一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。在襯底上形成一層金屬-石墨烯層，形成偽柵、側(cè)墻、源/漏區(qū)、層間介質(zhì)層，去除偽柵以及偽柵下面的金屬-石墨烯層，形成柵介質(zhì)層和柵電極，最后刻蝕接觸孔，填充接觸孔，并進(jìn)行平坦化。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，利于減小源/漏區(qū)的接觸電阻。
【專利說明】一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在M0S晶體管中，由于源/漏和柵極的接觸電阻等寄生電阻參數(shù)不能隨著M0S器件的縮小而縮小，這使得寄生電阻在總的電阻中占有很大的比例，并將嚴(yán)重影響器件的輸出特性和頻率特性，因而，減小源、漏和柵極的接觸電阻對于提高M(jìn)0S器件的性能非常重要。為此，傳統(tǒng)CMOS工藝中在源、漏和柵極上形成金屬硅化物，減小其與金屬互連線間的接觸電阻，然而隨著M0S器件進(jìn)一步縮小，這種方法對接觸電阻的改善作用將會(huì)越來越不明顯。
[0003]為了減小源漏延伸區(qū)的寄生電阻，傳統(tǒng)CMOS工藝中對其進(jìn)行調(diào)整注入，提高摻雜濃度。然而，高摻雜的源漏延伸區(qū)會(huì)向柵極下方的溝道區(qū)橫向擴(kuò)散，導(dǎo)致溝道退化，并使得柵-源、柵-漏覆蓋電容Cov增大，Miler效應(yīng)增加，導(dǎo)致器件性能退化。
[0004]石墨烯自從被發(fā)現(xiàn)以來，即已成為世界各國研究小組的研究熱點(diǎn)，它是一種由單層碳原子緊密堆積成二維蜂窩狀結(jié)構(gòu)的碳質(zhì)新材料。石墨烯的室溫本征電子遷移率可達(dá)200000cm2/Vs,是 Si (約 1450cm2/Vs)的 140 倍，GaAs (約 8500cm2/Vs)的 20 倍、GaN (約2000cm2/Vs)的100倍。因此，石墨烯具有高載流能力，是目前已知導(dǎo)電性能最出色的材料。此外，石墨烯具有二維特性，可與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件兼容，石墨烯的制作工藝也與現(xiàn)有的CMOS制造工藝相兼容。石墨烯的這些優(yōu)異電學(xué)性能，使其在超高頻乃至太赫茲電子器件、超級計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用價(jià)值，被認(rèn)為是下一代集成電路中有望延續(xù)摩爾定律的重要材料。
[0005]目前，石墨烯已被廣泛用于先進(jìn)CMOS器件的研究中，用作溝道層、源/漏區(qū)接觸以及柵電極的接觸材料。為了充分地利用石墨烯低電阻率、高載流子遷移率等特點(diǎn)，必須在石墨烯與互連金屬之間形成良好的電學(xué)接觸。最新的研究成果顯示，在釕等金屬表面上可以制備出非常平整的理想的石墨烯單層，底層石墨烯會(huì)與釕產(chǎn)生強(qiáng)烈的交互作用，其中的碳-釕鍵是金屬鍵而非共價(jià)鍵，因而石墨烯-釕會(huì)形成非常好的金屬接觸，而不是半導(dǎo)體接觸。其他稀有金屬如鉬、銥、錸等也可以與石墨烯形成非常好的金屬接觸。通過金屬-石墨烯再與互連金屬接觸，可以進(jìn)一步減小接觸電阻，提高場效應(yīng)器件的性能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，在制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的過程中可減少源、漏區(qū)的接觸電阻，同時(shí)不會(huì)導(dǎo)致短溝效應(yīng)、柵覆蓋電容增大等器件性能退化的問題。
[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該方法包括:
[0008]a)提供襯底，在所述襯底中形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)以及有源區(qū)；
[0009]b)在所述襯底之上形成金屬-石墨烯層；
[0010]c)在所述金屬-石墨烯層上形成偽柵、側(cè)墻、源/漏區(qū)以及層間介質(zhì)層；
[0011]d)去除所述偽柵以及所述偽柵下面的金屬-石墨烯層；
[0012]e)在所述偽柵的位置形成柵極堆疊，所述柵極堆疊包括柵介質(zhì)層和柵電極；
[0013]f )通過刻蝕所述層間介質(zhì)層形成到達(dá)所述金屬-石墨烯層的接觸孔，以導(dǎo)電材料填充所述接觸孔，并進(jìn)行平坦化。
[0014]相應(yīng)地，本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底、金屬-石墨烯層、柵極堆疊、側(cè)墻、層間介質(zhì)層和接觸孔，其中:
[0015]所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)、源/漏區(qū)位于所述襯底中；
[0016]所述柵極堆疊形成在所述襯底之上；
[0017]所述柵極堆疊包括柵介質(zhì)層和柵電極；
[0018]所述側(cè)墻形成在所述柵極堆疊的側(cè)壁上；
[0019]所述金屬-石墨烯層位于所述源/漏區(qū)之上，并且其中一部分金屬-石墨烯層位于所述側(cè)墻和所述接觸孔的下面；
[0020]所述層間介質(zhì)層覆蓋所述源/漏區(qū)和所述柵極堆疊；
[0021]所述接觸孔嵌于所述層間介質(zhì)層中，接觸孔的下端與所述金屬-石墨烯層相接。
[0022]采用本發(fā)明提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，通過在源/漏區(qū)上形成金屬-石墨烯層，減小石墨烯與互連金屬之間的接觸電阻，即減小了源/漏區(qū)的接觸電阻，提高了場效應(yīng)器件的性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0024]圖1是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法的【具體實(shí)施方式】的流程圖；
[0025]圖2a至圖2f是根據(jù)圖1示出的方法制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)過程中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在各個(gè)制造階段的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]附圖中相同或相似的附圖標(biāo)記代表相同或相似的部件。

【具體實(shí)施方式】
[0027]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)描述。
[0028]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。
[0029]下文的公開提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡化本發(fā)明的公開，下文中對特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此夕卜，本發(fā)明提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識到其他工藝的可應(yīng)用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的結(jié)構(gòu)可以包括第一和第二特征形成為直接接觸的實(shí)施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之間的實(shí)施例，這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。
[0030]下面首先對本發(fā)明提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行概述，請參考圖2f，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底100、金屬-石墨烯層200、柵極堆疊、側(cè)墻400、層間介質(zhì)層300和接觸孔600，其中:
[0031]淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)110、源/漏區(qū)230形成于所述襯底100中；
[0032]所述金屬-石墨烯層200位于所述源/漏區(qū)230之上，部分地，位于所述側(cè)墻400、所述接觸孔600的下面；
[0033]所述層間介質(zhì)層300覆蓋所述源/漏區(qū)230和所述柵極堆疊，層間介質(zhì)層的上表面高于所述柵極堆疊的上表面；
[0034]所述柵極堆疊形成在襯底100之上，側(cè)墻400形成在柵極堆疊的側(cè)壁上，具體地，柵極堆疊包括柵電極250和柵介質(zhì)層210，柵介質(zhì)層210包裹柵電極250的側(cè)壁和底面；
[0035]所述接觸孔600嵌于所述層間介質(zhì)層300中，其下端接觸所述金屬-石墨烯層200。具體地，接觸孔600的材料是W、Al、Cu、TiAl合金或其組合。
[0036]可選的，所述接觸孔600的側(cè)壁具有襯層，所述接觸孔600與所述金屬-石墨烯層200之間具有襯層(所述襯層在圖中未示出，該襯層的材料可以是T1、TiN、Ta、TaN或其組合，接觸孔600通過該襯層以及金屬-石墨烯層200與源/漏區(qū)230形成電連接)。
[0037]在本發(fā)明的一些【具體實(shí)施方式】中，層間介質(zhì)層300的材料是氟硅玻璃、硼磷硅玻璃、磷硅玻璃、無摻雜氧化硅玻璃、氮氧化硅、低k材料或其組合(如，層間介質(zhì)層300可具有多層結(jié)構(gòu)，相鄰的兩層材料不同)。
[0038]下文對該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一種制造方法進(jìn)行闡述。
[0039]請參考圖1，該方法包括:
[0040]步驟S100，提供包括淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)110的襯底100;
[0041]步驟S101，在襯底100上形成金屬-石墨烯層200 ；
[0042]步驟S102，在石墨烯層200上形成偽柵220、側(cè)墻400以及源/漏區(qū)230，形成覆蓋偽柵以及源/漏區(qū)的層間介質(zhì)層300 ；
[0043]步驟S103，去除偽柵220以及偽柵下面的金屬-石墨烯層；
[0044]步驟S104，形成柵介質(zhì)層210和柵極250 ；
[0045]步驟S105，繼續(xù)淀積層間介質(zhì)層，使其上表面高于柵電極250的上表面，刻蝕層間介質(zhì)層以形成到達(dá)金屬-石墨烯層200的接觸孔600，以導(dǎo)電材料填充接觸孔600，并進(jìn)行平坦化。
[0046]下面結(jié)合圖2a至圖2f對步驟S100至步驟S105進(jìn)行說明。需要說明的是，本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的附圖僅是為了示意的目的，因此沒有必要按比例繪制。參考圖2a，所示為半導(dǎo)體襯底100，并在襯底中形成了淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)110。
[0047]在本實(shí)施例中，襯底100包括硅襯底(例如晶片)。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)公知的設(shè)計(jì)要求(例如P型襯底或者N型襯底)，襯底100可以包括各種摻雜配置。其他實(shí)施例中襯底100還可以包括其他基本半導(dǎo)體，例如鍺?；蛘?，襯底100可以包括化合物半導(dǎo)體，例如碳化硅、砷化鎵、砷化銦或者磷化銦。典型地，襯底100的厚度可以是但不限于約幾百微米，例如可以在400μπι-800μπι的厚度范圍內(nèi)。淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)可以包括氧化硅或者氮化硅，厚度可以是 100-300nm。
[0048]參考圖2b，執(zhí)行步驟S101，在襯底100上形成一層金屬-石墨烯層200。石墨烯層可以通過加熱SiC、化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposit1n, CVD)、轉(zhuǎn)移或其他合適的方法形成在襯底100上。所述的金屬可以是釕、鉬、銥、錸或其組合等，可以通過金屬濺鍍方式或化學(xué)氣相沉積法形成在石墨烯上，優(yōu)選地，所述金屬為釕。金屬和石墨烯經(jīng)過反應(yīng)，形成良好電學(xué)接觸的金屬-石墨烯層。
[0049]參考圖2c，執(zhí)行步驟S102，在金屬-石墨烯層200上形成偽柵220，在偽柵220側(cè)壁處形成側(cè)墻400，在襯底100中形成源/漏區(qū)230，并形成覆蓋偽柵220和源/漏區(qū)230的層間介質(zhì)層300。
[0050]源/漏區(qū)230可以通過向襯底100中注入P型或N型摻雜物或雜質(zhì)而形成，例如，對于PMOS來說，源/漏區(qū)230可以是P型摻雜的Si，對于NMOS來說，源/漏區(qū)230可以是N型摻雜的Si。源/漏區(qū)230可以由包括光刻以及離子注入、擴(kuò)散和/或其他合適工藝的方法形成。
[0051]側(cè)墻400可以由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅和/或其他合適的材料形成。側(cè)墻400可以具有多層結(jié)構(gòu)。側(cè)墻400可以通過沉積-刻蝕工藝形成，其厚度范圍大約是1nm-1OOnm0
[0052]層間介質(zhì)層300可以通過化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposit1n，CVD)、高密度等離子體CVD或其他合適的方法形成在襯底100上。層間介質(zhì)層300的材料可以包括氟硅玻璃、BPSG (硼磷硅玻璃)、PSG (磷硅玻璃)、USG (無摻雜氧化硅玻璃)、氮氧化硅、低k材料或其組合(如，層間介質(zhì)層300可具有多層結(jié)構(gòu)，相鄰的兩層材料不同)。層間介質(zhì)層300的厚度范圍大約是40nm-150nm。
[0053]在本實(shí)施例中，對該層間介質(zhì)層300和偽柵220進(jìn)行平坦化處理，如化學(xué)機(jī)械拋光處理，使得偽柵220的上表面與層間介質(zhì)層300上表面共面，并露出偽柵220和側(cè)墻400頂部。
[0054]參考圖2d，執(zhí)行步驟S103，通過化學(xué)刻蝕如RIE或濕法腐蝕等方法。去除偽柵220以及偽柵下面的金屬-石墨烯層200。
[0055]參考圖2e，執(zhí)行步驟S104，在去除偽柵220和金屬-石墨烯層200后形成的凹槽內(nèi)形成柵介質(zhì)層210和柵電極250。
[0056]柵極介質(zhì)層220位于襯底100上，其可以是熱氧化層，包括氧化硅、氮氧化硅，也可為沉積而成的高 K 介質(zhì)，例如 Hf02、HfS1, HfS1N, HfTaO, HfT1, HfZrO, A1203、La2O3> ZrO2或LaAlO中的一種或其組合,柵極介質(zhì)層210的厚度大約為lnm_3nm。通過沉積例如TaC, TiN, TaTbN, TaErN, TaYbN, TaSiN, HfSiN, MoSiN, RuTax, NiTax 來在柵極介質(zhì)層 210 上形成柵極250，其厚度大約為10nm-20nm。
[0057]參考圖2f，執(zhí)行步驟S105，繼續(xù)淀積層間介質(zhì)層300，使之覆蓋源/漏區(qū)230和柵極堆疊，層間介質(zhì)層300的上表面高于柵極堆疊的上表面，刻蝕層間介質(zhì)層300以形成到達(dá)金屬-石墨烯層200的接觸孔600，以導(dǎo)電材料填充接觸孔600，并進(jìn)行平坦化。
[0058]刻蝕層間介質(zhì)層形成接觸孔的過程中，首先在層間介質(zhì)層300上覆蓋一層光刻膠，對該光刻膠進(jìn)行曝光構(gòu)圖，形成小孔，對層間介質(zhì)層300進(jìn)行選擇性刻蝕并停止于源/漏區(qū)230上的金屬-石墨烯層200，以形成接觸孔600。優(yōu)選地，本實(shí)例中使用各向異性刻蝕。在本實(shí)施例中，可以使用包括但不限于干式刻蝕或濕式刻蝕等工藝形成接觸孔600。
[0059]在接觸孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料(如金屬)，通過襯底100中暴露的金屬-石墨烯層200與源/漏區(qū)230形成電連接。優(yōu)選地，接觸孔600的材料為W。當(dāng)然根據(jù)半導(dǎo)體的制造需要，接觸孔600的材料可以是W、Al、TiAl合金中任一種或其組合。在填充接觸孔600之前，可以在接觸孔的側(cè)壁以及底部形成襯層(未在圖中示出)，該襯層可以通過ALD、CVD、PVD等沉積工藝形成，該襯層的材料可以是T1、TiN、Ta、TaN或其組合。
[0060]可選地，在本實(shí)施例中，對層間介質(zhì)層300和接觸孔600進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical-mechanical polish, CMP)處理,使層間介質(zhì)層300的上表面與接觸孔600共面，并露出接觸孔600。
[0061]可選地，根據(jù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造需求，可以通過光刻工藝在該層間介質(zhì)層300上對應(yīng)于接著柵極堆疊的位置形成柵極接觸孔然后在該接觸孔中沉積接觸金屬；接著可以在本實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成金屬互聯(lián)層，該金屬互聯(lián)層的布置方式用于有選擇地連接?xùn)艠O堆疊處的接觸孔或源/漏區(qū)230處的接觸孔600，形成不同的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)滿足不同的制造需求。
[0062]雖然關(guān)于示例實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)詳細(xì)說明，應(yīng)當(dāng)理解在不脫離本發(fā)明的精神和所附權(quán)利要求限定的保護(hù)范圍的情況下，可以對這些實(shí)施例進(jìn)行各種變化、替換和修改。對于其他例子，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)容易理解在保持本發(fā)明保護(hù)范圍內(nèi)的同時(shí)，工藝步驟的次序可以變化。
[0063]此外，本發(fā)明的應(yīng)用范圍不局限于說明書中描述的特定實(shí)施例的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法及步驟。從本發(fā)明的公開內(nèi)容，作為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將容易地理解，對于目前已存在或者以后即將開發(fā)出的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟，其中它們執(zhí)行與本發(fā)明描述的對應(yīng)實(shí)施例大體相同的功能或者獲得大體相同的結(jié)果，依照本發(fā)明可以對它們進(jìn)行應(yīng)用。因此，本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在將這些工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟包含在其保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該方法包括: a)提供襯底(100)，在所述襯底中形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(110)以及有源區(qū)； b)在所述襯底(100)之上形成金屬-石墨烯層(200)； c)在所述金屬-石墨烯層(200)上形成偽柵(220)、側(cè)墻(400)、源/漏區(qū)(230)以及層間介質(zhì)層(300)； d)去除所述偽柵(220)以及所述偽柵下面的金屬-石墨烯層； e)在所述偽柵(220)的位置形成柵極堆疊，所述柵極堆疊包括柵介質(zhì)層(210)和柵電極(250)； f)通過刻蝕所述層間介質(zhì)層(300)形成到達(dá)所述金屬-石墨烯層(200)的接觸孔(600 )，以導(dǎo)電材料填充所述接觸孔(600 )，并進(jìn)行平坦化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟b中，形成石墨烯層的方法包括加熱SiC、化學(xué)氣相沉積、轉(zhuǎn)移，通過金屬濺鍍或化學(xué)氣相淀積在石墨烯上形成金屬層，金屬和石墨烯通過反應(yīng)形成良好的電學(xué)接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟f中在填充所述接觸孔(600)前，步驟f還包括: 在所述接觸孔(600)的側(cè)壁以及底部形成襯層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述金屬層的材料包括釕、鉬、銥、錸或其組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟f中刻蝕所述接觸孔前，繼續(xù)淀積層間介質(zhì)層(300 )，使層間介質(zhì)層(300 )上表面高于柵極堆疊的上表面。
6.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底(100)、金屬-石墨烯層(200 )、柵極堆疊、側(cè)墻(400 )、層間介質(zhì)層(300 )和接觸孔(600 )，其中: 所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(110)、源/漏區(qū)(230)位于所述襯底(100)中； 所述柵極堆疊形成在所述襯底(100)之上； 所述柵極堆疊包括柵介質(zhì)層(210)和柵電極(250)； 所述側(cè)墻(400)形成在所述柵極堆疊的側(cè)壁上； 所述金屬-石墨烯層(200)位于所述源/漏區(qū)(230)之上，并且其中一部分金屬-石墨烯層(200)位于所述側(cè)墻(400)和所述接觸孔(600)的下面； 所述層間介質(zhì)層(300)覆蓋所述源/漏區(qū)(230)和所述柵極堆疊； 所述接觸孔(600)嵌于所述層間介質(zhì)層(300)中，接觸孔的下端與所述金屬-石墨烯層(200)相接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于: 所述接觸孔(600 )與所述金屬-石墨烯層(200 )、所述層間介質(zhì)層(300 )之間還夾有襯層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于: 所述金屬-石墨烯層(200 )中的金屬為釕、鉬、銥、錸或其組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于: 所述層間介質(zhì)層(300)覆蓋所述柵極堆疊、側(cè)墻(400)、金屬-石墨烯層(200)，層間介質(zhì)層(300)的上表面高于所述柵極堆疊的上表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于: 所述層間介質(zhì)層(300)的材料是氟娃玻璃、硼磷娃玻璃、磷娃玻璃、無摻雜氧化娃玻璃、氮氧化娃、低k材料或其組合。
【文檔編號】H01L21/28GK104282541SQ201310282657
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2013年7月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月6日
【發(fā)明者】鐘匯才, 梁擎擎, 朱慧瓏, 葉甜春 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所