用于半導(dǎo)體集成器件的表面裝配封裝、相關(guān)組件和制造工藝的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種半導(dǎo)體器件的表面裝配封裝，具有：封包體，容納包括半導(dǎo)體材料的至少一個(gè)裸片；以及電接觸引線(xiàn)，從封包體突出以電耦合到電路板的接觸焊盤(pán)；封包體具有被設(shè)計(jì)為與電路板的頂表面相向的主面，主面具有耦合特征，耦合特征被設(shè)計(jì)用于機(jī)械耦合到電路板以增加裝配的封裝的共振頻率。耦合特征構(gòu)思從主面開(kāi)始在封包體內(nèi)限定的至少一個(gè)第一耦合凹陷，第一耦合凹陷被設(shè)計(jì)為由被固定到電路板的對(duì)應(yīng)耦合元件接合，由此約束裝配的封裝的移動(dòng)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】用于半導(dǎo)體集成器件的表面裝配封裝、相關(guān)組件和制造工
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【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開(kāi)涉及一種用于半導(dǎo)體集成器件的表面裝配封裝、相關(guān)組件和制造工藝；具體而言，以下討論將參照用于例如用于汽車(chē)應(yīng)用的加速度計(jì)傳感器的封裝而這并未暗示任何有失一般性。
【背景技術(shù)】
[0002]正如所知，半導(dǎo)體器件通常包括例如塑料或者陶瓷材料的封裝，該封裝被設(shè)計(jì)用于封包一個(gè)或者多個(gè)半導(dǎo)體材料裸片，該裸片集成對(duì)應(yīng)微機(jī)械結(jié)構(gòu)(例如MEMS感測(cè)結(jié)構(gòu))和/或集成電路(例如耦合到感測(cè)結(jié)構(gòu)的ASIC電路)；普遍借助模制技術(shù)制作封裝。
[0003]例如圖1示出用I表示的半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括通常稱(chēng)為“鷗翼型有引線(xiàn)封裝”的類(lèi)型的表面裝配封裝2。
[0004]封裝2包括由例如環(huán)氧樹(shù)脂材料的模具化合物制成的封包體3，該封包體在其內(nèi)包含的容納空間中封包半導(dǎo)體器件I的一個(gè)或者多個(gè)裸片(這里未示出)。金屬材料的某一數(shù)目的引線(xiàn)4(在圖1中示出每邊四個(gè)引線(xiàn)作為示例)電連接到封包體3內(nèi)的一個(gè)裸片(或者多個(gè)裸片)并且從其突出，以便允許通常經(jīng)由焊接到外部電子裝置的印刷電路板(PCB)來(lái)電連接到外界環(huán)境。
[0005]引線(xiàn)4被成形為鷗翼(因此為用于封裝類(lèi)型的常用名稱(chēng))并且在封包體3以外具有接合到封包體3的第一基本上平坦部分4a、將焊接到外部印刷電路板上的接觸焊盤(pán)的第二基本上平坦部分4b以及連接和接合第一和第二基本上平坦部分4a、4b的傾斜部分4c。
[0006]具體而言，已知包括(例如鷗翼型有引線(xiàn)類(lèi)型的)封裝的加速度計(jì)集成傳感器，該封裝封包相關(guān)微機(jī)械感測(cè)結(jié)構(gòu)和電子電路。
[0007]封裝被設(shè)計(jì)用于例如經(jīng)由焊接來(lái)耦合到電子裝置的印刷電路板，該電子裝置例如便攜裝置(諸如智能電話(huà)、寫(xiě)字板、PDA、便攜PC、相機(jī))或者汽車(chē)車(chē)輛的氣囊控制模塊。
[0008]在若干應(yīng)用中，在裝配于外部印刷電路板上時(shí)，封裝的半導(dǎo)體器件的機(jī)械共振頻率是影響整個(gè)系統(tǒng)的性能的重要設(shè)計(jì)規(guī)范。
[0009]例如在汽車(chē)領(lǐng)域中，通常希望用于氣囊應(yīng)用的加速度計(jì)傳感器在裝配于外部板上時(shí)具有至少45kHz的最小自然共振頻率以便保證可靠操作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本 申請(qǐng)人:已經(jīng)認(rèn)識(shí)到已知的封裝和組裝技術(shù)可能不能保證用于最小共振頻率的所需值。
[0011]具體而言，在以上討論的表面裝配封裝的情況下， 申請(qǐng)人:已經(jīng)認(rèn)識(shí)到鷗翼形引線(xiàn)的非所需移動(dòng)(例如其“擺動(dòng)”)可能是對(duì)封裝的組件的自然共振頻率的值有限制的因素。
[0012]本公開(kāi)的一個(gè)或者多個(gè)實(shí)施例將提供一種實(shí)現(xiàn)增加機(jī)械共振頻率性能的用于集成半導(dǎo)體器件的改進(jìn)的封裝和裝配解決方案。[0013]根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)或者多個(gè)實(shí)施例，提供一種集成半導(dǎo)體器件的封裝、相關(guān)組件和制造工藝。
[0014]根據(jù)本公開(kāi)的第一方面，提供一種半導(dǎo)體器件的表面裝配封裝，包括:
[0015]封包體，容納包括半導(dǎo)體材料的至少一個(gè)裸片；以及
[0016]電接觸引線(xiàn)，從所述封包體突出并且被設(shè)計(jì)為耦合到由電路板的頂表面承載的接觸焊盤(pán)，
[0017]所述封包體具有主面，所述主面被設(shè)計(jì)為與所述電路板的所述頂表面相向并且具有耦合特征，所述耦合特征被設(shè)計(jì)為提供去往所述電路板的機(jī)械耦合，由此增加所述裝配的封裝的共振頻率。
[0018]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述耦合特征包括從所述主面開(kāi)始在所述封包體內(nèi)限定的至少第一耦合凹陷，所述第一耦合凹陷被設(shè)計(jì)為由被固定到所述電路板的對(duì)應(yīng)耦合元件接合，由此在所述封裝被裝配到所述電路板上時(shí)約束所述封包體的移動(dòng)。
[0019]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述第一耦合凹陷具有沿著橫切于所述主面的豎直方向的在50μηι與150 μ m之間包括的深度。
[0020]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述耦合特征包括從所述主面開(kāi)始在所述封包體內(nèi)限定的至少第二耦合凹陷，所述第二耦合凹陷被設(shè)計(jì)為由被固定到所述電路板的相應(yīng)耦合元件接合。
[0021]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述封包體在平面圖中具有一般矩形形狀，所述矩形形狀具有所述電接觸引線(xiàn)從其突出的主邊并且具有副邊；其中所述第一耦合凹陷和所述第二耦合凹陷布置于所述副邊中的相應(yīng)副邊處。
[0022]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述第一耦合凹陷和所述第二耦合凹陷布置于所述副邊中的所述相應(yīng)副邊的延伸的中間處；或者沿著所述副邊中的所述相應(yīng)副邊的延伸的三分之一處。
[0023]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，還包括容納于所述封包體內(nèi)、耦合到所述電接觸引線(xiàn)并且支撐所述至少一個(gè)裸片的引線(xiàn)框架；其中所述封包體由模制化合物制成。
[0024]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述半導(dǎo)體器件是用于汽車(chē)應(yīng)用的加速度計(jì)。
[0025]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，為鷗翼型有引線(xiàn)類(lèi)型。
[0026]根據(jù)本公開(kāi)的第二方面，提供一種包括上述任何表面裝配封裝和電路板的組件，其中所述耦合特征包括在所述封包體內(nèi)從其所述主面開(kāi)始限定的至少第一耦合凹陷；還包括固定到所述電路板的至少一個(gè)耦合元件，所述至少一個(gè)耦合元件接合所述第一耦合凹陷，由此約束所述裝配的封裝的移動(dòng)。
[0027]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述耦合元件由錫堤區(qū)域限定，所述錫堤區(qū)域在相鄰接觸焊盤(pán)之間布置于所述電路板的所述頂表面上并且被設(shè)計(jì)為避免焊接材料在所述相鄰接觸焊盤(pán)之間流動(dòng)。
[0028]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，包括布置于所述電路板的所述頂表面處的至少一個(gè)耦合焊盤(pán)，所述至少一個(gè)耦合焊盤(pán)耦合到所述錫堤區(qū)域。
[0029]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述耦合元件被配置為在所述耦合凹陷內(nèi)粘附到所述封包體。
[0030]根據(jù)本公開(kāi)的第三方面，提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的表面裝配封裝的方法，包括:
[0031]形成封包體，所述封包體容納包括半導(dǎo)體材料的至少一個(gè)裸片；并且
[0032]提供電接觸引線(xiàn)，所述電接觸引線(xiàn)從所述封包體突出并且被設(shè)計(jì)為電耦合到電路板的接觸焊盤(pán)，
[0033]包括以下步驟:在所述封包體的被設(shè)計(jì)為與所述電路板的頂表面相向的主面處限定被設(shè)計(jì)用于機(jī)械耦合到所述電路板的耦合特征，由此增加所述裝配的封裝的諧振頻率。
[0034]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述形成封包體的步驟包括在具有第一半部和第二半部的模具內(nèi)注入模制化合物，所述第一半部和第二半部在它們內(nèi)限定模制空腔；其中所述第一半部和第二半部之一具有在所述封包體的所述主面處向所述模制空腔中突出的至少一個(gè)突出桿；并且其中在所述注入步驟之后，所述封包體具有在由所述突出桿先前占據(jù)的位置從所述主面開(kāi)始在所述封包體內(nèi)限定的耦合凹陷作為耦合特征。
[0035]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述突出桿是移動(dòng)頂桿；其中所述形成封包體的步驟包括在所述注入步驟之后經(jīng)由所述突出桿施加的推動(dòng)動(dòng)作從所述模具推開(kāi)所述封包體。
[0036]根據(jù)本公開(kāi)的第四方面，提供一種用于將上述表面裝配封裝組裝到電路板的方法，其中所述耦合特征包括在所述封包體內(nèi)從其所述主面開(kāi)始限定的至少第一耦合凹陷；包括以下步驟:在所述電路板的所述頂表面上形成至少一個(gè)耦合元件，所述至少一個(gè)耦合元件被設(shè)計(jì)為接合所述第一耦合凹陷以由此約束所述裝配的封裝的移動(dòng)。
[0037]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述形成步驟包括以下步驟:在所述頂表面上在耦合焊盤(pán)處沉積錫堤區(qū)域；在所述頂表面上放置所述封裝，使得所述錫堤區(qū)域進(jìn)入所述耦合凹陷中；并且執(zhí)行焊料回流操作，使得所述錫堤區(qū)域形成粘附到所述耦合凹陷的所述耦合元件。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0038]為了更好地理解本公開(kāi)，現(xiàn)在僅通過(guò)非限制示例并且參照附圖描述其優(yōu)選實(shí)施例，在附圖中:
[0039]圖1是已知類(lèi)型的封裝的半導(dǎo)體器件的示意透視圖；
[0040]圖2是裝配于電路板上的根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的封裝的半導(dǎo)體器件的截面圖；
[0041]圖3a — 3c是與將封裝的半導(dǎo)體器件組裝到電路板相關(guān)的截面圖；
[0042]圖4a_4d是封裝的半導(dǎo)體器件在對(duì)應(yīng)的模制工藝的相繼步驟中的截面圖；
[0043]圖5a和5b是根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的封裝的半導(dǎo)體器件的實(shí)施例的仰視圖；并且
[0044]圖6是包括圖2的封裝的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的簡(jiǎn)化框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0045]本公開(kāi)的一個(gè)方面構(gòu)思通過(guò)在集成半導(dǎo)體器件的封裝與外部板之間提供附加耦合元件來(lái)提高裝配于外部板上的封裝的半導(dǎo)體器件的機(jī)械共振頻率性能，從而增加所得組件的自然共振頻率，該附加耦合元件被設(shè)計(jì)以便約束例如在三維空間的所有三個(gè)方向X、y和z上的非所需移動(dòng)。
[0046]圖2不意地不出再次用I表不的集成半導(dǎo)體器件(一般而言相同標(biāo)號(hào)用來(lái)表不與圖1中所示元件相似的元件)，該集成半導(dǎo)體器件包括例如“鷗翼型有引線(xiàn)”類(lèi)型的表面裝配封裝2。
[0047]封裝2被焊接到外部電氣或者電子電路板10(具體為印刷電路板PCB，其中用任何已知方式先前已經(jīng)限定焊盤(pán)和傳導(dǎo)跡線(xiàn)，例如經(jīng)由網(wǎng)印技術(shù))。[0048]引線(xiàn)4借助焊接來(lái)機(jī)械或者電耦合到在電路板10的與封裝2相向的前表面IOa處布置的相應(yīng)接觸焊盤(pán)12。
[0049]封裝2的封包體3具有與電路板10的前表面IOa相向的底表面3a和沿著與封裝2的主要延伸的水平平面xy正交的豎直方向z與底表面3a相對(duì)的頂表面3b。
[0050]封包體3的底表面3a具有被設(shè)計(jì)用于與電路板10進(jìn)一步機(jī)械稱(chēng)合的稱(chēng)合特征。
[0051]具體而言，從底表面3a開(kāi)始在封包體3內(nèi)限定至少一個(gè)耦合凹陷(或者孔)14 ；耦合凹陷14具有在豎直方向z上的例如在50 μ m與150 μ m之間包括的深度和在水平平面中的在50 μ m與500 μ m之間包括的寬度(或者在圓形截面的情況下為直徑)
[0052]耦合凹陷14被設(shè)計(jì)用于在封裝2被裝配到電路板10上時(shí)與被耦合和固定到相同電路板10的相應(yīng)稱(chēng)合元件16接合(engage)。
[0053]在一個(gè)實(shí)施例中，耦合元件16布置于電路板10的前表面10a，并且在距接觸焊盤(pán)12適當(dāng)距離處，以便進(jìn)入耦合凹陷14中從而粘附到其側(cè)壁和底壁(換而言之，耦合元件16在封裝2被焊接到電路板10時(shí)呈現(xiàn)與耦合凹陷14的形狀匹配的形狀)。
[0054]在耦合元件16與耦合凹陷14之間的接合阻礙封裝的半導(dǎo)體器件I沿著豎直方向z以及也沿著水平平面xy的第一和第二水平方向x、y (與豎直方向z形成一組三個(gè)笛卡爾軸)的非所需移動(dòng)。
[0055]在一個(gè)可能實(shí)施例中，耦合元件16由在例如銅材料的相應(yīng)耦合焊盤(pán)18上的在電路板10的頂表面IOa處布置的錫堤(solder dam)形成。
[0056]正如所知，錫堤是適當(dāng)材料(例如聚酰亞胺或者焊膏)的如下區(qū)域，該區(qū)域在電路板10的前表面IOa處被放置于相鄰接觸焊盤(pán)12 (或者跡線(xiàn))之間，以便防止焊料在焊接和回流操作期間從一個(gè)焊盤(pán)(或者跡線(xiàn))流向另一焊盤(pán)(或者跡線(xiàn))。
[0057]如圖3a (未按比例繪制)中所示，在錫堤區(qū)域19包括焊膏材料的情況下，首先例如通過(guò)網(wǎng)印在電路板10的前表面IOa上形成錫堤區(qū)域19，而使適當(dāng)量被放置于被設(shè)計(jì)為在耦合凹陷14中的每個(gè)耦合凹陷下面的區(qū)段處。在這一節(jié)段，也在被布置于電路板10的前表面IOa處的每個(gè)接觸焊盤(pán)12處形成焊接接觸區(qū)域19’。
[0058]然后如圖3b中示意地所示，例如經(jīng)由“拾取和放置”技術(shù)在電路板10上裝配封裝2。
[0059]如圖3c中所示，錫堤區(qū)域19因此填充耦合凹陷14，并且焊料接觸區(qū)域19’接觸封裝2的相應(yīng)引線(xiàn)4。在通常的焊料回流操作之后，錫堤材料粘附到耦合凹陷14的側(cè)壁和底壁并且限定合適地接合相同耦合凹陷14的耦合元件16。
[0060]現(xiàn)在參照?qǐng)D4a_4d討論用于形成每個(gè)耦合凹陷14的可能解決方案；這一解決方案構(gòu)思(在它們的形狀有適當(dāng)修改的情況下)利用通常在模具的底部部分中存在的頂桿(ejector pin),從而用于在模制封包體3期間形成稱(chēng)合凹陷14。
[0061]具體而言，圖4a示出用于模制半導(dǎo)體器件I的工藝的初始步驟，為了簡(jiǎn)化而示出該半導(dǎo)體器件為包括例如集成感測(cè)微機(jī)械結(jié)構(gòu)的單個(gè)裸片20。
[0062]具體而言，半導(dǎo)體器件I的引線(xiàn)框架21定位于(這里未具體描述的已知類(lèi)型的)模制裝置的模具23的模制空腔22內(nèi)。引線(xiàn)框架21包括支撐裸片20并且完全布置于模制空腔22內(nèi)的裸片焊盤(pán)24，并且耦合到從模制空腔22出來(lái)的引線(xiàn)4(在圖4a中僅圖示這些引線(xiàn)中的兩個(gè)引線(xiàn))。方便地，裸片焊盤(pán)24和引線(xiàn)4具有例如數(shù)毫米的同一厚度，并且可以通過(guò)對(duì)金屬材料(例如銅)的相同條帶成形和處理來(lái)獲得。接線(xiàn)25將引線(xiàn)4電連接到由裸片20的頂表面20a (與接觸引線(xiàn)框架21的底表面20b相對(duì))承載的電接觸26。
[0063]模具23包括根據(jù)與封包體3符合的所需形狀被適當(dāng)?shù)爻尚尾⑶乙黄鹣薅Ｖ瓶涨?2 (具體為其頂壁、側(cè)壁和底壁)的頂半部23a和底半部23b。
[0064]具體而言，模具23的底半部23b具有從與模制空腔22相向的其基部向相同模制空腔22中突出的至少一個(gè)“頂桿”27。
[0065]在模制工藝的后續(xù)步驟(圖4b)中，在模制空腔22內(nèi)的壓強(qiáng)之下通過(guò)例如在引線(xiàn)4從模制空腔22出來(lái)的點(diǎn)處設(shè)置的輸入通道29注入在這一情況下為環(huán)氧樹(shù)脂(或者其它不導(dǎo)電熱固塑料材料)的封包材料28。在這一步驟中，模制空腔22逐漸地由封包材料填充，然而該封包材料尚未達(dá)到所需緊密度(熱固工藝仍然在進(jìn)行中)。顯然，封包材料不能填充模制空腔22內(nèi)的被“頂桿”27占據(jù)的空間。
[0066]接著(圖4c)，在熱固工藝之后，在封包材料已經(jīng)固化時(shí)，從形成的封包體3拉開(kāi)模具23的頂半部23a。
[0067]此后為圖4d，也通過(guò)沿著豎直方向z (以這里未具體討論的已知方式，例如在相同豎直方向z上沿著引導(dǎo)件滑動(dòng))施加推動(dòng)動(dòng)作的頂桿27的動(dòng)作從模具23的底半部23b拆卸封包體3。
[0068]在從模具23拆卸之后，因此形成具有在封包體3的底表面3a處限定的耦合特征(即至少一個(gè)耦合凹陷14)的封裝2。
[0069]圖5a示出一個(gè)可能實(shí)施例，該實(shí)施例構(gòu)思在封裝2的封包體3的底表面3a處存在兩個(gè)耦合凹陷(在這一情況下，在水平平面xy中具有一般圓形形狀)；這里用14表示第一耦合凹陷而用14’表示第二和又一耦合凹陷。
[0070]封包體3在平面圖中(在水平平面xy中)具有一般矩形形狀以及無(wú)引線(xiàn)4從其突出的第一和第二側(cè)邊3a’、3b’(例如這些邊平行于第二水平軸y);第一和第二側(cè)邊3a’、3b’在這一情況下在水平平面xy中是封包體3的周界中的短邊。
[0071]第一和第二耦合凹陷14、14’相對(duì)于封包體3的主體在相應(yīng)短側(cè)邊3a’、3b’處橫向布置于它的沿著第二水平軸I的延伸的大約中間處；沿著第一水平軸X對(duì)準(zhǔn)第一和第二耦合凹陷14、14’。
[0072]在圖5b中所示第二實(shí)施例中，第一和第二耦合凹陷14、14’布置于相應(yīng)第一或者第二側(cè)邊3a’、3b’的沿著第二水平軸I的延伸的三分之一處并且未沿著第一水平軸X對(duì)準(zhǔn)，但是代之以相對(duì)于結(jié)構(gòu)的中心對(duì)稱(chēng)。
[0073] 申請(qǐng)人:已經(jīng)示出裝配于電路板10上的封裝的半導(dǎo)體器件I的自然共振頻率在一個(gè)或者多個(gè)耦合凹陷14、14’存在于封包體3的底部處時(shí)的明顯增加。
[0074]具體而言，與用于其中無(wú)耦合特征存在的標(biāo)準(zhǔn)情況的34kHz的自然共振頻率(因此低于用于汽車(chē)應(yīng)用的所需值45kHz)比較， 申請(qǐng)人:已經(jīng)示出圖5a的示例實(shí)施例中的約80kHz的自然共振頻率(涉及第一共振模式)和圖5b的示例實(shí)施例中的約77kHz的自然共振頻率(再次涉及第一共振模式)。
[0075]更具體而言，與具有標(biāo)準(zhǔn)封裝(情況C)(即無(wú)耦合特征)的器件比較，下表I報(bào)告用于圖5a(情況A)、圖5b (情況B)的半導(dǎo)體器件I的模態(tài)頻率的確切值。
[0076]表I
【權(quán)利要求】
1.一種表面裝配封裝，包括: 封包體，容納半導(dǎo)體材料的裸片，所述封包體包括具有耦合元件的第一表面，所述耦合元件被配置為機(jī)械地接合電路板的第一表面的對(duì)應(yīng)耦合元件；以及 電接觸引線(xiàn)，從所述封包體突出并且被配置為耦合到所述電路板的所述第一表面的接觸焊盤(pán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述封包體的所述耦合元件是凹陷，其中在所述封裝被裝配到所述電路板的所述表面上時(shí)所述凹陷和所述電路板的所述耦合元件之間的所述接合限制所述封包體的移動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝，其中所述凹陷具有沿著橫切于所述第一表面的方向的在50 μ m與150 μ m之間包括的深度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝，其中所述凹陷是第一凹陷，所述封裝還包括第二凹陷，所述第二凹陷被配置為接收所述電路板的所述第一表面的第二耦合元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝，其中所述封包體在平面圖中具有總體矩形形狀，所述矩形形狀具有所述電接觸引線(xiàn)從其突出的主邊并且具有副邊；其中所述第一凹陷和所述第二凹陷布置于所述副邊中的相應(yīng)副邊處。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝，其中所述第一凹陷和所述第二凹陷布置于所述副邊中的所述相應(yīng)副邊的延伸的中間處。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，還包括容納于所述封包體內(nèi)并且支撐所述裸片的裸片焊盤(pán)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述裸片是加速度計(jì)?！?br> 9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述封裝是鷗翼型有引線(xiàn)類(lèi)型的封裝。
10.一種組件,包括: 封裝，其包括容納電子器件的封包體，所述封包體包括具有耦合元件的第一表面，所述封裝包括從所述封包體突出的電接觸引線(xiàn)； 電路板，具有包括耦合元件的第一表面，所述電路板的所述耦合元件被配置為與所述封包體的所述耦合元件接合。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的組件，其中所述電路板包括被配置為耦合到所述封裝的相應(yīng)電接觸引線(xiàn)的接觸焊盤(pán)，所述封包體的所述耦合元件是凹陷，所述電路板的所述耦合元件是錫堤區(qū)域，所述錫堤區(qū)域在相鄰接觸焊盤(pán)之間布置于所述電路板的所述第一表面上并且被配置為避免焊接材料在相鄰接觸焊盤(pán)之間流動(dòng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的組件，其中所述電路板的所述耦合元件包括布置于所述電路板的所述第一表面處的耦合焊盤(pán)，所述耦合焊盤(pán)耦合到所述錫堤區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的組件，其中所述封包體的所述耦合元件是凹陷，所述電路板的所述耦合元件被配置為在所述凹陷內(nèi)粘附到所述封包體。
14.一種方法,包括: 提供電接觸引線(xiàn)，所述電接觸引線(xiàn)被配置為電耦合到電路板的接觸焊盤(pán)；并且形成封包體，所述封包體容納半導(dǎo)體材料的裸片和所述電接觸引線(xiàn)的一部分，所述封包體包括具有耦合元件的表面，所述耦合元件被配置為與所述電路板的耦合元件機(jī)械地耦合。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中形成封包體包括允許封包體材料在模具的表面中的突出周?chē)鲃?dòng)，所述模具包括所述裸片和所述電接觸引線(xiàn)的一部分并且在所述封包體中形成作為所述耦合元件的凹陷。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中形成封包體包括向模具中注入封包體材料，所述模具移動(dòng)從所述模具的表面推開(kāi)所述封包體材料中的一些封包體材料的頂桿并且形成作為所述耦合元件的凹陷。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述封包體的所述耦合特征是凹陷，所述方法還包括將所述封包體耦合到電路板的耦合特征，所述耦合特征延伸到所述封包體材料的所述凹陷中。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中將所述封包體耦合到電路板的耦合特征包括: 在所述電路板的第一表面上沉積焊料材料； 在所述電路板的所述第一表面上的所述焊料材料之上定位所述封包體材料，使所述焊料材料在所述凹陷中； 回流所述焊料材料并且將所述焊料材料粘附到在所述凹陷中的所述封包體材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述封包體包括在所屬封包體材料中的多個(gè)凹陷。
20.根據(jù)權(quán)利要求14 所述的方法，其中所述裸片是加速度計(jì)。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK103824835SQ201310429654
【公開(kāi)日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2013年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月28日
【發(fā)明者】R·杜卡, K-Y·吳, 張學(xué)仁, K·福莫薩 申請(qǐng)人:意法半導(dǎo)體(馬耳他)有限公司, 意法半導(dǎo)體有限公司