降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)和熱沉結(jié)構(gòu)及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，包括激光器芯片主體，激光器芯片主體具有正極和與外部電極電性連接的負極，正極上設(shè)置有多個發(fā)光部，并且發(fā)光部之間設(shè)置有第一凹槽，還包括熱沉結(jié)構(gòu)，熱沉結(jié)構(gòu)包括熱沉主體，熱沉主體的正面通過焊料層焊接在激光器芯片主體的正極上，在熱沉主體的位于激光器芯片主體的第一凹槽相對應(yīng)的部位上開有第二凹槽，并且該第二凹槽與第一凹槽一一對應(yīng)。本發(fā)明不僅具有低的應(yīng)力狀態(tài)，彎曲度低，能夠?qū)崿F(xiàn)低應(yīng)力或“無應(yīng)力”封裝，而且不影響激光器的導熱能力，可保證激光器長時間工作。
【專利說明】降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)和熱沉結(jié)構(gòu)及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)和熱沉結(jié)構(gòu)及其制備方法，屬于激光器制造領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,半導體激光器又稱激光二極管(LaserDiode)。隨著半導體激光器技術(shù)的發(fā)展和進步，其輸出功率、電光轉(zhuǎn)換效率、可靠性和壽命在不斷提高，可廣泛應(yīng)用于激光泵浦、激光加工、激光測距、科研和醫(yī)療等領(lǐng)域，市場需求巨大。
[0003]盡管半導體激光器技術(shù)已經(jīng)有了快速的進步，但隨著各應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，對半導體激光器的性能提出了更高的要求。高品質(zhì)的光纖耦合和光學整形產(chǎn)品要求半導體激光器芯片具有低的芯片彎曲度，即很小的“smile”效應(yīng)，高可靠性、高穩(wěn)定性和長壽命等特點。要保證高功率半導體激光器長期穩(wěn)定工作，這給激光芯片本身和封裝技術(shù)來了極大的挑戰(zhàn)。
[0004]半導體激光器的性能除了與芯片有關(guān)外，還與其封裝結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。目前，大多數(shù)的高功率半導體激光器巴條封裝結(jié)構(gòu)主要應(yīng)用銅作為散熱材料“Two-dimensionalhigh-power laser diode arrays cooled by Funryu heat sink，，.SPIE, vol.889,66-70(2000))，雖然銅的熱導率比較高，導熱快，但其熱膨脹系數(shù)卻是激光芯片的2-3倍，在封裝后會產(chǎn)生較大的應(yīng)力施加于激光芯片上，導致半導體激光器巴條產(chǎn)生大的彎曲，smile值大，性能較低，也影響其輸出特性和生產(chǎn)成本。為了提高高功率半導體激光器的性能，降低生產(chǎn)成本，必須設(shè)計出降低應(yīng)力的熱沉結(jié)構(gòu)。
[0005]目前，大部分傳導冷卻和液體制冷高功率半導體激光器巴條芯片是貼在銅熱沉的平面上，熱沉表面是一個完整平面，沒有與激光芯片發(fā)光點對應(yīng)的凹槽結(jié)構(gòu)，芯片與熱沉之間是一層焊料。采用這種熱沉結(jié)構(gòu)封裝后的半導體激光器巴條應(yīng)力偏大，芯片易產(chǎn)生彎曲，嚴重限制了高功率半導體激光器巴條在光纖耦合和光學整形方面的應(yīng)用。
[0006]綜上所述，目前的封裝熱沉結(jié)構(gòu)不能夠完全滿足高功率半導體激光器的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，它不僅具有低的應(yīng)力狀態(tài)，彎曲度低，能夠?qū)崿F(xiàn)低應(yīng)力或“無應(yīng)力”封裝，而且不影響激光器的導熱能力，可保證激光器長時間工作。
[0008]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題采取的技術(shù)方案是:一種降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，包括激光器芯片主體，激光器芯片主體具有正極和與外部電極電性連接的負極，正極上設(shè)置有多個發(fā)光部，并且發(fā)光部之間設(shè)置有第一凹槽，還包括熱沉結(jié)構(gòu)，熱沉結(jié)構(gòu)包括熱沉主體，熱沉主體的正面通過焊料層焊接在激光器芯片主體的正極上，在熱沉主體的位于激光器芯片主體的第一凹槽相對應(yīng)的部位上開有第二凹槽，并且該第二凹槽與第一凹槽一一對應(yīng)。
[0009]進一步，熱沉結(jié)構(gòu)還包括金屬結(jié)構(gòu)層，熱沉主體的背面通過焊料沉鍍在金屬結(jié)構(gòu)層上。
[0010]進一步，所述的熱沉主體由金屬或陶瓷或金剛石或金屬基復合材料制成。
[0011]進一步，所述的熱沉主體為多邊形的片狀或多邊形的塊狀。
[0012]進一步，所述的多個第二凹槽為等間距排列狀，第二凹槽的寬度d小于第一凹槽的寬度D，并且第二凹槽的寬度d為0.0lmm?0.02mm。
[0013]進一步，所述的第二凹槽的長度大于第一凹槽的長度。
[0014]進一步，所述的第二凹槽的縱向深度h大于焊料層的厚度H。
[0015]進一步，所述的第二凹槽的截面為矩形或“V”形或半圓形或半橢圓形或梯形。
[0016]本發(fā)明還提供了一種熱沉結(jié)構(gòu)，該熱沉結(jié)構(gòu)包括熱沉主體和金屬結(jié)構(gòu)層，熱沉主體的正面通過焊料層焊接在激光器芯片主體的正極上，熱沉主體的背面沉鍍在金屬結(jié)構(gòu)層上，在熱沉主體的位于激光器芯片主體的第一凹槽相對應(yīng)的部位上開有第二凹槽，并且該第二凹槽與第一凹槽一一對應(yīng)。
[0017]本發(fā)明還提供了一種熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法的步驟如下:
[0018]I)選用材料加工成所需要的多邊形片狀或塊狀的基體；
[0019]2)將基體上貼激光器芯片的部位進行表面拋光；
[0020]3)在基體上貼激光器芯片的部位上加工出第二凹槽，形成熱沉主體，并保證:a)第二凹槽的縱向與基體上貼激光器芯片的平面垂直；b)第二凹槽與激光器芯片發(fā)光部之間的第一凹槽一一對應(yīng)；
[0021]4)在熱沉主體的背面熱沉鍍金屬結(jié)構(gòu)層，完成整個熱沉結(jié)構(gòu)的制作。
[0022]本發(fā)明還提供了另一種熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法的步驟如下:
[0023]I)選用材料加工成所需要的多邊形片狀或塊狀的基體；
[0024]2)在基體上貼激光器芯片的部位上加工出第二凹槽，形成熱沉主體，并保證:a)第二凹槽的縱向與基體上貼激光器芯片的平面垂直；b)第二凹槽與激光器芯片發(fā)光部之間的第一凹槽一一對應(yīng)；
[0025]3)將熱沉主體上貼激光器芯片的部位進行表面拋光；
[0026]4)在熱沉主體的背面熱沉鍍金屬結(jié)構(gòu)層，完成整個熱沉結(jié)構(gòu)的制作。
[0027]采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明具有以下的有益效果:
[0028]1、本發(fā)明可使得激光巴條芯片封裝后具有低的應(yīng)力狀態(tài)，彎曲度低，實現(xiàn)低應(yīng)力或“無應(yīng)力”封裝，從結(jié)構(gòu)上來講，目前的激光器芯片大部分還是采用銦焊料封裝在散熱銅熱沉上，為避免銦焊料在封裝過程中產(chǎn)生空洞，影響激光器性能，銅熱沉貼芯片表面加工成了沒有凹槽的高精度完整平面；雖然銦焊料能夠釋放一份應(yīng)力，但很多情況下還是造成激光器芯片，尤其是激光巴條產(chǎn)生彎曲，影響激光器的性能和長期壽命。另外，對于同種材料，某一方向的應(yīng)力與該材料在該方向上的尺寸成正比，尺寸越大應(yīng)力越大。因此，設(shè)計出凹槽結(jié)構(gòu)可有效降低該方向上的應(yīng)力，實現(xiàn)低應(yīng)力分布。半導體激光芯片在封裝時，在芯片底部的焊料從升溫后的融化狀態(tài)降低至室溫的凝固狀態(tài)過程中，熱沉如常用的銅材料會和芯片一起收縮，雖然銅的熱膨脹系數(shù)較芯片的大，收縮量也就會大，但采用了凹槽結(jié)構(gòu)的熱沉，相當于在其收縮方向長度減小，因此收縮量也就減小，這樣應(yīng)力也就相應(yīng)的降低了。
[0029]2、本發(fā)明不影響激光器的導熱能力，可保證大功率半導體激光器長時間工作；
[0030]3、本發(fā)明提高了激光器巴條封裝后的性能和成品率，降低生產(chǎn)成本；[0031]4、本發(fā)明提高了激光器的可靠性、穩(wěn)定性和長期壽命。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1為本發(fā)明的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)的第一種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2為本發(fā)明的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)的第二種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖3為本發(fā)明的熱沉結(jié)構(gòu)的第二凹槽的第一種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖4為本發(fā)明的熱沉結(jié)構(gòu)的第二凹槽的第二種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖5為本發(fā)明的熱沉結(jié)構(gòu)的第二凹槽的第三種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖6為本發(fā)明的熱沉結(jié)構(gòu)的第二凹槽的第四種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0038]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
[0039]實施例一
[0040]如圖1所示，一種降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，包括激光器芯片主體4，激光器芯片主體4具有正極6和與外部電極電性連接的負極7，正極6上設(shè)置有多個發(fā)光部9，并且發(fā)光部9之間設(shè)置有第一凹槽8，還包括熱沉結(jié)構(gòu)，熱沉結(jié)構(gòu)包括熱沉主體1，熱沉主體I的正面2通過焊料層5焊接在激光器芯片主體4的正極6上，在熱沉主體I的位于激光器芯片主體4的第一凹槽8相對應(yīng)的部位上開有第二凹槽3，并且該第二凹槽3與第一凹槽8 一一對應(yīng)。
[0041]熱沉主體I由金屬或陶瓷或金剛石或金屬基復合材料制成。金屬基復合材料可以采用銅和金剛石的復合材料。
[0042]熱沉主體I為多邊形的片狀或多邊形的塊狀。熱沉主體I的厚度依靠散熱能力而定。
[0043]多個第二凹槽3為等間距排列狀，第二凹槽3的寬度d小于第一凹槽8的寬度D，并且第二凹槽3的寬度d為0.0lmm?0.02mm。
[0044]第二凹槽3的長度大于第一凹槽8的長度。
[0045]第二凹槽3的縱向深度h大于焊料層5的厚度H，如第二凹槽3的縱向深度h大于10 μ m0
[0046]如圖3?6所示，第二凹槽3的截面為矩形或“V”形或半圓形或半橢圓形或梯形，但不限于此，或者是其他多邊形形狀。
[0047]激光器芯片主體4為巴條芯片或微型巴條或由巴條芯片并聯(lián)或者串聯(lián)或者混聯(lián)而成的芯片組。
[0048]一種熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法的步驟如下:
[0049]I)選用材料加工成所需要的多邊形片狀或塊狀的基體；
[0050]2)將基體上貼激光器芯片的部位進行表面拋光；
[0051]3)在基體上貼激光器芯片的部位上加工出第二凹槽3，形成熱沉主體1，并保證:a)第二凹槽3的縱向與基體上貼激光器芯片的平面垂直；b)第二凹槽3與激光器芯片發(fā)光部9之間的第一凹槽8一一對應(yīng)；[0052]激光器芯片的制備按照以下步驟執(zhí)行:
[0053]首先根據(jù)激光器芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計出降低應(yīng)力的熱沉結(jié)構(gòu)，要考慮激光器芯片的長度、腔長寬度、各發(fā)光部之間間距和激光器芯片上正極p-metal面上各第一凹槽8的尺寸，使得熱沉主體4上各第二凹槽3與激光芯片正極p-metal面上各第一凹槽8 一一對應(yīng)；
[0054]按照以上熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法制備熱沉結(jié)構(gòu)；
[0055]再在加工好的熱沉結(jié)構(gòu)的正面上采用蒸發(fā)鍍或化學鍍的方法鍍上所需的焊料層
5,如鋼、錫等；
[0056]將激光器芯片正極p-metal面放置于鍍好焊料層的熱沉結(jié)構(gòu)的正面上，發(fā)光部9和第一凹槽8與熱沉結(jié)構(gòu)關(guān)鍵區(qū)域和第二凹槽3—一對應(yīng)，激光器芯片的前腔面平行于熱沉結(jié)構(gòu)的前端面，并相對于熱沉結(jié)構(gòu)的前端面，避免激光器芯片嚴重突出或凹進去；
[0057]最后通過金絲鍵合或銅箔等方式焊接在激光器芯片的負極上，完成低應(yīng)力高功率半導體激光器的封裝。
[0058]實施例二
[0059]如圖2所不,一種降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu),包括激光器芯片主體4,激光器芯片主體4具有正極6和與外部電極電性連接的負極7，正極6上設(shè)置有多個發(fā)光部9，并且發(fā)光部9之間設(shè)置有第一凹槽8，還包括熱沉結(jié)構(gòu)，熱沉結(jié)構(gòu)包括熱沉主體1，熱沉主體I的正面2通過焊料層5焊接在激光器芯片主體4的正極6上，在熱沉主體I的位于激光器芯片主體4的第一凹槽8相對應(yīng)的部位上開有第二凹槽3，并且該第二凹槽3與第一凹槽8 一一對應(yīng)。熱沉結(jié)構(gòu)還包括金屬結(jié)構(gòu)層10，熱沉主體I的背面通過焊料11沉鍍在金屬結(jié)構(gòu)層5上。
[0060]熱沉主體I由金屬或陶瓷或金剛石或金屬基復合材料制成。金屬基復合材料可以采用銅和金剛石的復合材料。
[0061]熱沉主體I為多邊形的片狀或多邊形的塊狀。熱沉主體I的厚度依靠散熱能力而定。
[0062]多個第二凹槽3為等間距排列狀，第二凹槽3的寬度d小于第一凹槽8的寬度D，并且第二凹槽3的寬度d為0.0lmm?0.02mm。
[0063]第二凹槽3的長度大于第一凹槽8的長度。
[0064]第二凹槽3的縱向深度h大于焊料層5的厚度H，如第二凹槽3的縱向深度h大于10 μ m0
[0065]如圖3?6所示，第二凹槽3的截面為矩形或“V”形或半圓形或半橢圓形或梯形，但不限于此，或者是其他多邊形形狀。
[0066]激光器芯片主體4為巴條芯片或微型巴條或由巴條芯片并聯(lián)或者串聯(lián)或者混聯(lián)而成的芯片組。
[0067]熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法的步驟如下:
[0068]I)選用材料加工成所需要的多邊形片狀或塊狀的基體；
[0069]2)在基體上貼激光器芯片的部位上加工出第二凹槽3，形成熱沉主體1，并保證:a)第二凹槽3的縱向與基體上貼激光器芯片的平面垂直；b)第二凹槽3與激光器芯片發(fā)光部9之間的第一凹槽8一一對應(yīng)；
[0070]3)將熱沉主體I上貼激光器芯片的部位進行表面拋光；[0071]4)在熱沉主體I的背面熱沉鍍金屬結(jié)構(gòu)層10，完成整個熱沉結(jié)構(gòu)。
[0072]或者采用以下制備方法制備熱沉結(jié)構(gòu)，一種熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法的步驟如下:
[0073]I)選用材料加工成所需要的多邊形片狀或塊狀的基體；
[0074]2)將基體上貼激光器芯片的部位進行表面拋光；
[0075]3)在基體上貼激光器芯片的部位上加工出第二凹槽3，形成熱沉主體1，并保證:a)第二凹槽3的縱向與基體上貼激光器芯片的平面垂直；b)第二凹槽3與激光器芯片發(fā)光部9之間的第一凹槽8一一對應(yīng)；
[0076]4)在熱沉主體I的背面熱沉鍍金屬結(jié)構(gòu)層10，完成整個熱沉結(jié)構(gòu)的制作。
[0077]激光器芯片的制備按照以下步驟執(zhí)行:
[0078]首先根據(jù)激光器芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計出降低應(yīng)力的熱沉結(jié)構(gòu)，要考慮激光器芯片的長度、腔長寬度、各發(fā)光部之間間距和激光器芯片上正極p-metal面上各第一凹槽8的尺寸，使得熱沉主體上各第二凹槽3與激光芯片正極p-metal面上各第一凹槽8 一一對應(yīng)；
[0079]按照以上熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法制備熱沉結(jié)構(gòu)；
[0080]再在加工好的熱沉結(jié)構(gòu)的正面上采用蒸發(fā)鍍或化學鍍的方法鍍上所需的焊料層
5,如鋼、錫等；
[0081]將激光器芯片正極p-metal面放置于鍍好焊料層的熱沉結(jié)構(gòu)的正面上，發(fā)光部9和第一凹槽8與熱沉結(jié)構(gòu)關(guān)鍵區(qū)域和第二凹槽3—一對應(yīng)，激光器芯片的前腔面平行于熱沉結(jié)構(gòu)的前端面，并相對于熱沉結(jié)構(gòu)的前端面，避免激光器芯片嚴重突出或凹進去；
[0082]該貼好激光器芯片的載體結(jié)構(gòu)再使用焊料11焊接接到一個散熱優(yōu)良的金屬結(jié)構(gòu)層(如銅)上10，這樣的好處是該金屬熱沉就可以不帶電工作，可滿足有些特殊的應(yīng)用需求；
[0083]最后通過金絲鍵合或銅箔等方式焊接在激光器芯片的負極上，完成低應(yīng)力高功率半導體激光器的封裝。
[0084]本發(fā)明的工作原理如下:
[0085]半導體激光芯片在封裝時，在芯片底部的焊料從升溫后的融化狀態(tài)降低至室溫的凝固狀態(tài)過程中，熱沉如常用的銅材料會和芯片一起收縮，雖然銅的熱膨脹系數(shù)較芯片的大，收縮量也就會大，但采用了凹槽結(jié)構(gòu)的熱沉，相當于在其收縮方向長度減小，因此收縮量也就減小，這樣應(yīng)力也就相應(yīng)的降低了。
[0086]以上所述的具體實施例，對本發(fā)明解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu),包括激光器芯片主體(4),激光器芯片主體(4)具有正極(6)和與外部電極電性連接的負極(7)，正極(6)上設(shè)置有多個發(fā)光部(9)，并且發(fā)光部(9)之間設(shè)置有第一凹槽(8)，其特征在于:還包括熱沉結(jié)構(gòu)，熱沉結(jié)構(gòu)包括熱沉主體(I)，熱沉主體(I)的正面(2)通過焊料層(5)焊接在激光器芯片主體(4)的正極(6)上，在熱沉主體(I)的位于激光器芯片主體(4)的第一凹槽(8)相對應(yīng)的部位上開有第二凹槽(3)，并且該第二凹槽(3)與第一凹槽(8) —一對應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的熱沉結(jié)構(gòu)還包括金屬結(jié)構(gòu)層(10)，熱沉主體(I)的背面通過焊料(11)沉鍍在金屬結(jié)構(gòu)層(5)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的熱沉主體(I)由金屬或陶瓷或金剛石或金屬基復合材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的熱沉主體(I)為多邊形的片狀或多邊形的塊狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的多個第二凹槽⑶為等間距排列狀，第二凹槽⑶的寬度d小于第一凹槽⑶的寬度D，并且第二凹槽⑶的寬度d為0.01臟?0.02臟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的第二凹槽(3)的長度大于第一凹槽(8)的長度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的第二凹槽(3)的縱向深度h大于焊料層(5)的厚度H。
8.一種熱沉結(jié)構(gòu)，其特征在于:它采用如權(quán)利要求1至7中任一項所述的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)中的熱沉結(jié)構(gòu)。
9.一種熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于該方法的步驟如下: 1)選用材料加工成所需要的多邊形片狀或塊狀的基體； 2)將基體上貼激光器芯片的部位進行表面拋光； 3)在基體上貼激光器芯片的部位上加工出第二凹槽(3)，形成熱沉主體(1)，并保證:a)第二凹槽(3)的縱向與基體上貼激光器芯片的平面垂直；b)第二凹槽(3)與激光器芯片發(fā)光部(9)之間的第一凹槽(8) —一對應(yīng)； 4)在熱沉主體(I)的背面熱沉鍍金屬結(jié)構(gòu)層(10)，完成整個熱沉結(jié)構(gòu)的制作。
10.一種熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于該方法的步驟如下: 1)選用材料加工成所需要的多邊形片狀或塊狀的基體； 2)在基體上貼激光器芯片的部位上加工出第二凹槽(3)，形成熱沉主體(1)，并保證:a)第二凹槽(3)的縱向與基體上貼激光器芯片的平面垂直；b)第二凹槽(3)與激光器芯片發(fā)光部(9)之間的第一凹槽(8) —一對應(yīng)； 3)將熱沉主體(I)上貼激光器芯片的部位進行表面拋光； 4)在熱沉主體(I)的背面熱沉鍍金屬結(jié)構(gòu)層(10)，完成整個熱沉結(jié)構(gòu)的制作。
【文檔編號】H01S5/022GK103427330SQ201310302731
【公開日】2013年12月4日 申請日期:2013年7月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月17日
【發(fā)明者】李豐 申請人:丹陽聚辰光電科技有限公司