薄膜晶體管及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種薄膜晶體管，其包括基板以及形成在基板上的柵極、半導(dǎo)體層、源極電極和漏極電極。所述源極電極與漏極電極分別在不同的光刻制程中形成。本發(fā)明的漏極電極和源極電極之間的溝道的寬度不會(huì)受到同一光刻制程中的掩模的圖案加工精度的制約，可以做的更小。本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管的制造方法。
【專(zhuān)利說(shuō)明】薄膜晶體管及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 傳統(tǒng)的底柵式薄膜晶體管一般包括基板、依次形成在該基板上的柵極、柵極絕緣 層、半導(dǎo)體層以及源極電極和漏極電極，源極電極和漏極電極之間形成有溝道。通常，如果 該溝道的寬度太寬，會(huì)造成薄膜晶體管的整體尺寸過(guò)大，從而影響像素的開(kāi)口率，因此為了 提高開(kāi)口率，需要減小薄膜晶體管的尺寸，所以也必須將溝道的寬度做小。
[0003] -般情況下，源極電極和漏極電極是采用同樣的金屬層構(gòu)造，然后利用一道光刻 制程加工該金屬層形成所述源極電極、漏極電極以及溝道。但是由于所形成的溝道的寬度 會(huì)受到光刻制程中的掩模的圖案加工精度的制約，會(huì)具有一定的寬度而無(wú)法做到更短，所 以無(wú)法提高開(kāi)口率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，有必要提供一種不受光刻加工精度制約，溝道寬度較小的薄膜晶體管 及其制造方法。
[0005] -種薄膜晶體管，其包括基板以及形成在基板上的柵極、半導(dǎo)體層、源極電極和漏 極電極。所述源極電極與漏極電極分別在不同的光刻制程中形成。
[0006] -種薄膜晶體管的制造方法，其包括以下幾個(gè)步驟： 提供一個(gè)基板，并在該基板上形成柵極以及半導(dǎo)體層； 利用一道光刻制程形成漏極電極； 利用另一道光刻制程形成源極電極。
[0007] 上述的薄膜晶體管及其制造方法中，漏極電極以及源極電極是采用兩道光刻制程 分別形成，而傳統(tǒng)工藝中，漏極電極和源極電極是極采用同一光刻制程加工同一金屬層而 形成，因此相對(duì)于傳統(tǒng)工藝，本發(fā)明的漏極電極和源極電極之間的溝道的寬度主要由漏極 電極和源極電極之間的間隙所決定，不會(huì)受到同一光刻制程中的掩模的圖案加工精度的制 約，因此可以做的更小。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008] 圖1為本發(fā)明第一實(shí)施方式中的薄膜晶體管的截面示意圖。
[0009] 圖2為本發(fā)明第二實(shí)施方式中的薄膜晶體管的截面示意圖。
[0010] 圖3為本發(fā)明第三實(shí)施方式中的薄膜晶體管的截面示意圖。
[0011] 主要元件符號(hào)說(shuō)明_

【權(quán)利要求】
1. 一種薄膜晶體管，其包括基板以及形成在基板上的柵極、半導(dǎo)體層、源極電極和漏極 電極，其特征在于：所述源極電極與漏極電極分別在不同的光刻制程中形成。
2. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：所述源極電極為銦錫氧化物薄膜，同 時(shí)所述源極電極還作為所述薄膜晶體管的像素電極。
3. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：所述漏極電極為金屬材料構(gòu)成。
4. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：所述漏極電極為銦錫氧化物薄膜以 及積層在該銦錫氧化物薄膜上的金屬材料構(gòu)成。
5. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：所述半導(dǎo)體層由非晶質(zhì)氧化半導(dǎo)體 材料構(gòu)成。
6. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：所述薄膜晶體管還具有一柵極絕緣 層，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極形成在所述基板的表面，所述半導(dǎo)體層形成在柵極絕緣 層上并位于柵極的正上方，所述漏極電極形成在柵極絕緣層上并且延伸覆蓋在半導(dǎo)體層的 一側(cè)上表面上，所述源極電極形成在柵極絕緣層上并且延伸覆蓋在半導(dǎo)體層的另一側(cè)上表 面上。
7. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：所述源極電極和漏極電極之間形成 有溝道，所述半導(dǎo)體層形成在該溝道中，并且分別延伸至所述漏極電極和所述源極電極的 上表面。
8. -種薄膜晶體管的制造方法，其包括以下幾個(gè)步驟： 提供一個(gè)基板，并在該基板上形成柵極以及半導(dǎo)體層； 利用一道光刻制程形成漏極電極； 利用另一道光刻制程形成源極電極。
9. 如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：形成漏極電極的方法為： 形成一金屬層和一光致抗蝕劑層，再以一道掩膜的圖案對(duì)該光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光顯影， 從而形成一預(yù)定圖案，對(duì)該金屬層進(jìn)行蝕刻，然后移除該光致抗蝕劑層，形成漏極電極。
10. 如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：形成源極電極的方法 為：形成一透明導(dǎo)電膜和一光致抗蝕劑層；再以一道掩膜的圖案對(duì)該光致抗蝕劑層進(jìn)行曝 光顯影，從而形成一預(yù)定圖案，對(duì)該透明導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻，然后移除該光致抗蝕劑層，形成 源極電極。
11. 一種薄膜晶體管的制造方法，其包括以下幾個(gè)步驟： 提供一個(gè)基板，并在該基板上形成柵極； 利用一道光刻制程形成漏極電極； 利用另一道光刻制程形成源極電極； 在漏極電極與源極電極之間的溝道中形成半導(dǎo)體層，并且半導(dǎo)體層分別延伸至漏極電 極和源極電極的上表面。
【文檔編號(hào)】H01L29/06GK104282767SQ201310281010
【公開(kāi)日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2013年7月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月5日
【發(fā)明者】安生健二 申請(qǐng)人:業(yè)鑫科技顧問(wèn)股份有限公司, 新光電科技有限公司