瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導體結(jié)構(gòu)，具體是一種瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)；其包括基底、設(shè)置于基底上端面的封裝體及設(shè)置于基底下端面的數(shù)個電極，所述基底上端具有凹槽，該凹槽內(nèi)設(shè)置有管芯組件，所述管芯組件包括數(shù)個呈層狀堆疊的銅電極片及設(shè)置于相鄰銅電極片之間的管芯，所述封裝體與基底形成一腔室，所述管芯組件設(shè)置于該腔室內(nèi)；本發(fā)明中銅電極片具有很好的散熱性，所以使得整個產(chǎn)品散熱性好、可靠性高、使用壽命長，此外本發(fā)明還具有引線不易斷裂，生產(chǎn)效率高等優(yōu)點。
【專利說明】瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體結(jié)構(gòu)，具體是一種瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)中，主要包括基底、管芯組件、封裝體及引線，在功率要求高的瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)中，由于二極管外形尺寸固定不變，管芯組件需要采用多層管芯燒制而成，所以研發(fā)過程中需要考慮管芯的散熱問題，現(xiàn)有技術(shù)中由于管芯組件散熱問題差，所以導致產(chǎn)品的使用壽命差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，本發(fā)明旨在提供一種散熱性能更好的瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基底、設(shè)置于基底上端面的封裝體及設(shè)置于基底下端面的數(shù)個電極，所述基底上端具有凹槽，該凹槽內(nèi)設(shè)置有管芯組件，所述管芯組件包括數(shù)個呈層狀堆疊的銅電極片及設(shè)置于相鄰銅電極片之間的管芯，所述封裝體與基底形成一腔室，所述管芯組件設(shè)置于該腔室內(nèi)。
[0005]具體的，所述基底上端面還設(shè)置有鍵合塊，所述管芯組件與鍵合塊通過引線連接。
[0006]所述管芯組件上端面與鍵合塊上端面處于同一平面。
[0007]所述銅電極片的數(shù)量為三個。
[0008]所述數(shù)個電極包括設(shè)置于基底下端面的第一電極及第二電極，第一電極通過第一導線與管芯組件連接，第二電極通過第二導線與鍵合塊連接。
[0009]所述鍵合塊采用鐵鎳鈷合金或無氧銅制作而成。
[0010]所述封裝體采用鐵鎳鈷合金制作而成。
[0011]所述基底為氧化鋁陶瓷，氧化鋁含量為92%以上。
[0012]所述引線采用含鋁量為99.99%以上的鋁絲或含鋁量為99%的硅鋁絲。
[0013]本發(fā)明的瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)，由于管芯組件包括數(shù)個呈層狀堆疊的銅電極片及設(shè)置于相鄰銅電極片之間管芯，而銅電極片具有很好的散熱性，所以使得整個產(chǎn)品散熱性好、可靠性高、使用壽命長，此外本發(fā)明還具有引線不易斷裂，生產(chǎn)效率高等優(yōu)點。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為本發(fā)明瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0016]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0017]如圖1所示，本發(fā)明的瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)，其可以包括基底1、設(shè)置于基底I上端面的封裝體2及設(shè)置于基底I下端面的數(shù)個電極，所述基底I上端具有凹槽11，該凹槽11內(nèi)設(shè)置有管芯組件3，所述管芯組件3包括數(shù)個呈層狀堆疊的銅電極片31及設(shè)置于相鄰銅電極片之間的管芯32，所述封裝體2與基底I形成一腔室，所述管芯組件3設(shè)置于該腔室內(nèi)。所述封裝體2采用鐵鎳鈷合金制作而成，所述基底I為氧化鋁陶瓷，氧化鋁含量為92%以上，所述引線5采用含鋁量為99.99%以上的鋁絲或含鋁量為99%的硅鋁絲。由于管芯組件3包括數(shù)個呈層狀堆疊的銅電極片31及設(shè)置于相鄰銅電極片之間管芯32，而銅電極片31具有很好的散熱性，所以使得整個產(chǎn)品散熱性好、可靠性高、使用壽命長。
[0018]具體的，所述基底I上端面還可以設(shè)置有鍵合塊4，所述管芯組件3與鍵合塊4通過引線5連接。所述鍵合塊4采用鐵鎳鈷合金或無氧銅制作而成。
[0019]所述管芯組件3上端面可以與鍵合塊4上端面處于同一平面。這樣使得連接管芯組件3與鍵合塊4的引線5更短，更不易晃動，產(chǎn)品質(zhì)量更好，也可以根據(jù)具體實際情況，適當調(diào)整鍵合塊4的高度，使鍵合塊4略高于或者略低于管芯組件3上端面所在平面。
[0020]所述銅電極片31的數(shù)量可以為三個。在管芯32在工作時會產(chǎn)生大量的熱量，所以銅電極片31可以更好地散熱，使得產(chǎn)品不易損壞，也可以根據(jù)具體情況，增加銅電極片31的數(shù)量。
[0021 ] 所述數(shù)個電極可以包括設(shè)置于基底I下端面的第一電極6及第二電極7，第一電極6通過第一導線8與管芯組件3連接，第二電極7通過第二導線9與鍵合塊4連接。
[0022]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基底(I)、設(shè)置于基底(I)上端面的封裝體(2)及設(shè)置于基底(I)下端面的數(shù)個電極，其特征在于:所述基底(I)上端具有凹槽(11)，該凹槽(11)內(nèi)設(shè)置有管芯組件(3)，所述管芯組件(3)包括數(shù)個呈層狀堆疊的銅電極片(31)及設(shè)置于相鄰銅電極片之間的管芯(32)，所述封裝體(2)與基底(I)形成一腔室，所述管芯組件(3)設(shè)置于該腔室內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基底(I)上端面還設(shè)置有鍵合塊(4)，所述管芯組件(3 )與鍵合塊(4)通過引線(5 )連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述管芯組件(3)上端面與鍵合塊(4)上端面處于同一平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述銅電極片(31)的數(shù)量為三個。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述數(shù)個電極包括設(shè)置于基底(I)下端面的第一電極(6)及第二電極(7)，第一電極(6)通過第一導線(8)與管芯組件(3)連接，第二電極(7)通過第二導線(9)與鍵合塊(4)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述鍵合塊(4)采用鐵鎳鈷合金或無氧銅制作而成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述封裝體(2)采用鐵鎳鈷合金制作而成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基底(I)為氧化鋁陶瓷，氧化鋁含量為92%以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述引線(5)采用含鋁量為99.99%以上的鋁絲或含鋁量為99%的硅鋁絲。
【文檔編號】H01L23/36GK104347565SQ201310311149
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年7月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月23日
【發(fā)明者】許小兵, 程勇, 吳貴松, 李大強, 許曉鵬 申請人:中國振華集團永光電子有限公司