴射件的主要部分的放大圖。
[0057]參照圖2至圖4，第一可移動(dòng)噴射件300可以擺動(dòng)以移動(dòng)到基板的中心部分的上側(cè)，由此將用于清洗或者蝕刻的處理流體供給到基板上。
[0058]第一可移動(dòng)噴射件300包括第一驅(qū)動(dòng)單元320、第一噴嘴臂330、第二噴嘴臂340、以及第二驅(qū)動(dòng)單元350。
[0059]用于噴射處理流體的第一噴嘴332和第二噴嘴342相應(yīng)地布置在第一噴嘴臂330與第二噴嘴臂340中。第一噴嘴332與第二噴嘴342可以相應(yīng)地噴射彼此不同的處理流體。例如，第一噴嘴332可以噴射氮?dú)?，并且第二噴?42可以噴射去離子水。
[0060]支撐軸310具有沿著第三方向限定的長度方向。此外，支撐軸310具有接合到第一驅(qū)動(dòng)單元320的下端。第一驅(qū)動(dòng)單元320使支撐軸310旋轉(zhuǎn)以允許第一噴嘴臂330擺動(dòng)。例如，第一驅(qū)動(dòng)單元可以設(shè)置為包括電機(jī)、皮帶以及皮帶輪的組件。
[0061]第一噴嘴臂330接合到支撐軸310。第一噴嘴332布置在第一噴嘴臂330的端部。通過將支撐軸用作中心軸(第一軸)，第一噴嘴臂330可以通過第一驅(qū)動(dòng)單元320從基板的中心擺動(dòng)到基板的邊緣。[0062]盡管未示出，第一可移動(dòng)噴射件300包括提升驅(qū)動(dòng)單元，其提供用于提升第一噴嘴臂330或支撐軸310的驅(qū)動(dòng)力，以使得當(dāng)?shù)谝粐娮毂?30旋轉(zhuǎn)時(shí)第一噴嘴臂330與靠近它的其它單元碰撞。例如，提升驅(qū)動(dòng)單元可以設(shè)置為諸如單缸電機(jī)或線性電機(jī)的線性驅(qū)動(dòng)單元。
[0063]第二噴嘴臂可以通過單獨(dú)的旋轉(zhuǎn)軸與驅(qū)動(dòng)源在第一噴嘴臂330上旋轉(zhuǎn)。第二噴嘴臂340具有接合到第一噴嘴臂330的第二軸348的一個(gè)端部。第二噴嘴342布置在第二噴嘴臂340的另一端。第二噴嘴臂340通過第二驅(qū)動(dòng)單元350相對于第二軸348擺動(dòng)。盡管在本實(shí)施方式中第二驅(qū)動(dòng)單元350設(shè)置為缸體，但是第二驅(qū)動(dòng)單元350可以包括能夠使第二噴嘴臂340旋轉(zhuǎn)的多個(gè)旋轉(zhuǎn)器件，諸如包括電機(jī)、皮帶、與皮帶輪的組件。
[0064]用于處理基板的處理流體可以包括選自下述中的至少一種:氫氟酸(HF)、硫酸(H3SO4)、氫(H2O2)、氮?dú)?、硝?HNO3)、磷酸(H3PO4)、臭氧水和SC-1溶液(氫氧化銨(NH4OH)、氫(H2O2)、和水(H2P)的混合溶液)。去離子水(DIW)可以用作沖洗溶液。異丙醇?xì)?IPA)可以用作干氣。
[0065]如上所述，由于第一可移動(dòng)噴射件400設(shè)有多個(gè)噴嘴臂，因此可以減小設(shè)備面積。此外，當(dāng)完成利用第二噴嘴的處理時(shí)，第一噴嘴可以在基板的中心處等待以減少處理時(shí)間。
[0066]盡管在本實(shí)施方式中第一噴嘴臂330的旋轉(zhuǎn)軸與第二噴嘴臂240的旋轉(zhuǎn)軸彼此不同，但是本發(fā)明不限于此。例如，第一噴嘴臂與第二噴嘴臂可以通過使用相同的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。此外，盡管第一可移動(dòng)噴射件300包括兩個(gè)噴嘴臂，但是本發(fā)明不限于此。例如，第一可移動(dòng)噴射件300可以包括至少兩個(gè)噴嘴臂，并且噴嘴臂中的每個(gè)都可以通過使用相同的旋轉(zhuǎn)軸或者彼此不同的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。
[0067]圖5是示出第一噴嘴臂與第二噴嘴臂的控制序列的視圖，以及圖6-圖9是示出第一可移動(dòng)噴射件的操作的視圖。
[0068]參照圖5與圖6，第一可移動(dòng)噴射件300可以在起始點(diǎn)等待。在第一可移動(dòng)噴射件300在起始點(diǎn)的等待期間，第一噴嘴臂330與第二噴嘴臂340彼此平行布置。第一噴嘴臂330與第二噴嘴臂340可以通過使用一個(gè)提升驅(qū)動(dòng)單元或單獨(dú)的提升驅(qū)動(dòng)單元來調(diào)節(jié)高度。另選地，可以省略用于調(diào)節(jié)第一噴嘴臂330與第二噴嘴臂340中的每個(gè)的高度的提升驅(qū)動(dòng)單元。參照圖5-圖8，第一噴嘴臂330沿著相對于第一軸作為基板方向的逆時(shí)針方向(CCW)旋轉(zhuǎn)。例如，第一噴嘴臂330可以根據(jù)設(shè)備部件沿著順時(shí)針方向或者沿著逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。當(dāng)?shù)谝粐娮毂?30旋轉(zhuǎn)預(yù)設(shè)角度時(shí)，便從第二噴嘴342噴射處理流體。與第一噴嘴臂330平行布置的第二噴嘴臂340沿著順時(shí)針方向(CW)旋轉(zhuǎn)。即，第二噴嘴臂340通過控制第二軸的第二驅(qū)動(dòng)單元320執(zhí)行從基板的中心朝向基板的邊緣的掃描操作或者操作為在預(yù)設(shè)點(diǎn)處噴射處理液體達(dá)預(yù)定時(shí)間。
[0069]當(dāng)完成處理流體通過第二噴嘴342的排放時(shí)，第二噴嘴臂340通過第二驅(qū)動(dòng)單元350從基板的上側(cè)返回到起始點(diǎn)以防止從第二噴嘴342排放的處理流體異常地流動(dòng)(例如，由于異常閥(abnormal valve)使得處理流體滴落)。這里,第二噴嘴臂340使在基板上方的任何點(diǎn)處的處理流體的排放停止以返回到起始點(diǎn)，或者執(zhí)行直到基板的邊緣的掃描操作以噴射處理流體，然后使在基板的邊緣處的處理流體的排放停止以返回到起始點(diǎn)。
[0070]參照圖5與圖9，當(dāng)完成處理流體通過第二噴嘴342的排放時(shí)，從第一噴嘴332噴射處理流體。即，第一噴嘴臂330通過第一驅(qū)動(dòng)單元320執(zhí)行從基板的中心朝向基板的邊緣的掃描操作或者操作為在預(yù)設(shè)點(diǎn)處噴射處理液體達(dá)預(yù)定時(shí)間。當(dāng)完成處理流體通過第一噴嘴332的排放時(shí)，第一噴嘴臂330返回到起始點(diǎn)。這里，第二噴嘴臂340在與第一噴嘴臂330的旋轉(zhuǎn)方向相反的方向上旋轉(zhuǎn)。然后，當(dāng)?shù)谝粐娮毂?30返回到起始點(diǎn)時(shí)，第二噴嘴臂340保持在起始點(diǎn)處。第一噴嘴臂330與第二噴嘴臂340可以以相同的旋轉(zhuǎn)速率旋轉(zhuǎn)，以在第一噴嘴臂330返回到起始點(diǎn)時(shí)防止第二噴嘴臂340的起始點(diǎn)改變。此外，第一噴嘴臂330在返回到起始點(diǎn)時(shí)使在基板上方的任何點(diǎn)處的處理流體的排放停止以返回到起始點(diǎn)，或者執(zhí)行直到基板的邊緣的掃描操作以噴射處理流體，然后使在基板的邊緣處的處理流體的排放停止以返回到起始點(diǎn)。
[0071]根據(jù)本發(fā)明，由于包括第二噴嘴的第二噴嘴臂安裝在包括第一噴嘴的第一噴嘴臂上，因此當(dāng)設(shè)有多個(gè)臂時(shí)，可以減小設(shè)備面積。此外，可以連續(xù)地執(zhí)行處理流體通過第一噴嘴與第~二噴嘴的排放以減少處理時(shí)間，由此提聞基板的生廣量。
[0072]盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式特別地示出并且描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將會(huì)理解的是，在不偏離本發(fā)明的如由所附權(quán)利要求限定的精神和范圍的情況下可以在其中對形式與細(xì)節(jié)做出多種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種基板處理裝置，其包括: 基板支撐件，在其上布置有基板；以及 可移動(dòng)噴射件，其將流體供給到布置在所述基板支撐件上的所述基板上， 其中所述可移動(dòng)噴射件包括: 第一噴嘴臂，其旋轉(zhuǎn)以噴射至少一種流體；以及 第二噴嘴臂，其布置在所述第一噴嘴臂上以噴射至少一種流體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中所述第二噴嘴臂通過單獨(dú)的旋轉(zhuǎn)軸與驅(qū)動(dòng)源在所述第一噴嘴臂上旋轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中在所述第一噴嘴臂旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，所述第二噴嘴臂與所述第一噴嘴臂一起旋轉(zhuǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其中所述第一噴嘴臂與所述第二噴嘴臂包括噴射彼此不同的處理流體的噴嘴。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其中所述可移動(dòng)噴射件包括: 第一驅(qū)動(dòng)單元，其使所述第一噴嘴臂旋轉(zhuǎn)；以及 第二驅(qū)動(dòng)單元，其使所述第二噴嘴臂旋轉(zhuǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其中所述第二驅(qū)動(dòng)單元布置在所述第一噴嘴臂上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其中所述可移動(dòng)噴射件還包括控制所述第一驅(qū)動(dòng)單元與所述第二驅(qū)動(dòng)單元的控制單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其中在所述可移動(dòng)噴射件中，在所述第一噴嘴臂上設(shè)置多個(gè)所述第二噴嘴臂。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其中所述可移動(dòng)噴射件還包括通過單獨(dú)的旋轉(zhuǎn)軸與驅(qū)動(dòng)源在所述第二噴嘴臂上旋轉(zhuǎn)的第三噴嘴臂以噴射至少一種流體。
10.一種通過利用包括第一噴嘴的第一噴嘴臂與相對于所述第一噴嘴臂獨(dú)立地操作并且包括第二噴嘴的第二噴嘴臂來處理基板的表面的基板處理方法，該基板處理方法包括: 將所述第一噴嘴臂連同所述第二噴嘴臂從起始點(diǎn)旋轉(zhuǎn)到所述基板上方的一個(gè)點(diǎn)； 當(dāng)所述第二噴嘴臂從所述基板上方的一個(gè)點(diǎn)朝向所述基板的邊緣旋轉(zhuǎn)時(shí)，通過所述第二噴嘴將處理流體噴射在所述基板上；以及 當(dāng)完成所述處理流體通過所述第二噴嘴的噴射時(shí)，在所述第一噴嘴臂從所述基板上方的一個(gè)點(diǎn)朝向所述基板的所述邊緣旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，通過所述第一噴嘴將處理流體噴射在所述基板上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理方法，其中，在通過所述第一噴嘴噴射所述處理流體的過程中，所述第二噴嘴臂在與所述第一噴嘴臂的所述旋轉(zhuǎn)方向相反的方向上旋轉(zhuǎn)以防止所述第二噴嘴臂的位置改變。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理方法，其中在通過所述第一噴嘴噴射所述處理流體的過程中，所述第一噴嘴臂與所述第二噴嘴臂具有相同的旋轉(zhuǎn)。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK103531503SQ201310269120
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年6月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月29日
【發(fā)明者】李澤燁 申請人:細(xì)美事有限公司