有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，所述有機發(fā)光顯示裝置包括：子像素，包括像素電極、對電極以及像素電極和對電極之間的發(fā)光層；平坦化層，覆蓋對電極；以及輔助電極，位于平坦化層中并結合到對電極。
【專利說明】有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001]本申請要求在2012年11月19日提交到韓國知識產權局的第10-2012-0131117號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益，通過引用將該申請的全部公開內容包含于此。
【技術領域】
[0002]本發(fā)明的實施例涉及一種有機發(fā)光顯示裝置以及該有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，更具體地，涉及一種具有用于減小或防止對電極處的電壓降的結構的有機發(fā)光顯示裝置以及該有機發(fā)光顯示裝置的制造方法。
【背景技術】
[0003]通常，有機發(fā)光顯示裝置具有堆疊結構，在該堆疊結構中發(fā)光層位于像素電極(陽極)和對電極(陰極)之間。當分別從陽極和陰極注入的空穴和電子在發(fā)射光的發(fā)光層復合時，形成顏色。
[0004]這樣的有機發(fā)光顯示裝置的單元像素具有包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素的子像素，通過三種顏色的子像素的組合來形成期望的顏色。換言之，每個子像素具有如下結構:發(fā)射紅色、綠色和藍色中的一種顏色的發(fā)光層位于兩個電極之間，通過適當?shù)亟M合三種顏色的光來形成單元像素的顏色。
[0005]另外，對電極通常形成為覆蓋所有子像素的薄金屬膜。然而，因為金屬膜的厚度與金屬膜的電阻成反比，所以由于對電極的高電阻而經常發(fā)生電壓降。因此，可能難以形成清晰的圖像，并且具有這種結構的有機發(fā)光顯示器的可靠性低。因此，有必要解決這些問題。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明的實施例提供了一種具有用于減小或防止對電極處的電壓降的結構的有機發(fā)光顯示裝置以及制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的實施例的一個方面，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括:子像素，包括像素電極、對電極以及像素電極和對電極之間的發(fā)光層；平坦化層，覆蓋對電極；以及輔助電極，位于平坦化層中并結合到對電極。
[0008]平坦化層的與對電極背對的一側可以限定槽，平坦化層中的貫穿孔可以從所述槽向對電極穿過平坦化層延伸，輔助電極可以位于所述槽和貫穿孔中。
[0009]輔助電極可以包括銀(Ag)。
[0010]平坦化層可以包括有機層。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括:在基板上形成子像素，每個子像素包括像素電極、對電極以及像素電極和對電極之間的發(fā)光層；在對電極的上方形成平坦化層；以及在平坦化層中形成輔助電極，輔助電極結合到對電極。
[0012]形成輔助電極可以包括:在平坦化層中形成槽和貫穿孔；以及用輔助電極填充所述槽和貫穿孔，以使對電極結合到輔助電極。[0013]形成所述槽和貫穿孔可以包括:使用包括完全曝光部分、半曝光部分以及遮蔽部分的掩模來選擇性地去除平坦化層的一個或多個部分，貫穿孔可以處于與完全曝光部分對應的區(qū)域中，所述槽可以處于與半曝光部分對應的區(qū)域中。
[0014]形成輔助電極可以包括:在平坦化層的表面上沉積材料；通過在所述材料的與所述槽和貫穿孔對應的部分上輻射激光以熔化所述材料的所述部分來填充所述槽和貫穿孔；以及去除所述材料的除了所述材料的與所述槽和貫穿孔對應的部分之外的剩余部分。
[0015]輔助電極可以包括銀(Ag)。
[0016]平坦化層可以包括有機層。
[0017]因此，按照根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機發(fā)光顯示裝置以及該有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，可以穿過平坦化層將輔助電極結合到對電極來有效地減小電壓降，從而改善有機發(fā)光顯示裝置的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]通過參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例進行詳細描述，本發(fā)明實施例的上述和其他方面將變得更加明顯，在附圖中:
[0019]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；以及
[0020]圖2A至圖2E是示出了圖1的有機發(fā)光顯示裝置的制造工藝的剖視圖。
【具體實施方式】
[0021]如這里所使用的，術語“和/或”包括相關所列項中的一個或更多個項的任一個和
所有組合。
[0022]在下文中，將參照附圖詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例。
[0023]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。如圖1中所示，根據(jù)本實施例的有機發(fā)光顯示裝置包括基板100、形成在基板100上的顯示單元200以及覆蓋顯示單元200的包封層300。
[0024]顯示單元200包括薄膜晶體管(TFT) 220、電容器230以及有機發(fā)光器件210。圖1示出了有機發(fā)光顯示裝置的顯示單元200的子像素，可以在基板100上以行和列布置多個這樣的子像素。
[0025]TFT220包括形成在基板100上的有源層221、面對有源層221的柵電極222以及分別結合到有源層221和有機發(fā)光器件210的像素電極211的源極和漏極223。因此，當對柵電極222施加適當?shù)碾妷簳r，電流經由有源層221以及源極和漏極223流到像素電極211。
[0026]另外，有機發(fā)光器件210包括像素電極211、形成在圍繞像素電極211的像素限定層215中的發(fā)光層212以及形成在顯示單元200的所有子像素上的對電極213。因此，當通過TFT220對像素電極211施加電壓并且像素電極211和對電極213之間存在適當?shù)碾妷簳r，發(fā)光層212發(fā)射光。
[0027]在朝向對電極213形成圖像的前發(fā)光結構的情況下，像素電極211可以形成為反射電極，對電極213可以形成為透光電極。
[0028]可以通過堆疊空穴注入和傳輸層、發(fā)光層和/或電子注入和傳輸層來形成發(fā)光層212。
[0029]因為對電極213通常由薄金屬膜形成，所以對電極213具有高電阻，因此，可能發(fā)生電壓降。因此，為了解決這個問題，在本實施例中，在對電極213上形成由有機層材料形成的平坦化層240，并在平坦化層240中形成輔助電極250以電結合到對電極213。換言之，在覆蓋對電極213的平坦化層240中形成輔助電極250，使得輔助電極250穿過平坦化層240結合到對電極213。因此，還可以通過輔助電極250向對電極213施加電壓，由此可以顯著減小在對電極213處的電壓降。
[0030]可以如下所述制造具有如上所述的結構的有機發(fā)光顯示裝置。
[0031]首先，如圖2A中所示，在基板100上形成包括TFT220、有機發(fā)光器件210和電容器230的顯示單元200。由于形成顯示單元200的工藝是本領域公知的，因此將省略對其的詳細描述。
[0032]在有機發(fā)光器件210的對電極213上形成由諸如例如聚酰亞胺的有機層材料或混合的玻璃上硅(SOG) 形成的平坦化層240。
[0033]如圖2B中所示，通過使用掩模400對平坦化層240或者其一部分進行曝光，以從相應的區(qū)域選擇性地去除平坦化層240或者其一部分。即，掩模400包括完全曝光部分410、半曝光部分420以及遮蔽部分430，當使用掩模400對平坦化層240進行曝光時，形成如在圖2B中由虛線指示的曝光圖案。
[0034]如圖2C中所示，當曝光圖案被蝕刻時，在平坦化層240中形成容納槽240b和貫穿孔240a。貫穿孔240a形成在與完全曝光部分410對應的區(qū)域中，容納槽240b形成在與半曝光部分420對應的區(qū)域中。
[0035]接下來，如圖2D中所示，在容納槽240b和貫穿孔240a中形成輔助電極250。因此，輔助電極250穿過貫穿孔240a結合到對電極213，由此還可以通過輔助電極250向對電極213施加電壓。可以通過沉積諸如例如銀(Ag)的導電材料，然后使用激光部分地熔化該導電材料來形成輔助電極250。即，可以在平坦化層240的基本上整個表面上沉積用于形成輔助電極250的材料，然后在該材料的與容納槽240b和貫穿孔240a對應的部分上輻射激光以熔化該材料的該部分。因此，該材料的用于輔助電極250的部分熔化，因此，熔化的材料填充容納槽240b和貫穿孔240a。然后，當剝除用于輔助電極250的該材料的剩余部分時，獲得如圖2D中所示的得到的結構。盡管在本實施例中使用激光，但本發(fā)明的其他實施例可以允許通過其他的方法(例如，施加熱)熔化該材料。
[0036]之后，如圖2E中所示，當在得到的結構上形成包封層300時，輔助電極250和對電極213通過平坦化層240穩(wěn)定地互相結合。
[0037]在上述的結構中，還可以通過輔助電極250向對電極213施加電壓，由此可以減小或防止在對電極213處的電壓降。
[0038]因此，根據(jù)如上所述的本發(fā)明的實施例，可以穿過平坦化層將輔助電極結合到對電極來有效地減小電壓降，由此改善了有機發(fā)光顯示裝置的可靠性。
[0039]盡管參照本發(fā)明的示例性實施例具體地示出并描述了本發(fā)明的實施例，但是本領域普通技術人員將理解的是，在不脫離由權利要求及其等同物所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在其中做出形式和細節(jié)上的各種改變。
【權利要求】
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括: 子像素，包括像素電極、對電極以及像素電極和對電極之間的發(fā)光層； 平坦化層，覆蓋對電極；以及 輔助電極，位于平坦化層中并結合到對電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，平坦化層的與對電極背對的一側限定槽， 其中，平坦化層中的貫穿孔從所述槽向對電極穿過平坦化層延伸，以及 其中，輔助電極位于所述槽和貫穿孔中。
3.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，輔助電極包括銀。
4.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，平坦化層包括有機層。
5.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 在基板上形成子像素，每個子像素包括像素電極、對電極以及像素電極和對電極之間的發(fā)光層； 在對電極的上方形成平坦化層；以及 在平坦化層中形成輔助電極，輔助電極結合到對電極。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中，形成輔助電極包括: 在平坦化層中形成槽和貫穿孔；以及 用輔助電極填充所述槽和貫穿孔，以使對電極結合到輔助電極。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，形成所述槽和貫穿孔包括:使用包括完全曝光部分、半曝光部分以及遮蔽部分的掩模來選擇性地去除平坦化層的一個或多個部分， 其中，貫穿孔處于與完全曝光部分對應的區(qū)域中，以及 其中，所述槽處于與半曝光部分對應的區(qū)域中。
8.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，形成輔助電極包括: 在平坦化層的表面上沉積材料； 通過在所述材料的與所述槽和貫穿孔對應的部分上輻射激光以熔化所述材料的所述部分來填充所述槽和貫穿孔；以及 去除所述材料的除了所述材料的與所述槽和貫穿孔對應的部分之外的剩余部分。
9.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中，輔助電極包括銀。
10.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中，平坦化層包括有機層。
【文檔編號】H01L21/77GK103824964SQ201310349445
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年8月12日 優(yōu)先權日:2012年11月19日
【發(fā)明者】鄭仁永 申請人:三星顯示有限公司