高方阻鋁膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高方阻鋁膜，包括基膜、加厚區(qū)、漸變方阻區(qū)，所述加厚區(qū)和所述漸變方阻區(qū)均為位于所述基膜上方的金屬蒸鍍層，且所述加厚區(qū)位于所述基膜的一側(cè)，所述漸變方阻區(qū)位于所述基膜的另一側(cè)和所述加厚區(qū)之間，且所述漸變方阻區(qū)的厚度自所述加厚區(qū)連接處向所述基膜的另一側(cè)逐漸降低。所述加厚區(qū)降低了薄膜電容器的噴金層和芯子的接觸電阻，能承受比較大的電流。所述漸變方阻區(qū)使其方塊電阻出現(xiàn)從小到大的變化，并與電容器的電流密度分布相適應(yīng)，提高電容器的耐壓強度。
【專利說明】高方阻鋁膜
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種金屬化薄膜的蒸鍍結(jié)構(gòu)，即高方阻鋁膜，屬于電容器【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]目前市場上普遍使用的金屬化薄膜均采用的是鋅鋁合金蒸鍍方式，且最大方塊電阻的阻值只有20Ω / 口。隨著電容器應(yīng)用的起來起廣泛，電力設(shè)備體積要求越來越小，相應(yīng)的對電容的體積要求也越來越高，這就要求電容器的儲能密度越來越大，即電容器用薄膜的耐壓強度要相應(yīng)的增加。
[0003]而大量電容器在制作過程中易發(fā)生大氣氧化腐蝕，使金屬層的方阻增大，給電容器的性能造成的不良后果是極其嚴(yán)重的，且金屬化薄膜在貯存過程中也易發(fā)生大氣氧化腐蝕。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足之處，提出的一種新的金屬化薄膜的蒸鍍結(jié)構(gòu)，即高方阻鋁膜。在同等的電氣參數(shù)下，使用本發(fā)明所提出的高方阻鋁膜卷制成的電容器，要比用常規(guī)方式蒸鍍的金屬化膜卷制的電容器體積要小，電容器的自愈能力也強一些。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案如下:
一種高方阻鋁膜，包括:基膜、加厚區(qū)、漸變方阻區(qū)，所述加厚區(qū)和所述漸變方阻區(qū)均為位于所述基膜上方的金屬蒸鍍層，且所述加厚區(qū)位于所述基膜的一側(cè)，所述漸變方阻區(qū)位于所述基膜的另一側(cè)和所述加厚區(qū)之間，且所述漸變方阻區(qū)的厚度自所述加厚區(qū)連接處向所述基膜的另一側(cè)逐漸降低。所述加厚區(qū)降低了薄膜電容器的噴金層和芯子的接觸電阻，能承受比較大的電流。所述漸變方阻區(qū)使其方塊電阻出現(xiàn)從小到大的變化，并與電容器的電流密度分布相適應(yīng)，提高電容器的耐壓強度。
[0006]作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述加厚區(qū)為金屬鋅蒸鍍層。因電容器的工作原理，力口厚區(qū)邊緣處電容器電流密度大，而鋁金屬在電容器長期工作中易發(fā)生深度腐蝕，即電化學(xué)腐蝕。而對純鋅的金屬化薄膜而言，即便金屬層很薄，對電化學(xué)腐蝕也不敏感。
[0007]作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述漸變方阻區(qū)為金屬鋁蒸鍍層。使所述漸變方阻區(qū)的厚度變化在加工過程中易于控制和實現(xiàn)。
[0008]作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述加厚區(qū)的方塊電阻為(4.5±1) Ω/ 口。用于控制所述高方阻鋁膜的最小阻值，以確保產(chǎn)品應(yīng)用的安全性。
[0009]作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述漸變方阻區(qū)的方塊電阻自所述加厚區(qū)連接處向所述基膜的另一側(cè)逐漸增大，且變化曲線為平滑的S形。所述漸變方阻區(qū)的方塊電阻變化曲線與電容器的電流密度分布相適應(yīng)，從而可以提高電容器的耐壓強度；優(yōu)選的高方阻鋁膜的方塊電阻變化曲線如圖2所示。
[0010]作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述漸變方阻區(qū)的方塊電阻最大值為65Ω/ 口。用于控制所述高方阻鋁膜的最大阻值，以確保產(chǎn)品應(yīng)用的安全性。
[0011]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的實施效果如下:
本發(fā)明所述的高方阻鋁膜與電容器的電流密度分布相適應(yīng)，兼顧了電容器的電流與電壓的需求，提高了電容器的耐壓強度，增強了電容器的自愈能力，縮小了電容器的體積。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明所述的高方阻鋁膜結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明所述的高方阻鋁膜的方塊電阻變化曲線。
【具體實施方式】
[0013]下面將結(jié)合具體的實施例來說明本發(fā)明的內(nèi)容。
[0014]如圖1所示，為本發(fā)明所述的高方阻鋁膜結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明所述高方阻鋁膜，包括:基膜1、加厚區(qū)2、漸變方阻區(qū)3，所述加厚區(qū)2和所述漸變方阻區(qū)3均為位于所述基膜I上方的金屬蒸鍍層，且所述加厚區(qū)2位于所述基膜I的一側(cè)，所述漸變方阻區(qū)3位于所述基膜I的另一側(cè)和所述加厚區(qū)2之間，且所述漸變方阻區(qū)3的厚度自所述加厚區(qū)2連接處向所述基膜I的另一側(cè)逐漸降低。所述加厚區(qū)2和所述漸變方阻區(qū)3的質(zhì)地可以是現(xiàn)有技術(shù)中常用的鋅鋁合金蒸鍍層，也可以是金屬鋅蒸鍍層或金屬鋁蒸鍍層等導(dǎo)電金屬薄膜。
[0015]優(yōu)選地，所述加厚區(qū)2為金屬鋅蒸鍍層。所述漸變方阻區(qū)3為金屬鋁蒸鍍層。且所述加厚區(qū)2的方塊電阻為(4.5±1)Ω / 口。所述漸變方阻區(qū)3的方塊電阻自所述加厚區(qū)2連接處向所述基膜I的另一側(cè)逐漸增大，且變化曲線為平滑的S形。所述漸變方阻區(qū)3的方塊電阻最大值為65 Ω / 口。
[0016]本發(fā)明所提供的高方阻鋁膜與電容器的電流密度分布相適應(yīng)，兼顧了電容器的電流與電壓的需求，提高了電容器的耐壓強度，增強了電容器的自愈能力，縮小了電容器的體積。本發(fā)明所提供的高方阻鋁膜的方塊電阻變化曲線，如圖2所示。
[0017]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的實施例對本發(fā)明所作的詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明具體實施僅限于這些說明。對于本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明保護的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種高方阻鋁膜，其特征是:包括基膜(I)、加厚區(qū)(2)、漸變方阻區(qū)(3)，所述加厚區(qū)(2)和所述漸變方阻區(qū)(3)均為位于所述基膜(I)上方的金屬蒸鍍層，且所述加厚區(qū)(2)位于所述基膜(I)的一側(cè)，所述漸變方阻區(qū)(3)位于所述基膜(I)的另一側(cè)和所述加厚區(qū)(2)之間，且所述漸變方阻區(qū)(3)的厚度自所述加厚區(qū)(2)連接處向所述基膜(I)的另一側(cè)逐漸降低。
2.如權(quán)利要求1所述的高方阻鋁膜，其特征是:所述加厚區(qū)(2)為金屬鋅蒸鍍層。
3.如權(quán)利要求1所述的高方阻鋁膜，其特征是:所述漸變方阻區(qū)(3)為金屬鋁蒸鍍層。
4.如權(quán)利要求1或2所述的高方阻鋁膜，其特征是:所述加厚區(qū)(2)的方塊電阻為(4.5±1) Ω/口。
5.如權(quán)利要求1或3所述的高方阻鋁膜，其特征是:所述漸變方阻區(qū)(3)的方塊電阻自所述加厚區(qū)(2)連接處向所述基膜(I)的另一側(cè)逐漸增大，且變化曲線為平滑的S形。
6.如權(quán)利要求5所述的高方阻鋁膜，其特征是:所述漸變方阻區(qū)(3)的方塊電阻最大值為 65 Ω / □。
【文檔編號】H01G4/005GK103456492SQ201310400393
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年9月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月6日
【發(fā)明者】許明建, 周峰 申請人:安徽賽福電子有限公司