不平衡并聯(lián)電路保護(hù)熔斷裝置制造方法
【專利摘要】在一個(gè)總的方面中，一種設(shè)備能包括半導(dǎo)體襯底和第一導(dǎo)電熔斷母線，該第一導(dǎo)電熔斷母線具有三角形形狀部分，該第一導(dǎo)電熔斷母線具有沿著基本上平行于半導(dǎo)體襯底的表面的平面排列的底表面。該設(shè)備能包括第二導(dǎo)電熔斷母線和多個(gè)熔斷連接件，該第二導(dǎo)電熔斷母線具有沿著該平面排列的底表面，多個(gè)熔斷連接件耦接于第一導(dǎo)電熔斷母線的三角形形狀部分與第二導(dǎo)電熔斷母線之間。
【專利說明】不平衡并聯(lián)電路保護(hù)熔斷裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本說明書涉及一種不平衡并聯(lián)電路保護(hù)熔斷裝置(protection fuse device,熔斷器裝置)。
【背景技術(shù)】
[0002]各種半導(dǎo)體部件可以使用熔斷裝置保護(hù)不受不良的電力條件(例如，過電流條件)損害。一些實(shí)施例中，可能由電源產(chǎn)生不良的電力條件，其可能包括電壓尖峰(與電源噪聲有關(guān))和/或電流尖峰(由下游過電流事件(比如短路)產(chǎn)生)?？梢员蝗蹟嘌b置保護(hù)的下游部件能夠包括可能被在由電源產(chǎn)生的電流和/或電壓上的相對(duì)快速的增大以不期望的方式(例如，以災(zāi)難性的方式)損壞的電子部件(例如，傳感器、晶體管、微處理器、專用集成電路(ASIC)、分立部件、電路板)。一些已知的熔斷裝置當(dāng)封裝時(shí)可能是體積龐大的、不與半導(dǎo)體工藝技術(shù)兼容的、不能適當(dāng)?shù)?例如，安全地)保護(hù)下游和/或上游部件不受電壓和/或電流尖峰損害、和/或其他情況。因此，存在對(duì)于用以解決現(xiàn)有技術(shù)的不足并且提供其他新的和創(chuàng)造性的特征的系統(tǒng)、方法和設(shè)備的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]在一個(gè)總的方面中，一種設(shè)備能夠包括半導(dǎo)體襯底(substrate，基板，基底)和第一導(dǎo)電熔斷母線(fuse bus，熔斷器母線，熔斷總線)，該第一導(dǎo)電熔斷母線具有三角形形狀部分(triangular-shaped portion),其具有沿著基本上平行于半導(dǎo)體襯底的表面的平面排列(aligned，定位，對(duì)準(zhǔn))的底表面。該設(shè)備能夠包括第二導(dǎo)電熔斷母線和多個(gè)熔斷連接件(fuse I ink,熔斷體，熔斷器熔絲，熔絲鏈)，該第二導(dǎo)電熔斷母線具有沿著該平面排列的底表面，多個(gè)熔斷連接件耦接于第一導(dǎo)電熔斷母線的三角形部分與第二導(dǎo)電熔斷母線之間。
[0004]在附圖和下文中的說明書中闡述一個(gè)或者多個(gè)實(shí)現(xiàn)方式的細(xì)節(jié)。從說明書和附圖、以及從權(quán)利要求中其他的特征將是顯而易見的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0005]圖1A是圖示熔斷裝置的框圖。
[0006]圖1B至ID是圖示圖1A中示出的熔斷裝置的部分的側(cè)橫截面視圖的圖。
[0007]圖2是圖示圖1A中示出的熔斷裝置上的阻抗變化的曲線圖。
[0008]圖3A是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的導(dǎo)電熔斷層的圖。
[0009]圖3B至3D圖示了熔斷連接件熔斷順序，其中圖3A中示出的熔斷連接件按該熔斷順序熔斷。
[0010]圖4是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的另一個(gè)導(dǎo)電熔斷層的圖。
[0011]圖5是圖示圖4中示出的導(dǎo)電熔斷層的修改了的型式。
[0012]圖6A是圖不根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的另一個(gè)導(dǎo)電熔斷層的圖。[0013]圖6B是圖示在工作期間流過圖6A中示出的熔斷連接件的電流密度的圖。
[0014]圖6C是圖示在熔斷連接件中的一個(gè)已經(jīng)熔斷之后在通過圖6B中示出的熔斷連接件的電流密度上的增大的圖。
[0015]圖7是圖示將熔斷裝置內(nèi)的熔斷器熔斷的方法的流程圖。
[0016]圖8是圖示用于生產(chǎn)熔斷裝置的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]圖1A是圖示熔斷裝置100的框圖。如圖1A中所示，熔斷裝置100包括多個(gè)熔斷帶(fuse stripe) Fl至F4。因?yàn)樵谶@個(gè)實(shí)施例中熔斷帶Fl至F4是相同的或者基本上相同的，所以熔斷裝置100的特征將用熔斷帶Fl來討論。一些實(shí)施例中，一些熔斷帶的尺寸、形狀等等可以變化(例如，可以不是相同的)。
[0018]如圖1A中所示，熔斷帶Fl包括導(dǎo)電熔斷層110。在這個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中，導(dǎo)電熔斷層110包括導(dǎo)電熔斷母線112、113。一些實(shí)施例中，熔斷帶Fl的左側(cè)(當(dāng)如圖1A中所示定向時(shí))上的導(dǎo)電熔斷母線112可以稱為左側(cè)(或者第一側(cè))導(dǎo)電熔斷母線112，并且熔斷帶Fl的右側(cè)(當(dāng)如圖1A中所示定向時(shí))的導(dǎo)電熔斷母線113可以稱為右側(cè)(或者第二側(cè))導(dǎo)電熔斷母線113。一些實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷母線112、113。
[0019]在導(dǎo)電熔斷母線112和導(dǎo)電熔斷母線113之間耦接有多個(gè)熔斷連接件NI至Nil。熔斷連接件NI至Nll可以總稱為熔斷連接件115。雖然熔斷帶Fl包括奇數(shù)個(gè)熔斷連接件115，但是一些實(shí)施例中，熔斷帶Fl能夠包括偶數(shù)個(gè)熔斷連接件115。
[0020]熔斷裝置100被配置成使得當(dāng)從導(dǎo)電流道(conductive runner) 141經(jīng)過熔斷裝置100到導(dǎo)電流道142 (或者反之)的電流超過閾值電流時(shí)，熔斷裝置100將從短路狀態(tài)(例如，導(dǎo)通或者導(dǎo)電狀態(tài))變成開路狀態(tài)(例如，非導(dǎo)通狀態(tài)、高電阻狀態(tài))。當(dāng)在開路狀態(tài)中時(shí)熔斷裝置100的熔斷帶Fl可以稱為被熔斷。當(dāng)在熔斷裝置100的熔斷帶Fl中是在開路狀態(tài)中時(shí)，熔斷連接件115 (例如，全部熔斷連接件115)可以被熔斷，使得電流被阻止(或者基本上被阻止)從導(dǎo)電流道141流到導(dǎo)電流道142。當(dāng)在短路狀態(tài)中時(shí)，電流可以從導(dǎo)電流道141經(jīng)由熔斷帶Fl至F4流到導(dǎo)電流道142。圖1A中示出的熔斷連接件115在短路狀態(tài)中。
[0021]當(dāng)在開路狀態(tài)中時(shí)，熔斷連接件115可以物理地破壞或者斷開(圖1A中沒有示出)。一些實(shí)施例中，熔斷連接件115可以被配置成以化學(xué)方法改變狀態(tài)并且當(dāng)從短路狀態(tài)變化到開路狀態(tài)時(shí)可以不物理地破壞或者斷開。一些實(shí)施例中，熔斷連接件115中的一個(gè)或者多個(gè)可以被配置成當(dāng)從短路狀態(tài)變化到開路狀態(tài)時(shí)從導(dǎo)電材料變成絕緣材料。例如，如果熔斷連接件115中的一個(gè)由多晶硅材料制成，則熔斷連接件可以被配置成從當(dāng)在短路狀態(tài)中時(shí)的多晶硅材料變化成當(dāng)在開路狀態(tài)中時(shí)的二氧化硅(SiO2)材料。一些實(shí)現(xiàn)中，當(dāng)從多晶硅材料變成SiO2材料時(shí)，熔斷連接件115中的一個(gè)或者多個(gè)可以不變成物理破壞或者斷開的。多晶硅材料可以是允許電流流過的相對(duì)導(dǎo)電的材料，而SiO2M料可以是阻止(或者基本上阻止)電流流過的相對(duì)高電阻的材料。
[0022]一些實(shí)現(xiàn)方式中，熔斷裝置100可以被配置用以為負(fù)載提供對(duì)于一種或者多種不良電力條件的電力保護(hù)(作為熔斷器)。一些實(shí)施例中，可能由電源產(chǎn)生不良的電力條件(其可能包括過電壓條件和/或過電流條件)，比如電壓尖峰(與電源噪聲有關(guān))和/或電流尖峰(由下游過電流事件(比如短路)產(chǎn)生)。例如，負(fù)載(也可以稱為下游部件)能夠包括可能被在由電源產(chǎn)生的電流和/或電壓上的相對(duì)快速的增大以不期望的方式損壞的電子部件(例如，傳感器、晶體管、微處理器、專用集成電路(ASIC)、分立部件、電路板)。因此，熔斷裝置100可以被配置成檢測(cè)并且防止這些在電流和/或電壓上的相對(duì)快速的增大損壞負(fù)載和/或與負(fù)載關(guān)聯(lián)的其他部件(比如電路板)。
[0023]因?yàn)槊總€(gè)熔斷帶Fl至F4包括多個(gè)熔斷連接件(比如包括在熔斷帶Fl中的熔斷連接件115)，所以每個(gè)熔斷帶Fl至F4可以具有相對(duì)低的總電阻。例如，在額定電流下，熔斷帶Fl可以具有比在相同的額定電流下包括較少的熔斷連接件或者單個(gè)熔斷連接件的熔斷帶的總電阻更小的總電阻。而且，因?yàn)槿蹟嘌b置100包括多個(gè)熔斷帶Fl至F4，所以與包括較少的熔斷帶(例如，單個(gè)熔斷帶)的熔斷裝置相比熔斷裝置100的總電阻可以是相對(duì)低的。如將在下文中更詳細(xì)地討論的一樣，具有多個(gè)并聯(lián)的熔斷帶和/或一個(gè)或者多個(gè)各自具有多個(gè)并聯(lián)的熔斷連接件的熔斷帶使得能夠使用半導(dǎo)體工藝(例如，標(biāo)準(zhǔn)或者典型的半導(dǎo)體工藝)制造相對(duì)低電阻的熔斷器。沒有并聯(lián)的多個(gè)熔斷帶和/或一個(gè)或者多個(gè)各自具有并聯(lián)的多個(gè)熔斷連接件的熔斷帶的情況下，使用半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)一個(gè)或者多個(gè)具有期望的額定電流(例如，期望的特性)可能是不可能的。
[0024]一些實(shí)現(xiàn)方式中，實(shí)現(xiàn)相對(duì)低的總電阻的熔斷器100的結(jié)構(gòu)使得能夠在特定的額定電流下使用用于導(dǎo)電熔斷層110的相對(duì)高電阻的多晶硅或者硅化物多晶硅，而不是使用例如相對(duì)低電阻的材料(比如金屬)。例如熔斷帶Fl內(nèi)的熔斷連接件115的并聯(lián)連接(在這個(gè)實(shí)施例中，從電路的角度它們是并聯(lián)的而且也是物理并聯(lián)的)允許使用相對(duì)高電阻的材料生產(chǎn)具有相對(duì)低的總電阻的熔斷器，即使使用相對(duì)高電阻的材料(比如多晶硅)。一些實(shí)施例中，熔斷裝置100可以具有多晶硅材料的導(dǎo)電熔斷層110，其中該多晶硅材料可以具有在大約1χ10_6歐姆-米和1χ10_7歐姆-米之間的電阻。與之相比，銅或鋁熔斷器的電阻可以在大約1χ10-8歐姆-米和3xl(T8歐姆-米之間。一些實(shí)現(xiàn)方式中，熔斷裝置100 (或者其部分(例如，熔斷帶Fl))的額定電流可以由熔斷連接件(例如，熔斷連接件115)的數(shù)量限定(或者調(diào)節(jié))。
[0025]熔斷帶Fl至F4中的一個(gè)或者多個(gè)可以被配置成使得每個(gè)熔斷帶Fl至F4的熔斷連接件115將以一順序(例如，特定的順序、預(yù)先確定的順序、目標(biāo)順序)熔斷(或者變化到開路狀態(tài))。一些實(shí)現(xiàn)方式中，熔斷連接件115熔斷的順序可以稱為熔斷連接件熔斷順序、熔斷連接件熔斷模式、熔融順序或者熔融模式。一些實(shí)施例中，熔斷連接件熔斷順序可以是預(yù)先定義的順序。熔斷帶Fl至F4中的一個(gè)或者多個(gè)可以被配置成使得每個(gè)熔斷帶Fl至F4的熔斷連接件115將以順序熔斷直到所有熔斷連接件115熔斷或者在開路狀態(tài)中。一些實(shí)現(xiàn)方式中，熔斷帶Fl至F4中的一個(gè)或者多個(gè)可以被配置成使得它們各自的熔斷連接件115中的每個(gè)將以級(jí)聯(lián)(cascaded，串聯(lián))的熔斷連接件熔斷順序(也可以稱為多米諾熔斷連接件熔斷順序、順次熔斷連接件熔斷順序、或者串行熔斷連接件熔斷順序)熔斷。因?yàn)槿蹟噙B接件115可以以特定的順序熔斷并且相互電并聯(lián)，所以熔斷裝置100可以稱為不平衡并聯(lián)電路保護(hù)熔斷裝置。術(shù)語不平衡來源于導(dǎo)致熔斷連接件115中的一些在該熔斷連接件15中的其他的之前熔斷的被配置的功能。
[0026]作為具體的實(shí)例，導(dǎo)電熔斷母線112、113和熔斷連接件115中的一個(gè)或者多個(gè)可以被配置成使得熔斷連接件115將以從熔斷連接件NI開始并且在熔斷連接件Nll結(jié)束的順序熔斷。一些實(shí)現(xiàn)方式中，導(dǎo)電熔斷母線112、113和熔斷連接件115中的一個(gè)或者多個(gè)可以被配置成使得熔斷連接件115將從設(shè)置在熔斷連接件115的中間部分122中的熔斷連接件中的一個(gè)(例如，單個(gè))或者多個(gè)(例如，一對(duì)、多于兩個(gè))(例如，熔斷連接件N5、N6和/或N7)開始并且在熔斷連接件115的端部部分123、124 (例如，外端部部分)處的熔斷連接件115 (例如，熔斷連接件N1、N2、N10和/或Nil)結(jié)束熔斷。
[0027]—些實(shí)施例中，熔斷連接件115熔斷的熔斷連接件熔斷順序可以以方向的方式描述。例如，如果熔斷連接件115以從熔斷連接件NI到熔斷連接件Nll的順序熔斷，則熔斷連接件115可以稱為在從熔斷連接件NI到熔斷連接件Nll的方向上熔斷。作為另一個(gè)實(shí)例，如果熔斷連接件115從設(shè)置在熔斷連接件115的中間部分122中的熔斷連接件中的一個(gè)或者多個(gè)開始并且在熔斷連接件115的端部部分123、124處的熔斷連接件115結(jié)束熔斷，則熔斷連接件115可以稱為在從熔斷連接件115的中間部分122向外的方向上熔斷。
[0028]導(dǎo)電熔斷層110 (例如，導(dǎo)電熔斷母線112、113、熔斷連接件115)和/或?qū)щ娊佑|層131、132可以被配置成在導(dǎo)電熔斷層110內(nèi)產(chǎn)生在電流密度(其可以以每單位面積(例如，m2)的安培數(shù)(A)表示)上的梯度使得熔斷連接件115以特定的熔斷連接件熔斷順序熔斷。電流密度梯度可以被定義以減小熔斷裝置100的額定電流，而不會(huì)以不期望的方式增大熔斷裝置100的總電阻。換句話說，熔斷裝置100內(nèi)(例如，熔斷帶Fl內(nèi))的電流可以被導(dǎo)向或者確定路線使得熔斷連接件115以特定的熔斷連接件熔斷順序熔斷。一些實(shí)施例中，電流密度梯度可以減小熔斷裝置100的額定電流，而不會(huì)增大熔斷裝置100的總電阻。這可以使熔斷裝置100電阻和額定電流能夠與例如傳統(tǒng)的金屬熔斷器相兼容。
[0029]例如，在導(dǎo)電熔斷母線112的靠近導(dǎo)電流道141、142設(shè)置的端部部分116、117處電流密度可以是相對(duì)低的，并且朝向在導(dǎo)電熔斷母線112的端部部分116、117之間的導(dǎo)電熔斷母線112的中間部分118電流密度可以是相對(duì)高的。電流密度的模式可以導(dǎo)致熔斷連接件115的中間部分122響應(yīng)被施加到熔斷帶Fl上的電流而在熔斷連接件115的端部部分123、124中的一個(gè)或者多個(gè)之前熔斷。在導(dǎo)電熔斷母線113中電流密度的模式可以是近似相同的(或者鏡像的)。一些實(shí)現(xiàn)方式中，電流密度的模式可以被限定以導(dǎo)致熔斷連接件115的中間部分112響應(yīng)被施加到熔斷帶Fl上的電流而在熔斷連接件115的端部部分123、124中的一個(gè)或者多個(gè)之后或者近似同時(shí)熔斷。
[0030]一些實(shí)施例中，可以由導(dǎo)電熔斷層110的形狀來限定導(dǎo)電熔斷層110內(nèi)的電流密度的模式。導(dǎo)電熔斷層110的至少一部分的形狀可以被限定使得導(dǎo)電熔斷層110內(nèi)的電流密度的模式能夠?qū)е氯蹟噙B接件115以特定的順序熔斷。雖然圖1A中沒有示出，但是導(dǎo)電熔斷母線112的寬度(從圖的左側(cè)到右側(cè)(或者反之))、厚度(在進(jìn)入或者退出圖所在的頁面的方向上)和/或長(zhǎng)度(從圖的頂部到底部(或者反之))沿著端部部分116、117中的一個(gè)或者多個(gè)可以是相對(duì)小的并且沿著中間部分118可以是相對(duì)大的，使得熔斷連接件115在熔斷連接件115的中間部分122開始并且朝向熔斷連接件115的端部部分123、124中的一個(gè)或者多個(gè)級(jí)聯(lián)擴(kuò)散而熔斷，或者反之。一些實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷母線112的寬度、厚度和/或長(zhǎng)度可以變化，使得熔斷連接件115在熔斷連接件115的端部部分123 (例如，熔斷連接件Nil)處開始熔斷并且朝向熔斷連接件115的端部部分124 (例如，熔斷連接件NI)進(jìn)行(例如，順序地進(jìn)行)，或者反之。在下文中結(jié)合附圖描述可以導(dǎo)致各種熔斷連接件熔斷順序的各種形狀。
[0031]一些實(shí)施例中，熔斷連接件115的中間部分122可以具有與熔斷連接件115的端部部分123、124中的一個(gè)或者多個(gè)不同的形狀(例如，具有沿著截取線B的更小或者更大的橫截面面積、具有沿著截取線B排列的更小或者更大的寬度、具有在導(dǎo)電熔斷母線112、113之間的更小或者更大的長(zhǎng)度)。一些實(shí)施例中，熔斷連接件115之間的空間(例如，距離)(例如，熔斷連接件N5和熔斷連接件N6之間的距離)可以沿著熔斷連接件115變化以導(dǎo)致熔斷連接件115以特定的順序熔斷。一些實(shí)施例中，一對(duì)熔斷連接件115之間的空間可以稱為熔斷連接件間隔或者熔斷連接件距離。如圖1A中所示，截取線B垂直于熔斷連接件115中的至少一些沿著其排列的軸線(也可以稱為縱向軸線或者線)。
[0032]例如，包含于熔斷連接件115的中間部分122中的成對(duì)熔斷連接件(例如，熔斷連接件N5和熔斷連接件N6)之間的距離可以不同于(例如，大于、小于)包含于熔斷連接件115的端部部分123、124中的一個(gè)或者多個(gè)中的成對(duì)熔斷連接件(例如，熔斷連接件NI和熔斷連接件N2)之間的距離。一些實(shí)施例中，例如從端部部分123到端部部分124的成對(duì)熔斷連接件之間的距離可以增大(例如，單調(diào)增大)、減小(例如，單調(diào)減小)或者可以相同(或者基本上相同)。
[0033]雖然圖1A至ID中沒有示出，但是一些實(shí)施例中，熔斷連接件115可以具有曲線形的部分。雖然圖1A至ID中沒有示出，但是一些實(shí)施例中，熔斷連接件115可以具有彎曲的部分。例如，熔斷連接件115中的一個(gè)或者多個(gè)可以具有沿著第一軸線(或者線)排列的第一部分，該第一軸線相對(duì)于第二部分沿著其排列的第二軸線(或者線)成一定角度(例如，20° 角、45° 角、70° 角)。
[0034]如圖1A至ID所示，熔斷連接件115相互平行地排列。一些實(shí)施例中，熔斷連接件115中的一些可以不以平行的方式排列。例如，源自于熔斷連接件115中的第一熔斷連接件可以沿著第一軸線(或者線)排列，該第一軸線相對(duì)于源自于熔斷連接件115中的第二熔斷連接件沿著其排列的第二軸線(或者線)成一定角度(例如，5°角、10°角、20°角、45°角、70。角)。
[0035]一些實(shí)施例中，可以由導(dǎo)電熔斷層110的材料(或者材料輪廓)限定導(dǎo)電熔斷層110內(nèi)的電流密度的模式。換句話說，導(dǎo)電熔斷層Iio的至少一部分的材料的性質(zhì)(例如，特性)可以以特定的(或者預(yù)先定義的)方式變化使得導(dǎo)電熔斷層110內(nèi)的電流密度的模式可以導(dǎo)致熔斷連接件115以特定的順序熔斷。例如，導(dǎo)電熔斷層Iio和/或?qū)щ娊佑|層131、132的材料可以被限定使得熔斷連接件115以特定的順序熔斷。作為具體的實(shí)例，導(dǎo)電熔斷母線112的電阻沿著端部部分116、117中的一個(gè)或者多個(gè)(基于材料性質(zhì))可以是相對(duì)低的并且沿著中間部分118 (基于材料性質(zhì))可以是相對(duì)高的，使得熔斷連接件115在熔斷連接件115的中間部分122開始熔斷并且朝向熔斷連接件115的端部部分123、124繼續(xù)(例如，級(jí)聯(lián))擴(kuò)散。換句話說，導(dǎo)電熔斷母線112可以被配置成具有限定熔斷連接件115的熔斷連接件熔斷順序的電阻梯度。
[0036]一些實(shí)現(xiàn)方式中，可以使用材料和/或形狀的任何組合以導(dǎo)致熔斷連接件(例如，熔斷連接件115)以特定的順序熔斷。在下文中描述涉及可以用于導(dǎo)致熔斷連接件以特定的順序熔斷的材料和/或形狀的組合的更多細(xì)節(jié)。
[0037]因?yàn)槿蹟嘌b置100包括在熔斷連接件115中的以特定的順序熔斷的多個(gè)熔斷連接件而不是單個(gè)熔斷連接件，所以熔斷裝置100的阻抗可以以相對(duì)緩慢的方式變化而不是瞬間變化。例如，圖2是包括曲線210的曲線圖，其中該曲線表示當(dāng)熔斷連接件115熔斷時(shí)在跨越(例如，從其輸入端到輸出端)熔斷裝置100的阻抗上的變化。圖2中，沿著X軸線示出時(shí)間并且在I軸上示出阻抗。曲線220表示在跨越包括與熔斷裝置100的集合的熔斷連接件115近似相等(例如，在阻抗上相等、在尺寸上相等)的單個(gè)熔斷連接件的熔斷裝置的阻抗上的變化。
[0038]如曲線圖中的曲線210所示，熔斷連接件115在其間熔斷的時(shí)間期間(在時(shí)間Tl和T2之間示出)顯著長(zhǎng)于如曲線220示出的單個(gè)熔斷連接件在其間熔斷的時(shí)間期間。一些實(shí)施例中，熔斷連接件115在其間熔斷(例如，以特定的順序熔斷)的時(shí)間期間可以稱為熔斷器熔斷時(shí)間期間。源自于熔斷連接件115中的第一熔斷連接件(或者第一熔斷連接件組)可以大約在時(shí)間Tl處熔斷，并且源自于熔斷連接件115中的最后的熔斷連接件(或者最后的熔斷連接件組)可以大約在時(shí)間T2處熔斷。熔斷連接件可以在時(shí)間Tl和T2之間以級(jí)聯(lián)方式熔斷。一些實(shí)施例中，時(shí)間Tl和T2之間的熔斷器熔斷時(shí)間期間可以是非線性的。例如，當(dāng)熔斷連接件以級(jí)聯(lián)方式熔斷時(shí)，曲線210的阻抗在更靠近時(shí)間T2處比更靠近時(shí)間Tl處可以以更快的速率(例如，以稍快的速率)增大。
[0039]一些實(shí)現(xiàn)方式中，可以通過改變?nèi)蹟嘌b置100的尺寸、電阻、形狀等等而增大或者減小熔斷裝置100的熔斷器熔斷時(shí)間期間。一些實(shí)施例中，圖2的曲線210中表示的相對(duì)緩慢的熔斷器熔斷可以減小電壓尖峰，電壓峰值可能與在阻抗上的相對(duì)快速的變化(例如，在由圖2的曲線220表示的阻抗上的相對(duì)快速的變化)相關(guān)聯(lián)，例如導(dǎo)致對(duì)電耦接到熔斷裝置100的一個(gè)或者多個(gè)半導(dǎo)體裝置的損害。一些實(shí)施例中，在阻抗上的快速變化可以導(dǎo)致電壓尖峰。一些情況下，電壓尖峰可以產(chǎn)生跨越例如開路熔斷器的電弧，這可以導(dǎo)致對(duì)耦接到熔斷器的電路(例如，下游電路、上游電路)的損害。一些實(shí)施例中，減小在阻抗上的變化速率可以減小以不期望的方式產(chǎn)生跨越開路熔斷器的電弧的可能性。
[0040]一些實(shí)現(xiàn)方式中，熔斷連接件115可以被配置成使得熔斷裝置100將根據(jù)一組預(yù)先定義的規(guī)范而熔斷(例如，開路)。例如，熔斷裝置100可以被配置成傳導(dǎo)在保持電流值處(或者在保持電流范圍內(nèi))的電流而沒有熔斷，并且可以被配置成響應(yīng)于穿過熔斷裝置100的增大超過緩慢熔斷電流值(或者在緩慢熔斷電流范圍內(nèi))的電流而在特定的時(shí)間期間內(nèi)(例如，在幾分鐘內(nèi)、在幾個(gè)小時(shí)內(nèi))熔斷。熔斷裝置100可以被配置成響應(yīng)于高于快速熔斷電流值(或者在快速熔斷電流范圍內(nèi))的電流而以相對(duì)快的速率熔斷。
[0041]例如，熔斷裝置100可以被配置成無期限地傳導(dǎo)在大約I安培(A)的保持電流值處的電流，并且可以被配置成當(dāng)穿過熔斷裝置100的電流處于大約3A的緩慢熔斷電流值時(shí)在特定的時(shí)間期間(例如，小于24小時(shí)、小于幾個(gè)小時(shí)、小于幾分鐘)內(nèi)熔斷。熔斷裝置100可以被配置成當(dāng)穿過熔斷裝置100的電流增大超過大約6A的快速熔斷電流值時(shí)以相對(duì)快的速率熔斷。一些實(shí)施例中，保持電流范圍可以是在OA至2.5A之間,緩慢熔斷電流范圍可以是在2.5A至6A之間，并且快速熔斷電流范圍可以是任何高于6A的電流。
[0042]一些實(shí)施例中，熔斷帶Fl的熔斷連接件115的最初接收電流的一側(cè)可以稱為輸入端。例如，如果最初在熔斷帶Fl的左側(cè)上接收電流，則導(dǎo)電熔斷母線112可以稱為輸入導(dǎo)電熔斷母線，導(dǎo)電接觸層131可以稱為輸入導(dǎo)電接觸層，并且導(dǎo)電流道141可以稱為輸入流道。相應(yīng)地，如果電流在熔斷帶Fl的右側(cè)上流出，則導(dǎo)電熔斷母線113可以稱為輸出導(dǎo)電熔斷母線，導(dǎo)電接觸層132可以稱為輸出導(dǎo)電接觸層，并且導(dǎo)電流道142可以稱為輸出流道。在這個(gè)實(shí)例實(shí)施例中，電流可以從導(dǎo)電流道141通過過孔(via)121 (其可以稱為輸入過孔)流進(jìn)導(dǎo)電接觸層131和導(dǎo)電熔斷母線111。電流然后可以通過熔斷連接件115流進(jìn)導(dǎo)電熔斷母線113和導(dǎo)電接觸層132、通過過孔122 (其可以稱為輸出過孔)并且最終進(jìn)入導(dǎo)電流道142。一些實(shí)施例中，熔斷裝置100可以被配置成使得電流以相反的方向流過熔斷裝置100。過孔121、122可以被包括在過孔層中。
[0043]一些實(shí)施例中，可以使用半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成熔斷帶Fl的至少一些部分。半導(dǎo)體工藝技術(shù)能夠包括各種掩模步驟、刻蝕步驟、沉積步驟、摻雜步驟、和/或其他步驟。熔斷帶Fl可以連同可以被形成在襯底150中的其他半導(dǎo)體裝置(例如，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(M0SFET)、雙極結(jié)晶體管(BJT)、二極管裝置)一起形成。換句話說，可以當(dāng)形成其他半導(dǎo)體裝置的部分時(shí)形成熔斷帶Fl的至少一些部分。使用比如多晶硅、金屬等等的半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)熔斷裝置100使得能夠與其他半導(dǎo)體裝置集成、以及低成本、大批量制造(例如，減小尺寸、降低成本)。
[0044]圖1B是圖示沿著穿過左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線112的線A截取的熔斷帶Fl的側(cè)橫截面視圖的圖。如圖1B中所示，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線112 (其是導(dǎo)電熔斷層110的一部分)通過過孔121和導(dǎo)電接觸層131耦接到導(dǎo)電流道141。如圖1B中所示，導(dǎo)電熔斷層110 (例如，導(dǎo)電熔斷層110的底表面)設(shè)置在(例如，接觸在)襯底150上。導(dǎo)電流道141的至少一些部分通過絕緣材料160與導(dǎo)電熔斷層110絕緣。一些實(shí)施例中，絕緣材料160可以是比如二氧化硅的電介質(zhì)材料、熱氧化物材料或者層、沉積氧化物材料或者層、低K值電介質(zhì)材料、和/或類似材料。在這個(gè)側(cè)橫截面視圖中，導(dǎo)電流道142與導(dǎo)電熔斷層110、導(dǎo)電接觸層131、132等等隔離(例如，通過絕緣材料160絕緣)。
[0045]如圖1B至ID中所示，導(dǎo)電熔斷層110設(shè)置在多個(gè)層(例如，絕緣材料160、襯底150、過孔層、金屬層和/或其他層)之間。雖然圖1B至ID中沒有示出，但是一些實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層110可以通過例如比如電介質(zhì)、氧化物和/或類似物質(zhì)的絕緣材料與襯底150絕緣。
[0046]—些實(shí)施例中，可以使用一個(gè)或者多個(gè)半導(dǎo)體工藝步驟單片地(monolithically,整體地)形成導(dǎo)電熔斷層110。一些實(shí)施例中，換句話說，可以(例如，使用相同的工藝)與導(dǎo)電熔斷母線112、113同時(shí)形成熔斷連接件115。因此，熔斷連接件115和導(dǎo)電熔斷母線112、113可以總地視為單個(gè)的單片單元。一些實(shí)施例中，雖然與熔斷連接件115—起單片地形成，但是導(dǎo)電熔斷母線112、113可以視為(或者稱為)被耦接到導(dǎo)電熔斷母線112、113的熔斷連接件。
[0047]在導(dǎo)電熔斷層110已經(jīng)設(shè)置在襯底150上之后，導(dǎo)電接觸層131可以設(shè)置在(例如，直接接觸于、物理接觸于)導(dǎo)電熔斷層110上。用于過孔121的開口可以形成在絕緣材料160中，使得過孔121可以設(shè)置在開口中以將導(dǎo)電流道141電耦接到導(dǎo)電接觸層131。
[0048]一些實(shí)施例中，可以在當(dāng)導(dǎo)電熔斷層110、導(dǎo)電接觸層131、過孔121和導(dǎo)電流道141形成時(shí)的不同階段中形成絕緣材料160。例如，一些實(shí)施例中，可以在襯底150上形成絕緣材料160的一部分，在其之后可以在導(dǎo)電熔斷層110的形狀中形成開口。導(dǎo)電熔斷層110的多余部分可以被刻蝕。在導(dǎo)電熔斷層110的刻蝕之后，可以形成絕緣材料160的額外部分。這里描述的絕緣材料160可以是使用熱生長(zhǎng)技術(shù)、沉積技術(shù)的任何組合形成的電介質(zhì)。例如，絕緣材料160能夠包括熱生長(zhǎng)氧化物、低k值電介質(zhì)、和/或類似物。
[0049]一些實(shí)施例中，襯底150的一個(gè)或者多個(gè)部分能夠包括例如硅(Si)、鍺(Ge)、硅鍺(SiGe)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、II1-V型半導(dǎo)體襯底、I1-VI型半導(dǎo)體襯底、和/或類似物。一些實(shí)施例中，包括在熔斷裝置100中的一個(gè)或者多個(gè)特征可以使用化學(xué)和/或機(jī)械拋光工藝步驟形成。至少結(jié)合圖8描述涉及用以形成例如熔斷裝置100的半導(dǎo)體工藝步驟的更多細(xì)節(jié)。
[0050]圖1C是圖示沿著穿過導(dǎo)電熔斷層110的熔斷連接件115的線B截取的熔斷帶Fl的側(cè)橫截面視圖的圖。如圖1C中所示，熔斷連接件115設(shè)置在襯底150上。導(dǎo)電流道141、142的至少一些部分通過絕緣材料160與導(dǎo)電熔斷層110絕緣。如圖1C中所示，每個(gè)熔斷連接件115具有相同的橫截面面積以及均勻的熔斷器間隔。一些實(shí)施例中，熔斷連接件115中的一個(gè)或者多個(gè)可以具有不同的橫截面面積。一些實(shí)施例中，第一對(duì)熔斷連接件115可以具有與第二對(duì)熔斷連接件115不同的熔斷器間隔。
[0051]圖1D是圖示沿著穿過右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線113的線C截取的熔斷帶Fl的側(cè)截面視圖的圖。圖1D具有許多與圖1B相同的特征，但是方位在相反的方向上。如圖1B中所示，右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線113 (其是導(dǎo)電熔斷層110的一部分)通過過孔122和導(dǎo)電接觸層132耦接到導(dǎo)電流道142。如圖1D中所示，導(dǎo)電熔斷層110設(shè)置在襯底150 (例如，硅襯底)上。導(dǎo)電流道141的至少一些部分通過絕緣材料160與導(dǎo)電熔斷層110絕緣。
[0052]如圖1B至ID中所示，導(dǎo)電熔斷層110沿著平面D排列。因此，都被包含在導(dǎo)電熔斷層Iio中的左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線112 (在圖1B中示出)、右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線113 (在圖1D中示出)和熔斷連接件115 (在圖1C中示出)均沿著平面D排列。例如，都被包含在導(dǎo)電熔斷層110中的左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線112的底表面(在圖1B中示出)、右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線113的底表面(在圖1D中示出)和熔斷連接件115的底表面(在圖1C中示出)均可以沿著平面D排列。平面D可以平行于襯底150的頂表面或者底表面。
[0053]雖然圖1B至ID中沒有示出，但是一些實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層110的部分(例如，熔斷連接件115)可以具有不沿著(或者不位于)平面D排列的部分。例如，一些實(shí)施例中，熔斷連接件115中的一個(gè)或者多個(gè)可以具有在平面D上方或者下方的部分。例如，熔斷連接件115中的一個(gè)或者多個(gè)可以具有沿著平面D排列的第一部分并且可以具有沿著相對(duì)于平面D成一定角度(例如，20°角、45°角、70°角)或者垂直于平面D的軸線(或者線)排列的第二部分。
[0054]導(dǎo)電熔斷層110可以由各種材料制成，比如多晶硅、硅化物材料(例如，鎳硅化物材料、鈦硅化物材料)、金屬材料或者金屬基材料(例如，鋁、銅、金、鈦、金屬合金)和/或類似物。一些實(shí)施例中，被包含在導(dǎo)電熔斷層Iio中的導(dǎo)電熔斷母線112、113和一個(gè)或者多個(gè)熔斷連接件115可以由相同的材料或者不同的材料制成。例如，一些實(shí)現(xiàn)方式中，導(dǎo)電熔斷母線112、113可以由硅化物材料制成，并且一個(gè)或者多個(gè)熔斷連接件115可以由多晶硅材料制成。
[0055]如上文中簡(jiǎn)要討論的，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線112通過過孔121和導(dǎo)電接觸層131耦接到導(dǎo)電流道141。類似地，右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線113通過過孔122和導(dǎo)電接觸層132耦接到導(dǎo)電流道142。一些實(shí)施例中，導(dǎo)電流道141、142和/或?qū)щ娊佑|層131、132可以由各種材料制成，比如金屬材料或者金屬基材料(例如，鋁、銅、金、鈦、金屬合金)、多晶硅材料和/或類似材料。一些實(shí)施例中，導(dǎo)電接觸層131的至少一部分、導(dǎo)電流道141的一部分和/或?qū)щ娏鞯?42的一部分可以由相同的材料或者不同的材料制成。一些實(shí)施例中，導(dǎo)電接觸層131的至少一部分、導(dǎo)電流道141的一部分和/或?qū)щ娏鞯?42的一部分可以由與導(dǎo)電熔斷層110相同的材料制成。
[0056]任何導(dǎo)電層(比如過孔121、122、導(dǎo)電熔斷層110、導(dǎo)電接觸層131、132、導(dǎo)電流道141、142)可以使用沉積過程形成，比如化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝步驟、次大氣壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)工藝步驟和/或其他沉積步驟。例如，導(dǎo)電熔斷層110可以使用CVD過程設(shè)置在(例如，直接接觸于、物理接觸于)襯底150上。一些實(shí)施例中，開口(例如，用于過孔121、122的開口)可以使用包括例如濕法刻蝕工藝步驟、干法刻蝕工藝步驟、光刻曝光和/或掩模步驟、和/或其他步驟的一個(gè)或者多個(gè)光刻和/或刻蝕工藝步驟形成。
[0057]如上文中討論的，當(dāng)熔斷連接件115中的一個(gè)或者多個(gè)變化到高電阻狀態(tài)時(shí)，熔斷裝置100可以變化到開路狀態(tài)或者開始變化到開路狀態(tài)。例如，當(dāng)熔斷連接件115由嵌入在二氧化硅電介質(zhì)(即，絕緣材料160)中的多晶硅材料制成時(shí)，當(dāng)響應(yīng)于超過閾值電流(例如，緩慢熔斷電流值、快速熔斷電流值)的穿過熔斷連接件115的電流而被加熱時(shí)熔斷連接件115的多晶硅材料可以變成被氧化的并且可以轉(zhuǎn)換成絕緣體。這個(gè)物理轉(zhuǎn)換(而不是金屬熔斷器中發(fā)生的熔斷連接件破裂)消除了如在金屬熔斷器中可能發(fā)生的由于發(fā)生破裂而使熔斷器重新長(zhǎng)回從而重新形成新的導(dǎo)電熔斷連接件的可能性。因?yàn)槿蹟噙B接件115也嵌入在電介質(zhì)中，所以在熔斷連接件115中的一個(gè)或者多個(gè)已經(jīng)熔斷(例如，熔融)之后跨越開路電路的電弧(如在金屬熔斷器中可以發(fā)生的一樣)的可能性被顯著地減小。當(dāng)熔斷連接件115由嵌入在二氧化硅中的多晶硅材料制成時(shí)，將不會(huì)發(fā)生隨著熔斷器熔斷產(chǎn)生的空氣間隙(如金屬熔斷器中可以發(fā)生的一樣)。一些實(shí)施例中，熔斷連接件115中的一個(gè)或者多個(gè)可以由當(dāng)熔斷時(shí)熔化(例如，金屬)并且物理變形(例如，改變形狀)的材料制成以形成開路電路。
[0058]一些實(shí)施例中，用于制造熔斷裝置100的導(dǎo)電熔斷層110的材料可以由具有正溫度系數(shù)(PTC)的材料制成使得材料的電阻隨著溫度升高而增大。例如，導(dǎo)電熔斷層110可以由具有正溫度系數(shù)的多晶硅材料制成。因此，當(dāng)熔斷裝置100的導(dǎo)電熔斷層110隨著電流流過導(dǎo)電熔斷層110而加熱時(shí)，跨越導(dǎo)電熔斷層110的電阻可以增大。在電阻上的增大可以進(jìn)一步導(dǎo)致在導(dǎo)電熔斷層110的溫度上的增大。在一些實(shí)施例中這種正反饋循環(huán)可以有助于導(dǎo)電熔斷層110的熔斷連接件115響應(yīng)于超過閾值(例如，緩慢熔斷電流值、快速熔斷電流值)的穿過導(dǎo)電熔斷層110的電流而快速熔斷(例如，以級(jí)聯(lián)方式熔斷)。一些實(shí)施例中，這個(gè)情況可以稱為熱失控(thermal runaway)。
[0059]一些實(shí)施例中，當(dāng)熔斷連接件115熔斷時(shí)，穿過剩余的熔斷連接件115的電流密度可以增大。這可以導(dǎo)致對(duì)于剩余的熔斷連接件115的更快的熔斷時(shí)間期間。例如，在熔斷連接件NI熔斷之前，進(jìn)入熔斷帶Fl的電流密度將在熔斷連接件NI至Nll之間分割。熔斷連接件NI熔斷之后，進(jìn)入熔斷帶Fl的電流密度(假設(shè)熔斷帶Fl中的電流基本上沒有減小)將在熔斷連接件N2至Nll之間分割。這可以導(dǎo)致在穿過N2至Nll的電流密度上的增量增力口，并且可以導(dǎo)致對(duì)于熔斷連接件N2至Nll的比如果熔斷連接件NI還沒有熔斷時(shí)相對(duì)更快的熔斷時(shí)間。
[0060]上文中結(jié)合圖1A至2進(jìn)行描述而示出和描述的實(shí)施例和實(shí)例可以與下文中結(jié)合附圖描述的任何實(shí)施例或者特征組合。
[0061]圖3A是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的導(dǎo)電熔斷層310的圖。導(dǎo)電熔斷層310包括左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線312和右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線313。導(dǎo)電熔斷層310包括熔斷連接件315。熔斷連接件315包括熔斷連接件Ql至Q5。一些實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層310可以被包含在比如圖1A至ID示出的熔斷裝置100的熔斷裝置中。導(dǎo)電熔斷層310的每個(gè)元件(包括熔斷連接件315、左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線312和右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線313)可以在相同的平面內(nèi)排列。如圖3A至3D所示，熔斷連接件315耦接到左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線312的邊緣332 (由虛線圖示)并且耦接到右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線313的邊緣333(由虛線圖示)。一些實(shí)施例中，邊緣332、333可以稱為內(nèi)邊緣。
[0062]這個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層310被配置成使得當(dāng)電流被施加到導(dǎo)電熔斷層310上時(shí)，熔斷連接件Q3將首先熔斷(例如，首先變化到高電阻狀態(tài))。這個(gè)實(shí)施例中，熔斷連接件Q3被圖示為將包含于圖3B示出的熔斷連接件Q3中的陰影區(qū)域變化為相對(duì)高電阻的材料。在熔斷連接件Q3已經(jīng)熔斷之后，熔斷連接件Q2和Q4將熔斷，如包含于圖3C中示出的熔斷連接件Q2和Q4中的陰影區(qū)域圖示的一樣。最后，在熔斷連接件Q2和Q4已經(jīng)熔斷之后，熔斷連接件Ql和Q5將熔斷，如包含于圖3D中示出的熔斷連接件Ql和Q5中的陰影區(qū)域圖示的一樣。
[0063]這個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層310具有這樣的形狀:該形狀使得響應(yīng)于一個(gè)電流(例如，高于閾值的電流)在導(dǎo)致其他的熔斷連接件熔斷之前導(dǎo)致熔斷連接件Q3熔斷。具體地，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線312具有三角形的形狀(例如，區(qū)域、表面區(qū)域、輪廓)，該三角形的形狀大約在導(dǎo)電熔斷層310的中間部分326處具有寬度W，其中該寬度大于大約在導(dǎo)電熔斷層310的端部部分325處的寬度X或者大約在導(dǎo)電熔斷層310的端部部分327處的寬度Y。換句話說，三角形的形狀的頂端(也可以稱為頂點(diǎn)或者尖)與旨在首先熔斷的熔斷連接件Q3相關(guān)聯(lián)。這個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層310被配置成使得靠近(例如，側(cè)向到)熔斷連接件Q3 (其旨在首先熔斷)處的熔斷連接件左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線312的寬度大于靠近(例如，側(cè)向到)其余熔斷連接件Q1、Q2、Q4和Q5 (其旨在于熔斷連接件Q3熔斷之后熔斷)的左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線312的部分的寬度。
[0064]如圖3A中所示，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線312的長(zhǎng)度O大于寬度X、寬度Y和寬度W。雖然圖3A中沒有示出，但是左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線312的長(zhǎng)度O可以小于寬度X、寬度Y和/或?qū)挾萕。
[0065]一些實(shí)施例中，旨在首先熔斷的熔斷連接件可以不耦接到三角形形狀的導(dǎo)電熔斷母線的頂端。這個(gè)實(shí)施例中，熔斷連接件315包括奇數(shù)個(gè)熔斷連接件。一些實(shí)施例中，熔斷連接件315能夠包括偶數(shù)個(gè)熔斷連接件。在這種實(shí)施例中，在與三角形形狀的導(dǎo)電熔斷母線的頂端相關(guān)聯(lián)的熔斷連接件的上方能夠包括比在與三角形形狀的導(dǎo)電熔斷母線的頂端相關(guān)聯(lián)的熔斷連接件的下方更多的熔斷連接件，或者反之。
[0066]包括偶數(shù)個(gè)熔斷連接件(或者奇數(shù)個(gè)熔斷連接件)的一些實(shí)施例中，多個(gè)熔斷連接件可以旨在同時(shí)熔斷。在這種實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷母線可以具有梯形的形狀，并且旨在首先熔斷的熔斷連接件可以耦接到梯形形狀的平行側(cè)中的一個(gè)。
[0067]如圖3A中所示，寬度X側(cè)向于熔斷連接件Ql并且沿著熔斷連接件Ql也沿著其排列的軸線(或者線)(例如，軸線Zl)排列。寬度Y側(cè)向于熔斷連接件Q5并且沿著熔斷連接件Q5也沿著其排列的軸線(或者線)排列。類似地，寬度W側(cè)向于熔斷連接件Q3并且沿著熔斷連接件Q3也沿著其排列的軸線(或者線)排列。熔斷連接件315沿著其排列的每個(gè)軸線(例如，軸線Zl)位于(或者排列于)一平面內(nèi)，導(dǎo)電熔斷層310排列于該平面內(nèi)。
[0068]如圖3A中所示，導(dǎo)電熔斷層310具有沿著邊緣332從中間部分326 (靠近熔斷連接件Q3)朝向端部部分325 (靠近熔斷連接件Ql和Q2)以及朝向端部部分327 (靠近熔斷連接件Q4和Q5)漸縮(taper，成錐形)的區(qū)域。換言之，如圖3A中所示，導(dǎo)電熔斷層310具有沿著邊緣332從寬度W (靠近熔斷連接件Q3)朝向?qū)挾萖 (靠近熔斷連接件Ql)以及朝向?qū)挾萗 (靠近熔斷連接件Q5)成錐形的區(qū)域。換句話說，導(dǎo)電熔斷層310具有這樣的區(qū)域:該區(qū)域至少沿著邊緣332從在區(qū)域的第一部分處(例如，鄰近熔斷連接件Ql)的第一寬度到在區(qū)域的第二部分處(例如，鄰近熔斷連接件Q3)的第二寬度漸縮。因此，這個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層110的內(nèi)邊緣332、333限定了蝶形領(lǐng)結(jié)的形狀。
[0069]這個(gè)實(shí)施例中，寬度Y與寬度X相同。一些實(shí)施例中，寬度Y可以與寬度X不同。在這種實(shí)施例中，從中間部分326到端部部分325的錐形可以具有與從中間部分326到端部部分327的錐形不同的輪廓和/或斜率。
[0070]如圖3A至3D所示的情況一樣，導(dǎo)電熔斷層310的與旨在首先熔斷的熔斷連接件相關(guān)聯(lián)的區(qū)域(例如，表面區(qū)域或者范圍、部分)可以具有最大的表面積。例如，導(dǎo)電熔斷層310的與熔斷連接件Q3相關(guān)聯(lián)(例如，近似以其為中心)的圖3A中示出的區(qū)域G大于導(dǎo)電熔斷層310的與熔斷連接件Q2相關(guān)聯(lián)(例如，近似以其為中心)的圖3A中示出的區(qū)域H。
[0071]導(dǎo)電熔斷層310 (例如，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線312)的三角形的形狀(例如，表面區(qū)域、范圍、輪廓)導(dǎo)致穿過熔斷連接件Q3的電流密度將大于穿過熔斷連接件Ql、Q2、Q4或者Q5的電流密度。具體地，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線312的更大的表面積(如果用作輸入端)導(dǎo)致相比其余的熔斷連接件Ql、Q2、Q4和Q5相對(duì)更多的電流被引導(dǎo)到熔斷連接件Q3。
[0072]這個(gè)實(shí)施例中，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線313的形狀是右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線312的鏡像。因此，導(dǎo)電熔斷母線312是關(guān)于穿過(且正交于(例如，垂直于))至少一部分熔斷連接件315的豎直線對(duì)稱的。導(dǎo)電熔斷層310 (例如，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線312)的邊緣332遠(yuǎn)離導(dǎo)電熔斷層310 (例如，右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線313)的邊緣333漸縮。一些實(shí)施例中，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線313可以具有與右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線312不同的形狀。在這種實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷母線313可以不是對(duì)稱的(例如，可以是非對(duì)稱的)。
[0073]這個(gè)實(shí)施例中，熔斷連接件Q3 (其旨在熔斷連接件315中首先熔斷)是最短的熔斷連接件。一些實(shí)施例中，熔斷連接件Q3 (雖然旨在從熔斷連接件315中首先熔斷)可以不是最短的熔斷連接件。一些實(shí)施例中，多個(gè)熔斷連接件可以旨在于大約相同的時(shí)間處熔斷。在這種實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層310的形狀可以被修改使得多個(gè)熔斷連接件可以在大約相同的時(shí)間處熔斷。
[0074]一些實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層310的形狀可以被修改使得不同的熔斷連接件(除熔斷連接件Q3以外的)(比如熔斷連接件Q2)將旨在從熔斷連接件315中首先熔斷。在這種實(shí)施例中，熔斷連接件Q2可以與導(dǎo)電熔斷層310的三角形形狀部分的頂端相關(guān)聯(lián)。
[0075]如圖3A中所示，熔斷連接件315每個(gè)沿著與各自的導(dǎo)電熔斷母線312、313的外邊緣331、334正交的軸線(例如，軸線Zl)排列。與之相比，如圖3A中所示，熔斷連接件315每個(gè)沿著不與導(dǎo)電熔斷母線312、313的內(nèi)邊緣(例如，邊緣332、333)正交的軸線排列。一些實(shí)施例中，外邊緣331可以平行于外邊緣334。一些實(shí)施例中，外邊緣331可以不平行于外邊緣334。在這種實(shí)施例中，熔斷連接件315中的一個(gè)或者多個(gè)可以不沿著與外邊緣331、334中的一個(gè)或者多個(gè)正交的軸線(或者線)排列。
[0076]圖3B至3D圖示了熔斷連接件熔斷順序，圖3A中示出的熔斷連接件315以該順序熔斷。這個(gè)實(shí)施例中，熔斷連接件315由被配置成從多晶硅材料物理變化為二氧化硅材料的材料制成。到二氧化硅材料的變化由導(dǎo)電熔斷層310的陰影區(qū)域表示。雖然沒有示出，但是一些實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層310可以由被配置成當(dāng)熔斷斷開(blow open)時(shí)熔化并且物理變形的金屬材料制成。
[0077]熔斷連接件Q3 (在圖3B中示出)被配置成在第一時(shí)間期間內(nèi)首先熔斷(或者開始熔斷)。熔斷連接件Q2和Q4 (在圖3C中示出)被配置成在第二時(shí)間期間內(nèi)熔斷(或者開始熔斷)。熔斷連接件Ql和Q5 (在圖3D中示出)被配置成在第三時(shí)間期間內(nèi)熔斷(或者開始熔斷)。
[0078]一些實(shí)施例中，第一時(shí)間期間可以與第二時(shí)間期間和/或第三時(shí)間期間重疊(例如，可以與其具有共同的持續(xù)時(shí)間)。類似地，一些實(shí)施例中，第二時(shí)間期間可以與第一時(shí)間期間和/或第三時(shí)間期間重疊(例如，可以與其具有共同的持續(xù)時(shí)間)。類似地，一些實(shí)施例中，第二時(shí)間期間可以與第一時(shí)間期間和/或第三時(shí)間期間重疊(例如，可以與其具有共同的持續(xù)時(shí)間)。一些實(shí)施例中，第一時(shí)間期間可以是與第二時(shí)間期間和/或第三時(shí)間期間互斥的(例如，可以不與其重疊、可以不與其具有共同的持續(xù)時(shí)間)。類似地，一些實(shí)施例中，第二時(shí)間期間可以是與第一時(shí)間期間和/或第三時(shí)間期間互斥的(例如，可以不與其重疊、可以不與其具有共同的持續(xù)時(shí)間)。一些實(shí)施例中，第一時(shí)間期間的持續(xù)時(shí)間、第二時(shí)間期間的持續(xù)時(shí)間和第三時(shí)間期間的持續(xù)時(shí)間可以是相同的。一些實(shí)施例中，第一時(shí)間期間的持續(xù)時(shí)間可以與第二時(shí)間期間的持續(xù)時(shí)間和/或第三時(shí)間期間的持續(xù)時(shí)間不同。
[0079]圖4是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的導(dǎo)電熔斷層410的圖。如圖4中所示，導(dǎo)電熔斷層410包括左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線412、右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線413和熔斷連接件415。熔斷連接件415包括熔斷連接件Pl至P6。
[0080]這個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層410具有這樣的形狀，該形狀被配置成使得當(dāng)電流被施加到左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線412時(shí)熔斷連接件415將以從熔斷連接件Pl到熔斷連接件P6的順序熔斷(當(dāng)左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線412作為導(dǎo)電熔斷層410的輸入端時(shí))。熔斷連接件415熔斷的順序可以基于左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線412和右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線413的相對(duì)形狀而預(yù)先限定。
[0081]這個(gè)實(shí)施例中，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線412的與熔斷連接件Pl相關(guān)聯(lián)的寬度大于與熔斷連接件P6相關(guān)聯(lián)的寬度。具體地，熔斷連接件Pl沿著軸線Fl (或者也可以稱為線Fl)排列，并且熔斷連接件P6沿著軸線F6 (或者也可以稱為線F6)排列。左側(cè)導(dǎo)電熔斷連接件母線412的沿著軸線Fl (其側(cè)向于熔斷連接件Pl并且熔斷連接件Pl沿著其排列)的寬度42 (例如，平均寬度、最大寬度)大于左側(cè)導(dǎo)電熔斷連接件母線412的沿著軸線F6 (其側(cè)向于熔斷連接件P6并且熔斷連接件P6沿著其排列)的寬度44 (例如，平均寬度、最大寬度)。這個(gè)實(shí)施例中，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線412的與熔斷連接件Pl相關(guān)聯(lián)的寬度42大于左側(cè)導(dǎo)電熔斷連接件母線412的與任何其他熔斷連接件P2至P6相關(guān)聯(lián)的寬度(例如，平均寬度、最大寬度)。這個(gè)實(shí)施例中，寬度42大于導(dǎo)電熔斷層410的平均寬度，并且寬度44小于導(dǎo)電熔斷層410的平均寬度。如圖4所示，軸線Fl和軸線F6沿著導(dǎo)電熔斷層410在其內(nèi)排列的平面排列。[0082]如圖4中所示，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線412的錐形與右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線413的錐形相反。左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線412的寬度從熔斷連接件Pl到熔斷連接件P6減小，而右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線413的寬度從熔斷連接件Pl到熔斷連接件P6增大。如圖4中所示，導(dǎo)電熔斷層410具有這樣的區(qū)域，該區(qū)域至少沿著邊緣460從在區(qū)域的第一部分(例如，鄰近熔斷連接件Pl)處的第一寬度到在區(qū)域的第二部分(例如，鄰近熔斷連接件P6)處的第二寬度漸縮。
[0083]如圖4中所示，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線412具有耦接到每個(gè)熔斷連接件415的邊緣460(由虛線表示)。雖然圖4中沒有示出，但是右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線413也具有耦接到每個(gè)熔斷連接件415的邊緣。一些實(shí)施例中，邊緣460可以沿著直線排列。雖然圖4中沒有示出，但是一些實(shí)施例中，邊緣460可以是曲線形的。雖然圖4中沒有示出，但是一些實(shí)施例中，邊緣460可以具有沿著非平行的線或者軸線排列的多個(gè)不同的部分。
[0084]如圖4中所示，熔斷連接件415各自沿著與相應(yīng)導(dǎo)電熔斷母線412、413的外邊緣441、444正交的軸線排列。與之相比，如圖4中所示，熔斷連接件415各自沿著與導(dǎo)電熔斷母線412、413的內(nèi)邊緣(例如，邊緣460)不正交的軸線排列。一些實(shí)施例中，外邊緣441可以平行于外邊緣444。一些實(shí)施例中，外邊緣441可以不平行于外邊緣444。在這種實(shí)施例中，熔斷連接件415中的一個(gè)或者多個(gè)可以不沿著與外邊緣441、44中的一個(gè)或者多個(gè)正交的軸線(或者線)排列。
[0085]圖5是圖示圖4中示出的導(dǎo)電熔斷層的修改的型式510的圖。如圖5中所示，右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線413具有與圖4中示出的形狀不同的形狀。具體地，它在這個(gè)實(shí)施例中，右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線413沿著導(dǎo)電熔斷母線413的長(zhǎng)度(從圖的頂部到圖的底部)為相對(duì)恒定的覽度。
[0086]圖6A是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的導(dǎo)電熔斷層610的圖。如圖6A中所示，導(dǎo)電熔斷層610包括左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線612、右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線613和熔斷連接件615。熔斷連接件615包括熔斷連接件Rl至R3。
[0087]這個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層610具有這樣的形狀:該形狀被配置成使得當(dāng)電流被施加到左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線612時(shí)熔斷連接件615將以從熔斷連接件R3到熔斷連接件Rl的順序熔斷(當(dāng)導(dǎo)電熔斷母線612、613中任一個(gè)作為導(dǎo)電熔斷層610的輸入端時(shí))。熔斷連接件615熔斷的順序可以基于左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線612和右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線613的相對(duì)形狀而預(yù)先限定。熔斷連接件615熔斷的順序可以與在工作期間流過熔斷連接件615的電流密度(其示出于圖6B中)成正比或者相關(guān)。
[0088]圖6B是圖示在工作期間流過圖6A中示出的熔斷連接件615的電流密度的圖。如圖6B中所示，電流密度由表示電流的箭頭之間的間隔表示。經(jīng)過熔斷連接件R3的電流密度大于經(jīng)過熔斷連接件R2的電流密度，并且經(jīng)過熔斷連接件R2的電流密度大于經(jīng)過熔斷連接件Rl的電流密度。因此，熔斷連接件615將以從熔斷連接件R3到熔斷連接件Rl的順序熔斷(當(dāng)導(dǎo)電熔斷母線612、613中任一個(gè)作為導(dǎo)電熔斷層610的輸入端時(shí))。
[0089]圖6C是圖示在一個(gè)熔斷連接件R3已經(jīng)熔斷之后在圖6B中示出的熔斷連接件615中(例如，流過的電流)的電流密度上的增大。熔斷連接件R3中的陰影區(qū)域表示熔斷連接件R3的熔斷。如圖6C中所示，熔斷連接件Rl和熔斷連接件R2的電流密度(其由表示電流的箭頭之間的間隔表示)與圖6B中示出的它們各自的電流密度相比增大了。雖然圖6C中沒有示出，但是熔斷連接件R2可以響應(yīng)于熔斷連接件R2中(例如，流過的電流)的增大了的電流密度而熔斷。熔斷連接件R2的熔斷(加上熔斷連接件R3的熔斷)可以導(dǎo)致在熔斷連接件Rl中的電流密度上的進(jìn)一步的增大和熔斷連接件Rl的隨后的熔斷。
[0090]這個(gè)實(shí)施例中，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線612的與熔斷連接件R3相關(guān)聯(lián)的寬度大于與熔斷連接件Rl相關(guān)聯(lián)的寬度。具體地，熔斷連接件R3沿著軸線SI (或者也可以稱為線SI)排列，并且熔斷連接件R3沿著軸線S3 (或者也可以稱為線S3)排列。左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線612的沿著軸線S3 (其側(cè)向于熔斷連接件R3并且熔斷連接件R3沿著其排列)的寬度64 (例如，平均寬度)大于左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線612的沿著軸線SI (其側(cè)向于熔斷連接件Rl并且熔斷連接件Rl沿著其排列)的寬度62 (例如，平均寬度)。這個(gè)實(shí)施例中，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線612的與熔斷連接件R3相關(guān)聯(lián)的寬度64大于左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線612的與任何其他熔斷連接件R2或者Rl相關(guān)聯(lián)的寬度(例如，平均寬度、最大寬度)。這個(gè)實(shí)施例中，寬度64大于導(dǎo)電熔斷層610的平均寬度，并且寬度62小于導(dǎo)電熔斷層610的平均寬度。如圖6A中所示，軸線SI和軸線S3沿著導(dǎo)電熔斷層610在其內(nèi)排列的平面(或者在該平面內(nèi))排列。
[0091]如圖6A中所示，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線612的錐形(其可以稱為三角形形狀部分)與右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線613的錐形相同。左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線612與右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線613成鏡像。左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線612的寬度從熔斷連接件Rl到熔斷連接件R3增大，并且右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線613的寬度也從熔斷連接件Rl到熔斷連接件R3增大。一些實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷母線612、613的外邊緣641、644可以是錐形的、曲線形的和/或其他形狀(并且可以不是平行的)。
[0092]如圖6A中所示，左側(cè)導(dǎo)電熔斷母線612具有耦接到每個(gè)熔斷連接件615的邊緣660 (由虛線表示)。雖然圖6A中沒有示出，但是右側(cè)導(dǎo)電熔斷母線613也具有耦接到每個(gè)熔斷連接件615的邊緣。一些實(shí)施例中，邊緣660可以沿著直線排列。雖然圖6A中沒有示出，但是一些實(shí)施例中，邊緣660可以是曲線形的。雖然圖6A中沒有示出，但是一些實(shí)施例中，邊緣660可以具有沿著非平行的線或者軸線排列的多個(gè)不同的部分。
[0093]如圖6A中所示，熔斷連接件615各自沿著與相應(yīng)導(dǎo)電熔斷母線612、613的外邊緣641、644正交的軸線排列。與之相比，如圖6A中所示，熔斷連接件615各自沿著與導(dǎo)電熔斷母線612、613的內(nèi)邊緣(例如，邊緣660)不正交的軸線排列。一些實(shí)施例中，外邊緣641可以平行于外邊緣644。一些實(shí)施例中，夕卜邊緣641可以不平行于外邊緣644。在這種實(shí)施例中，熔斷連接件615中的一個(gè)或者多個(gè)可以不沿著與外邊緣641、644中的一個(gè)或者多個(gè)正交的軸線(或者線)排列。
[0094]圖7是圖示將熔斷裝置內(nèi)的熔斷器熔斷的方法的流程圖。一些實(shí)施例中，熔斷裝置能夠包括上文中示出和描述的任何熔斷裝置。
[0095]如圖7中所示，與導(dǎo)電熔斷層的具有第一寬度的第一部分相耦接的第一熔斷連接件被熔斷(框710)。一些實(shí)施例中，第一部分的寬度可以沿著第一熔斷連接件也沿著其排列的軸線排列。第一部分可以鄰近于并且耦接于第一熔斷連接件。
[0096]與導(dǎo)電熔斷層的具有小于第一寬度的第二寬度的第二部分相耦接的第二熔斷連接件被熔斷(框720)。第二熔斷連接件可以被配置成在第一熔斷連接件已經(jīng)開始熔斷之后開始熔斷。一些實(shí)施例中，第二部分的寬度可以沿著第二熔斷連接件也沿著其排列的軸線排列。第二部分可以鄰近于并且耦接于第二熔斷連接件。一些實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層可以從第一寬度向下到第二寬度漸縮。錐形可以是沿著導(dǎo)電熔斷層的長(zhǎng)度的。一些實(shí)施例中，第一部分和第二部分可以被包含在導(dǎo)電熔斷層的導(dǎo)電熔斷母線中。
[0097]一些實(shí)施例中，第一熔斷連接件可以在第一時(shí)間期間內(nèi)熔斷，其中該第一時(shí)間期間是在第二時(shí)間期間之后，第二熔斷連接件可以在第二時(shí)間期間內(nèi)熔斷。一些實(shí)施例中，第一時(shí)間期間和第二時(shí)間期間可以是重疊的時(shí)間期間或者可以是不重疊的互斥的時(shí)間期間。一些實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層能夠包括第三熔斷連接件，該第三熔斷連接件被配置成在第一熔斷連接件已經(jīng)開始熔斷之后、但是在第二熔斷連接件已經(jīng)開始熔斷之前開始熔斷。一些實(shí)施例中，熔斷連接件中的一個(gè)或者多個(gè)的熔斷能夠包括對(duì)于熔斷連接件的化學(xué)變化(例如，在狀態(tài)或者成分上的變化)或者物理變化。
[0098]圖8是圖示用于生產(chǎn)熔斷裝置的方法的流程圖。一些實(shí)施例中，熔斷裝置能夠包括上文中示出和描述的任何熔斷裝置。
[0099]如圖8中所示，導(dǎo)電熔斷層被形成在半導(dǎo)體襯底上(框810)。導(dǎo)電熔斷層可以與半導(dǎo)體襯底接觸或者可以由(預(yù)先形成的)和/或設(shè)置在導(dǎo)電熔斷層和半導(dǎo)體襯底之間的電介質(zhì)層絕緣。
[0100]一些實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層可以由多晶硅材料和/或硅化物材料制成。一些實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層可以形成在至少一個(gè)開口內(nèi)，該至少一個(gè)開口形成在(例如，刻蝕在、使用光刻過程形成)電介質(zhì)層(例如，絕緣層、氧化物層、低k值電介質(zhì)層)中。電介質(zhì)層可以在形成導(dǎo)電熔斷層之前形成在半導(dǎo)體襯底上。一些實(shí)施例中，可以通過拋光(例如，化學(xué)和或機(jī)械拋光)沉積在電介質(zhì)層上(并且在電介質(zhì)層中的一個(gè)開口(多個(gè)開口)中)的多晶硅材料來形成導(dǎo)電熔斷層。
[0101]可以使用半導(dǎo)體工藝步驟(比如CVD工藝步驟)形成導(dǎo)電熔斷層。一些實(shí)施例中，導(dǎo)電熔斷層能夠包括導(dǎo)電熔斷母線和多個(gè)熔斷連接件。導(dǎo)電熔斷母線可以具有三角形形狀部分，其具有沿著基本上平行于半導(dǎo)體襯底的表面的平面排列的底表面。
[0102]可以形成與導(dǎo)電熔斷層相接觸的導(dǎo)電接觸層(框820)。一些實(shí)施例中，導(dǎo)電接觸層可以是(例如)使用半導(dǎo)體加工步驟(例如，CVD或者PVD工藝步驟)沉積的金屬材料。
[0103]形成與導(dǎo)電接觸層相接觸的過孔(框830)。一些實(shí)施例中，過孔可以形成在開口中，其中該開口形成在電介質(zhì)層內(nèi)?？梢栽趯?dǎo)電熔斷層和/或?qū)щ娊佑|層形成之后形成電介質(zhì)層，穿過電介質(zhì)層形成過孔。
[0104]一些實(shí)施例中，這里描述的熔斷裝置可以被集成在各種計(jì)算裝置中。例如，這里描述的熔斷裝置可以被包含在(例如)移動(dòng)計(jì)算裝置中。一些實(shí)施例中，這里描述的熔斷裝置可以被包含在(例如)平板電腦、筆記本電腦、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、主機(jī)電腦、電視、電子測(cè)量裝置、數(shù)據(jù)分析裝置、手機(jī)、智能手機(jī)、電子裝置和/或類似物中。
[0105]可以在數(shù)字電子電路中、或者在計(jì)算機(jī)硬件、固件、軟件中或者它們的結(jié)合中實(shí)現(xiàn)這里描述的各種技術(shù)的實(shí)現(xiàn)方式。部分方法也可以由(并且設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)為)專用邏輯電路來執(zhí)行，例如，F(xiàn)PGA (現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列)或者ASIC (專用集成電路)。
[0106]也可以在包括后端部件(back end component，后端組件)(例如，作為數(shù)據(jù)服務(wù)器)或者包括中間件部件(middleware component,中間件組件)(例如,應(yīng)用服務(wù)器)或者包括前端部件(例如，具有圖形用戶界面或者網(wǎng)頁瀏覽器(用戶可以通過它而與一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式互動(dòng))的客戶端計(jì)算機(jī))或者這種后端部件、中間件部件或者前端部件的任何組合的計(jì)算系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)這些實(shí)現(xiàn)方式。部件可以通過任何形式或者介質(zhì)的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)通信(例如，通信網(wǎng)絡(luò))相互連接。通信網(wǎng)絡(luò)的實(shí)例包括局域網(wǎng)(LAN)和廣域網(wǎng)(WAN)，例如國際互聯(lián)網(wǎng)。
[0107]可以使用各種半導(dǎo)體工藝和/或封裝技術(shù)來實(shí)現(xiàn)一些實(shí)現(xiàn)方式?？梢允褂门c半導(dǎo)體襯底相關(guān)聯(lián)的各種類型的半導(dǎo)體工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)一些實(shí)施例，其中該半導(dǎo)體襯底包括但不限于(例如)硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)和/或類似物。
[0108]雖然已經(jīng)如在這里描述的示出了所描述的實(shí)現(xiàn)方式的特定特征，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員現(xiàn)在將想到許多修改、替換、變化和等同方式。因此，將理解的是，所附權(quán)利要求旨在覆蓋所有落入實(shí)施例的范圍內(nèi)的這種修改和變化。應(yīng)該理解的是，它們已經(jīng)僅僅以實(shí)例的、非限制性的方式呈現(xiàn)，并且可以做出在形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。這里描述的設(shè)備和/或方法的任何部分可以以任何組合方式組合，除了互斥的組合方式以外。這里描述的實(shí)施例能夠包括所描述的不同實(shí)施例的功能、部件和/或特征的各種組合和/或子組合。
【權(quán)利要求】
1.一種設(shè)備，包括: 半導(dǎo)體襯底； 導(dǎo)電熔斷層，所述導(dǎo)電熔斷層具有沿著基本上平行于所述半導(dǎo)體襯底的表面的平面排列的底表面并且具有這樣的區(qū)域:所述區(qū)域沿著邊緣從所述區(qū)域的第一部分處的第一寬度漸縮到所述區(qū)域的第二部分處的第二寬度； 第一熔斷連接件，所述第一熔斷連接件沿著所述平面排列并且在所述區(qū)域的所述第一部分處耦接到所述區(qū)域的所述邊緣；以及 第二熔斷連接件，所述第二熔斷連接件沿著所述平面排列并且在所述區(qū)域的所述第二部分處耦接到所述區(qū)域的所述邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述導(dǎo)電熔斷層由多晶硅材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述第一熔斷連接件具有的長(zhǎng)度比所述第二熔斷連接件的長(zhǎng)度長(zhǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述邊緣是所述導(dǎo)電熔斷層的第一邊緣，所述第一邊緣不平行于所述導(dǎo)電熔斷層的所述區(qū)域的第二邊緣，所述第一熔斷連接件或所述第二熔斷連接件中的至少一個(gè)沿著與所述第二邊緣正交的軸線排列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述區(qū)域是第一區(qū)域，所述導(dǎo)電熔斷層具有第二區(qū)域，所述第二區(qū)域沿著所述平面排列并且經(jīng)由所述第一熔斷連接件和經(jīng)由所述第二熔斷連接件電耦接到所述第二區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述區(qū)域是第一導(dǎo)電熔斷母線，所述導(dǎo)電熔斷層具有沿著所述平面排列的第二導(dǎo)電熔斷母線并且具有這樣的邊緣:所述邊緣沿著與排列所述第一導(dǎo)電熔斷母線的邊緣所沿的線不平行的線排列。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述區(qū)域是第一導(dǎo)電熔斷母線，所述導(dǎo)電熔斷層具有沿著所述平面排列的第二導(dǎo)電熔斷母線并且具有遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電熔斷母線的邊緣漸縮的邊緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述導(dǎo)電熔斷層的所述區(qū)域從所述第一部分處的第一寬度漸縮到所述第二部分處的第二寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述區(qū)域具有的長(zhǎng)度大于所述第一寬度或所述第二寬度中的至少一個(gè)，所述區(qū)域的長(zhǎng)度沿著縱向軸線排列，所述第一寬度和所述第二寬度正交于所述縱向軸線。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述第一熔斷連接件基本上是直的并且所述第二熔斷連接件基本上是直的，所述第一熔斷連接件基本上平行于所述第二熔斷連接件。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述第一熔斷連接件的橫截面面積與所述第二熔斷連接件的橫截面面積不同。
12.—種設(shè)備,包括: 半導(dǎo)體襯底； 第一導(dǎo)電熔斷母線，所述第一導(dǎo)電熔斷母線具有三角形形狀部分，所述第一導(dǎo)電熔斷母線具有沿著基本上平行于所述半導(dǎo)體襯底的表面的平面排列的底表面； 第二導(dǎo)電熔斷母線，所述第二導(dǎo)電熔斷母線具有沿著所述平面排列的底表面；以及 多個(gè)熔斷連接件，所述多個(gè)熔斷連接件耦接于所述第一導(dǎo)電熔斷母線的所述三角形形狀部分與所述第二導(dǎo)電熔斷母線之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述三角形形狀部分具有內(nèi)邊緣的第一部分和所述內(nèi)邊緣的第二部分，至少所述多個(gè)熔斷連接件中的第一部分耦接于所述三角形形狀部分的所述內(nèi)邊緣的所述第一部分與所述第二導(dǎo)電熔斷母線之間，至少所述多個(gè)熔斷連接件的第二部分耦接于所述三角形形狀部分的所述內(nèi)邊緣的所述第一部分與所述第二導(dǎo)電熔斷母線之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述第二導(dǎo)電熔斷母線具有三角形形狀部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述三角形形狀部分具有這樣的電阻梯度，所述電阻梯度被配置成使得當(dāng)將電流施加到所述第一導(dǎo)電熔斷母線時(shí)流經(jīng)所述多個(gè)熔斷連接件中的第一熔斷連接件的電流密度與流經(jīng)所述多個(gè)熔斷連接件中的第二熔斷連接件的電流密度不同。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述第二導(dǎo)電熔斷母線具有三角形形狀部分，所述第二導(dǎo)電熔斷母線的所述三角形形狀部分與所述第一導(dǎo)電熔斷母線的所述三角形形狀部分關(guān)于所述多個(gè)熔斷連接件成鏡像。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，旨在在所述多個(gè)熔斷連接件中的其余熔斷連接件之前熔斷的所述多個(gè)熔斷連接件中的熔斷連接件耦接于所述第一導(dǎo)電熔斷母線的所述三角形形狀部分的頂端與所述第二導(dǎo)電熔斷母線之間。
18.—種設(shè)備,包括: 半導(dǎo)體襯底；以及 熔斷結(jié)構(gòu)，所述熔斷結(jié) 構(gòu)操作性地耦接到所述半導(dǎo)體襯底，所述熔斷結(jié)構(gòu)包括: 第一導(dǎo)電熔斷母線， 第二導(dǎo)電熔斷母線，及 多個(gè)熔斷連接件，所述多個(gè)熔斷連接件操作性地耦接到所述半導(dǎo)體襯底并且耦接于所述第一導(dǎo)電熔斷母線與所述第二導(dǎo)電熔斷母線之間，所述多個(gè)熔斷連接件中的第一熔斷連接件設(shè)置在所述多個(gè)熔斷連接件中的第二熔斷連接件與所述多個(gè)熔斷連接件中的第三熔斷連接件之間，所述第一導(dǎo)電熔斷母線被配置成使得在所述第二熔斷連接件或所述第三熔斷連接件響應(yīng)于電流開始熔斷斷開之前所述第一熔斷連接件響應(yīng)于所述電流開始熔斷斷開。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中，所述第一導(dǎo)電熔斷母線或所述第二導(dǎo)電熔斷母線中的至少一個(gè)具有三角形形狀部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中，當(dāng)所述多個(gè)熔斷連接件中的所述第一熔斷連接件熔斷斷開時(shí)，所述多個(gè)熔斷連接件中的所述第一熔斷連接件從導(dǎo)電狀態(tài)變?yōu)楦唠娮锠顟B(tài)。
【文檔編號(hào)】H01H85/046GK103681147SQ201310385098
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月31日
【發(fā)明者】威廉·R·紐伯里 申請(qǐng)人:飛兆半導(dǎo)體公司