光電半導(dǎo)體元件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種光電半導(dǎo)體元件及其制作方法。光電半導(dǎo)體元件包括基材、第一實(shí)心介層插塞、光電半導(dǎo)體芯片、熒光層以及封膠體。其中，第一實(shí)心介層插塞貫穿基材。光電半導(dǎo)體芯片封膠體，具有一第一電極，對(duì)準(zhǔn)并與第一實(shí)心介層插塞電連接。熒光層覆蓋于光電半導(dǎo)體芯片的至少一表面上。封膠體包覆基材、光電半導(dǎo)體芯片以及熒光層。
【專利說(shuō)明】光電半導(dǎo)體元件及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，且特別是涉及一種光電半導(dǎo)體元件及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光半導(dǎo)體元件具有低耗電量、低發(fā)熱量、操作壽命長(zhǎng)、耐撞擊、體積小、反應(yīng)速度快、無(wú)汞以及可發(fā)出穩(wěn)定波長(zhǎng)的色光等良好光電特性，隨著光電科技的進(jìn)步，已被視為新世代光源的較佳選擇之一。
[0003]以白光發(fā)光二極管(Light Emitting d1de ;LED)元件為例,傳統(tǒng)上是在封裝設(shè)計(jì)中是采用焊線(Wire bonding)來(lái)進(jìn)行芯片的串接。然而，因打線制作工藝上的限制，芯片與芯片之間必須預(yù)留焊線距離，不僅造成封裝結(jié)構(gòu)尺寸大幅增加，而限制了芯片矩陣的構(gòu)裝數(shù)量，不利于元件的微小化。再者，當(dāng)使用芯片矩陣進(jìn)行多顆芯片封裝時(shí)，由于芯片排列較為分散，更容易影響熒光層涂布的均勻性，不僅會(huì)造成元件后續(xù)制作工藝良率偏低的問(wèn)題，更會(huì)因?yàn)闊晒鈱踊旃獠痪鶆颍斐砂坠獍l(fā)光二極管元件偏光或偏色的問(wèn)題。
[0004]因此，有需要提供一種先進(jìn)的光電半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，解決現(xiàn)有技術(shù)所面臨的問(wèn)題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明一方面是提供一種光電半導(dǎo)體元件，其包括基材、第一實(shí)心介層插塞、光電半導(dǎo)體芯片、突光層以及封膠體。其中，第一實(shí)心介層插塞貫穿基材。光電半導(dǎo)體芯片，具有一第一電極，對(duì)準(zhǔn)并與第一實(shí)心介層插塞電性接觸。熒光層覆蓋于光電半導(dǎo)體芯片的至少一表面上。封膠體包覆基材、光電半導(dǎo)體芯片以及熒光層。
[0006]在本發(fā)明的一實(shí)施例之中，光電半導(dǎo)體元件還包括:位于基材第一表面上的第一圖案化金屬層，以及位于基材第二表面上的第二圖案化金屬層。其中第二表面位于基材上相對(duì)于第一表面的相反一側(cè)。第一圖案化金屬層，具有至少一第一焊墊，對(duì)準(zhǔn)且與第一實(shí)心介層插塞直接連觸；第二圖案化金屬層，具有至少一第二焊墊，對(duì)準(zhǔn)且與第一實(shí)心介層插塞直接接觸。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例之中，第一電極是經(jīng)由第一焊墊與第一實(shí)心介層插塞電連接。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例之中，光電半導(dǎo)體元件還包含:與基材結(jié)合的一承載基板，通過(guò)承載基板和封膠體，可將基材、發(fā)光二極管芯片以及熒光層與外部空氣隔離。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例之中，承載基板具有與第二焊墊直接接觸的金屬線路。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例之中，光電半導(dǎo)體元件還包含:貫穿基材的第二實(shí)心介層插塞，對(duì)準(zhǔn)且與光電半導(dǎo)體芯片的第二電極電性接觸。
[0011]本發(fā)明另一方面是提供一種光電半導(dǎo)體元件的制作方法，包含下述步驟:首先提供一基材以及貫穿基材的第一實(shí)心介層插塞。接著，將光電半導(dǎo)體芯片的第一電極，對(duì)準(zhǔn)并與第一實(shí)心介層插塞電性接觸。然后，于光電半導(dǎo)體芯片的至少一個(gè)表面，涂布熒光層。后續(xù)，以封膠體包覆基材、發(fā)光半導(dǎo)體芯片以及熒光層。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例之中，提供基材與第一實(shí)心介層插塞的歩驟，還包括:于基材的第一表面上，形成具有至少一個(gè)第一焊墊的第一圖案化金屬層，使第一焊墊對(duì)準(zhǔn)且與第一實(shí)心介層插塞直接接觸；以及于基材的第二表面上，形成具有至少一個(gè)第二焊墊的第二圖案化金屬層，對(duì)準(zhǔn)且與第一實(shí)心介層插塞直接接觸，其中第二表面位于基材上相對(duì)于第一表面的相反一側(cè)。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例之中，提供基材與第一實(shí)心介層插塞的歩驟，還包括于第一圖案化金屬層之上，形成一圖案化絕緣層，將第一焊墊暴露于外。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例之中，將光電半導(dǎo)體芯片的第一電極，對(duì)準(zhǔn)并與第一實(shí)心介層插塞電性接觸的步驟，包括使用錫球來(lái)連接第一電極與第一焊墊。
[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例之中，光電半導(dǎo)體元件的制作方法還包括，將一承載基板與基材結(jié)合，并使第二焊墊與該承載基板的金屬線路電連接。
[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例之中，將承載基板與基材結(jié)合的步驟，包括使用錫球，連接承載基板的金屬線路與第二焊墊。
[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例之中，將封膠體包覆基材、光電半導(dǎo)體芯片以及熒光層的步驟，包括以封膠體包覆基材、光電半導(dǎo)體芯片、熒光層以及一部分的承載基板，用于將基材、光電半導(dǎo)體芯片以及突光層與外部空氣隔離。
[0018]在本發(fā)明的一實(shí)施例之中，光電半導(dǎo)體元件的制作方法還包括，提供貫穿基材的第二實(shí)心介層插塞，使光電半導(dǎo)體芯片的至少一個(gè)第二電極，對(duì)準(zhǔn)且與第二實(shí)心介層插塞電連接。
[0019]根據(jù)上述實(shí)施例，本發(fā)明是提供一種光電半導(dǎo)體元件，其是采用倒裝接合(flipchip bonding)方式,將至少一光電半導(dǎo)體芯片的電極,對(duì)準(zhǔn)并且使其與貫穿基材的實(shí)心介層插塞焊墊電連接。之后，再將熒光層覆蓋于光電半導(dǎo)體芯片的至少一表面上，并以封膠體包覆基材、光電半導(dǎo)體芯片以及熒光層。
[0020]相比較于現(xiàn)有打線封裝技術(shù)，光電半導(dǎo)體芯片在進(jìn)行封裝時(shí)，封裝結(jié)構(gòu)必須橫向延伸，方能使打線與基材的焊墊電連接。采用倒裝封裝結(jié)構(gòu)的光電半導(dǎo)體芯片，其與芯片電極是縱向?qū)?zhǔn)下方的實(shí)心介層插塞接觸，所需要的封裝尺寸較小，有利于光電半導(dǎo)體元件的微小化。
[0021]另外，由于封裝尺寸較小，可使光電半導(dǎo)體芯片排列更加緊密，當(dāng)進(jìn)行熒光層涂布與封裝時(shí)，還可增加各個(gè)光電半導(dǎo)體元件的熒光層的均勻性，解決現(xiàn)有光電半導(dǎo)體元件偏光或偏色的問(wèn)題。再加上，本發(fā)明的倒裝封裝技術(shù)，所采用的實(shí)心介層插塞，可有效率地將光電半導(dǎo)體芯片所產(chǎn)生的熱，傳導(dǎo)到基材背面，相較于現(xiàn)有的打線封裝技術(shù)，其散熱效果更佳，可提升光電半導(dǎo)體元件的效能。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1A至IG是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的制作光電半導(dǎo)體元件100的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0023]圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所繪示，同時(shí)在多個(gè)光電半導(dǎo)體芯片上涂布熒光層的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0024]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的光電半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0025]符號(hào)說(shuō)明
[0026]100:光電半導(dǎo)體元件 101:基材
[0027]1la:基材的第一表面1lb:基材的第二表面
[0028]102a:實(shí)心介層插塞 102b:實(shí)心介層插塞
[0029]103:圖案化金屬層 103a:焊墊
[0030]103b:焊墊104:圖案化金屬層
[0031]104a:焊墊104b:焊墊
[0032]105:圖案化絕緣層 106:光電半導(dǎo)體芯片
[0033]106a:光電半導(dǎo)體芯片的電極
[0034]106b:光電半導(dǎo)體芯片的電極
[0035]106c:光電半導(dǎo)體芯片的上表面
[0036]106d:光電半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁
[0037]107:錫球108:承載基板
[0038]108a:金屬線路109:突光層
[0039]110:錫球111:絕緣膠
[0040]112:封膠體201:基材
[0041]209:熒光層212:晶片切割步驟
[0042]300:光電半導(dǎo)體元件308:承載基板
[0043]312:封膠體體
【具體實(shí)施方式】
[0044]本發(fā)明提供一種具有較小封裝尺寸的光電半導(dǎo)體元件及其制作方法，可增加光電半導(dǎo)體元件的熒光層的均勻性，解決現(xiàn)有光電半導(dǎo)體元件因熒光層混光不均，所造成的偏光或偏色等問(wèn)題。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。
[0045]請(qǐng)參照?qǐng)D1A至1G，圖1A至IG是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的制作光電半導(dǎo)體元件100的結(jié)構(gòu)剖視圖。制作光電半導(dǎo)體元件100的方法包括下述步驟:
[0046]首先提供具有一第一表面1la以及第二表面1lb的基材101 (如圖1A所繪不)。其中，第二表面1lb位于基材101上,相對(duì)于第一表面1la的相反一側(cè)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例之中，基材101可以是導(dǎo)線架(lead frame)、印刷電路板(Printing CircuitBoard, PCB)、軟性電路板、陶瓷基板或其他任何的管芯承載器(die carrier) ?而在本實(shí)施例之中，基材101是一印刷電路板，其材質(zhì)可以例如是雙馬來(lái)酰亞胺-三氮雜苯樹(shù)脂(bismaleimide-triazine resin, BT),或者是其他類似材料。
[0047]之后，于基材101之中，形成至少一個(gè)貫穿基材101的實(shí)心介層插塞，例如實(shí)心介層插塞102a和102b，由基材101的第一表面1la延伸至第二表面1lb (如圖1B所繪示)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例之中，實(shí)心介層插塞102a和102b，則是貫穿基材101的金屬(例如銅質(zhì)或鋁質(zhì))插塞。
[0048]然后，于基材101的第一表面1la上,形成一圖案化金屬層103,其中圖案化金屬層102至少包含一個(gè)焊墊(例如焊墊103a和103b)，并且使焊墊103a和103b分別對(duì)準(zhǔn)實(shí)心介層插塞102a和102b，且與實(shí)心介層插塞102a和102b直接連接。并于基材101的第二表面1lb上，形成另一個(gè)圖案化金屬層104，其中圖案化金屬層103至少包含一個(gè)焊墊(例如焊墊104a和104b)，使焊墊104a和104b分別對(duì)準(zhǔn)實(shí)心介層插塞102a和102b，且與實(shí)心介層插塞102a和102b直接連接(如圖1B所繪示)。
[0049]而值得注意的是，雖然在本實(shí)施例之中，實(shí)心介層插塞102a和102b，是先于圖案化金屬層103和104形成。但在其他實(shí)施例之中，實(shí)心介層插塞102a和102b及圖案化金屬層103或104的形成先后，并不以此為限。也可以在基材101的表面上先形成圖案化金屬層103或104，使焊墊103a和103b分別對(duì)準(zhǔn)焊墊104a和104b。之后，再形成貫穿基材101的實(shí)心介層插塞102a和102b，使其對(duì)準(zhǔn)且直接連接焊墊103a、103b、104a和104b。
[0050]接著，可選擇性的在金屬層103之上，形成一圖案化絕緣層105，將焊墊103a和103b暴露于外(如圖1C所繪示)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例之中，構(gòu)成圖案化絕緣層105的材質(zhì)，可以是例如二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy resin)或類似的絕緣材質(zhì)。在本發(fā)明的另一些實(shí)施例之中，也可以不要制作此絕緣層105，將圖案化金屬層103暴露于外，直接定義焊墊103a和103的范圍，以節(jié)省成本。
[0051]后續(xù),提供至少一個(gè)光電半導(dǎo)體芯片106,并將光電半導(dǎo)體芯片104的電極106a和106b，分別對(duì)準(zhǔn)實(shí)心介層插塞102a和102b，并與實(shí)心介層插塞102a和102b電性接觸(如圖1D所繪示)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例之中，光電半導(dǎo)體芯片106可以是發(fā)光二極管(Light-Emitting D1de, LED)芯片、有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de,0LED)芯片或激光二極管(laser d1de)芯片、光二極管(photod1de)芯片、電荷稱合元件(Charge-Coupled Device,CO))芯片或太陽(yáng)電池(solar cell)芯片。在本實(shí)施例之中，光電半導(dǎo)體芯片106是一發(fā)光二極管芯片，且此一發(fā)光二極管芯片的陰極與陽(yáng)極電極(即電極104a和104b),是位于光電半導(dǎo)體芯片106的相同一側(cè)。
[0052]而使光電半導(dǎo)體芯片106的電極106a和106b,分別對(duì)準(zhǔn)并與實(shí)心介層插塞102a和102b電性接觸的方式，是將光電半導(dǎo)體芯片106放置于圖案化絕緣層105上，并使用錫球107將半導(dǎo)體芯片106的電極106a和106b，和暴露于外的焊墊103a和103b聯(lián)結(jié)。由于焊墊103a和103b是分別對(duì)準(zhǔn)且直接連接實(shí)心介層插塞102a和102b ;因此與焊墊103a和103b聯(lián)結(jié)的電極106a和106b，即可分別對(duì)準(zhǔn)并與實(shí)心介層插塞102a和102b電性接觸。
[0053]然后，于光電半導(dǎo)體芯片106的至少一個(gè)表面，涂布熒光層109。在本發(fā)明的一些實(shí)施例之中，在涂布熒光層109之前，較佳會(huì)在錫球107以及電極106a和106b周邊，形成一絕緣膠111。之后，再于未被絕緣膠111覆蓋的光電半導(dǎo)體芯片106的上表面106c以及側(cè)壁106d上，涂布熒光層109 (如圖1E所繪示)。
[0054]值得注意的是，前述的熒光層109涂布步驟，可同時(shí)實(shí)施于多個(gè)光電半導(dǎo)體芯片106上。參照?qǐng)D2，圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所繪示，同時(shí)在多個(gè)光電半導(dǎo)體芯片106上涂布突光層209的結(jié)構(gòu)剖視圖。首先,通過(guò)晶片級(jí)制作工藝(wafer-level processing),采用如圖1A至ID所示的步驟，將多個(gè)光電半導(dǎo)體芯片106，以陣列型式排列并固定于基材101上。再同步地在多個(gè)光電半導(dǎo)體芯片106上，進(jìn)行如圖1E所示的熒光層209涂布步驟。后續(xù)，進(jìn)行晶片切割(wafer dicing)步驟212,形成類似圖1E所示的結(jié)構(gòu)。由于晶片級(jí)制作工藝，可將多個(gè)光電半導(dǎo)體芯片106，緊密排列于基材101上，縮短相鄰二個(gè)光電半導(dǎo)體芯片106之間的間距。故而，在進(jìn)行熒光層109涂布步驟時(shí)，可增加各個(gè)光電半導(dǎo)體元件106的熒光層109的均勻性。
[0055]接著請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D1E，將與光電半導(dǎo)體芯片106結(jié)合的基材101，固定于承載基板108上。在本發(fā)明的一些實(shí)施例之中，使用錫球110將基材101第二表面101的焊墊104a和104b與位于承載基板108上的金屬線路108a連接，并且使光電半導(dǎo)體芯片106和承載基板108產(chǎn)生電性接觸(如圖1F所繪示)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例之中，承載基板108可以是金屬核心的印刷電路板(Metal Core Printed Circuit Board, MCPCB)、陶瓷電路板(ceramic circuit board)或具有良好的熱傳導(dǎo)效果的基板。
[0056]由于本發(fā)明的實(shí)施例，是采用倒裝封裝結(jié)構(gòu)，來(lái)對(duì)光電半導(dǎo)體芯片106進(jìn)行封裝。亦即是采用縱向?qū)?zhǔn)，且直接和實(shí)心介層插塞102a和102b接觸的錫球107以及110，來(lái)使光電半導(dǎo)體芯片106固定于承載基板108上，并且與承載基板108的金屬線路108a產(chǎn)生電連接。因此封裝結(jié)構(gòu)并不需要橫向延伸，所需要的封裝尺寸較小，有利于光電半導(dǎo)體元件100的微小化。且可使更多的光電半導(dǎo)體芯片106，緊密排列于承載基板108上，大幅提高光電半導(dǎo)體元件100的封裝密度(packaging density)。
[0057]后續(xù)，以封膠體112包覆基材101、光電半導(dǎo)體芯片106、熒光層109以及一部分的承載基板108，用于將基材101、發(fā)光半導(dǎo)體晶106片以及熒光層109與外部空氣隔離，形成如圖1G所繪示的光電半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)100。
[0058]其中，光電半導(dǎo)體兀件100包括基材101、實(shí)心介層插塞102a和102b、光電半導(dǎo)體芯片106、熒光層109、承載基板108以及封膠體112。其中，實(shí)心介層插塞102a和102b貫穿基材101。光電半導(dǎo)體芯片106，具有電極106a和106b，對(duì)準(zhǔn)并與實(shí)心介層插塞102a和102b電性接觸。熒光層109覆蓋于光電半導(dǎo)體芯片106的上表面106c以及側(cè)壁106d上。基材101固定于承載基板108之上。封膠體112包覆基材101、光電半導(dǎo)體芯片106、熒光層109以及一部分的承載基板108上，用于將基材101、發(fā)光半導(dǎo)體晶106片以及熒光層109與外部空氣隔離。
[0059]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，封膠體112的材質(zhì)，較佳可以是環(huán)氧樹(shù)脂、硅膠或聚亞酰胺(Polyimide,PI)等透明的封膠體化合物(Molding Compounds)。凝固后的封膠體112,除可保護(hù)光電半導(dǎo)體元件100外，還可形成半球形的透明微透鏡結(jié)構(gòu)，用來(lái)增進(jìn)光電半導(dǎo)體元件100的光學(xué)效率。
[0060]雖然在本實(shí)施例中，封膠體112單一透明微透鏡結(jié)構(gòu)，僅包覆一個(gè)由基材101、發(fā)光半導(dǎo)體晶106，但本發(fā)明的其他實(shí)施例中并不以此為限。例如請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖3是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的光電半導(dǎo)體元件300的結(jié)構(gòu)剖視圖。其中，光電半導(dǎo)體元件300光電半導(dǎo)體芯片106的結(jié)構(gòu)大致與光電半導(dǎo)體兀件100相似,差別在于,光電半導(dǎo)體兀件300中，由封膠體312所構(gòu)成的單一透明微透鏡結(jié)構(gòu)，可同時(shí)包覆多個(gè)固定于承載基板208上的發(fā)光半導(dǎo)體晶106。
[0061]根據(jù)上述實(shí)施例，本發(fā)明是提供一種光電半導(dǎo)體元件，其是采用倒裝接合方式，將至少一光電半導(dǎo)體芯片的電極，直接與貫穿基材的實(shí)心介層插塞焊墊結(jié)合。之后，再將熒光層覆蓋于光電半導(dǎo)體芯片的至少一表面上，并以封膠體包覆基材、光電半導(dǎo)體芯片以及熒光層。
[0062]相較于現(xiàn)有打線封裝技術(shù)，光電半導(dǎo)體芯片在進(jìn)行封裝時(shí)，封裝結(jié)構(gòu)必須橫向延伸，方能使打線與基材的焊墊電連接。采用倒裝封裝結(jié)構(gòu)的光電半導(dǎo)體芯片，其與芯片電極是縱向?qū)?zhǔn)下方的實(shí)心介層插塞接觸，所需要的封裝尺寸較小，可使光電半導(dǎo)體芯片排列更加緊密有利于光電半導(dǎo)體元件的微小化。
[0063]另外，當(dāng)進(jìn)行熒光層涂布與封裝時(shí)，還可增加各個(gè)光電半導(dǎo)體元件的熒光層的均勻性，解決現(xiàn)有光電半導(dǎo)體元件偏光或偏色的問(wèn)題。再加上，本發(fā)明的倒裝封裝技術(shù)，所采用的實(shí)心介層插塞，可有效率地將光電半導(dǎo)體芯片所產(chǎn)生的熱，外扇到基材背面，相較于現(xiàn)有的打線封裝技術(shù)，其散熱效果更佳，可提升光電半導(dǎo)體元件的效能。
[0064]雖然已結(jié)合以上較佳實(shí)施例公開(kāi)了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明。任何該領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種光電半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括: 基材； 第一實(shí)心介層插塞,貫穿該基材； 光電半導(dǎo)體芯片，具有一第一電極，對(duì)準(zhǔn)并與該第一實(shí)心介層插塞電連接； 突光層，覆蓋于該光電半導(dǎo)體芯片的至少一表面；以及 封膠體，包覆該基材、該光電半導(dǎo)體芯片以及該熒光層。
2.如權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，還包括: 第一圖案化金屬層，位于該基材的一第一表面上，具有至少一第一焊墊，對(duì)準(zhǔn)且與該第一實(shí)心介層插塞直接接觸；以及 第二圖案化金屬層，位于該基材的一第二表面上，具有至少一第二焊墊，對(duì)準(zhǔn)且與該第一實(shí)心介層插塞直接接觸；其中該第二表面，位于該基材上相對(duì)于該第一表面的相反一側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的光電半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一電極經(jīng)由該第一焊墊，與該第一實(shí)心介層插塞電連接。
4.如權(quán)利要求2所述的光電半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，還包含承載基板，與該基材結(jié)合；通過(guò)該承載基板和該封膠體，將該基材、該發(fā)光二極管芯片以及該熒光層與外部空氣隔離。
5.如權(quán)利要求4所述的光電半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該承載基板具有一金屬線路，與該第二焊墊直接接觸。
6.如權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，還包含第二實(shí)心介層插塞，貫穿該基材，且對(duì)準(zhǔn)并與該光電半導(dǎo)體芯片的一第二電極電連接。
7.一種光電半導(dǎo)體芯片的封裝方法，包含下述步驟: 提供一基材以及一第一實(shí)心介層插塞，貫穿該基材； 將一光電半導(dǎo)體芯片的一第一電極，對(duì)準(zhǔn)并與該第一實(shí)心介層插塞電性接觸； 于該光電半導(dǎo)體芯片的至少一表面，涂布一熒光層；以及 以一封膠體包覆該基材、該發(fā)光半導(dǎo)體芯片以及該熒光層。
8.如權(quán)利要求7所述的的光電半導(dǎo)體芯片封裝方法，其中提供該基材與該第一實(shí)心介層插塞的歩驟，還包括: 于該基材的一第一表面上，形成具有至少一第一焊墊的一第一圖案化金屬層，使該第一焊墊對(duì)準(zhǔn)且與該第一實(shí)心介層插塞直接接觸；以及 于該基材的一第二表面上，形成具有至少一第二焊墊的一第二圖案化金屬層，對(duì)準(zhǔn)且與該第一實(shí)心介層插塞直接接觸，其中該第二表面，位于該基材上相對(duì)于該第一表面的相反一側(cè)。
9.如權(quán)利要求8所述的的光電半導(dǎo)體芯片封裝方法，其中提供該基材與該第一實(shí)心介層插塞的歩驟，還包括于該圖案化第一金屬層之上，形成一圖案化絕緣層，將該第一焊墊暴露于外。
10.如權(quán)利要求8所述的光電半導(dǎo)體芯片封裝方法，其中將該光電半導(dǎo)體芯片的該第一電極，對(duì)準(zhǔn)并與該第一實(shí)心介層插塞電性接觸的步驟，包括使用一錫球來(lái)連接該第一電極與該第一焊墊。
11.如權(quán)利要求8所述之光電半導(dǎo)體芯片封裝方法，還包括將一承載基板與該基材結(jié)合，并使該第二焊墊與該承載基板的一金屬線路電連接。
12.如權(quán)利要求11所述的光電半導(dǎo)體芯片封裝方法，其中將該承載基板與該基材結(jié)合的步驟，包括使用一錫球，連接該金屬線路與該第二焊墊。
13.如權(quán)利要求11所述的光電半導(dǎo)體芯片封裝方法，其中在將該封膠體包覆該基材、該發(fā)光半導(dǎo)體芯片以及該熒光層的步驟，包括以該封膠體包覆該基材、該光電半導(dǎo)體芯片、該熒光層以及一部分該承載基板，用于將該基材、該光電半導(dǎo)體芯片以及該熒光層與外部空氣隔離。
14.如權(quán)利要求7所述的光電半導(dǎo)體芯片封裝方法，還包括: 提供一第二實(shí)心介層插塞，貫穿該基材，使該光電半導(dǎo)體芯片的至少一第二電極，對(duì)準(zhǔn)且與該第二實(shí)心介層插塞電連接。
【文檔編號(hào)】H01L33/38GK104465932SQ201310426331
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月18日
【發(fā)明者】錢(qián)文正, 黃田昊, 吳上義 申請(qǐng)人:聯(lián)京光電股份有限公司