天線設備及其饋電結構的制作方法
【專利摘要】實施例提供了將電容元件連接到的多個電路進行連接以獲得諧振所需的最佳電容電抗值。實施例通過以下方式來提供在諧振中所需的最佳容抗的電容值：將多個電容元件與連接發(fā)射器和接地的導線串聯(lián)，或者并聯(lián)/串聯(lián)一個或多個電容元件。
【專利說明】天線設備及其饋電結構
[0001]相關專利申請的交叉引用
[0002]本申請根據(jù)35U.S.C.119 和 35U.S.C.365 要求韓國專利申請N0.10-2012-0076313(在2012年7月12日提交)的優(yōu)先權，該申請通過引用的方式全部并入本申請中。
【技術領域】
[0003]本發(fā)明涉及一種用于形成將要連接到電容元件的多種電路并且使用適當?shù)碾娙菰祦慝@得諧振所需的最佳容抗值的設備。
【背景技術】
[0004]天線是在終端內(nèi)接收在空中的無線電信號或在終端內(nèi)向外發(fā)送信號的裝置，它是與外部進行通信的無線裝置的必要元件。
[0005]圖1是圖示根據(jù)現(xiàn)有技術的天線10的配置視圖。參見圖1，天線10包括饋電部11與輻射體12a和12b。在天線10中，饋電部11與輻射體12a和12b串聯(lián)，并且由饋電部11提供的信號經(jīng)由輻射體12a和12b被發(fā)送到外部。
[0006]在這種情況下，輻射體12a和12b可以是無線通信裝置的接地(未示出)或可以為另外的輻射體。另一方面，一個輻射體 12a可以是另外的輻射體，并且另一個輻射體12b可以使用接地體來作為輻射體。
[0007]在圖1的天線10的情況下，因為僅通過使用電氣方法來從饋電部11直接向輻射體12a和12b提供電信號而沒有另外的饋電結構，所以其性能低于包括饋電結構的天線的性能。
[0008]圖2是圖示根據(jù)現(xiàn)有技術的包括饋電結構的天線20的視圖。
[0009]參見圖2，天線20包括饋電部21、輻射體22a和22b以及用于形成饋電回路25的導線24。
[0010]在圖2的天線20的情況下，因為通過使用導線24來形成饋電回路25，所以能夠除了電氣饋送之外還通過磁耦合來進行饋送，由此提供比圖1的天線10 (不包括饋電回路25)更改善的性能。然而，雖然天線20包括饋電回路25，但是其性能在高頻區(qū)中降低。其詳細說明如下。
[0011]當從饋電部21提供的RF電流流過饋電回路25時，產(chǎn)生等效磁流Im。等效磁流Im表示為如下。
[0012]Iml=j ω μ SI (ω)等式(I)
[0013]在等式I中，j表示具有長度的等效磁流，ω表示角頻率，μ表示磁導率，S表示饋電回路的面積，并且I (ω)表示從饋電部提供的RF電流。
[0014]在饋電回路25中產(chǎn)生的等效磁流Ini可以被認為是在饋電回路25中產(chǎn)生的磁通量，并且在饋電回路25中產(chǎn)生的磁通量和等效磁流Im之間的關系表示為如下。
[0015]Im=-j ω ψ等式(2)
[0016]在等式2中，Ψ表示在饋電回路25中產(chǎn)生的磁通量的總和。[0017]另一方面，在饋電回路25中產(chǎn)生的磁通量的總和可以表示為如下。
[0018]
【權利要求】
1.一種天線設備，包括: 輻射體； 饋電部，用于給所述輻射體提供信號；以及 接地部，用于將所述輻射體接地，并且從所述饋電部延伸。
2.根據(jù)權利要求1所述的天線設備，進一步包括: 連接到所述接地部的至少一個諧振增加部。
3.根據(jù)權利要求2所述的天線設備，其中，所述諧振增加部包括至少一個電抗裝置。
4.根據(jù)權利要求3所述的天線設備，其中，所述電抗裝置包括電容性裝置和電感性裝置的至少一個。
5.根據(jù)權利要求4所述的天線設備，其中，所述電容性裝置是電容器。
6.根據(jù)權利要求4所述的天線設備，其中，所述電感性裝置是電感器。
7.根據(jù)權利要求1或2所述的天線設備，其中，通過所述饋電部和所述接地部來形成第一回路。
8.根據(jù)權利要求7所述的天線設備，其中，通過所述諧振增加部和所述接地部來形成第二回路。
9.根據(jù)權利要求2至6的任何一項所述的天線設備，其中，所述諧振增加部被布置在所述饋電部與所述接地部之間。
10.根據(jù)權利要求2至6的任何一項所述的天線設備，其中，所述饋電部被布置在所述接地部與所述諧振增加部之間。
11.一種饋電結構，包括: 饋電部，用于提供信號；以及 接地部，其從所述饋電部延伸。
12.根據(jù)權利要求11所述的饋電結構，進一步包括: 連接到所述接地部的至少一個諧振增加部。
13.根據(jù)權利要求12所述的饋電結構，其中，所述諧振增加部包括至少一個電抗裝置。
14.根據(jù)權利要求13所述的饋電結構，其中，所述電抗裝置包括電容性裝置和電感性裝置的至少一個。
15.根據(jù)權利要求14所述的饋電結構，其中，所述電容性裝置是電容器。
16.根據(jù)權利要求14所述的饋電結構，其中，所述電感性裝置是電感器。
17.根據(jù)權利要求11或12所述的饋電結構，其中，通過所述饋電部和所述接地部來形成第一回路。
18.根據(jù)權利要求17所述的饋電結構，其中，通過所述諧振增加部和所述接地部來形成第二回路。
19.根據(jù)權利要求12至16的任何一項所述的饋電結構，其中，所述諧振增加部被布置在所述饋電部與所述接地部之間。
20.根據(jù)權利要求12至16的任何一項所述的饋電結構，其中，所述饋電部被布置在所述接地部與所述諧振增加部之間。
【文檔編號】H01Q23/00GK103545622SQ201310294346
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年7月12日 優(yōu)先權日:2012年7月12日
【發(fā)明者】林東郁 申請人:Lg伊諾特有限公司