有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層的材料包括金屬氧化物、銅的化合物及碳酸鹽，所述金屬氧化物選自三氧化鉬、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述碳酸鹽選自碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋰及碳酸鋇中的至少一種，所述金屬氧化物、銅的化合物和碳酸鹽的質(zhì)量比為5∶3∶1～10∶1∶1。上述有機電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件出光性能較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0004]一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層的材料包括金屬氧化物、銅的化合物及碳酸鹽，所述金屬氧化物選自三氧化鑰、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述碳酸鹽選自碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋰及碳酸鋇中的至少一種，所述金屬氧化物、銅的化合物和碳酸鹽的質(zhì)量比為5:3:1?10:1:1。
[0005]在其中一個實施例中，所述銅的化合物選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中的至少一種。
[0006]在其中一個實施例中,所述散射層的厚度為10nm?600nm。
[0007]在其中一個實施例中，所述發(fā)光層的材料為4- (二腈甲基)-2- 丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，Γ-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁。
[0008]在其中一個實施例中，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物。
[0009]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0010]在玻璃基底表面制備陽極；
[0011]在所述陽極表面制備散射層，所述散射層的材料包括金屬氧化物、銅的化合物及碳酸鹽，所述金屬氧化物選自三氧化鑰、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述碳酸鹽選自碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋰及碳酸鋇中的至少一種，所述金屬氧化物、銅的化合物和碳酸鹽的質(zhì)量比為5:3:1?10:1:1 ;及
[0012]在所述散射層的表面依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
[0013]在其中一個實施例中，所述銅的化合物選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中的至少一種。
[0014]在其中一個實施例中,所述散射層的厚度為10nm?600nm。
[0015]在其中一個實施例中，所述散射層通過電子束蒸鍍制備，電子束蒸鍍的能量密度為 10 ?100W/cm2。
[0016]在其中一個實施例中，所述玻璃基底在制備陽極前用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡12小時?24小時。
[0017]上述有機電致發(fā)光器件及其制備方法，在陽極的表面制備散射層，散射層由具有空穴注入能力的金屬氧化物與銅的化合物以及碳酸鹽組成，金屬氧化物具有空穴注入能力，可提高空穴的注入，同時，金屬氧化物粒徑較大，可對光進行散射，銅的化合物的HOMO能級較低，有利于空穴的注入，進一步提高空穴注入能力，其原子半徑較大，有利于光子的散射，在晶體中進行來回的多次反射后，入射角得以改變，最后出射到基板中，而碳酸鹽可提聞納米粒子的比表面積，進一步提聞光散射，從而有機電致發(fā)光器件的出光效率較聞。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0020]圖3為實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關(guān)系圖。

【具體實施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖和具體實施例對有機電致發(fā)光器件及其制備方法進一步闡明。
[0022]請參閱圖1，一實施方式的有機電致發(fā)光器件100包括依次層疊的玻璃基底10、陽極20、散射層30、空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0023]玻璃基底10為折射率為1.8?2.2的玻璃，在400nm透過率高于90%。玻璃基底10 優(yōu)選為牌號為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0024]陽極20形成于玻璃基底10的一側(cè)表面。陽極20的材料為銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。陽極20的厚度為80nm?300nm，優(yōu)選為120nmo
[0025]散射層30形成于陽極20的表面。散射層30的材料包括金屬氧化物、銅的化合物及碳酸鹽。金屬氧化物選自三氧化鑰(MoO3)、三氧化鶴(WO3)及五氧化二fL (V2O5)中的至少一種。碳酸鹽選自碳酸鈣(CaC03)、碳酸鎂(MgC03)、碳酸鋰(Li2CO3)及碳酸鋇(BaCO3)中的至少一種。金屬氧化物、銅的化合物和碳酸鹽的質(zhì)量比為5:3:1?10:1:1。優(yōu)選的，銅的化合物選自碘化亞銅(CuI)、氧化亞銅(Cu2O)、酞菁銅(CuPc)及氧化銅(CuO)中的至少一種。散射層30的厚度為10nm?600nm。
[0026]空穴注入層40形成于散射層30的表面?？昭ㄗ⑷雽?0的材料選自三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為W03。空穴注入層40的厚度為20nm?80nm,優(yōu)選為70nm。
[0027]空穴傳輸層50形成于空穴注入層40的表面?？昭▊鬏攲?0的材料選自1，1_ 二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB。空穴傳輸層50的厚度為20nm?60nm，優(yōu)選為45nm。
[0028]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6-( I，I，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB )、9，10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為BCzVBi。發(fā)光層60的厚度為5nm?40nm,優(yōu)選為28nm。
[0029]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TAZ。電子傳輸層70的厚度為40nm?250nm,優(yōu)選為lOOnm。
[0030]電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為CsF。電子注入層80的厚度為0.5nm?1nm,優(yōu)選為3nm。
[0031 ] 陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Ag。陰極90的厚度為80nm?250nm,優(yōu)選為150nm。
[0032]上述有機電致發(fā)光器件100，在陽極20的表面制備散射層30，散射層30由具有空穴注入能力的金屬氧化物與銅的化合物以及碳酸鹽組成，金屬氧化物具有空穴注入能力，可提高空穴的注入，同時，金屬氧化物粒徑較大，可對光進行散射，銅的化合物的HOMO能級較低，有利于空穴的注入，進一步提高空穴注入能力，其原子半徑較大，有利于光子的散射，在晶體中進行來回的多次反射后，入射角得以改變，最后出射到基板中，而碳酸鹽可提高納米粒子的比表面積，進一步提高光散射，從而有機電致發(fā)光器件的出光效率較高。
[0033]可以理解，該有機電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0034]請同時參閱圖2，一實施例的有機電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0035]步驟S110、在玻璃基底10表面陽極20。
[0036]玻璃基底10為折射率為1.8?2.2的玻璃，在400nm透過率高于90%。玻璃基底10 優(yōu)選為牌號為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0037]陽極20形成于玻璃基底10的一側(cè)表面。陽極20的材料為銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。陽極20的厚度為80nm?300nm，優(yōu)選為120nm。陽極20采用磁控派射制備。磁控派射的加速電壓為300?800V,磁場為50?200G，功率密度為I?40W/cm2。
[0038]本實施方式中，玻璃基底10在使用前用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡12小時?24小時。
[0039]步驟S120、在陽極20表面制備散射層30。
[0040]散射層30的材料包括金屬氧化物、銅的化合物及碳酸鹽。金屬氧化物選自三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種。碳酸鹽選自碳酸鈣(CaCO3)、碳酸鎂(MgCO3)、碳酸鋰(Li2CO3)及碳酸鋇(BaCO3)中的至少一種。金屬氧化物、銅的化合物和碳酸鹽的質(zhì)量比為5:3:1?10:1:1。優(yōu)選的，銅的化合物選自碘化亞銅(Cul)、氧化亞銅(Cu20)、酞菁銅(CuPc)及氧化銅(CuO)中的至少一種。散射層30的厚度為10nm?600nm。
[0041]散射層30由電子束蒸鍍制備。制備的工作壓強為2X 10_3?5X 10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為10?lOOW/cm2。
[0042]步驟S130、在散射層30的表面依次蒸鍍形成空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0043]空穴注入層40形成于散射層30的表面?？昭ㄗ⑷雽?0的材料選自三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為W03。空穴注入層40的厚度為20nm?80nm,優(yōu)選為70nm。蒸鍍在真空壓力為2X KT3Pa?5X KT5Pa下進行,蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0044]空穴傳輸層50形成于空穴注入層40的表面。空穴傳輸層50的材料選自1，1_ 二[4-[N, N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm?60nm，優(yōu)選為45nm。蒸鍍在真空壓力為2 X 10 3Pa?5 X 10 5Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0045]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為BCzVBi。發(fā)光層60的厚度為5nm?40nm,優(yōu)選為28nm。蒸鍍在真空壓力為2X ICT3Pa?5X ICT5Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0046]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TAZ。電子傳輸層70的厚度為40nm?250nm，優(yōu)選為lOOnm。蒸鍍在真空壓力為2 X 10 3Pa?5 X 10 5Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0047]電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為CsF。電子注入層80的厚度為0.5nm?1nm,優(yōu)選為3nm。蒸鍍在真空壓力為2X KT3Pa?5X KT5Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s。
[0048]陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Ag。陰極90的厚度為80nm?250nm,優(yōu)選為150nm。蒸鍍在真空壓力為2X 10_3Pa?5X 10_5Pa下進行,蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0049]上述有機電致發(fā)光器件制備方法，制備工藝簡單；制備的有機電致發(fā)光器件的出光效率較高。
[0050]以下結(jié)合具體實施例對有機電致發(fā)光器件的制備方法進行詳細說明。
[0051]本發(fā)明實施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時利公司的Keithley2400測試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達公司的CS-100A色度計測試亮度和色度。
[0052]實施例1
[0053]本實施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃/IT0/W03:Cu0:CaC03/W03/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag 的有機電致發(fā)光器件。
[0054]玻璃基底為N-LASF44，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。在玻璃基底上磁控濺射陽極，材料為ΙΤ0，厚度為120nm;在陽極表面制備散射層，散射層的材料包括W03、Cu0及CaCO3, W03、Cu0和CaCO3的質(zhì)量比為8:2: 1，采用電子束蒸鍍制備，厚度為450nm ;蒸鍍制備空穴注入層，材料為WO3,厚度為70nm ;蒸鍍制備空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為45nm ;蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為28nm ;蒸鍍制備電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為10nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為CsF，厚度為3nm ;蒸鍍制備陰極，材料為Ag，厚度為150nm;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。制備的工作壓強為8 X10_4Pa，有機材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬化合物的蒸鍍速率為3nm/s，金屬的蒸鍍速率為2nm/s。磁控濺射的加速電壓:400V，磁場約:120G，功率密度:250W/cm2，電子束蒸鍍的能量密度為40W/cm2。
[0055]請參閱圖3，所示為實施例1中制備的結(jié)構(gòu)為玻璃/IT0/W03:Cu0:CaC03/W03/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線I)與對比例制備的結(jié)構(gòu)為玻璃/IT0/W03/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線2)的流明效率與亮度的關(guān)系。對比例制備有機電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實施例1均相同。
[0056]從圖上可以看到，在不同亮度下，實施例1的流明效率都比對比例的要大，實施例1的最大流明效率為8.81m/W，而對比例的僅為6.31m/W，而且對比例的流明效率隨著亮度的增大而快速下降，這說明，本發(fā)明的散射層，金屬氧化物提高空穴的注入，銅化合物有利于光子的散射，碳酸鹽可提高納米粒子的比表面積，最終提高有機電致發(fā)光器件的出光效率。
[0057]以下各個實施例制備的有機電致發(fā)光器件的流明效率都與實施例1相類似，各有機電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0058]實施例2
[0059]本實施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/1Z0/Mo03: Cu2O: MgC03/V205/TAPC/DCJTB/Bphen/Cs2C03/Pt的有機電致發(fā)光器件。
[0060]高折射率玻璃為N-LAF36，將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。在高折射率玻璃基底上制備陽極薄膜，材料為ΙΖ0，厚度為80nm。然后制備散射層，材料包括Mo03、Cu2O及MgCO3, MoO3> Cu2O和MgCO3的質(zhì)量比為5:3:1，采用電子束制備，厚度為600nm，電子束蒸鍍的能量密度為lOOW/cm2。蒸鍍空穴注入層:材料為V2O5，厚度為40nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TAPC，厚度為45nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為8nm ;蒸鍍電子傳輸層,材料為Bphen,厚度為65nm ;蒸鍍電子注入層、材料為Cs2CO3,厚度為10nm。蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為80nm;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。制備的工作壓強為2X10_3Pa，有機材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬陰極的蒸鍍速率為lOnm/s，金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s，磁控濺射的加速電壓:300V，磁場約:50G，功率密度:40W/cm2。
[0061]實施例3
[0062]本實施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/AZ0/V205: Cu1: Li2C03/Mo03/TCTA/ADN/TPBi/LiF/Al的有機電致發(fā)光器件。
[0063]高折射率玻璃為N-LASF31A，將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。在高折射率玻璃基底上制備陽極薄膜，材料為AZO，厚度為300nm。然后制備散射層，材料包括V205、CuI及Li2C03，V205、CuI和Li2CO3的質(zhì)量比為10:1: 1，采用電子束制備，厚度為lOOnm，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2。蒸鍍空穴注入層:材料為MoO3，厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCTA，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為ADN，厚度為1nm;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為200nm ;蒸鍍電子注入層、材料為LiF，厚度為0.5nm。蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為10nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。制備的工作壓強為5X 10_5Pa,有機材料的蒸鍍速率為0.lnm/s,金屬陰極的蒸鍍速率為lnm/s,金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s，磁控濺射的加速電壓:800V，磁場約:200G，功率密度:lW/cm2。
[0064]實施例4
[0065]本實施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/IT0/V205:CuPc:BaC03/W03/NPB/Alq3/TAZ/CsN3/Au的有機電致發(fā)光器件。
[0066]高折射率玻璃為N-LASF41A，將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。在高折射率玻璃基底上制備陽極薄膜，材料為ΙΤ0，厚度為180nm。然后制備散射層，材料包括V205、CuPc及BaCO3, V205、CuPc和BaCO3的質(zhì)量比為6:2:1，采用電子束制備，厚度為150nm，電子束蒸鍍的能量密度為55W/cm2。蒸鍍空穴注入層:材料為WO3,厚度為80nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為Alq3，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為35nm ;蒸鍍電子注入層、材料為CsN3，厚度為3nm。蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為250nm;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。制備的工作壓強為2X 10_4Pa,有機材料的蒸鍍速率為0.5nm/s,金屬陰極的蒸鍍速率為6nm/s,金屬化合物的蒸鍍速率為5nm/s，磁控濺射的加速電壓:600V，磁場約:100G，功率密度:30W/cm2。
[0067]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【權(quán)利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層的材料包括金屬氧化物、銅的化合物及碳酸鹽，所述金屬氧化物選自三氧化鑰、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述碳酸鹽選自碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋰及碳酸鋇中的至少一種，所述金屬氧化物、銅的化合物和碳酸鹽的質(zhì)量比為5:3:1?10:1:1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述銅的化合物選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散射層的厚度為10nm ?GOOnm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為4-(二腈甲基)-2_ 丁基-6- (I, 1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極的材料為銦錫氧化物、招鋅氧化物或銦鋅氧化物。
6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在玻璃基底表面制備陽極； 在所述陽極表面制備散射層，所述散射層的材料包括金屬氧化物、銅的化合物及碳酸鹽，所述金屬氧化物選自三氧化鑰、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述碳酸鹽選自碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋰及碳酸鋇中的至少一種，所述金屬氧化物、銅的化合物和碳酸鹽的質(zhì)量比為5:3:1?10:1:1 ;及 在所述散射層的表面依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述銅的化合物選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述散射層的厚度為10nm?600nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述散射層通過電子束蒸鍍制備，電子束蒸鍍的能量密度為10?lOOW/cm2。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述玻璃基底在制備陽極前用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡12小時?24小時。
【文檔編號】H01L51/52GK104425742SQ201310370292
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月22日
【發(fā)明者】周明杰, 黃輝, 鐘鐵濤, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司