具有用于使電弧消弧的消弧區(qū)段的電流開關(guān)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種電流開關(guān)、優(yōu)選DC-電流開關(guān)，其包括具有至少一個(gè)滅弧室的接觸體，在滅弧室中設(shè)置有沿著縱向方向和寬度方向延伸的接觸橋的接觸區(qū)段以及接觸件的接觸區(qū)段，其中，在斷口打開時(shí)，在接觸橋和接觸件的接觸區(qū)段之間在負(fù)載下形成電弧。為了保證電弧被極為有效地消弧以及允許使用現(xiàn)有電流開關(guān)的盡可能多的部件，根據(jù)本發(fā)明提出：至少一個(gè)滅弧室具有消弧區(qū)段，電弧可偏轉(zhuǎn)到消弧區(qū)段中；消弧區(qū)段在縱向方向上由第一消弧區(qū)段壁和第二消弧區(qū)段壁限定邊界；消弧區(qū)段在寬度方向上由第三消弧區(qū)段壁和第四消弧區(qū)段壁限定邊界；第一消弧區(qū)段壁、第二消弧區(qū)段壁、第三消弧區(qū)段壁和第四消弧區(qū)段壁形成三個(gè)閉合的角部和一個(gè)敞開的角部。
【專利說明】具有用于使電弧消弧的消弧區(qū)段的電流開關(guān)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電流開關(guān)、優(yōu)選DC-電流開關(guān)，包括具有至少一個(gè)滅弧室的接觸體，在所述滅弧室中設(shè)置有接觸橋的接觸區(qū)段以及接觸件的接觸區(qū)段，所述接觸橋沿著從接觸橋指向到所述至少一個(gè)滅弧室中的縱向方向和相對于縱向方向橫向地延伸的寬度方向延伸，其中，在相對于從接觸橋指向接觸件的高度方向平行地延伸的斷口打開時(shí)，在接觸橋和接觸件的接觸區(qū)段之間在負(fù)載下形成電弧。
【背景技術(shù)】
[0002]在打開電流流過的觸點(diǎn)時(shí)，只要其條件存在，就產(chǎn)生電弧。這導(dǎo)致所使用的貴金屬觸點(diǎn)燒損。在燃燒持續(xù)時(shí)間過長時(shí)發(fā)生觸點(diǎn)的損壞，也可能燃燒。在低功率級別的交流電流開關(guān)中，電弧在電流下一次過零點(diǎn)時(shí)自動(dòng)熄滅。因此在此可以取消消弧裝置。
[0003]在直流電流時(shí)的狀況是不同的，因?yàn)樵诖藳]有自然的過零點(diǎn)，因此需要專門的電弧消弧裝置。所述電弧消弧裝置可以利用多個(gè)同時(shí)進(jìn)行的機(jī)制:提高電弧長度；快速轉(zhuǎn)換，以便減少電弧時(shí)間并且由此減少開關(guān)上的損壞；自產(chǎn)氣體消弧，其方式是通過電弧作用從絕緣材料分解出氣體(例如H2，碳?xì)浠衔?，由此產(chǎn)生電弧的加強(qiáng)冷卻和更快速的消弧。
[0004]此外已經(jīng)公知，借助于磁體一也稱為吹弧磁體，在利用洛倫茲力的情況下使電弧偏轉(zhuǎn)和/或延長并且由此較快速地消弧。在EP1998350A2中例如公開了一種具有包括兩個(gè)殼體半部的殼體和電弧消弧單元的室內(nèi)布線開關(guān)裝置，其中，不僅在交流電流(AC)工況中而且在直流電流(DC)工況中，在電弧前腔中產(chǎn)生的電弧借助于永磁體引導(dǎo)到電弧消弧單元中。在此，永磁體設(shè)置在引導(dǎo)通道中并且可以在殼體半部的組裝狀態(tài)中通過殼體壁的口事后從外部插入到引導(dǎo)通道中。EP1998350A2的電弧消弧裝置涉及一種鐵磁性的電弧消弧片的堆疊裝置，所述電弧消弧片通過保持裝置彼此相對保持間隔。此外，該堆疊裝置在電弧的進(jìn)入側(cè)具有V形的凹部，由此進(jìn)一步提高了制造投入。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是，提供一種電流開關(guān)，所述電流開關(guān)尤其是可用作DC-電流開關(guān)，具有極為有效的、同時(shí)盡可能簡單的并且由此成本低廉的消弧裝置。此外，該結(jié)構(gòu)應(yīng)允許使用現(xiàn)有電流開關(guān)的盡可能多的部件。
[0006]為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明，提出了一種電流開關(guān)，所述電流開關(guān)包括具有至少一個(gè)滅弧室的接觸體，在所述滅弧室中設(shè)置有接觸橋的接觸區(qū)段和接觸件的接觸區(qū)段。典型的實(shí)施形式對于每個(gè)電流開關(guān)或接觸體可以具有多個(gè)、例如四個(gè)這樣的滅弧室。為了能夠在直流電流(DC)的情況下使在斷口打開時(shí)在接觸區(qū)段之間在電壓或負(fù)載下形成的電弧有效地消弧，設(shè)置有滅弧室的消弧區(qū)段，該消弧區(qū)段形成滅弧室的子空間，并且電弧可以被迫使/偏轉(zhuǎn)或延長到該子空間中。優(yōu)選借助于永磁體進(jìn)行電弧的偏轉(zhuǎn)，然而原則上也可以使用其它機(jī)制，例如電磁體或空氣壓力系統(tǒng)。如果使用永磁體(或電磁體)，則在利用洛倫茲力的情況下進(jìn)行電弧的偏轉(zhuǎn)或延長。[0007]本發(fā)明的核心是滅弧室的特殊構(gòu)造的消弧區(qū)段，所述消弧區(qū)段優(yōu)選設(shè)計(jì)為接觸體的凹部，由消弧區(qū)段壁限定邊界并且電弧可以偏轉(zhuǎn)到所述消弧區(qū)段中。消弧區(qū)段壁在此形成三個(gè)閉合的角部和一個(gè)敞開的角部，其中，閉合的角部通過消弧區(qū)段壁的相互對接獲得，而敞開的角部通過消弧區(qū)段壁的假想延長部的相互對接獲得。電弧可以通過敞開的角部偏轉(zhuǎn)到消弧區(qū)段中。因此，在消弧區(qū)段中出現(xiàn)與消弧區(qū)段的至少一個(gè)消弧區(qū)段壁的接觸，由此，釋放氣體并且電弧得到冷卻，這又導(dǎo)致電弧被較快速地消弧。相應(yīng)地，一種電流開關(guān)、優(yōu)選DC-電流開關(guān)，包括具有至少一個(gè)滅弧室的接觸體，在所述滅弧室中設(shè)置有接觸橋的接觸區(qū)段以及接觸件的接觸區(qū)段，所述接觸橋沿著從接觸橋指向到所述至少一個(gè)滅弧室中的縱向方向和相對于縱向方向橫向地延伸的寬度方向延伸，其中，在相對于從接觸橋指向接觸件的高度方向平行地延伸的斷口打開時(shí)，在接觸橋和接觸件的接觸區(qū)段之間在負(fù)載下形成電弧，在所述電流開關(guān)、優(yōu)選DC-電流開關(guān)中，根據(jù)本發(fā)明提出:所述至少一個(gè)滅弧室具有消弧區(qū)段，電弧可偏轉(zhuǎn)到所述消弧區(qū)段中；消弧區(qū)段在縱向方向上由第一消弧區(qū)段壁和第二消弧區(qū)段壁限定邊界；消弧區(qū)段在寬度方向上由第三消弧區(qū)段壁和第四消弧區(qū)段壁限定邊界；第一消弧區(qū)段壁、第二消弧區(qū)段壁、第三消弧區(qū)段壁和第四消弧區(qū)段壁形成三個(gè)閉合的角部和一個(gè)敞開的角部。在此，在縱向方向上觀察，第一消弧區(qū)段壁設(shè)置在第二消弧區(qū)段壁之前，在寬度方向上觀察，第三消弧區(qū)段壁設(shè)置在第四消弧區(qū)段壁之前。
[0008]為了可使電弧盡可能無阻礙地偏轉(zhuǎn)到消弧區(qū)段中，敞開的角部是最接近接觸橋的角部。相應(yīng)地，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:敞開的角部由第一消弧區(qū)段壁和第三消弧區(qū)段壁形成。
[0009]另外，為了確保電弧無障礙地進(jìn)入消弧區(qū)段中，消弧區(qū)段壁這樣設(shè)置，使得接觸橋在縱向方向上觀察位于敞開的角部內(nèi)部。因此，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:接觸橋在縱向方向上由接觸橋棱邊限定邊界；在縱向方向上觀察，接觸橋棱邊設(shè)置在第一消弧區(qū)段壁與第二消弧區(qū)段壁之間。
[0010]另外，為了確保電弧無障礙地進(jìn)入消弧區(qū)段中，消弧區(qū)段壁這樣設(shè)置，使得接觸橋在寬度方向上觀察位于敞開的角部內(nèi)部。因此，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:接觸橋在寬度方向上由接觸橋側(cè)棱邊限定邊界；在寬度方向上觀察，接觸橋側(cè)棱邊設(shè)置在第三消弧區(qū)段壁與第四消弧區(qū)段壁之間。
[0011]最后，為了確保電弧無障礙地進(jìn)入消弧區(qū)段中或者為了使電弧已經(jīng)在消弧區(qū)段中產(chǎn)生，消弧區(qū)段壁這樣設(shè)置，使得接觸橋部分地設(shè)置在消弧區(qū)段中。因此，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:接觸橋通過敞開的角部伸入到消弧區(qū)段中。
[0012]因?yàn)樵陬A(yù)給定的電流方向下電弧通過永磁體總是在同一方向上偏轉(zhuǎn)，所以，在這種情況下，如果接觸橋僅以接觸橋角部伸入到消弧區(qū)段中，則已經(jīng)可以確保電弧偏轉(zhuǎn)到消弧區(qū)段中。因此，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:接觸橋以接觸橋角部通過敞開的角部伸入到消弧區(qū)段中，其中，接觸橋角部通過接觸橋棱邊和接觸橋側(cè)棱邊形成。
[0013]優(yōu)選電弧的偏轉(zhuǎn)通過永磁體進(jìn)行，該永磁體設(shè)置在接觸體的凹槽中。因此，相對于現(xiàn)有電流開關(guān)獲得了一種基于永磁體所需的安置可能性而具有較小滅弧室的接觸體。此夕卜，僅轉(zhuǎn)換橋與減小的滅弧室相匹配，使得現(xiàn)有電流開關(guān)的所有其它部件可以被沿用。
[0014]因此，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:接觸體具有至少一個(gè)用于容納永磁體的凹槽，以便使電弧偏轉(zhuǎn)到消弧區(qū)段中，其中，所述至少一個(gè)凹槽與所述至少一個(gè)滅弧室分開地構(gòu)造?！胺珠_地構(gòu)造”意味著，在凹槽與滅弧室之間不存在連接。因此，尤其是在電弧與永磁體之間不會出現(xiàn)接觸，由此，永磁體通過電弧而受損得以避免。僅僅永磁體的磁力線從凹槽延伸到滅弧室中，由此，電弧偏轉(zhuǎn)到消弧區(qū)段中。
[0015]為了使永磁體能夠盡可能好地作用在電弧上，該永磁體盡可能靠近斷口布置。因此，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:所述至少一個(gè)凹槽相對于斷口平行地延伸。
[0016]因?yàn)槁鍌惼澚ψ鳛殡娀≈械碾婋x微粒的速度矢量與磁場的叉積得到，所以，為了使電弧有效地偏轉(zhuǎn)，要注意的是，磁力線在任何情況下都不是精確地平行于斷口延伸。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，例如可以使用棒形磁體，所述棒形磁體的極相對于斷口橫向地設(shè)置，由此，磁力線相對于斷口橫向地延伸。因此，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:在所述至少一個(gè)凹槽中設(shè)置有永磁體，其中，所述永磁體的極沿著相對于斷口橫向的方向設(shè)置。
[0017]如果永磁體的極這樣設(shè)置，使得電弧在預(yù)給定的電流方向下偏轉(zhuǎn)到消弧區(qū)段中，貝IJ在電流方向換向時(shí)情況通常并非如此。這是因?yàn)樵陔娏鞣较驌Q向的情況下洛倫茲力指向相反的方向。也就是說，永磁體的極的設(shè)置對于這種狀況是不正確的。為了在電流方向換向時(shí)能夠使電弧偏轉(zhuǎn)到消弧區(qū)段中，永磁體的極的設(shè)置必須不同。為了可使電弧完全正確地偏轉(zhuǎn)到消弧區(qū)段中，永磁體的極的設(shè)置必須精確地?fù)Q向，也就是說，極性必須換向。
[0018]這種問題的解決方案可以在雙極轉(zhuǎn)換中實(shí)現(xiàn)。對此要注意的是，按照國家安全規(guī)定，單極(unipo Iar )轉(zhuǎn)換可能是不允許的，由此,進(jìn)行雙極轉(zhuǎn)換的電流開關(guān)可以是特別有吸引力的。為了雙極轉(zhuǎn)換，分別設(shè)置有一個(gè)滅弧室對，所述滅弧室對由兩個(gè)根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選具有公共的接觸橋的滅弧室組成。
[0019]現(xiàn)在為了對于兩種可能的電流方向解決正確設(shè)置極或極性的問題，設(shè)置有永磁體對，所述永磁體對由兩個(gè)永磁體組成，所述永磁體的極不同地、優(yōu)選極性相反/鏡像顛倒(gegengleich)地設(shè)置或定向。也就是說,永磁體對的永磁體優(yōu)選具有相反的極性。永磁體對設(shè)置在凹槽對中。也就是說，一個(gè)永磁體設(shè)置在一個(gè)屬于滅弧室對的一個(gè)滅弧室的凹槽中，另一個(gè)永磁體設(shè)置在另一個(gè)屬于滅弧室對的另一個(gè)滅弧室的凹槽中。
[0020]在滅弧室對的兩個(gè)滅弧室中，在接觸中斷時(shí)形成電弧?，F(xiàn)在通過不同地設(shè)置永磁體的極，與電流方向無關(guān)地在滅弧室對的兩個(gè)滅弧室之一中將電弧壓到或偏轉(zhuǎn)到消弧區(qū)段中，而在滅弧室對的另一個(gè)滅弧室中，那里的電弧的偏轉(zhuǎn)在另一個(gè)優(yōu)選相反的方向上進(jìn)行。相應(yīng)地，在滅弧室對的兩個(gè)滅弧室之一中進(jìn)行電弧的根據(jù)本發(fā)明的消弧。在滅弧室對的一個(gè)滅弧室中由此實(shí)現(xiàn)的接觸中斷防止滅弧室對的另一個(gè)滅弧室中的部件不允許地負(fù)載。在電流方向相反時(shí)，在滅弧室對的另一個(gè)滅弧室中進(jìn)行電弧的正確偏轉(zhuǎn)以及由此可靠的接觸中斷。相應(yīng)地，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:為了雙極轉(zhuǎn)換，設(shè)置有至少一個(gè)滅弧室對，所述滅弧室對由兩個(gè)優(yōu)選具有公共的接觸橋的滅弧室組成；設(shè)置有凹槽對，所述凹槽對由對應(yīng)于滅弧室對的每一個(gè)滅弧室的各一個(gè)凹槽組成；設(shè)置有永磁體對，所述永磁體對由設(shè)置在凹槽對的每一個(gè)凹槽中的各一個(gè)永磁體組成；永磁體對的一個(gè)永磁體的極不同于永磁體對的另一個(gè)永磁體的極來設(shè)置。
[0021]為了實(shí)現(xiàn)永磁體對的一個(gè)永磁體的極的布置相對于永磁體對的另一個(gè)永磁體的極的布置不同的特別簡單的形式，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:永磁體對的一個(gè)永磁體的極相對于永磁體對的另一個(gè)永磁體的極極性相反地設(shè)置。這對應(yīng)于兩個(gè)永磁體的相反極性。
[0022]為了對于制造而言特別簡單且成本低廉的設(shè)計(jì)，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:滅弧室對的兩個(gè)滅弧室以及凹槽對的兩個(gè)凹槽在縱向方向上觀察前后依次設(shè)置，優(yōu)選繞垂直于縱向方向的鏡像平面鏡像地設(shè)置。在這種情況下，永磁體對的永磁體僅須以極性相反的極性插入到凹槽對的凹槽中，這從制造技術(shù)的視角看是可簡單實(shí)施的步驟。
[0023]滅弧室可以具有第一滅弧室區(qū)域，所述第一滅弧室區(qū)域構(gòu)造成接觸體的凹部。在縱向方向上，所述第一滅弧室區(qū)域由第一區(qū)域壁限定邊界，其中，第一區(qū)域壁在縱向方向上觀察設(shè)置在接觸橋的后面。此外，第一室區(qū)域與消弧區(qū)段借助于接片分開。在此，接片形成消弧區(qū)段壁，電弧可以偏轉(zhuǎn)到該消弧區(qū)段壁中。也就是說，接片負(fù)責(zé)電弧與消弧區(qū)段的壁之間的大面積的接觸可能性。因此，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:滅弧室具有構(gòu)造成接觸體的凹部的第一滅弧室區(qū)域，所述第一滅弧室區(qū)域在縱向方向上由第一區(qū)域壁限定邊界；在第一滅弧室區(qū)域與消弧區(qū)段之間設(shè)置有由接觸體形成的接片。
[0024]在此，滅弧室構(gòu)造成不對稱的，其中，消弧區(qū)段大于第一滅弧室區(qū)域，以便為電弧或其偏轉(zhuǎn)和延長提供足夠的位置。因此，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:消弧區(qū)段在寬度方向上和/或在縱向方向上具有比第一滅弧室區(qū)域大的尺寸。
[0025]為了使電弧進(jìn)入消弧區(qū)段中容易，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:接片具有在縱向方向上呈V形擴(kuò)展的橫截面。
[0026]如所述，如果接觸橋僅以接觸橋角部伸入到消弧區(qū)段中，則在預(yù)給定的電流方向下已經(jīng)可以確保電弧通過永磁體偏轉(zhuǎn)到消弧區(qū)段中。因此，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:接片相對于接觸橋的在寬度方向上的延伸設(shè)置在中間，優(yōu)選相對于接觸橋的接觸區(qū)段的在寬度方向上的延伸設(shè)置在中間。
[0027]因?yàn)榻悠山佑|體形成，所以接觸體可以被一體地制造。為了在電弧與消弧區(qū)段壁接觸時(shí)通過釋放氣體優(yōu)化消弧效果，接觸體由強(qiáng)烈釋放氣體的材料、優(yōu)選由聚酰胺制成。因此，在電弧與消弧區(qū)段壁接觸時(shí)尤其是釋放氫，這由于其比熱容而導(dǎo)致電弧被有效冷卻并且由此被迅速消弧。相應(yīng)地，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:接觸體是一體的并且由聚酰胺制成。
[0028]在優(yōu)選配備有永磁體的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中，設(shè)置有至少一個(gè)吹熄口作為滅弧室的壓力卸載裝置。在此，所述至少一個(gè)吹熄口將滅弧室與在縱向方向上觀察位于所述滅弧室后面的端子腔連接，與接觸件連接的端子伸入到所述端子腔中。端子又用于使導(dǎo)體固定在接觸件上或與接觸件連接。
[0029]通過吹熄口可以進(jìn)行滅弧室與端子腔之間的壓力平衡。此外，這有助于通過吹熄更迅速地將電弧消弧。因此，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:接觸體還具有至少一個(gè)端子腔，所述端子腔在縱向方向上觀察設(shè)置在所述至少一個(gè)滅弧室后面；設(shè)置有至少一個(gè)吹熄口，所述吹熄口將所述至少一個(gè)滅弧室與所述至少一個(gè)端子腔連接。
[0030]關(guān)于所述至少一個(gè)吹熄口在寬度方向和高度方向上的大小和定位，沒有原則上的限制。因此，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:在寬度方向上和/或在高度方向上，所述至少一個(gè)吹熄口的延伸小于等于所述至少一個(gè)滅弧室的延伸。
[0031]尤其是第一滅弧室區(qū)域、接片以及消弧區(qū)段適用于定位吹熄口。因此，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:所述至少一個(gè)吹熄口設(shè)置在第一區(qū)域壁和/或第二消弧區(qū)段壁和/或接片中，所述第二消弧區(qū)段壁在縱向方向上觀察設(shè)置在第一消弧區(qū)段壁后面。
[0032]吹熄口在高度方向上的受限制的延展促進(jìn)噴嘴效應(yīng)，該噴嘴效應(yīng)有助于吹熄電弧。此外，這種噴嘴效應(yīng)還可以通過指向吹熄口的斜部得到提升。因此，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:第一區(qū)域壁和/或第二消弧區(qū)段壁和/或接片具有朝所述至少一個(gè)吹熄口指向的斜部。
[0033]在另一種特別優(yōu)選的實(shí)施方案中，斜部在寬度方向上在所述至少一個(gè)吹熄口的整個(gè)延伸上延伸。
[0034]在制造技術(shù)上特別有利的是，吹熄口的布置作為接觸體在高度方向上的終止。相應(yīng)地，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中提出:所述至少一個(gè)吹熄口在高度方向上限定第一區(qū)域壁和/或第二消弧區(qū)段壁和/或接片的邊界。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0035]現(xiàn)在借助于實(shí)施例詳細(xì)說明本發(fā)明。附圖是示例性的，盡管應(yīng)展現(xiàn)本發(fā)明構(gòu)思，但是絕不限制或者甚至結(jié)論性描述本發(fā)明。在附圖中:
[0036]圖1示出公知的電流開關(guān)的接觸體垂直于斷口的剖面視圖；
[0037]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的接觸體垂直于斷口的剖面視圖；
[0038]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的接觸體的根據(jù)圖2中的剖切線A-A的剖面視圖；
[0039]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的接觸體的根據(jù)圖2中的剖切線B-B的剖面視圖；
[0040]圖5示出剖切開的具有多個(gè)滅弧室的電流開關(guān)的軸測視圖，其中，標(biāo)示出了剖切平面C和D ;
[0041]圖6示出剖切開的具有多個(gè)滅弧室的電流開關(guān)的軸測視圖，其中，標(biāo)示出了剖切平面E;
[0042]圖7示出根據(jù)本發(fā)明的具有永磁體特殊布置的用于雙極轉(zhuǎn)換的電流開關(guān)的兩個(gè)滅弧室的類似于圖2的剖面視圖；
[0043]圖8示出圖7中的細(xì)節(jié)G的放大視圖。
[0044]附圖標(biāo)記列表:
[0045]I 接觸橋
[0046]2 接觸體
[0047]3 電弧
[0048]4 滅弧室[0049]5永磁體[0050]6接觸件[0051]7接觸橋的接觸區(qū)段[0052]8接觸件的接觸區(qū)段[0053]9用于永磁體的凹槽[0054]10接片[0055]11第一滅弧室區(qū)域[0056]12消弧區(qū)段[0057]13縱向方向[0058]14寬度方向[0059]15接觸橋棱邊[0060]16第一消弧區(qū)段壁[0061]17第二消弧區(qū)段壁[0062]18斷口[0063]19接觸橋側(cè)棱邊[0064]20第三消弧區(qū)段壁[0065]21第四消弧區(qū)段壁[0066]22閉合的角部[0067]23敞開的角部[0068]24接觸橋角部[0069]25高度方向[0070]26端子腔[0071]27吹熄口[0072]28接觸蓋[0073]29斜部[0074]30第一區(qū)域壁[0075]31端子[0076]32夾緊螺釘[0077]33導(dǎo)體[0078]34電流方向[0079]35在永磁體的極性正確時(shí)電弧的偏轉(zhuǎn)[0080]36在永磁體的極性錯(cuò)誤時(shí)電弧的偏轉(zhuǎn)[0081]37鏡像平面[0082]3’ 滅弧室對的滅弧室中的電弧[0083]4’ 滅弧室對的滅弧室[0084]5’ 永磁體對的永磁體[0085]7’ 滅弧室對的滅弧室中的接觸區(qū)段[0086]9’ 凹槽對的凹槽[0087]10’ 滅弧室對的滅弧室中的接片[0088]11’ 滅弧室對的滅弧室的第一滅弧室區(qū)域
[0089]12’ 滅弧室對的滅弧室的消弧區(qū)段
[0090]X公知電流開關(guān)的滅弧室的寬度
[0091]V電弧的電離微粒的速度矢量
[0092]B磁通密度
[0093]F洛倫茲力 【具體實(shí)施方式】
[0094]在圖1中示出了公知的電流開關(guān)的接觸體2的剖面。接觸體2具有滅弧室4，在該滅弧室中設(shè)置有具有接觸區(qū)段7的接觸橋I。接觸區(qū)段7在圖1中設(shè)計(jì)為矩形，并且如接觸橋I那樣沿著縱向方向13和寬度方向14延伸。然而要注意的是，不言而喻，接觸區(qū)段7的其它形狀、尤其是圓形形狀也是可以的。滅弧室4在寬度方向14上具有寬度X，典型地為 8mm 至 9mm ο
[0095]此外，在圖1中可以看到電弧3，該電弧沿著斷口 18 (參見圖3)在接觸區(qū)段7與接觸件6的接觸區(qū)段8之間形成一當(dāng)這兩個(gè)接觸區(qū)段7、8在電壓或負(fù)載下相互分離時(shí)。出現(xiàn)接觸區(qū)段7、8的熔化材料形成的金屬蒸汽和接著的介電擊穿，其中，電離的金屬蒸汽微粒根據(jù)施加在接觸區(qū)段7、8上的電壓而運(yùn)動(dòng)。
[0096]最后，在縱向方向13上觀察，在滅弧室4后面設(shè)置有端子腔26。端子31伸入到端子腔26中(參見圖3)，該端子與接觸件6連接。端子31用于使導(dǎo)體33固定在接觸件6上或與接觸件連接，為此，在所示的實(shí)施例中使用夾緊螺釘32。
[0097]在圖1中所示的剖面基本上垂直于所述的斷口 18 ;圖3的剖面視圖示出了根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)根據(jù)圖2中的剖切線A-A的剖面，其中，箭頭表示視線方向。在此，在圖3中還可看見接觸蓋28，該接觸蓋可以套到接觸體2上并且通過夾緊來固定接觸件6。
[0098]尤其是在直流電流的情況下，視電流的強(qiáng)度而定，如果電弧3未被及時(shí)消弧，則可能導(dǎo)致接觸區(qū)段7、8損壞或者甚至燃燒。為了實(shí)現(xiàn)電弧3的消弧，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的接觸體2的圖2中所示的實(shí)施形式中，滅弧室4設(shè)計(jì)成不對稱的。在此，滅弧室4分成第一滅弧室區(qū)域11和消弧區(qū)段12。第一滅弧室區(qū)域11在縱向方向13上由第一區(qū)域壁30限定邊界。接觸體2在第一滅弧室區(qū)域11與消弧區(qū)段12之間形成接片10。
[0099]此外，在圖2中所示的接觸體2具有閉合的凹槽9，永磁體5設(shè)置在該凹槽中，所述永磁體的極優(yōu)選在垂直于斷口 18的方向上定向。
[0100]為了對于根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)能夠使用公知電流開關(guān)的盡可能多的部件，圖2中的接觸體2的外部尺寸與圖1中的公知的接觸體2的外部尺寸相同。因?yàn)樵趫D2的接觸體2中也設(shè)置有用于永磁體5的凹槽9,所以滅弧室4在寬度方向14上的延伸小于圖1中的公知滅弧室4的寬度X，典型地小2mm至3mm，為了更好地比較也在圖2中畫入了所述寬度。相應(yīng)地，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的接觸體2中接觸橋I在寬度方向14上的延伸小于圖1中的接觸橋I的延伸。
[0101]在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)的滅弧室4中，接片10關(guān)于接觸橋I的在寬度方向14上的延伸或關(guān)于接觸區(qū)段7的在寬度方向14上的延伸設(shè)置在中間，其中，然而也可以考慮偏心的布置。在寬度方向14上，接觸橋I由接觸橋側(cè)棱邊19限定邊界，在縱向方向13上由接觸橋棱邊15限定邊界。接觸橋棱邊15和接觸橋側(cè)棱邊19形成接觸橋角部24，所述接觸橋角部伸入到消弧區(qū)段12中。
[0102]消弧區(qū)段12不僅在縱向方向13上而且在寬度方向14上都具有比第一滅弧室區(qū)域11大的尺寸。在此，消弧區(qū)段12在縱向方向13上由第一消弧區(qū)段壁16和第二消弧區(qū)段壁17限定邊界。在寬度方向14上，消弧區(qū)段由第三消弧區(qū)段壁20以及第四消弧區(qū)段壁21限定邊界，該第三消弧區(qū)段壁同時(shí)是接片10的一部分。
[0103]在寬度方向14上觀察，第一滅弧室區(qū)域11設(shè)置在用于永磁體5的凹槽9后面，并且消弧區(qū)段12設(shè)置在第一滅弧室區(qū)域11或接片10后面。
[0104]第一消弧區(qū)段壁16與第四消弧區(qū)段壁21對接，由此形成閉合的角部22。以同樣的方式，第四消弧區(qū)段壁21與第二消弧區(qū)段壁17以及第二消弧區(qū)段壁17與第三消弧區(qū)段壁20形成閉合的角部22。因?yàn)閮H第一消弧區(qū)段壁16和第三消弧區(qū)段壁20的假想延長部相互接觸，但不是消弧區(qū)段壁16、20本身相互接觸，所以由第一消弧區(qū)段壁16和第三消弧區(qū)段壁20形成敞開的角部23。接觸橋I以接觸橋角部24通過該敞開的角部23伸入到消弧區(qū)段12中。
[0105]這種布置有助于將電弧3偏轉(zhuǎn)到消弧區(qū)段12中。由于作用在電弧3中的在永磁體5的磁場中運(yùn)動(dòng)的電離微粒上的洛倫茲力，發(fā)生電弧3的偏轉(zhuǎn)或長度擴(kuò)展。以預(yù)給定的(準(zhǔn)確的)電流方向以及由此電離微粒的運(yùn)動(dòng)方向?yàn)榍疤幔娀?如圖2中所示被迫進(jìn)入到消弧區(qū)段12中。由于消弧區(qū)段12與第一滅弧室區(qū)域11相比大的尺寸，可以實(shí)現(xiàn)電弧3在消弧區(qū)段12中相應(yīng)大的長度擴(kuò)展或偏轉(zhuǎn)。
[0106]此外，電弧3在消弧區(qū)段12中可以與消弧區(qū)段壁16、17、20、21至少之一接觸。在此，從消弧區(qū)段壁16、17、20、21或接觸體2的材料中分解出氣體，由此，電弧3被冷卻并且所述電弧的迅速消弧得到促進(jìn)。氣體釋放在此與在電弧3中轉(zhuǎn)換的功率有關(guān)。為了有助于氣體釋放，與接片10和消弧區(qū)段壁16、17、20、21設(shè)計(jì)成一體的接觸體2由強(qiáng)烈釋放氣體的材料、優(yōu)選由聚酰胺制成。如果電弧3碰到這種材料，則主要釋放氫。
[0107]接片10在寬度方向14上的延伸隨著縱向方向13遞增，也就是說，接片10在縱向方向13上呈V形擴(kuò)展。V形形狀使電弧3進(jìn)入到滅弧室4的不對稱的消弧區(qū)段12中變得容易。
[0108]原則上要注意的是，在根據(jù)本發(fā)明的電流開關(guān)中電弧3通過永磁體5和消弧區(qū)段12的配合進(jìn)行的消弧即使在電流小的情況下也可可靠地且?guī)缀跖c操縱無關(guān)地工作。
[0109]如果電流開關(guān)用于轉(zhuǎn)換較弱的交流電流，則為了節(jié)約成本可以放棄使用永磁體5，因?yàn)樵谶@種情況下電弧3在電流下一次過零點(diǎn)時(shí)消弧。
[0110]僅僅在優(yōu)選配備有永磁體5的電流開關(guān)的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式中，設(shè)置有至少一個(gè)吹熄口 27作為滅弧室4的壓力卸載裝置。在此，所述至少一個(gè)吹熄口 27將滅弧室4與位于其后的端子腔26連接，使得滅弧室4與端子腔26之間可進(jìn)行壓力平衡。這也有助于通過吹熄更迅速地將電弧3消弧。關(guān)于所述至少一個(gè)吹熄口 27在寬度方向14和高度方向25上的大小和定位，沒有原則上的限制，該高度方向平行于斷口 18延伸并且從接觸橋I指向接觸件6。
[0111]圖4示出了根據(jù)圖2中的剖切線B-B的剖面，其中，箭頭表示視線方向。在該剖面視圖中可看見兩個(gè)吹熄口 27，一個(gè)吹熄口在第一滅弧室區(qū)域11的第一區(qū)域壁30中，一個(gè)吹熄口在消弧區(qū)段12的第二消弧區(qū)段壁17中，也參見圖3。在此，兩個(gè)吹熄口 27在高度方向25上限定第一區(qū)域壁30和第二消弧區(qū)段壁17的邊界。作為替換方案，例如也可以考慮唯一一個(gè)吹熄口 27，該吹熄口在寬度方向14上在滅弧室4的整個(gè)延伸上延伸，并且除了兩個(gè)在圖4中可見的吹熄口 27之外還在接片10中形成口。
[0112]吹熄口 27在高度方向25上的受限制的延展促進(jìn)噴嘴效應(yīng)，該噴嘴效應(yīng)有助于吹熄電弧3。此外，這種噴嘴效應(yīng)還可以通過指向吹熄口 27的斜部29得到提升。在高度方向25上觀察，相應(yīng)在第一區(qū)域壁30中以及在第二消弧區(qū)段壁17中在各個(gè)吹熄口 27之前設(shè)置有斜部29。在所示的實(shí)施例中，斜部29分別在寬度方向14上在吹熄口 27的整個(gè)延伸上延伸。
[0113]在圖3的剖面視圖中，可特別清楚地看出斜部29在縱向方向13上的延伸。第二消弧區(qū)段壁17根據(jù)虛線延伸并且借助于斜部29沿著高度方向25以及在縱向方向13上收縮，直至第二消弧區(qū)段壁17最后由吹熄口 27限定邊界。
[0114]圖5示出了剖切開的用于雙極轉(zhuǎn)換的電流開關(guān)的軸測視圖，所述電流開關(guān)具有總共八個(gè)滅弧室4。接觸蓋28逆著高度方向25套在接觸體2上，所述接觸蓋在高度方向25上封閉滅弧室4。在圖5中標(biāo)記的剖切平面C相當(dāng)于圖2的剖面視圖，在圖5中標(biāo)記的剖切平面D相當(dāng)于圖3的剖面視圖。最后，圖6示出了圖5的電流開關(guān)的另一個(gè)軸測視圖，其中，標(biāo)記了剖切平面E，該剖切平面相當(dāng)于圖4的剖面視圖。
[0115]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的用于雙極轉(zhuǎn)換的電流開關(guān)的滅弧室對的兩個(gè)滅弧室4、4’的類似于圖2的剖面視圖，其中，兩個(gè)滅弧室4、4’具有公共的接觸橋I。對于滅弧室對設(shè)置有凹槽對，該凹槽對由凹槽9、9’構(gòu)成，其中每個(gè)凹槽分別配置給滅弧室對的兩個(gè)滅弧室4、4’之一。滅弧室對的兩個(gè)滅弧室4、4’以及凹槽對的兩個(gè)凹槽9、9’繞鏡像平面37彼此相對鏡像地布置，該鏡像平面垂直于縱向方向13。也就是說，滅弧室對的兩個(gè)滅弧室4、4’以及凹槽對的兩個(gè)凹槽9、9’在縱向方向上觀察前后依次設(shè)置。凹槽對容納永磁體對，該永磁體對由永磁體5、5’構(gòu)成。
[0116]在凹槽9中可看見永磁體5，該永磁體的極設(shè)置在繪圖平面中并且以垂直于縱向方向13的視線方向前后依次設(shè)置。在凹槽9’中設(shè)置有永磁體5’，該永磁體的極剛好相反地布置。也就是說，永磁體5’相對于永磁體5具有相反的極性。
[0117]圖7示出了在具有電流方向34的直流電流中斷時(shí)的狀況。在滅弧室4中在接觸橋I的接觸區(qū)段7與接觸件6的接觸區(qū)段8之間(參見圖3)形成的電弧3指入到圖7的繪圖平面中。對于電流方向34，存在永磁體5的正確極性，并且在滅弧室4中產(chǎn)生電弧3到消弧區(qū)段12中的偏轉(zhuǎn)35。
[0118]為了解釋電弧到消弧區(qū)段12中偏轉(zhuǎn)的實(shí)現(xiàn)，圖8示出了圖7中的細(xì)節(jié)G的放大視圖，其中畫入了永磁體5的磁場的場力線。另外，在接觸區(qū)段7的一個(gè)點(diǎn)上畫入了磁通密度的矢量B以及洛倫茲力的矢量F，所述洛倫茲力由B與電弧3的電離微粒在該點(diǎn)處指入到繪圖平面中的速度矢量V的叉積得出。
[0119]相應(yīng)于電流方向34，滅弧室4’中的電弧3’從繪圖平面指出。因此，對于電流方向34存在永磁體5’的錯(cuò)誤的極性，由此，在滅弧室4’中從轉(zhuǎn)換橋I的接觸區(qū)段7’出發(fā)的電弧3’不是被偏轉(zhuǎn)或壓到滅弧室4’的消弧區(qū)段12’中。取而代之，發(fā)生電弧3’到滅弧室4’的第一滅弧室區(qū)域11’中的偏轉(zhuǎn)36，其中，在第一滅弧室區(qū)域11’與消弧區(qū)段12’之間設(shè)置有由接觸體2構(gòu)成的接片10’。然而，因?yàn)樵跍缁∈?中在滅弧室4的消弧區(qū)段12中進(jìn)行電弧3的消弧并且由此進(jìn)行可靠的接觸中斷，所以不出現(xiàn)滅弧室4’中的部件過載或損壞。
【權(quán)利要求】
1.一種電流開關(guān)、優(yōu)選DC-電流開關(guān)，包括具有至少一個(gè)滅弧室(4)的接觸體(2)，在所述滅弧室中設(shè)置有接觸橋(I)的接觸區(qū)段(7)以及接觸件(6)的接觸區(qū)段(8)，所述接觸橋沿著從所述接觸橋(I)指向到所述至少一個(gè)滅弧室(4)中的縱向方向(13)和相對于所述縱向方向(13)橫向地延伸的寬度方向(14)延伸，其中，在與從所述接觸橋(I)指向所述接觸件(6)的高度方向(25)平行地延伸的斷口(18)打開時(shí)，在所述接觸橋(I)和所述接觸件(6)的接觸區(qū)段(7，8)之間在負(fù)載下形成電弧(3)，其特征在于:所述至少一個(gè)滅弧室(4)具有消弧區(qū)段(12)，所述電弧(3)能偏轉(zhuǎn)到所述消弧區(qū)段中；所述消弧區(qū)段(12)在縱向方向(13)上由第一消弧區(qū)段壁(16)和第二消弧區(qū)段壁(17)限定邊界；所述消弧區(qū)段(12)在寬度方向(14)上由第三消弧區(qū)段壁(20)和第四消弧區(qū)段壁(21)限定邊界；所述第一消弧區(qū)段壁(16)、第二消弧區(qū)段壁(17)、第三消弧區(qū)段壁(20)和第四消弧區(qū)段壁(21)形成三個(gè)閉合的角部(22)和一個(gè)敞開的角部(23)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述敞開的角部(23)由所述第一消弧區(qū)段壁(16 )和所述第三消弧區(qū)段壁(20 )形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1至2之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述接觸橋(I)在縱向方向(13)上由接觸橋棱邊(15)限定邊界；在縱向方向(13)上觀察，所述接觸橋棱邊(15)設(shè)置在所述第一消弧區(qū)段壁(16)與所述第二消弧區(qū)段壁(17)之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述接觸橋(I)在寬度方向(14)上由接觸橋側(cè)棱邊(19)限定邊界；在寬度方向(14)上觀察，所述接觸橋側(cè)棱邊(19)設(shè)置在所述第三消弧區(qū)段壁(20)與所述第四消弧區(qū)段壁(21)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述接觸橋(I)通過所述敞開的角部(23)伸入到所述消弧區(qū)段(12)中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述接觸橋(I)以接觸橋角部(24)通過所述敞開的角部(23)伸入到所述消弧區(qū)段(12)中，其中，所述接觸橋角部(24)通過所述接觸橋棱邊(15)和所述接觸橋側(cè)棱邊(19)形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述接觸體(2)具有至少一個(gè)用于容納永磁體(5)的凹槽(9)，以便使所述電弧(3)偏轉(zhuǎn)到所述消弧區(qū)段(12)中，其中，所述至少一個(gè)凹槽(9)與所述至少一個(gè)滅弧室(4)分開地構(gòu)造。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述至少一個(gè)凹槽(9)與所述斷口(18)平行地延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:在所述至少一個(gè)凹槽(9)中設(shè)置有永磁體(5)，其中，所述永磁體的極沿著橫向于所述斷口(18)的方向設(shè)置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述至少一個(gè)滅弧室(4)具有構(gòu)造成所述接觸體(2)的凹部的第一滅弧室區(qū)域(11)，所述第一滅弧室區(qū)域在縱向方向(13)上由第一區(qū)域壁(30)限定邊界；在所述第一滅弧室區(qū)域(11)與所述消弧區(qū)段(12)之間設(shè)置有由所述接觸體(2 )形成的接片(10 )。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述消弧區(qū)段(12)在寬度方向(14)上和/或在縱向方向(13)上具有比所述第一滅弧室區(qū)域(11)大的尺寸。
12.根據(jù)權(quán)利要求10至11之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述接片(10)具有在縱向方向(13)上呈V形擴(kuò)展的橫截面。
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述接片(10)相對于所述接觸橋(I)的在寬度方向(14)上的延伸居中地設(shè)置，優(yōu)選相對于所述接觸橋(I)的接觸區(qū)段(7)的在寬度方向(14)上的延伸居中地設(shè)置。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述接觸體(2)是一體的并且由聚酰胺制成。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述接觸體(2)還具有至少一個(gè)端子腔(26 )，所述端子腔在縱向方向(13 )上觀察設(shè)置在所述至少一個(gè)滅弧室(4 )后面；設(shè)置有至少一個(gè)吹熄口(27)，所述吹熄口將所述至少一個(gè)滅弧室(4)與所述至少一個(gè)端子腔(26)連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電流開關(guān)，其特征在于:在寬度方向(14)上和/或在高度方向(25)上，所述至少一個(gè)吹熄口(27)的延伸小于等于所述至少一個(gè)滅弧室(4)的延伸。
17.根據(jù)權(quán)利要求15至16之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述至少一個(gè)吹熄口(27)設(shè)置在所述第一區(qū)域壁(30)和/或所述第二消弧區(qū)段壁(17)和/或所述接片(10)中，所述第二消弧區(qū)段壁在縱向方向(13)上觀察設(shè)置在所述第一消弧區(qū)段壁(16)后面。
18.根據(jù)權(quán)利要求15至17之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述第一區(qū)域壁(30)和/或所述第二消弧區(qū)段壁(17)和/或所述接片(10)具有朝所述至少一個(gè)吹熄口(27)指向的斜部(29)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述斜部(29)在寬度方向(14)上在所述至少一個(gè)吹熄口(27)的整個(gè)延伸上延伸。
20.根據(jù)權(quán)利要求15至19之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述至少一個(gè)吹熄口·(27)在高度方向(25)上限定所述第一區(qū)域壁(30)和/或所述第二消弧區(qū)段壁(27)和/或所述接片(10)的邊界。
21.根據(jù)權(quán)利要求7至20之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:為了雙極轉(zhuǎn)換，設(shè)置有至少一個(gè)滅弧室對，所述滅弧室對由兩個(gè)優(yōu)選具有公共的接觸橋(I)的滅弧室(4，4’ )組成；設(shè)置有凹槽對，所述凹槽對由對應(yīng)于所述滅弧室對的每一個(gè)滅弧室(4，4’ )的各一個(gè)凹槽(9，9’ )組成；設(shè)置有永磁體對，所述永磁體對由設(shè)置在所述凹槽對的每一個(gè)凹槽(9，9’ )中的各一個(gè)永磁體(5，5’)組成；所述永磁體對的一個(gè)永磁體(5)的極不同于所述永磁體對的另一個(gè)永磁體(5’ )的極來設(shè)置。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述永磁體對的一個(gè)永磁體(5)的極相對于所述永磁體對的另一個(gè)永磁體(5’ )的極極性相反地設(shè)置。
23.根據(jù)權(quán)利要求21至22之一所述的電流開關(guān)，其特征在于:所述滅弧室對的兩個(gè)滅弧室(4，4’)以及所述凹槽對的兩個(gè)凹槽(9，9’)在縱向方向(13)上觀察前后依次地一優(yōu)選繞垂直于所述縱向方向(13)的鏡像平面(37)鏡像地一設(shè)置。
【文檔編號】H01H9/44GK103578819SQ201310339471
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年8月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月7日
【發(fā)明者】A·德格懷特, B·斯普利策多夫 申請人:K & N開關(guān)發(fā)展有限公司