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      有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法

      文檔序號:7265875閱讀:179來源:國知局
      有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器和一種用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括:基板;第一電極,在基板上;像素限定層,具有暴露第一電極的開口區(qū)域;分隔件,在像素限定層上;阻擋層,在像素限定層和分隔件之間,阻擋層比像素限定層和分隔件具有更高的密度;有機(jī)發(fā)射層,在第一電極上,處于第一電極的與開口區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中;以及第二電極,在有機(jī)發(fā)射層上。
      【專利說明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明的實(shí)施例的方面總體上涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器和用于制造有機(jī)發(fā)光 二極管顯示器的方法,并且更具體地講,涉及包括限定像素的像素限定層的有機(jī)發(fā)光二極 管顯示器和用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法。

      【背景技術(shù)】
      [0002] 顯示裝置是一種顯示圖像的裝置。近來,有機(jī)發(fā)光二極管顯示器備受關(guān)注。
      [0003] 與液晶顯示裝置不同,有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有自發(fā)光特性并且不需要單獨(dú)的 光源,因此可以具有減小的厚度和減輕的重量。另外,有機(jī)發(fā)光二極管顯示器表現(xiàn)出諸如低 功耗、高亮度和高響應(yīng)速度的高品質(zhì)特性。
      [0004] 傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括具有薄膜晶體管的像素電路、與像素電路連接 的第一電極、暴露第一電極的像素限定層、設(shè)置在像素限定層上的分隔件、設(shè)置在像素限定 層上的有機(jī)發(fā)射層和設(shè)置在有機(jī)發(fā)射層上的第二電極。
      [0005] 通過將掩模放置成接觸分隔件并且通過掩模將有機(jī)材料沉積在第一電極上來形 成傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光二極管顯不器的有機(jī)發(fā)射層。
      [0006] 然而,因?yàn)橛捎趯⒂糜谛纬捎袡C(jī)發(fā)射層的掩模放置成接觸分隔件使分隔件的一部 分因掩模的干擾而受損,所以上述傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可能具有因外部濕氣通過 分隔件的受損部分滲入有機(jī)發(fā)射層或像素電路中而造成的缺陷。
      [0007] 這個【背景技術(shù)】部分中公開的以上信息只是為了增強(qiáng)對所描述技術(shù)的背景的理解, 因此以上信息可能包含不形成本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在本國已經(jīng)知道的現(xiàn)有技術(shù)的信息。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0008] 示例性實(shí)施例提供了一種抑制外部濕氣滲入的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器和制造有 機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法。
      [0009] 第一示例性實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示 器包括:基板;第一電極,在基板上;像素限定層,具有暴露第一電極的開口區(qū)域;分隔件, 在像素限定層上;阻擋層,在像素限定層和分隔件之間,阻擋層比像素限定層和分隔件具有 更高的密度;有機(jī)發(fā)射層,在第一電極上,處于第一電極的與開口區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中;以及 第二電極,在有機(jī)發(fā)射層上。
      [0010] 像素限定層和分隔件均可以含有有機(jī)材料。
      [0011] 阻擋層可以含有無機(jī)材料。
      [0012] 阻擋層可以含有金屬材料。
      [0013] 阻擋層可以含有非晶材料。
      [0014] 阻擋層可以接觸像素限定層和分隔件。
      [0015] 第二示例性實(shí)施例提供了一種用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法,所述方法 包括:在基板上形成第一電極;在基板上形成具有開口區(qū)域的像素限定層,開口區(qū)域暴露 第一電極;在整個基板上方,在像素限定層上形成基體阻擋層,基體阻擋層比像素限定層具 有更高的密度;在基體阻擋層上的與像素限定層對應(yīng)的區(qū)域中形成分隔件;使用分隔件作 為掩模蝕刻基體阻擋層,以形成阻擋層;放置圖案掩模使其接觸分隔件,圖案掩模包括與開 口區(qū)域?qū)?yīng)的開口圖案,并且通過開口圖案在第一電極上沉積有機(jī)發(fā)射層;以及在有機(jī)發(fā) 射層上形成第二電極。
      [0016] 形成像素限定層的步驟和形成分隔件的步驟都可以通過在基板上涂覆感光有機(jī) 材料并且將感光有機(jī)材料曝光和顯影來執(zhí)行。
      [0017] 形成基體阻擋層的步驟可以通過在整個基板上方形成無機(jī)材料來執(zhí)行。
      [0018] 形成基體阻擋層的步驟可以通過在整個基板上方形成金屬材料來執(zhí)行。
      [0019] 形成基體阻擋層的步驟可以通過在整個基板上方形成非晶材料來執(zhí)行。
      [0020] 根據(jù)用于解決本發(fā)明所提出問題的手段的上述示例性實(shí)施例中的一個,提供了一 種抑制外部濕氣滲入的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器和用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0021] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器 的方法的流程圖。
      [0022] 圖2、圖3、圖4和圖5是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的用于制造有機(jī)發(fā)光二極管 顯示器的方法的剖視圖。
      [0023] 圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。

      【具體實(shí)施方式】
      [0024] 在下面的詳細(xì)描述中,只是簡單地以舉例方式示出和描述了某些示例性實(shí)施例。 如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到的,在全部不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下,可以用各 種不同方式修改所描述的實(shí)施例。
      [0025] 在描述本發(fā)明的過程中,將省略與本發(fā)明的方面的描述不相關(guān)的那些部分的描 述。在整個說明書中,類似的參考標(biāo)號通常指定類似的元件。
      [0026] 此外,因?yàn)闉榱吮阌谡f明任意地示出附圖中示出的各個結(jié)構(gòu)組件的尺寸和厚度, 所以本發(fā)明的實(shí)施例不必限于圖示的尺寸和厚度。
      [0027] 在附圖中,為了清晰起見,夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在附圖中,為了理解 和易于描述,夸大了一些層和區(qū)域的厚度。應(yīng)該理解,除非另外指明,否則當(dāng)元件諸如層、 膜、區(qū)域或基板被稱為"在"另一個元件"上"時,它可以直接在另一個元件上或者在其間也 可以存在一個或多個中間元件。
      [0028] 另外,除非相反地明確描述,否則詞語"包括"及其變形形式將被理解為隱含著包 括所述元件但不排除任何其它元件。另外,在整個說明書中,"在...上"意指位于目標(biāo)元件 的上方或下方,并不一定意指位于基于例如重力方向的頂部。
      [0029] 下文中,將參照圖1、圖2、圖3、圖4和圖5描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的用于制造 有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法。
      [0030] 圖1是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法的 流程圖。圖2、圖3、圖4和圖5是用于解釋根據(jù)第一示例性實(shí)施例的用于制造有機(jī)發(fā)光二 極管顯示器的方法的剖視圖。
      [0031] 首先,如圖1和圖2中所示,在基板100上形成第一電極300 (S100)。
      [0032] 更詳細(xì)地講,在形成為由玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成的絕緣基板的基板10上形 成像素電路200。像素電路200可以包括像素線、與像素線連接以對應(yīng)于一個像素的兩個或 更多個薄膜晶體管TFT和至少一個電容器,所述像素線包括至少一個掃描線、至少一個數(shù) 據(jù)線和至少一個驅(qū)動功率線。像素電路200可以具有各種已知結(jié)構(gòu)。這里,像素是指顯示 圖像的基本(或最小)單元,并且有機(jī)發(fā)光二極管顯示器使用多個像素顯示圖像??梢酝ㄟ^ 使用MEMS技術(shù)諸如光刻來形成像素電路200。
      [0033] 在像素電路200上形成與薄膜晶體管連接的第一電極300。第一電極300可以對 應(yīng)于一個像素,并且第一電極300的多個部分在像素電路200上彼此分隔開。
      [0034] 在基板100上形成像素限定層400 (S200)。
      [0035] 更詳細(xì)地講,在基板100上形成包括暴露第一電極300的開口區(qū)域410的像素限 定層400,以覆蓋第一電極300的邊緣部分??梢酝ㄟ^在基板100上涂覆包括感光有機(jī)材料 的第一有機(jī)層,通過透光掩模將包括感光有機(jī)材料的第一有機(jī)層曝光,然后將經(jīng)過曝光的 第一有機(jī)層顯影,從而形成像素限定層400。
      [0036] 在像素限定層400上形成基體阻擋層501 (S300)。
      [0037] 更詳細(xì)地講,在整個基板100上方,在像素限定層400上形成比像素限定層400具 有更高密度的基體阻擋層501。基體阻擋層501可以含有比像素限定層400中含有的感光 有機(jī)材料具有更高密度的材料?;w阻擋層501可以含有無機(jī)材料、金屬材料或非晶材料。
      [0038] 例如,可以通過在整個基板100上方沉積諸如氮化硅或氧化硅的無機(jī)材料,形成 基體阻擋層501。
      [0039] 在另一個示例中,可以通過在整個基板100上方沉積諸如鋁或鈦的金屬材料,形 成基體阻擋層501。
      [0040] 在又一個示例中,可以通過在整個基板100上方沉積諸如玻璃、石英、非晶硅或非 晶氧化物的非晶材料,形成基體阻擋層501。
      [0041] 在基體阻擋層501上形成分隔件600 (S400)。
      [0042] 更詳細(xì)地講,在基體阻擋層501上形成分隔件600,使其對應(yīng)于像素限定層400???以通過在基體阻擋層501上涂覆含有感光有機(jī)材料的第二有機(jī)層,通過透光掩模將含有感 光有機(jī)材料的第二有機(jī)層曝光,然后將經(jīng)過曝光的第二有機(jī)層顯影,從而形成分隔件600。 分隔件600含有比基體阻擋層501具有更低密度的感光有機(jī)材料。
      [0043] 參照圖3,通過蝕刻基體阻擋層501形成阻擋層500 (S500)。
      [0044] 更詳細(xì)地講,通過使用分隔件600作為掩模蝕刻基體阻擋層501來形成阻擋層 500??梢酝ㄟ^使用分隔件600作為掩模對基體阻擋層501進(jìn)行濕蝕刻或干蝕刻來形成阻 擋層500。阻擋層500比含有有機(jī)材料的像素限定層400和分隔件600具有更高的密度,并 且可以根據(jù)基體阻擋層501含有什么材料(例如,用于形成基體阻擋層501的材料)而含有 無機(jī)材料、金屬材料或非晶材料。
      [0045] 可供選擇地,可以通過在分隔件600上放置額外掩模并且使用額外掩模蝕刻基體 阻擋層501,形成阻擋層500。
      [0046] 參照圖4,在第一電極300上形成有機(jī)發(fā)射層700 (S600)。
      [0047] 更詳細(xì)地講,將包括與開口區(qū)域410對應(yīng)的開口圖案(或開口)11的圖案掩模10 放置成接觸分隔件600,并且通過開口圖案11在第一電極300上形成有機(jī)發(fā)射層700???以通過將圖案掩模10放置成接觸分隔件600,然后通過圖案掩模10的開口圖案11將來自 沉積源20的有機(jī)磷材料沉積到第一電極300上,從而形成有機(jī)發(fā)射層700。圖案掩模10可 以包括開口圖案11,開口圖案11對應(yīng)于暴露第一電極300的多個部分中的所選一部分的開 口區(qū)域410。
      [0048] 以此方式,當(dāng)圖案掩模10接觸分隔件600時,沉積有機(jī)發(fā)射層700。因此,分隔件 600阻擋或防止有機(jī)發(fā)射材料通過開口圖案11沉積在第一電極300的除了第一電極300的 目標(biāo)部分之外的部分上。也就是說,分隔件600抑制了有機(jī)發(fā)射材料沉積到不期望(或不意 圖)的區(qū)域上。
      [0049] 此外,容易將圖案掩模10安裝在基板100上,以當(dāng)圖案掩模10接觸分隔件600時 沉積有機(jī)發(fā)射層700,從而抑制在沉積整個有機(jī)發(fā)射層700的過程中出現(xiàn)誤差。
      [0050] 參照圖5,在有機(jī)發(fā)射層700上形成第二電極800 (S700)。
      [0051] 更詳細(xì)地講,在整個基板100上方形成第二電極800,使得第二電極800形成在有 機(jī)發(fā)射層700上。
      [0052] 可以在第二電極800上連同基板100 -起形成薄膜包封層,以密封有機(jī)發(fā)光二極 管 0LED。
      [0053] 可以通過以上工序制造以下將描述的根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管 顯示器。
      [0054] 現(xiàn)在,將參照圖6描述根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
      [0055] 圖6是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。
      [0056] 如圖6中所示,根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括基板100、像 素電路200、有機(jī)發(fā)光二極管0LED、像素限定層400、分隔件600、阻擋層500和薄膜包封層 900。
      [0057] 基板100被形成為由玻璃、石英、陶瓷、金屬、塑料等制成的絕緣基板。此外,如果 基板100由塑料等制成,則有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以是柔性的、可伸展的或可卷繞的。
      [0058] 像素電路200設(shè)置在基板100上,并且可以包括像素線(或像素區(qū))、與像素線連接 以對應(yīng)于一個像素的兩個或更多個薄膜晶體管和至少一個電容器,所述像素線包括至少一 個掃描線、至少一個數(shù)據(jù)線和至少一個驅(qū)動功率線。像素電路200可以具有各種已知結(jié)構(gòu)。
      [0059] 有機(jī)發(fā)光二極管0LED包括第一電極300、有機(jī)發(fā)射層700和第二電極800。
      [0060] 第一電極300設(shè)置在像素電路200上,并且連接到像素電路200的薄膜晶體管。第 一電極300的邊緣部分被像素限定層400覆蓋。
      [0061] 第一電極300或第二電極800可以是用作空穴注入電極的陽極,并且另一個可以 是用作電子注入電極的陰極。第一電極300和第二電極800中的至少一個被形成為透光電 極,并且從有機(jī)發(fā)射層700發(fā)射的光可以向著第一電極300和第二電極800中的一個發(fā)射。
      [0062] 有機(jī)發(fā)射層700可以發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光和白光中的至少一個。如果有機(jī)發(fā)射層 700發(fā)射白光,則可以在從有機(jī)發(fā)射層700發(fā)射的光的路徑上設(shè)置用于轉(zhuǎn)換(或過濾)光的 波長的濾色器。
      [0063] 像素限定層400包括開口區(qū)域410,開口區(qū)域410暴露第一電極300中設(shè)置有機(jī)發(fā) 射層700的一些部分。像素限定層400向上突出并且限定開口區(qū)域410。像素限定層400 含有比阻擋層500具有更低密度的有機(jī)材料。
      [0064] 分隔件600設(shè)置在像素限定層400上,并且具有比像素限定層400小的面積。分 隔件600向上突出。分隔件600含有比阻擋層500具有更低密度的有機(jī)材料。
      [0065] 阻擋層500設(shè)置在像素限定層400和分隔件600之間,并且接觸像素限定層400和 分隔件600。阻擋層500含有與像素限定層400和分隔件600的材料不同的材料。阻擋層 500可以含有諸如氮化硅或氧化硅的無機(jī)材料、諸如鋁或鈦的金屬材料和諸如玻璃、石英、 非晶硅或非晶氧化物的非晶材料。阻擋層500可以具有與分隔件600的底表面基本上相同 的面積。阻擋層500可以具有大于500 A的厚度。
      [0066] 因?yàn)樵O(shè)置在像素限定層400和分隔件600之間的阻擋層500比像素限定層400和 分隔件600具有更高的密度,所以阻擋層500阻擋濕氣通過分隔件600從外部滲入,從而防 止或阻擋了濕氣移動到像素限定層400。
      [0067] 薄膜包封層900連同基板100 -起密封有機(jī)發(fā)光二極管0LED并且保護(hù)有機(jī)發(fā)光 二極管0LED不受從外部滲入的濕氣和外部干擾的影響。薄膜包封層900可以包括至少一 個有機(jī)層和至少一個無機(jī)層,并且多個有機(jī)層和多個無機(jī)層可以交替地堆疊在彼此頂部。 [0068] 如從以上看出的,根據(jù)第一示例性實(shí)施例的用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方 法和根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以避免有機(jī)發(fā)射材料通過圖案掩 模的開口圖案沉積在不期望的區(qū)域上并且抑制或降低了沉積有機(jī)發(fā)射層700的誤差,因?yàn)?在形成有機(jī)發(fā)射層700期間分隔件600被放置成接觸圖案掩模。
      [0069] 此外,根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以通過形成或包括比都 含有有機(jī)材料的像素限定層400和分隔件600具有更高密度的無機(jī)材料、金屬材料或非晶 材料的阻擋層500來防止或阻擋外部濕氣通過像素限定層400滲入像素電路200和有機(jī) 發(fā)射層700中,因?yàn)榧词狗指艏?00的一部分在形成有機(jī)發(fā)射層700期間因來自與分隔件 600接觸的圖案掩模的干擾而受損,但是在像素限定層400和分隔件600之間接觸像素限定 層400和分隔件600的阻擋層500仍防止或阻擋濕氣通過分隔件600的受損部分從外部滲 入。換句話講,提供了 一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,該有機(jī)發(fā)光二極管顯示器抑制了外部濕 氣通過像素限定層400滲入像素電路200和有機(jī)發(fā)射層700中,即使分隔件600因圖案掩 模而受損。
      [0070] 雖然已經(jīng)結(jié)合目前被視為是實(shí)際示例性實(shí)施例的內(nèi)容描述了本公開,但應(yīng)該理 解,本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例,而是相反地,意在涵蓋包括在所附權(quán)利要求書及其等同 物的精神和范圍內(nèi)的各種修改形式和等同布置。
      [0071] 〈對所選參考標(biāo)號的描述〉
      [0072] 基板 100,
      [0073] 第一電極 300,
      [0074] 像素限定層400,
      [0075] 分隔件 600,
      [0076] 阻擋層 500,
      [0077] 有機(jī)發(fā)射層700,
      [0078] 第二電極 800
      【權(quán)利要求】
      1. 一種有機(jī)發(fā)光二極管顯不器,包括: 基板; 第一電極,在基板上; 像素限定層,具有暴露第一電極的開口區(qū)域; 分隔件,在像素限定層上; 阻擋層,在像素限定層和分隔件之間,阻擋層比像素限定層和分隔件具有更高的密 度; 有機(jī)發(fā)射層,在第一電極上,處于第一電極的與開口區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中;以及 第二電極,在有機(jī)發(fā)射層上。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,像素限定層和分隔件均含有 有機(jī)材料。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,阻擋層含有無機(jī)材料。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,阻擋層含有金屬材料。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,阻擋層含有非晶材料。
      6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,阻擋層接觸像素限定層和分 隔件。
      7. -種用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法,所述方法包括: 在基板上形成第一電極; 在基板上形成具有開口區(qū)域的像素限定層,開口區(qū)域暴露第一電極; 在整個基板上方,在像素限定層上形成基體阻擋層,基體阻擋層比像素限定層具有更 高的密度; 在基體阻擋層上的與像素限定層對應(yīng)的區(qū)域中形成分隔件; 使用分隔件作為掩模,蝕刻基體阻擋層,以形成阻擋層; 放置圖案掩模使其接觸分隔件,圖案掩模包括與開口區(qū)域?qū)?yīng)的開口圖案,并且通過 開口圖案在第一電極上沉積有機(jī)發(fā)射層;以及 在有機(jī)發(fā)射層上形成第二電極。
      8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,形成像素限定層的步驟和形成分隔件的步驟都 是通過在基板上涂覆感光有機(jī)材料并且將感光有機(jī)材料曝光和顯影來執(zhí)行的。
      9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,形成基體阻擋層的步驟是通過在整個基板上方 形成無機(jī)材料來執(zhí)行的。
      10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,形成基體阻擋層的步驟是通過在整個基板上方 形成金屬材料來執(zhí)行的。
      11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,形成基體阻擋層的步驟是通過在整個基板上方 形成非晶材料來執(zhí)行的。
      【文檔編號】H01L51/56GK104103663SQ201310438796
      【公開日】2014年10月15日 申請日期:2013年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月2日
      【發(fā)明者】崔廷豪 申請人:三星顯示有限公司
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